JP2008025022A - 薄膜蒸着用の回転蒸着源及びこれを用いる薄膜蒸着装置 - Google Patents
薄膜蒸着用の回転蒸着源及びこれを用いる薄膜蒸着装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008025022A JP2008025022A JP2007098887A JP2007098887A JP2008025022A JP 2008025022 A JP2008025022 A JP 2008025022A JP 2007098887 A JP2007098887 A JP 2007098887A JP 2007098887 A JP2007098887 A JP 2007098887A JP 2008025022 A JP2008025022 A JP 2008025022A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- deposition source
- deposition
- film deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 69
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】薄膜蒸着用の回転蒸着源及びこれを用いる薄膜蒸着装置を提供する。
【解決手段】上面は開放され、内部には蒸着物質を入れる坩堝、及び該坩堝を加熱する加熱部を備える蒸着源において、外部から供給される所定の動力を用いて蒸着源を回転させる所定の回転手段を備える回転蒸着源。蒸着しようとする基板、該基板の蒸着が不要な部分を遮蔽し、基板の必要な部分のみを蒸着させる基板に結合されるマスク、基板とマスクとを支持している基板チャッキング装置及び所定の回転手段を用いて回転される蒸着源を備え、該蒸着源は、上面は開放され、内部には蒸着物質を入れる坩堝及び該坩堝を加熱する加熱部を備える回転蒸着源を用いる薄膜蒸着装置。
【選択図】図2
【解決手段】上面は開放され、内部には蒸着物質を入れる坩堝、及び該坩堝を加熱する加熱部を備える蒸着源において、外部から供給される所定の動力を用いて蒸着源を回転させる所定の回転手段を備える回転蒸着源。蒸着しようとする基板、該基板の蒸着が不要な部分を遮蔽し、基板の必要な部分のみを蒸着させる基板に結合されるマスク、基板とマスクとを支持している基板チャッキング装置及び所定の回転手段を用いて回転される蒸着源を備え、該蒸着源は、上面は開放され、内部には蒸着物質を入れる坩堝及び該坩堝を加熱する加熱部を備える回転蒸着源を用いる薄膜蒸着装置。
【選択図】図2
Description
本発明は、有機物質を蒸着する蒸着源を回転させる装置に係り、さらに詳細には、基板の代りに蒸着源を回転させることによって、基板を回転させる場合に比べてさらに効率的に基板に対して均一な蒸着を可能にする薄膜蒸着用の装置に関する。
インターネットが広範囲に使用されるにつれて、これと関連したデータ処理、アプリケーション、データ伝送などの技術が急速に発展している。これにより、デジタルデータ伝送速度は、高速化されており、自然にそれに相応する応答速度で動画などを具現しうるディスプレイ素子の開発が必須的に要求されている。現在、速い応答速度を有する有機ELが注目されており、有機ELは、速い応答速度以外にも、既存の液晶より消費電力が小さく、軽薄化が可能であり、かつ輝度に優れるという長所を有しているために、次世代ディスプレイとして光を浴びている。
有機ELは、ガラス基板上にITO陽極膜、有機薄膜、金属陰極膜を覆って陽極と陰極との間に電圧をかけることによって、適当なエネルギーの差が有機薄膜で形成され、これを通じて発光する原理による。すなわち、注入される電子と正孔(hole)とが再結合しつつ、放出されるエネルギーが光として発生することである。この際、有機物質のドーパントの量によって出射光の波長を調節することができ、総天然色(RGB)の具現が可能である。その構造としては、面抵抗が小さく、透過性に優れたITO(Indium Tin Oxide)膜があり、発光効率を高めるために、有機薄膜は、HIL、HTL、EML、ETL、EILの多層構造からなっており、その上に金属膜(LiF−Al)がある。使われる有機物質は、Alq3、TPD、PBD、m−MTDATA、TCTAなどであり、ドーパントとしてcumarine6、BczVBiなどが使われる。
有機ELの特性は、主に有機薄膜層により決まり、多層の有機薄膜は、高真空雰囲気で蒸着を用いて有機物質のシャドーマスク(shadow mask)を介して画素のパターンを作る、いわゆる真空蒸着法により作られる。多層の有機薄膜が蒸着される真空チャンバ内には、有機物質の蒸着物質、蒸着源、ガラス基板とマスクとのアライン(Align)装置、マスクと基板との整合如何を知らせるビジョンシステム、厚さモニタ(thickness Monitor)などが設けられている。
図1は、従来の均一な蒸着のための蒸着装置の概念図である。
従来の技術によれば、均一な蒸着のために、マスク30、基板20、基板チャッキング装置40などを回転させつつ、蒸着する。
しかし、基板20が大きくなるほど、基板とマスクとをチャンバの上端で保持している基板チャッキング装置(chuking system)40も大きくなり、これにより、基板を回転させ難くなる。また、チャンバの上端には、マスクアライン装置またはビジョンシステムなどが存在するので、これらも基板20などの回転に障害となる。のみならず、互いに対向している大面積のマスク30と基板20とを離隔させずに回転させねばならないなど多様な制限事項が存在していた。
本発明は、前記問題点を改善するためのものであって、基板などを回転させる代わりに蒸着源を回転させることによって、均一に蒸着させる蒸着装置の設計をさらに容易にして、蒸着装置の運用における所要経費を低減しようとするところにその目的がある。
本発明の目的は、以上で言及した目的に制限されず、言及されていない他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されうる。
薄膜蒸着用の回転蒸着源及びこれを用いる薄膜蒸着装置が提供される。
本発明の一実施形態による回転蒸着源は、上面は開放され、内部には蒸着物質を入れる坩堝及び前記坩堝を加熱する加熱部を備える蒸着源において、外部から供給される所定の動力を用いて前記蒸着源を回転させる所定の回転手段を備える。
