JP2008020774A - 電子装置及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置14とキャパシタ15とを備える電子装置20にて、半導体装置14は半導体膜26と、ゲート絶縁膜25と、ゲート電極Gと、ドレイン電極Dと、ソース電極Sと、第一層間絶縁膜21と、第二層間絶縁膜24とを備え、キャパシタ15は互いに並列接続した第一キャパシタと第二キャパシタとから成り、第一キャパシタは第一電極層18と第二電極層19、並びに第一誘電体膜とから成り、第二キャパシタは第三電極層22と第四電極層23、並びに第二誘電体膜とから成り、第二電極層19と第三電極層22とが電気的に接続して居る。
【選択図】図1
Description
斯うした構成にて画素電極と共通電極との間に電位差を与えると、電界の方向に応じて、帯電した電気泳動粒子がどちらか一方の電極に引き寄せられる。電気泳動粒子を着色粒子とし、共通電極と対向基板を透過性材料とすると、対向基板側に引き寄せられた電気泳動粒子の色が見える。斯うして各画素電極に印加する電圧を制御して、画像を表示する事が可能となる。
そこで本発明は上述の諸事情を鑑み、保持電荷の減少による画像表示への影響を軽減する電子装置並びに表示装置を提供する事を目的とする。
本発明の電子装置や表示装置では第一キャパシタと第二キャパシタとが互いに並列接続されて居るので、前述の如く第一キャパシタ第二電極と第二キャパシタ第三電極とが電気的に導通が取られ、更に第一キャパシタ第一電極と第二キャパシタ第四電極とが電気的に導通が取られる事に成る。
尚、本明細書では半導体装置のソース領域とドレイン領域とを区別せず、便宜上一方の領域をソース領域と名付け、他方の領域をドレイン領域と名付ける。物理的に厳密を期すならば、トランジスタのソース領域とドレイン領域とは、N型トランジスタでは電位の低い方がソース領域と定義され、P型トランジスタでは電位の高い方がソース領域と定義される。しかしどちらの領域の電位が高くなるかは動作状態に応じて変化する。その為にソース領域とドレイン領域とは一つのトランジスタ内で常に入れ替わり得る。本明細書では説明を明瞭とする目的でこうした厳密性を排し、便宜上一方の領域をソース領域と呼び、他方の領域をドレイン領域と呼ぶことにする。又ソース電極とはソース領域に電気的に接続する電極を意味し、ドレイン電極とはドレイン領域に電気的に接続する電極を意味する。ソース領域やドレイン領域は半導体膜に作られるが、ソース電極やドレイン電極は金属等の導電性物質から成る。
図1に示す断面構造を有する対角2.1インチの電気泳動表示装置を作成した。第一基板11には240行320列の行列状に画素が配置されている。一つの画素は132μmの正方形を為す。薄膜半導体装置は低温工程(工程最高温度が450℃程度)で作成された多結晶シリコンTFTである。TFTは、lightly-doped drain (LDD)構造を取り、低濃度ソース・ドレイン領域には5×1018cm-3の濃度で燐がドープされており、高濃度ソース・ドレイン領域には1×1020cm-3の濃度で燐がドープされて居る。キャパシタの第一電極層は高濃度ソース・ドレイン領域と同じ燐がドープされた多結晶シリコン膜から成る。ゲート絶縁膜と第一誘電体膜は酸化珪素膜から成り、厚みt1は75nm(=7.5×10-8m)である。酸化珪素膜の比誘電率ε1は3.9である。ゲート電極と第二電極層とは共に500nm厚のアルミニウムである。第一キャパシタは第二電極層と第一電極層との重なり部に形成され、その面積A1は凡そ104μm2(=10-8m2)で有る。従って、第一キャパシタの容量C1は、ε0を真空の誘電率として(ε0=8.85×10-12 Fm-1)、
C1=ε0・ε1・A1/t1
=(8.85×10-12Fm-1)×3.9×(10-8m2)/(7.5×10-8m)
=4.6×10-12F=4.6pF
となる。
C2=ε0・ε2・A2/t2
=(8.85×10-12Fm-1)×10×(10-8m2)/(5×10-7m)
=1.8×10-12F=1.8pF
となる。第一キャパシタと第二キャパシタとは並列接続接続されて居るので総容量C=(C1+C2)は6.4pFと大きくなる。従来技術での容量はC1だけだったので、本発明により容量は約40%増大した事になる。
Claims (3)
- 半導体装置とキャパシタとを備える電子装置であって、
該半導体装置はソース領域とチャンネル形成領域とドレイン領域とを含む半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、該ドレイン領域に接続されたドレイン電極と、該ソース領域に接続されたソース電極と、該ゲート電極と該ドレイン電極とを分離する第一層間絶縁膜と、該ドレイン電極と該ソース電極とを分離する第二層間絶縁膜とを備え、
該キャパシタは、互いに並列接続された第一キャパシタと第二キャパシタとを有し、
該第一キャパシタは、第一電極層と第二電極層、並びに該第一電極層と該第二電極層とに挟まれた第一誘電体膜とを有し、
該第二キャパシタは、第三電極層と第四電極層、並びに該第三電極層と該第四電極層とに挟まれた第二誘電体膜とを有し、
該第二電極層と該第三電極層とが電気的に接続されていることを特徴とする電子装置。 - 第一基板と第二基板、及び該第一基板と該第二基板との間に挟持された電気表示材料とを含む表示装置であって、
該第一基板には、半導体装置とキャパシタとが形成され、
該第二基板には、共通電極が形成され、
該半導体装置は、ソース領域とチャンネル形成領域とドレイン領域とを含む半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、該ドレイン領域に接続されたドレイン電極と、該ソース領域に接続されたソース電極と、該ゲート電極と該ドレイン電極とを分離する第一層間絶縁膜と、該ドレイン電極と該ソース電極とを分離する第二層間絶縁膜とを備え、
該キャパシタは、互いに並列接続された第一キャパシタと第二キャパシタとを有し、
該第一キャパシタは、第一電極層と第二電極層、並びに該第一電極層と該第二電極層とに挟まれた第一誘電体膜とを有し、
該第二キャパシタは、第三電極層と第四電極層、並びに該第三電極層と該第四電極層とに挟まれた第二誘電体膜とを有し、
該第二電極層と該第三電極層とが電気的に接続されており、
該第四電極と該共通電極とが、該電気表示材料を誘電体として挟持するキャパシタを為していることを特徴とする表示装置。 - 前記電気表示材料が、電気泳動材料で有ることを特徴とする請求項2記載の表示装置。
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