JP2007533140A - 少なくとも一つのカプセル化層がナノ粒子群を含む複数のカプセル化層を有する発光素子およびその形成方法 - Google Patents

少なくとも一つのカプセル化層がナノ粒子群を含む複数のカプセル化層を有する発光素子およびその形成方法 Download PDF

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Abstract

発光素子は、アクティブ領域に印加された電圧に反応して光を発するよう設定されたアクティブ領域を含む。第1のカプセル化層は、少なくとも部分的にアクティブ領域をカプセル化し、基材とナノ粒子群を含み、第1のカプセル化層の少なくとも一つの物理的性質を変化させる。第2のカプセル化層は、少なくとも部分的に第1のカプセル化層をカプセル化する。

Description

本発明は、一般に、マイクロエレクトロニック素子群およびその製造方法に関し、より具体的には、発光素子群およびその製造方法に関する。
発光ダイオード群(LED群)は、民生用および商用の用途において広く利用されている。当業者には周知のように、発光ダイオードは、一般的に、マイクロエレクトロニック基材にアクティブ領域を含む。マイクロエレクトロニック基材は、例えば、ガリウムヒ素、ガリウム燐、それらの合金、炭化ケイ素、および/又はサファイアを含むことがある。LED群の絶え間ない発展により、可視スペクトルおよびそれを超える領域をカバーする高度に効率的で機械的に頑強な光源が生まれている。これらの特性と、半導体素子群の耐用年数は潜在的に長くなる可能性とが結びつくことにより、様々な新しいディスプレイへの応用が可能となり、すでによく定着している白熱および/又は蛍光灯と競争する地位に、LED群を、置くことができる。
米国特許6201262号 米国特許6187606号 米国特許6120600号 米国特許5912477号 米国特許5739554号 米国特許5631190号 米国特許5604135号 米国特許5523589号 米国特許5416342号 米国特許5393993号 米国特許5338944号 米国特許5210051号 米国特許5027168号 米国特許4966862号 米国特許4918497号 米国特許明細書シリアル番号10/140796号 米国特許明細書シリアル番号10/057821号 米国特許明細書シリアル番号10/659241号 米国特許明細書シリアル番号10/057821号
標準的なLEDパッケージは、典型的に、他の要素からアクティブ素子を保護し、LED小立方体の光学的出力を増大させるためにエポキシ製のカプセル化層を含む。残念ながら、エポキシ製のカプセル化層は、比較的短い波長(例えば、525nm)のハイフラックスLED群とともに用いると光学的な品質が低下することがある。
本発明に係る幾つかの実施形態によると、発光素子は、アクティブ領域に印加された電圧に反応して光を発するよう設定されたアクティブ領域を含む。第1のカプセル化層は、少なくとも部分的にアクティブ領域をカプセル化し、基材(matrix material)とナノ粒子群を含み、第1のカプセル化層の少なくとも一つの物理的性質を変化させる。第2のカプセル化層は、少なくとも部分的に第1のカプセル化層をカプセル化する。
本発明に係る他の実施形態において、基材は、シリコーン、シリコーン化合物、オプティカルゲル(optical gel)、エポキシ樹脂、ガラス、ゾルゲル、エーロゲル、および/又は光学的に安定な高分子化合物を含む。
本発明に係るさらに他の実施形態において、第1のカプセル化層は、十分に透明である。
本発明に係るさらに他の実施形態において、ナノ粒子群は、TiO、ダイヤモンド、炭化ケイ素、散乱粒子群、充填材群、リン光体群、および/又は光変換物質群を含む。
本発明に係るさらに他の実施形態において、少なくとも一つの物理的特性は、屈折率、熱伝導率、機械的強度、耐磨耗性、および/又は光学的安定性を含む。
本発明に係る追加的な実施形態において、基材は、第1の基材であり、ナノ粒子群は、第1のナノ粒子群である。第2のカプセル化層は、第2のカプセル化層の少なくとも一つの物理的性質を変化させる第2の基材と第2のナノ粒子群とを含む。
本発明に係るさらに追加的な実施形態において、第2の基材は、シリコーン、シリコーン化合物、オプティカルゲル(optical gel)、エポキシ樹脂、ガラス、ゾルゲル、エーロゲル、および/又は光学的に安定な高分子化合物を含む。
本発明に係るさらに追加的な実施形態において、第2のカプセル化層は、十分に透明である。
本発明に係るさらに追加的な実施形態において、第2のナノ粒子群は、TiO、ダイヤモンド、炭化ケイ素、散乱粒子群、充填材群、リン光体群、および/又は光変換物質群を含む。
本発明に係るさらに追加的な実施形態において、第2のカプセル化層の少なくとも一つの物理的特性は、屈折率、熱伝導率、機械的強度、耐磨耗性、および/又は光学的安定性を含む。
本発明に係るさらに追加的な実施形態において、第1のカプセル化層の外側表面でアクティブ領域の反対側は、アクティブ領域からの光線群が、第1のカプセル化層に、臨界角より大きな角度で入射しないように形成されることができる。
本発明に係る素子の実施形態に関して主要な点について説明したが、本発明は発光素子を製造する製造方法として実施できることも理解される。
本発明の他の特徴を、添付した図面と併せて読むことにより、特定の実施形態についての以下の詳細な説明からより容易に理解することができる。
本発明は、様々な変形と代替となる形態とを受け入れる余地があるが、その特定の実施形態が、複数の図面における例により示され、ここで詳細に説明される。しかしながら、ここに公開された特定の形態に発明を限定する意図はなく、逆に、本発明は、特許請求の範囲によって定義される発明の精神と範囲に属する全ての改変、等価物、および代替物を包含する。図面の説明全般において、同一の符号は、同一の要素を参照する。図面において、層と領域の寸法は明瞭にするために強調されている。ここで説明されている各実施形態もまた、それに補完的な導電型の実施形態を含む。
層、領域又は基材が、他の要素の「上に」あると言うときに、それは、他の要素の上に直接存在することもあるし、又は介在要素も存在しえるということが理解されるであろう。表面のような要素の一部が「内側」と言う場合には、その要素の他の部分より素子の外側から遠いということが理解されるであろう。さらに、「真下」又は「覆う」というような相対的な用語は、ここでは、図面に示されているように基板又はベース層(base layer)と相対的な一つの層又は領域の他の層又は領域との関係を説明するために用いられる。これらの用語は、図面に示された方位に加えて、素子の異なる方位を包含することを意図している。最後に、「直接」という用語は、介在要素が存在しないということを意味している。ここで、用いられているように、「および/又は」という用語は、一つ又はそれ以上の関係する列挙アイテム群の幾つかおよび全ての組み合わせを含む。
第1、第2、等々は、ここでは、様々な要素群、コンポーネント群、領域群、層群および/又はセクション群を説明するために用いられるが、これらの要素群、コンポーネント群、領域群、層群および/又はセクション群はこれらの用語群によって制限されるべきではないといいうことが理解されるであろう。これらの用語群は、一つの要素、コンポーネント、領域、層又はセクションを他の領域、層又はセクションから区別するためにのみ用いられる。それゆえ、以下で議論されている第1の領域、層又はセクションを、第2の領域、層又はセクションと表現することも可能であり、同様に、本発明の教示から離れることなく第2のものと表現することも可能である。