本発明の一実施形態による回転蒸着源を用いる薄膜蒸着装置は、蒸着しようとする基板、前記基板の蒸着が不要な部分を遮蔽して、前記基板の必要な部分のみを蒸着させる前記基板に結合されるマスク、前記基板と前記マスクとを支持している基板チャッキング装置及び所定の回転手段を用いて回転される蒸着源を備え、前記蒸着源は、上面は開放され、内部には蒸着物質を入れる坩堝及び前記坩堝を加熱する加熱部を備える。
本発明によれば、固定されている基板とマスク及び基板チャッキング装置が共に回転しつつ、発生する基板とマスクとのずれを防止し、基板チャッキング装置を回転させる設計上・費用上の負担を減らしうる。
その他の実施例の具体的な事項は詳細な説明及び図面に含まれている。
本発明の利点及び特徴、そしてこれを達成する方法は添付された図面に基づいて詳細に後述されている実施例を参照すれば明確になる。しかし、本発明は以下で開示される実施例に限定されるものではなく、この実施例から外れて多様な形に具現でき、本明細書で説明する実施例は本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で当業者に発明の範ちゅうを完全に報せるために提供されるものであり、本発明は請求項及び発明の詳細な説明によってのみ定義される。一方、明細書全体に亙って同一な参照符号は同一な構成要素を示す。
以下、本発明の実施形態によって薄膜蒸着のための線形蒸着源を説明するための図面に基づいて本発明について説明する。
図2は、本発明の一実施形態による回転蒸着源を用いる薄膜蒸着装置を示す図面である。
本発明の一実施形態による回転蒸着源を用いる薄膜蒸着装置は、蒸着源10、基板20、マスク30、基板チャッキング装置40及び蒸着源10に結合されたシャフト500で構成されうる。
蒸着源10は、上面は開放され、その内部には蒸着物質を入れる坩堝と、該坩堝を加熱する加熱部を備え、基板20は、蒸着源で蒸発される蒸着物質が蒸着される所であって、ガラス基板などがこれに該当する。マスク30は、基板において蒸着の不要な部分を遮蔽し、基板の所望部分に画素を形成するパターニング(patterning)を行い、蒸着過程では基板20とマスク30とが結合されている。基板チャッキング装置40は、結合されている基板20及びマスク30を支持し、これを真空チャンバの上部に位置させる。蒸着源10に結合されたシャフト500は、蒸着源10を回転させるために蒸着源10に結合されたものであって、このようなシャフト500を通じて蒸着源を回転させるエネルギーが伝達される。
蒸着を均一にするために、従来には、基板20、マスク30及び基板20とマスク30とを支持している前記基板チャッキング装置40を回転させたが、本発明の一実施形態によれば、その代りに基板20の下に位置した蒸着源10を回転させる。このような蒸着源10を回転させるために、蒸着源10の下面にシャフト500を設置して蒸着源を回転させる。
図3は、本発明の一実施形態によるモータを用いて蒸着源10を回転させる回転蒸着源を用いる薄膜蒸着装置を示す図面である。
前述した本発明の一実施形態に該当する蒸着源10、基板20、マスク30、基板チャッキング装置40、蒸着源10に結合されたシャフト500を備える、回転蒸着源を用いる薄膜蒸着装置の前記シャフト500にモータ600を結合し、蒸着源10を回転させうる。
前記モータ600は、真空チャンバの内部または外部に設けられる。
図4は、本発明の一実施形態によるベルトを用いて蒸着源10を回転させる回転蒸着源を用いる薄膜蒸着装置を示す図面である。
前述した本発明の一実施形態に該当する蒸着源10、基板20、マスク30、基板チャッキング装置40、蒸着源10に結合されたシャフト500を備える、回転蒸着源を用いる薄膜蒸着装置の前記シャフト500にベルト700を結合して蒸着源10を回転させうる。この際、ベルト700に所定のエネルギー供給装置を通じてエネルギーを供給し、前記ベルト700を用いて蒸着源10を回転させ、ベルト700及びベルト700にエネルギーを供給する装置は、個別状況により真空チャンバの内部または外部に設けられる。
図5は、本発明の一実施形態によるギアを用いて蒸着源10を回転させる回転蒸着源を用いる薄膜蒸着装置を示す図面である。
前述した本発明の一実施形態に該当する蒸着源10、基板20、マスク30、基板チャッキング装置40、蒸着源10に結合されたシャフト500を備える、回転蒸着源を用いる薄膜蒸着装置の前記シャフト500にギア800を結合して蒸着源10を回転させうる。
この際、ギア800に所定のエネルギー供給装置を通じてエネルギーを供給し、前記ギア800を用いて蒸着源10を回転させ、ギア800及びギア800にエネルギーを供給する装置は、個別状況により真空チャンバの内部または外部に設けられる。
本発明が属する技術分野で当業者ならば本発明がその技術的思想や必須特徴を変更せずとも他の具体的な形に実施されうるということが理解できるであろう。したがって、前述した実施例は全ての面で例示的なものであって、限定的なものではないと理解せねばならない。本発明の範囲は詳細な説明よりは特許請求の範囲により表れ特許請求の範囲の意味及び範囲、そしてその等価概念から導かれるあらゆる変更または変形された形態が本発明の範囲に含まれると解釈されねばならない。
本発明は、回転蒸着源及びこれを用いる薄膜蒸着装置関連の技術分野に好適に適用されうる。
10 蒸着源
20 基板
30 マスク
40 基板チャッキング装置
500 シャフト
600 モータ
700 ベルト
800 ギア
20 基板
30 マスク
40 基板チャッキング装置
500 シャフト
600 モータ
700 ベルト
800 ギア
Claims (5)
- 上面は開放され、内部には蒸着物質を入れる坩堝と、
前記坩堝を加熱する加熱部と、を備える蒸着源において、
外部から供給される所定の動力を用いて前記蒸着源を回転させる所定の回転手段を備える薄膜蒸着用の回転蒸着源。 - 前記所定の回転手段は、蒸着源の下端に設けられたシャフトと、前記シャフトに結合されたモータである請求項1に記載の薄膜蒸着用の回転蒸着源。
- 前記所定の回転手段は、蒸着源の下端に設けられたシャフトを含み、前記シャフトは前記シャフトに連結されベルトにより回転させる請求項1に記載の薄膜蒸着用の回転蒸着源。
- 前記所定の回転手段は、蒸着源の下端に設けられたシャフトを含み、前記シャフトは前記シャフトに連結されたギアにより回転させる請求項1に記載の薄膜蒸着用の回転蒸着源。
- 蒸着しようとする基板と、
前記基板の蒸着が不要な部分を遮蔽して、前記基板の必要な部分のみを蒸着させる前記基板に結合されるマスクと、
前記基板と前記マスクとを支持している基板チャッキング装置と、
所定の回転手段を用いて回転される蒸着源と、を備え、
