JP2008016780A - 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Wの表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理する工程において、現像液供給ノズル28から疎水化剤が混合された現像液を基板表面のレジスト膜上へ供給し、現像処理後にリンス処理しスピン乾燥する。
【選択図】図1
Description
したがって、請求項1に係る発明の現像処理方法によると、レジスト膜の諸特性を維持したままで、パターン寸法の微細化に伴って起こるレジストパターン倒壊の発生を防止することができ、界面活性剤を含むリンス液を用いてリンス処理する場合のように後工程に悪影響を及ぼす心配も無い。
図1ないし図4は、この発明に係る基板の現像処理方法を実施するために使用される現像処理装置の構成の1例を示し、図1は、現像処理装置の概略構成を示す平面図であり、図2は、図1のII−II矢視断面図であり、図3は、図1のIII−III矢視断面図であり、図4は、この現像処理装置の現像液供給系を示す模式図である。
図5の(a)に示すように、表面に露光後のレジスト膜Rが形成された基板Wが装置内に搬入されて、スピンチャック10に基板Wが保持されると、図5の(b)に示すように、現像液吐出ノズル28のスリット状吐出口から疎水化剤が混合された現像液HDを吐出させつつ、アーム駆動部24によって現像液吐出ノズル28を矢印A(図1および図2参照)で示す方向に走査する。これにより、基板W上に現像液HDが供給されて液盛りされる。現像液吐出ノズル28が右側の待機ポット20の位置まで移動すると、現像液の吐出を停止させて、アーム駆動部24により現像液吐出ノズル28を矢印Aで示す方向と逆方向へ移動させ、現像液吐出ノズル28を元の左側の待機ポット20の位置まで戻す。そして、基板W上に現像液HDを盛ってから所定時間が経過するまで基板Wを静止させたままにして、基板Wの表面上のレジスト膜Rを現像する。このとき、基板W上へ供給された現像液HDには疎水化剤が混合されているので、図6に部分拡大断面図を示すように、現像処理によって新たに露出したレジストパターンRPの表面Sが疎水化剤によって疎水化される。
図8の(a)に示すように、表面に露光後のレジスト膜Rが形成された基板Wが装置内に搬入されて、スピンチャック10に基板Wが保持されると、図8の(b)に示すように、現像液吐出ノズル56のスリット状吐出口から現像液Dを吐出させつつ、アーム駆動部24によって現像液吐出ノズル56を矢印A(図7参照)で示す方向に走査する。これにより、基板W上に現像液Dが供給されて液盛りされる。現像液吐出ノズル56が右側の待機ポット20の位置まで移動すると、現像液の吐出を停止させて、アーム駆動部24により現像液吐出ノズル56を矢印Aで示す方向と逆方向へ移動させ、現像液吐出ノズル56を元の左側の待機ポット20の位置まで戻す。そして、基板W上に現像液Dを盛った状態で基板Wを静止させたままにして、基板Wの表面上のレジスト膜Rを現像する。
12、68 回転支軸
14、70 回転モータ
16 内側カップ
18 外側カップ
20 待機ポット
22 ガイドレール
24 アーム駆動部
26 ノズルアーム
28、56、74 現像液吐出ノズル
30 現像液供給管
34 液体混合器
36 現像液
38 現像液槽
42 現像液供給配管
44 疎水化剤を含んだ疎水化溶液
46 溶液槽
50 溶液供給配管
52、58、78 純水吐出ノズル
54、64、76、80 ノズル保持部
60 溶液吐出ノズル
62 回転駆動部
72 カップ
W 基板
Claims (13)
- 基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給してレジスト膜を現像処理する現像工程と、
基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を供給してリンス処理するリンス工程と、
基板を水平姿勢で鉛直軸回りに回転させて、基板表面に形成されたリンス処理後のレジスト膜を乾燥させる乾燥工程と、
を含む基板の現像処理方法において、
前記現像工程において、疎水化剤が混合された現像液を基板表面のレジスト膜上へ供給することを特徴とする基板の現像処理方法。 - 基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給してレジスト膜を現像処理する現像工程と、
基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を供給してリンス処理するリンス工程と、
基板を水平姿勢で鉛直軸回りに回転させて、基板表面に形成されたリンス処理後のレジスト膜を乾燥させる乾燥工程と、
を含む基板の現像処理方法において、
前記現像工程後、前記リンス工程前に、基板表面に形成されたレジスト膜上へ疎水化剤を供給することを特徴とする基板の現像処理方法。 - 基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給してレジスト膜を現像処理する現像工程と、
基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を供給してリンス処理するリンス工程と、