一般的に、SiCを主成分とした又はサファイア(Al)を主成分とした基板上のGaNを主成分とした発光ダイオード群(LED群)について言及しながら、本発明の実施形態についてこれから説明する。しかしながら、本発明は、そのような構造群に限定されない。本発明の実施形態において用いることができる発光素子の例は、これに限定されないが、ノースカロライナのダラム(Durham)にあるクリーインコーポレイテッドによって製造販売されている素子群のような、LED群および/又はレーザダイオード群を含む。例えば、本発明は、特許文献1から15にて完全に明らかにされているように参照によってここで組み込まれた開示情報に記載されているようなLED群および/又はレーザ群に用いることが適している。他の適したLED群および/又はレーザ群は、2002年5月7日に出願された特許文献16「GROUP III NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURES WITH A QUANTUM WELL AND SUPERLATTICE, GROUP III NITRIDE BASED QUANTUM WELL STRUCTURES AND GROUP III NITRIDE BASED SUPERLATTICE STRUCTURES」および2002年1月25日に出願された特許文献17「LIGHT EMITTING DIODES INCLUDING SUBATRATE MODIFICATIONS FOR LIGHT EXTRACTION AND MNUFACTURING METHODS THEREFOR」、ここに完全に明らかにされているように参照によってここで組み込まれた開示情報に記載されている。さらに、2003年9月9日に出願された特許文献18「PHOSPHOR−COATED LIGHT EMITTING DIODES INCLUDING TAPERED SIDEWALLS, AND FABRICATION METHODS THEREFOR,」、ここに完全に明らかにされているように参照によってここで組み込まれた開示情報に記載されているようなリン光体でコートされたLED群も本発明の実施形態での使用に適している。
LED群および/又はレーザ群を、基板を通して発光が起こるように「フリップチップ」設定で動作するように設定することができる。そのような実施形態において、例えば、2002年1月25日に出願された特許文献19「LIGHT EMITTING DIODES INCLUDING SUBSTRATE MODIFICATIONS FOR LIGHT EXTRACTION AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR」、ここに完全に明らかにされているように参照によってここで組み込まれた開示情報に記載されているように、基材のパターンを、素子の出力光を増大させるようにすることができる。
図1A〜1Bは、本発明の幾つかの実施形態に係る発光素子群とその製造方法群を示す断面図である。図1Aについて言及すると、本発明の幾つかの実施形態に係る、発光素子10は、陽極端子12を含むLED、ダイオード領域のようなアクティブ領域13、および陰極端子14を含み、これらは、お互いに電気的に結合している。アクティブ領域13は、例えば、陽極端子12と陰極端子14とを経由してこれに印加された電圧に反応して発光するように設定されている。発光素子10は、第1のカプセル化層16をさらに含み、第1のカプセル化層16は、例えば、第1のカプセル化層16の屈折率、熱伝導率、機械的強度、耐磨耗性、および/又は光学的安定性のような少なくとも一つの物理的性質を変化させる基材とナノ粒子群とを含む。第1のカプセル化層16は、少なくとも部分的に、本発明の幾つかの実施形態に従って、アクティブ領域をカプセル化し、十分に透明である。本発明に係る様々な実施形態によると、基材は、シリコーン、シリコーン化合物、オプティカルゲル、エポキシ樹脂、ガラス、ゾルゲル、エーロゲル、および/又は光学的に安定な高分子化合物を含む。有利なことに、シリコーンゲルは、比較的ハイフラックスで短い波長(例えば、525nmのオーダー)の光に曝されたときに、一般的に光学的に安定である。第1のカプセル化層16のナノ粒子群は、TiO、ダイヤモンド、炭化ケイ素、散乱粒子群、充填材群、リン光体群、および/又は光変換物質群を含むことができる。したがって、例えば、第1のカプセル化層16は、TiOナノ粒子群を含むシリコーンゲルを含むことができる。シリコーンゲルに含まれているTiOナノ粒子群は、第1のカプセル化層16の屈折率を増大させ、第1のカプセル化層16の屈折率を、アクティブ領域13の屈折率とより近づけるようにして、アクティブ領域13からの光抽出を改善することができる。
光が一つの媒体から他の媒体へ移動するとき、nを媒体1の屈折率とし、nを媒体2の屈折率とした場合に、屈折角が、nsinθ=nsinθ、というスネルの法則によって支配されるように、光は屈折される。しかしながら、逃げる光は、θ1critical=sin−1(n/n)によって定義される「臨界角」より小さいという角度依存性を持っている。臨界角より大きな角度で入射した光は、媒体2を通過せず、その代わりに、媒体1に反射されて戻される。この反射は、一般に、全反射(total internal reflection)と呼ばれる。第1のカプセル化層16からの光抽出をさらに改良するために、アクティブ領域13の向かいにある第1のカプセル化層16の外側表面を、本発明の幾つかの実施形態によるように、アクティブ領域13からの光線群が、臨界角より大きい角度で第1のカプセル化層16に入射しないような形状とすることができる。
図1Bについて言及すると、第1のカプセル化層16は、少なくとも部分的に第2のカプセル化層18でカプセル化されており、第2のカプセル化層18は、例えば、第2のカプセル化層18の屈折率、熱伝導率、機械的強度、耐磨耗性、および/又は光学的安定性のような物理的性質の少なくとも一つを変化させる第2の基材と第2のナノ粒子群とを含むことができる。第2のカプセル化層18は、十分に透明である。本発明の様々な実施形態によると、第2の基材は、シリコーン、シリコーン化合物、オプティカルゲル(optical gel)、エポキシ樹脂、ガラス、ゾルゲル、エーロゲル、および/又は光学的に安定な高分子化合物を含むことができる。第2のナノ粒子群は、TiO、ダイヤモンド、炭化ケイ素、散乱粒子群、充填材群、リン光体群、および/又は光変換物質群を含むことができる。
本発明の具体的な実施形態において、第2のカプセル化層18は、発光素子10のパッケージに剛性を付加するために、エポキシ、プラスチック、および/又はガラスを含むことができる。パッケージの熱的性質を改良するために、十分に透明な第3のカプセル化層19を、本発明の幾つかの実施形態に従って、第2のカプセル化層18を少なくとも部分的にカプセル化するために用いることができる。第3のカプセル化層19は、熱的に伝導性の物質を含むことができる。本発明の具体的な実施形態に従って、第1のカプセル化層16、第2のカプセル化層18、第3のカプセル化層19を、鋳造プロセスを用いて形成することができる。