前記蒸着源は、
上面は開放され、内部には蒸着物質を入れる坩堝と、
前記坩堝を加熱する加熱部と、を備える回転蒸着源を用いる薄膜蒸着装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060066962A KR20080007820A (ko) | 2006-07-18 | 2006-07-18 | 박막 증착용 회전 증착원 및 이를 이용하는 박막 증착 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008025022A true JP2008025022A (ja) | 2008-02-07 |
Family
ID=38970241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007098887A Pending JP2008025022A (ja) | 2006-07-18 | 2007-04-04 | 薄膜蒸着用の回転蒸着源及びこれを用いる薄膜蒸着装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080017110A1 (ja) |
JP (1) | JP2008025022A (ja) |
KR (1) | KR20080007820A (ja) |
CN (1) | CN101109067A (ja) |
TW (1) | TW200807785A (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8236108B1 (en) | 2008-04-25 | 2012-08-07 | University Of South Florida | Inertial masking assembly |
CN101984135B (zh) * | 2010-11-19 | 2013-07-10 | 光驰科技(上海)有限公司 | 成膜基板夹具及其成膜装置 |
JP5715802B2 (ja) * | 2010-11-19 | 2015-05-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置 |
CN102277563A (zh) * | 2011-08-03 | 2011-12-14 | 深圳大学 | 一种旋转感应热沉积制备涂层或薄膜的装置及方法 |
CN103732792B (zh) | 2011-08-05 | 2016-06-29 | 3M创新有限公司 | 用于处理蒸气的***和方法 |
KR20130045432A (ko) * | 2011-10-26 | 2013-05-06 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 회전식 증착 장치 |
CN102534475A (zh) * | 2012-03-01 | 2012-07-04 | 苏州鼎旺科技有限公司 | 一种超薄滤光片镀膜工艺及镀膜夹具 |
KR102208242B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2021-01-28 | (주)선익시스템 | 증발위치가변형 증착장치 및 이를 이용한 증착방법 |
US20180141080A1 (en) | 2015-06-30 | 2018-05-24 | 3M Innovative Properties Company | Discontinuous coatings and methods of forming the same |
CN108884567A (zh) | 2016-04-01 | 2018-11-23 | 3M创新有限公司 | 辊到辊原子层沉积设备和方法 |
US10919200B2 (en) | 2017-10-17 | 2021-02-16 | Mold-Masters (2007) Limited | Injection molding apparatus |
WO2024091610A1 (en) * | 2022-10-28 | 2024-05-02 | Applied Materials, Inc. | Centrifugal atomization of molten metal |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59208069A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-26 | ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 多くの物質を蒸着させるための放射加熱部を有する蒸発装置 |
JPS61195968A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Hitachi Cable Ltd | 合金蒸着膜の製造方法 |
JPH03264668A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-25 | Canon Inc | 真空蒸着装置 |
JP2004099946A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置 |
JP2005029837A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Showa Shinku:Kk | 真空蒸着装置の蒸発源移動機構 |
JP2006131993A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 蒸着方法及びそのための蒸着装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6309508B1 (en) * | 1998-01-15 | 2001-10-30 | 3M Innovative Properties Company | Spinning disk evaporator |
US6342103B1 (en) * | 2000-06-01 | 2002-01-29 | The Boc Group, Inc. | Multiple pocket electron beam source |
TW574398B (en) * | 2002-10-25 | 2004-02-01 | Ritek Display Technology Corp | Evaporation method and equipment for evaporation |