基板を水平姿勢で鉛直軸回りに回転させて、基板表面に形成されたリンス処理後のレジスト膜を乾燥させる乾燥工程と、
を含む基板の現像処理方法において、
前記現像工程後、前記リンス工程前に、基板表面に形成されたレジスト膜上へリンス液を供給して予備リンス処理し、その後に、レジスト膜上へ疎水化剤を供給することを特徴とする基板の現像処理方法。 - 前記疎水化剤は、疎水化剤を含む疎水化溶液としてレジスト膜上へ供給される請求項2または請求項3に記載の基板の現像処理方法。
- 前記疎水化溶液に界面活性剤が添加された請求項4に記載の基板の現像処理方法。
- 前記疎水化溶液は、現像液に比べて比重が大きい疎水化剤に界面活性剤を添加して調製される請求項4に記載の基板の現像処理方法。
- 前記疎水化剤は、蒸気の状態でレジスト膜上へ供給される請求項2または請求項3に記載の基板の現像処理方法。
- 前記疎水化剤として、ジメチルジクロロシラン、ヘキサメチルジシラザンまたはパーフルオロ化合物が使用される請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の基板の現像処理方法。
- 基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
この基板保持手段によって保持された基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を吐出する現像液吐出ノズルと、
この現像液吐出ノズルへ現像液を供給する現像液供給手段と、
基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を吐出するリンス液吐出ノズルと、
このリンス液吐出ノズルへリンス液を供給するリンス液供給手段と、
前記基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、
を備えた基板の現像処理装置において、
前記現像液供給手段は、疎水化剤が混合された現像液を前記現像液吐出ノズルへ供給することを特徴とする基板の現像処理装置。 - 基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
この基板保持手段によって保持された基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を吐出する現像液吐出ノズルと、
この現像液吐出ノズルへ現像液を供給する現像液供給手段と、
基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を吐出するリンス液吐出ノズルと、
このリンス液吐出ノズルへリンス液を供給するリンス液供給手段と、
前記基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、
を備えた基板の現像処理装置において、
基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へ疎水化剤を含む疎水化溶液を吐出する溶液吐出ノズルと、
この溶液吐出ノズルへ疎水化剤を含む疎水化溶液を供給する溶液供給手段と、
をさらに備えたことを特徴とする基板の現像処理装置。 - 基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
この基板保持手段によって保持された基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を吐出する現像液吐出ノズルと、
この現像液吐出ノズルへ現像液を供給する現像液供給手段と、
基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を吐出するリンス液吐出ノズルと、
このリンス液吐出ノズルへリンス液を供給するリンス液供給手段と、
前記基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、
を備えた基板の現像処理装置において、
基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へ疎水化剤の蒸気を噴出する蒸気噴出ノズルと、
この蒸気噴出ノズルへ疎水化剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、
をさらに備えたことを特徴とする基板の現像処理装置。 - 前記現像液吐出ノズルは、
下端面にスリット状吐出口を有し、前記基板保持手段によって静止状態で保持された基板に対し、前記スリット状吐出口と直交する方向へ直線的に移動しつつ、前記スリット状吐出口から基板表面のレジスト膜上へ現像液を吐出して、レジスト膜の全面に現像液を膜状に盛るスリットノズルである請求項9ないし請求項11のいずれかに記載の基板の現像処理装置。 - 前記現像液吐出ノズルは、
前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって低速で回転させられている基板の中心部へ先端吐出口から現像液を吐出して、基板表面のレジスト膜の全面に現像液を拡げ現像液を塗布するストレートノズルである請求項9ないし請求項11のいずれかに記載の基板の現像処理装置。
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