図2A〜2Cは、本発明の追加的な実施形態に係る発光素子群およびその製造方法群を示す断面図である。図2Aについて言及すると、本発明の幾つかの実施形態に従って、発光素子20は、陽極端子22を含むLED、ダイオード領域のようなアクティブ領域23、および陰極端子24を含み、これらは、お互いに電気的に結合している。アクティブ領域23は、例えば、陽極端子22と陰極端子24とを経由してこれに印加された電圧に反応して発光するように設定されている。発光素子20は、第1のカプセル化層26をさらに含み、第1のカプセル化層26は、例えば、第1のカプセル化層26の屈折率、熱伝導率、機械的強度、耐磨耗性、および/又は光学的安定性のような少なくとも一つの物理的性質を変化させる基材とナノ粒子群とを含む。第1のカプセル化層26は、少なくとも部分的にアクティブ領域を、本発明の幾つかの実施形態に従って、カプセル化し、十分に透明である。本発明の様々な実施形態によると、基材は、シリコーン、シリコーン化合物、オプティカルゲル(optical gel)、エポキシ樹脂、ガラス、ゾルゲル、エーロゲル、および/又は光学的に安定な高分子化合物を含むことができる。第1のカプセル化層26におけるナノ粒子群は、TiO、ダイヤモンド、炭化ケイ素、散乱粒子群、充填材群、リン光体群、および/又は光変換物質群を含むことができる。したがって、例えば、第1のカプセル化層26は、TiOナノ粒子群を含むシリコーンゲル、エポキシ、および/又は高分子化合物を含むことができる。基材に含まれているTiOナノ粒子群は、第1のカプセル化層26の屈折率を増大させ、第1のカプセル化層26の屈折率を、アクティブ領域23の屈折率とより近づけるようにして、アクティブ領域23からの光抽出を改善することができる。
第1のカプセル化層26からの光抽出をさらに改良するために、アクティブ領域23の向かいにある第1のカプセル化層26の外側表面を、本発明の幾つかの実施形態によるように、アクティブ領域23からの光線群が、臨界角より大きい角度で第1のカプセル化層26に入射しないような形状とすることができる。その上、本発明の幾つかの実施形態に従って、第1のカプセル化層26は、例えば、白色LEDランプを製造するために、リン光体粒子群をさらに含むことができる。本発明の具体的な実施形態に従って、第1のカプセル化層26を鋳造又は分注(dispensing)プロセスを用いて形成することができる。
図2Bについて言及すると、発光素子20は、少なくとも部分的に第1のカプセル化層26をカプセル化し、十分に透明である第2のカプセル化層27を、さらに含む。第2のカプセル化層27は、例えば、第2のカプセル化層27の屈折率、熱伝導率、機械的強度、耐磨耗性、および/又は光学的安定性のような少なくとも一つの物理的性質を変化させる第2の基材と第2のナノ粒子群とを含むことができる。本発明の様々な実施形態に従って、第2の充填物資は、シリコーン、シリコーン化合物、オプティカルゲル(optical gel)、エポキシ樹脂、ガラス、ゾルゲル、エーロゲル、および/又は光学的に安定な高分子化合物を含むことができる。第2のナノ粒子群は、TiO、ダイヤモンド、炭化ケイ素、散乱粒子群、充填材群、リン光体群、および/又は光変換物質群を含むことができる。したがって、本発明の具体的な実施形態において、第2のカプセル化層27は、シリコーンゲルを含むことができる。
図2Cについて言及すると、第2のカプセル化層27は、少なくとも部分的に第3のカプセル化層28でカプセル化されており、第3のカプセル化層28は、十分に透明であり、例えば、第3のカプセル化層28の屈折率、熱伝導率、機械的強度、耐磨耗性、および/又は光学的安定性のような少なくとも一つの物理的性質を変化させる第3の基材と第3のナノ粒子群とを含むことができる。本発明に係る様々な実施形態に従って、第3の基材は、シリコーン、シリコーン化合物、オプティカルゲル、エポキシ樹脂、ガラス、ゾルゲル、エーロゲル、および/又は光学的に安定な高分子化合物を含むことができる。第3のナノ粒子群は、TiO、ダイヤモンド、炭化ケイ素、散乱粒子群、充填材群、リン光体群、および/又は光変換物質群を含むことができる。
本発明の具体的な実施形態において、第3のカプセル化層28は、発光素子20のパッケージに剛性を付加するために、エポキシ、プラスチック、および/又はガラスを含むことができる。パッケージの熱的性質を改良するために、十分に透明な第4のカプセル化層29を、本発明の幾つかの実施形態に従って、第3のカプセル化層28を少なくとも部分的にカプセル化するために用いることができる。第4のカプセル化層29は、熱的に伝導性の物質を含むことができ、十分に透明である。本発明の具体的な実施形態によると、第2のカプセル化層27、第3のカプセル化層28、第4のカプセル化層29を、鋳造プロセスを用いて形成することができる。
図3A〜3Dは、本発明の幾つかの実施形態に係る発光素子群およびその製造方法群を示す断面図である。図3Aについて言及すると、本発明の幾つかの実施形態に従って、発光素子30は、陽極端子32を含むLED、ダイオード領域のようなアクティブ領域33、および陰極端子34を含み、これらは、お互いに電気的に結合している。アクティブ領域33は、例えば、陽極端子32と陰極端子34とを経由してこれに印加された電圧に反応して発光するように設定されている。発光素子30は、第1のカプセル化層35をさらに含み、第1のカプセル化層35は、例えば、第1のカプセル化層35の屈折率、熱伝導率、機械的強度、耐磨耗性、および/又は光学的安定性のような少なくとも一つの物理的性質を変化させる基材とナノ粒子群とを含む。第1のカプセル化層35は、少なくとも部分的にアクティブ領域を、本発明の幾つかの実施形態に従って、カプセル化し、十分に透明である。本発明の様々な実施形態によると、基材は、シリコーン、シリコーン化合物、オプティカルゲル(optical gel)、エポキシ樹脂、ガラス、ゾルゲル、エーロゲル、および/又は光学的に安定な高分子化合物を含むことができる。第1のカプセル化層35におけるナノ粒子群は、TiO、ダイヤモンド、炭化ケイ素、散乱粒子群、充填材群、リン光体群、および/又は光変換物質群を含むことができる。したがって、例えば、第1のカプセル化層35は、TiOナノ粒子群を含むシリコーンゲル、エポキシ、および/又は高分子化合物を含むことができる。基材に含まれているTiOナノ粒子群は、第1のカプセル化層36の屈折率を増大させ、第1のカプセル化層35の屈折率を、アクティブ領域35の屈折率とより近づけるようにして、アクティブ領域33からの光抽出を改善することができる。
第1のカプセル化層35からの光抽出をさらに改良するために、アクティブ領域33の向かいにある第1のカプセル化層35の外側表面を、本発明の幾つかの実施形態によるように、アクティブ領域33からの光線群が、臨界角より大きい角度で第1のカプセル化層35に入射しないような形状とすることができる。
図3Bについて言及すると、発光素子30は、少なくとも部分的に第1のカプセル化層35をカプセル化し、十分に透明である第2のカプセル化層36を、さらに含む。第2のカプセル化層36は、例えば、第2のカプセル化層36の屈折率、熱伝導率、機械的強度、耐磨耗性、および/又は光学的安定性のような少なくとも一つの物理的性質を変化させる第2の基材と第2のナノ粒子群とを含むことができる。本発明の様々な実施形態に従って、第2の充填物資は、シリコーン、シリコーン化合物、オプティカルゲル(optical gel)、エポキシ樹脂、ガラス、ゾルゲル、エーロゲル、および/又は光学的に安定な高分子化合物を含むことができる。第2のナノ粒子群は、TiO、ダイヤモンド、炭化ケイ素、散乱粒子群、充填材群、リン光体群、および/又は光変換物質群を含むことができる。したがって、本発明の具体的な実施形態において、本発明の幾つかの実施形態に従って、第2のカプセル化層36は、例えば、白色LEDランプを製造するために、リン光体粒子群を含むように製造されているシリコーンゲル、エポキシ、および/又は高分子化合物を含むことができる。その上、本発明の幾つかの実施形態に従って、第2のカプセル化層36は、TiOナノ粒子群をさらに含むことができる。有利なことに、第2のカプセル化層36をアクティブ領域33から分離することにより、増加された光出力を発光素子から得ることができる。本発明の具体的な実施形態に従って、第1のカプセル化層35と第2のカプセル化層36を鋳造又は分注(dispensing)プロセスを用いて形成することができる。