-
2006
- 2006-07-18 KR KR1020060066962A patent/KR20080007820A/ko not_active Application Discontinuation
-
2007
- 2007-04-04 JP JP2007098887A patent/JP2008025022A/ja active Pending
- 2007-05-23 CN CNA2007101037592A patent/CN101109067A/zh active Pending
- 2007-06-23 TW TW096122722A patent/TW200807785A/zh unknown
- 2007-07-09 US US11/825,684 patent/US20080017110A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59208069A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-26 | ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 多くの物質を蒸着させるための放射加熱部を有する蒸発装置 |
JPS61195968A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Hitachi Cable Ltd | 合金蒸着膜の製造方法 |
JPH03264668A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-25 | Canon Inc | 真空蒸着装置 |
JP2004099946A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置 |
JP2005029837A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Showa Shinku:Kk | 真空蒸着装置の蒸発源移動機構 |
JP2006131993A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 蒸着方法及びそのための蒸着装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080017110A1 (en) | 2008-01-24 |
TW200807785A (en) | 2008-02-01 |
KR20080007820A (ko) | 2008-01-23 |
CN101109067A (zh) | 2008-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008025022A (ja) | 薄膜蒸着用の回転蒸着源及びこれを用いる薄膜蒸着装置 | |
JP5166942B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
TWI500787B (zh) | 沈積方法與發光裝置的製造方法 | |
TWI336905B (en) | Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device | |
US7820231B2 (en) | Manufacturing apparatus | |
CN1679375B (zh) | 制造***,发光装置以及含有有机化合物层的制造方法 | |
US8574709B2 (en) | Deposition donor substrate and method for manufacturing light-emitting device | |
JP5325471B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
TW200415952A (en) | Light-emitting device, manufacturing apparatus, film-forming method, and cleaning method | |
TW200406498A (en) | Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device | |
CN107331647A (zh) | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 | |
WO2012170145A1 (en) | Process for fabricating oled lighting panels | |
KR100813199B1 (ko) | 개구부의 각도가 상이한 증착원 및 이를 이용하는 박막증착 장치 | |
JP2003313655A (ja) | 製造装置 | |
JP2009076544A (ja) | 有機el素子 | |
CN108649128A (zh) | 一种单组分电致白光器件及其制备方法 | |
JP2005285732A (ja) | 有機機能素子およびその製造方法 | |
JP4338335B2 (ja) | 真空蒸着装置 | |
KR200356423Y1 (ko) | 유기물 자동공급장치 | |
JP2008293675A (ja) | 蒸着装置および有機el素子 | |
KR101920759B1 (ko) | 유기 발광 표시장치의 제조방법 | |
KR100916380B1 (ko) | 유기 el용 마스크 세정장치 | |
Lee et al. | Optimization of semitransparent anode electrode for flexible green and red phosphorescent organic light-emitting diodes | |
JP2002324669A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2010037620A (ja) | 成膜方法、膜材料、および成膜装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100614 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101124 |