図3Cについて言及すると、発光素子30は、少なくとも部分的に第2のカプセル化層36をカプセル化し、十分に透明である第2のカプセル化層37を、さらに含む。第3のカプセル化層37は、例えば、第3のカプセル化層37の屈折率、熱伝導率、機械的強度、耐磨耗性、および/又は光学的安定性のような少なくとも一つの物理的性質を変化させる第3の基材と第3のナノ粒子群とを含むことができる。本発明に係る様々な実施形態に従って、第3の基材は、シリコーン、シリコーン化合物、オプティカルゲル(optical gel)、エポキシ樹脂、ガラス、ゾルゲル、エーロゲル、および/又は光学的に安定な高分子化合物を含むことができる。第3のナノ粒子群は、TiO、ダイヤモンド、炭化ケイ素、散乱粒子群、充填材群、リン光体群、および/又は光変換物質群を含むことができる。したがって、本発明の具体的な実施形態において、第3のカプセル化層37は、シリコーンゲルを含むことができる。
図3Dについて言及すると、第3のカプセル化層37は、少なくとも部分的に第4のカプセル化層38でカプセル化されており、第4のカプセル化層38は、十分に透明であり、例えば、第4のカプセル化層38の屈折率、熱伝導率、機械的強度、耐磨耗性、および/又は光学的安定性のような少なくとも一つの物理的性質を変化させる第4の基材と第4のナノ粒子群とを含むことができる。本発明に係る様々な実施形態に従って、第4の基材は、シリコーン、シリコーン化合物、オプティカルゲル、エポキシ樹脂、ガラス、ゾルゲル、エーロゲル、および/又は光学的に安定な高分子化合物を含むことができる。第4のナノ粒子群は、TiO、ダイヤモンド、炭化ケイ素、散乱粒子群、充填材群、リン光体群、および/又は光変換物質群を含むことができる。
本発明の具体的な実施形態において、第4のカプセル化層38は、発光素子30のパッケージに剛性を付加するために、エポキシ、プラスチック、および/又はガラスを含むことができる。パッケージの熱的性質を改良するために、第5のカプセル化層39を、本発明の幾つかの実施形態に従って、第4のカプセル化層38を少なくとも部分的にカプセル化するために用いることができる。第5のカプセル化層39は、熱的に伝導性の物質を含むことができ、十分透明である。本発明の具体的な実施形態に従って、第3のカプセル化層37、第4のカプセル化層38、第5のカプセル化層39を、鋳造プロセスを用いて形成することができる。
一般に、本発明の実施形態は、一連の複数の(二つ以上の)カプセル化層群を含むことができ、各カプセル化層は、それより前の層群又は発光素子の全部又は一部をカプセル化する。各カプセル化層は、上述されているように、様々な、充填、ナノ粒子、添加剤/充填材物質群のうちの一つを含み、各層は、結果として完成したパッケージの性能を改善するために特定の相補的な機能を担う。一般に、カプセル化層群は、発光素子からの光を十分には吸収しないことが望ましい。さらに、カプセル化層群間のインターフェースを、光学的および/又は化学的性質群を高めるように設計することができる。化学反応群、接着、熱膨張、等々のような化学的およびその他の物理的性質群の融和性が、様々なカプセル化層群の間のインターフェースの配置および/又構造に制約を課すことがありえる。
詳細な説明を終わるにあたり、本発明の本質から実質的に離れることなく、所望の実施形態に対して多くの変形と改良を施すことが可能であることが留意されるべきである。そのような全ての変形および改良は、特許請求の範囲において明らかにされた本発明の範囲内で、ここに含まれると意図されている。
本発明の幾つかの実施形態に係る発光素子群とその製造方法を示す断面図である。 本発明の幾つかの実施形態に係る発光素子群とその製造方法を示す断面図である。 本発明の追加的な実施形態に係る発光素子群とその製造方法を示す断面図である。 本発明の追加的な実施形態に係る発光素子群とその製造方法を示す断面図である。 本発明の追加的な実施形態に係る発光素子群とその製造方法を示す断面図である。 本発明の追加的な実施形態に係る発光素子群とその製造方法を示す断面図である。 本発明の追加的な実施形態に係る発光素子群とその製造方法を示す断面図である。 本発明の追加的な実施形態に係る発光素子群とその製造方法を示す断面図である。 本発明の追加的な実施形態に係る発光素子群とその製造方法を示す断面図である。

Claims (22)

  1. 印加された電圧に反応して光を発するよう設定されたアクティブ領域と、
    少なくとも部分的に前記アクティブ領域をカプセル化する第1のカプセル化層であって、
    前記第1のカプセル化層の少なくとも一つの物理的性質を変化させる基材とナノ粒子群とを含む第1のカプセル化層と、
    少なくとも部分的に前記第1のカプセル化層をカプセル化する第2のカプセル化層とを備えたことを特徴とする発光素子。
  2. 前記基材は、シリコーン、シリコーン化合物、オプティカルゲル、エポキシ樹脂、ガラス、ゾルゲル、エーロゲル、および/又は光学的に安定な高分子化合物を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  3. 前記第1のカプセル化層は、十分に透明であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  4. 前記ナノ粒子群は、TiO、ダイヤモンド、炭化ケイ素、散乱粒子群、充填材群、リン光体群、および/又は光変換物質群を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  5. 前記少なくとも一つの物理的特性は、屈折率、熱伝導率、機械的強度、耐磨耗性、および/又は光学的安定性を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  6. 前記基材は、第1の基材であり、前記ナノ粒子群は、第1のナノ粒子群であり、前記第2のカプセル化層は、前記第2のカプセル化層の少なくとも一つの物理的性質を変化させる第2の基材と第2のナノ粒子群とを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  7. 前記第2の基材は、シリコーン、シリコーン化合物、オプティカルゲル、エポキシ樹脂、ガラス、ゾルゲル、エーロゲル、および/又は光学的に安定な高分子化合物を含むことを特徴とする請求項6に記載の発光素子。
  8. 前記第2のカプセル化層は、十分に透明であることを特徴とする請求項6に記載の発光素子。
  9. 前記第2のナノ粒子群は、TiO、ダイヤモンド、炭化ケイ素、散乱粒子群、充填材群、リン光体群、および/又は光変換物質群を含むことを特徴とする請求項6に記載の発光素子。
  10. 前記第2のカプセル化層の前記少なくとも一つの物理的特性は、屈折率、熱伝導率、機械的強度、耐磨耗性、および/又は光学的安定性を含むことを特徴とする請求項6に記載の発光素子。
  11. 前記アクティブ領域に対向した、前記第1のカプセル化層の外側表面は、前記アクティブ領域からの光線群が、前記第1のカプセル化層に、臨界角より大きな角度で入射しないように形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  12. 発光素子を形成する方法であって、
    印加された電圧に反応して光を発するよう設定されたアクティブ領域を形成するステップと、
    少なくとも部分的に前記アクティブ領域をカプセル化する第1のカプセル化層であって、
    前記第1のカプセル化層の少なくとも一つの物理的性質を変化させる基材とナノ粒子群とを含む第1のカプセル化層を形成するステップと、
    少なくとも部分的に前記第1のカプセル化層をカプセル化する第2のカプセル化層を形成するステップとを備えたことを特徴とする方法。
  13. 前記基材は、シリコーン、シリコーン化合物、オプティカルゲル、エポキシ樹脂、ガラス、ゾルゲル、エーロゲル、および/又は光学的に安定な高分子化合物を含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。
  14. 前記第1のカプセル化層は、十分に透明であることを特徴とする請求項12に記載の方法。
  15. 前記ナノ粒子群は、TiO、ダイヤモンド、炭化ケイ素、散乱粒子群、充填材群、リン光体群、および/又は光変換物質群を含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。
  16. 前記少なくとも一つの物理的特性は、屈折率、熱伝導率、機械的強度、耐磨耗性、および/又は光学的安定性を含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。
  17. 前記基材は、第1の基材であり、前記ナノ粒子群は、第1のナノ粒子群であり、前記第2のカプセル化層は、前記第2のカプセル化層の少なくとも一つの物理的性質を変化させる第2の基材と第2のナノ粒子群とを含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。
  18. 前記第2の基材は、シリコーン、シリコーン化合物、オプティカルゲル、エポキシ樹脂、ガラス、ゾルゲル、エーロゲル、および/又は光学的に安定な高分子化合物を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
  19. 前記第2のカプセル化層は、十分に透明であることを特徴とする請求項17に記載の方法。
  20. 前記第2のナノ粒子群は、TiO、ダイヤモンド、炭化ケイ素、散乱粒子群、充填材群、リン光体群、および/又は光変換物質群を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
  21. 前記第2のカプセル化層の前記少なくとも一つの物理的特性は、屈折率、熱伝導率、機械的強度、耐磨耗性、および/又は光学的安定性を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
  22. 前記アクティブ領域に対向した、前記第1のカプセル化層の外側表面は、前記アクティブ領域からの光線群が、前記第1のカプセル化層に、臨界角より大きな角度で入射しないように形成されることを特徴とする請求項12に記載の方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012124587A1 (ja) * 2011-03-16 2012-09-20 シャープ株式会社 波長変換部材およびその製造方法、ならびに、発光装置、照明装置および前照灯
JP2012204072A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Sharp Corp 発光装置、照明装置および車両用前照灯

Families Citing this family (112)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
US7777235B2 (en) * 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
JP2005167091A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Nitto Denko Corp 光半導体装置
US7355284B2 (en) * 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
KR100683674B1 (ko) * 2004-06-29 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
KR100638611B1 (ko) * 2004-08-12 2006-10-26 삼성전기주식회사 다중 렌즈 발광 다이오드
US7675079B1 (en) * 2004-10-28 2010-03-09 Kley Victor B Diamond coating of silicon-carbide LEDs
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US20060091418A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Chew Tong F Side emitting LED device and method of fabrication
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US7452737B2 (en) * 2004-11-15 2008-11-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Molded lens over LED die
US7344902B2 (en) * 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US20060124941A1 (en) * 2004-12-13 2006-06-15 Lee Jae S Thin gallium nitride light emitting diode device
DE112005003841B4 (de) * 2004-12-14 2016-03-03 Seoul Viosys Co., Ltd. Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen
EP1864339A4 (en) * 2005-03-11 2010-12-29 Seoul Semiconductor Co Ltd LIGHT-EMITTING DIODE DIODE WITH PHOTO-EMITTING CELL MATRIX
US7646035B2 (en) * 2006-05-31 2010-01-12 Cree, Inc. Packaged light emitting devices including multiple index lenses and multiple index lenses for packaged light emitting devices
TWI271883B (en) * 2005-08-04 2007-01-21 Jung-Chieh Su Light-emitting devices with high extraction efficiency
US8835952B2 (en) 2005-08-04 2014-09-16 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
US7952108B2 (en) * 2005-10-18 2011-05-31 Finisar Corporation Reducing thermal expansion effects in semiconductor packages
KR100693463B1 (ko) * 2005-10-21 2007-03-12 한국광기술원 2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드
JP2007299981A (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 発光素子封止用組成物及び発光素子並びに光半導体装置
JP5614766B2 (ja) 2005-12-21 2014-10-29 クリー インコーポレイテッドCree Inc. 照明装置
JP2007273562A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
EP2013919A2 (en) 2006-05-02 2009-01-14 Superbulbs, Inc. Method of light dispersion and preferential scattering of certain wavelengths of light for light-emitting diodes and bulbs constructed therefrom
JP2009535784A (ja) 2006-05-02 2009-10-01 スーパーバルブス・インコーポレイテッド Led電球用熱除去設計
EA200870494A1 (ru) * 2006-05-02 2009-06-30 Супербалбс, Инк. Пластмассовая светодиодная лампа
KR100731678B1 (ko) * 2006-05-08 2007-06-22 서울반도체 주식회사 칩형 발광 다이오드 패키지 및 그것을 갖는 발광 장치
WO2007139894A2 (en) 2006-05-26 2007-12-06 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Solid state light emitting device and method of making same
AU2007256972A1 (en) * 2006-05-30 2007-12-13 University Of Georgia Research Foundation White phosphors, methods of making white phosphors, white light emitting leds, methods of making white light emitting LEDs, and light bulb structures
US7842960B2 (en) * 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
JP4795293B2 (ja) * 2007-03-30 2011-10-19 ローム株式会社 半導体発光装置
WO2008154172A1 (en) * 2007-06-08 2008-12-18 Superbulbs, Inc. Apparatus for cooling leds in a bulb
US7999283B2 (en) 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
US9401461B2 (en) 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
US10505083B2 (en) 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US11114594B2 (en) * 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US7791093B2 (en) * 2007-09-04 2010-09-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color
US8450927B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Switch Bulb Company, Inc. Phosphor-containing LED light bulb
US8519437B2 (en) 2007-09-14 2013-08-27 Cree, Inc. Polarization doping in nitride based diodes
WO2009045438A1 (en) 2007-10-03 2009-04-09 Superbulbs, Inc. Glass led light bulbs
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
KR20100110770A (ko) 2007-10-24 2010-10-13 슈퍼불브스, 인크. Led 광원용 확산기
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
TW200932035A (en) * 2008-01-04 2009-07-16 Lighthouse Technology Co Ltd Light-emitting element
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
US20110309395A1 (en) * 2008-03-07 2011-12-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color variable light emitting device
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
DE102008016487A1 (de) * 2008-03-31 2009-10-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
US8877524B2 (en) * 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
CN102113119A (zh) 2008-05-29 2011-06-29 克利公司 具有近场混合的光源
US20110204777A1 (en) * 2008-08-18 2011-08-25 Switch Bulb Company, Inc. Settable light bulbs
US8471445B2 (en) * 2008-08-18 2013-06-25 Switch Bulb Company, Inc. Anti-reflective coatings for light bulbs
US9107273B2 (en) * 2008-09-11 2015-08-11 Switch Bulb Company, Inc. End-of-life bulb circuitry
US8075165B2 (en) * 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
TWI426206B (zh) * 2008-12-25 2014-02-11 Au Optronics Corp 發光二極體裝置
US8343575B2 (en) 2008-12-30 2013-01-01 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
US11198270B2 (en) 2008-12-30 2021-12-14 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
US10214686B2 (en) 2008-12-30 2019-02-26 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
TWI463708B (zh) * 2009-02-24 2014-12-01 Advanced Optoelectronic Tech 側面出光型發光元件封裝結構及其製造方法
US8692274B2 (en) 2009-02-24 2014-04-08 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure
US8299489B2 (en) * 2010-08-03 2012-10-30 Silitek Electronics (Guangzhou) Co., Ltd. Illumination device
TWM374650U (en) * 2009-04-20 2010-02-21 Hsin I Technology Co Ltd LED packaging structure
US8168998B2 (en) 2009-06-09 2012-05-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with remote phosphor layer and reflective submount
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
KR101172143B1 (ko) * 2009-08-10 2012-08-07 엘지이노텍 주식회사 백색 발광다이오드 소자용 시온계 산화질화물 형광체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 백색 led 소자
KR101163902B1 (ko) * 2010-08-10 2012-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US9909058B2 (en) 2009-09-02 2018-03-06 Lg Innotek Co., Ltd. Phosphor, phosphor manufacturing method, and white light emitting device
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
US8536615B1 (en) 2009-12-16 2013-09-17 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods
US8604461B2 (en) 2009-12-16 2013-12-10 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated doping and related methods
JP5678629B2 (ja) * 2010-02-09 2015-03-04 ソニー株式会社 発光装置の製造方法
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
CN102456804A (zh) * 2010-10-20 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 封装体、发光二极管封装结构及封装体的制造方法
WO2012064562A1 (en) 2010-11-10 2012-05-18 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
JP5733743B2 (ja) * 2010-12-15 2015-06-10 日東電工株式会社 光半導体装置
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US8226274B2 (en) 2011-03-01 2012-07-24 Switch Bulb Company, Inc. Liquid displacer in LED bulbs
CN103443941A (zh) * 2011-03-31 2013-12-11 松下电器产业株式会社 半导体发光装置
KR101644051B1 (ko) * 2011-05-20 2016-08-01 삼성전자 주식회사 광전자 소자 및 적층 구조
KR101771175B1 (ko) * 2011-06-10 2017-09-06 삼성전자주식회사 광전자 소자 및 적층 구조
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
KR20140038553A (ko) 2011-07-21 2014-03-28 크리,인코포레이티드 향상된 화학적 내성을 위한 발광 장치 패키지들, 부품들 및 방법들 그리고 관련된 방법들
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
US8591069B2 (en) 2011-09-21 2013-11-26 Switch Bulb Company, Inc. LED light bulb with controlled color distribution using quantum dots
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
US20130169144A1 (en) * 2012-01-03 2013-07-04 Lustrous Technology Ltd. Led package structure capable of adjusting the spatial color uniformity and the light distribution curve
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
CN102593321B (zh) * 2012-02-20 2015-11-25 深圳市安普光光电科技有限公司 Led的封装方法、led封装结构及显示屏
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
DE102012215514A1 (de) * 2012-08-31 2014-03-06 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen eines LED-Moduls und LED-Modul
US20140146543A1 (en) * 2012-11-26 2014-05-29 Magic Lighting Optics Outdoor lighting device
US20140209950A1 (en) * 2013-01-31 2014-07-31 Luxo-Led Co., Limited Light emitting diode package module
CN105308763B (zh) * 2013-04-25 2018-06-19 亮锐控股有限公司 发光二极管组件
US9799626B2 (en) * 2014-09-15 2017-10-24 Invensas Corporation Semiconductor packages and other circuit modules with porous and non-porous stabilizing layers
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
EP3684582A1 (en) 2017-09-19 2020-07-29 Lumileds Holding B.V. Light emitting device and manufacturing method thereof
US11075128B2 (en) * 2019-10-03 2021-07-27 Utica Leaseco, Llc Modules incorporating encapsulation layers
WO2024151813A1 (en) * 2023-01-13 2024-07-18 Lumileds Llc Wavelength converter with stepped-index anti-reflection layers

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003034791A (ja) * 2001-04-04 2003-02-07 Lumileds Lighting Us Llc 蛍光変換発光ダイオード
WO2003093393A1 (de) * 2002-05-06 2003-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierende reaktionsharzmasse und leuchtdiodenbauelement
JP2004015063A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Lumileds Lighting Us Llc ナノ粒子を用いる発光デバイス
JP2004071908A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP3102445U (ja) * 2003-12-24 2004-07-08 實慶 孫 発光ダイオード装置
JP2005197317A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Toshiba Corp 固体照明素子
JP2005310756A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Koito Mfg Co Ltd 光源モジュールおよび車両用前照灯
JP2007524119A (ja) * 2004-01-15 2007-08-23 ナノシス・インコーポレイテッド ナノ結晶をドーピングしたマトリックス

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4994586U (ja) * 1972-12-08 1974-08-15
JPS60153538U (ja) 1984-03-22 1985-10-12 ロ−ム株式会社 半導体素子
JPS6222491A (ja) 1985-07-23 1987-01-30 Toshiba Corp 半導体発光装置
US5027168A (en) * 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US4918497A (en) * 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5338994A (en) * 1989-07-20 1994-08-16 General Electric Company Method and apparatus for achieving current balance in parallel connected switching devices
US4966862A (en) * 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
US5194161A (en) * 1989-09-25 1993-03-16 Board Of Regents, The University Of Texas System Materials and methods for enhanced photocatalyzation of organic compounds with palladium
US5210051A (en) * 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
JP3183715B2 (ja) 1992-06-18 2001-07-09 ローム株式会社 樹脂封止型光学素子
US5416342A (en) * 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5393993A (en) * 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
US5604135A (en) * 1994-08-12 1997-02-18 Cree Research, Inc. Method of forming green light emitting diode in silicon carbide
US5523589A (en) * 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
US5631190A (en) * 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
US5739554A (en) * 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
US5803579A (en) * 1996-06-13 1998-09-08 Gentex Corporation Illuminator assembly incorporating light emitting diodes
KR100643442B1 (ko) * 1996-06-26 2006-11-10 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US5912447A (en) * 1997-01-14 1999-06-15 United Parcel Service Of America, Inc. Concentric optical path equalizer with radially moving mirrors
WO1999003087A2 (en) 1997-07-11 1999-01-21 Fed Corporation Bonded active matrix organic light emitting device display and method of producing the same
JP3830238B2 (ja) 1997-08-29 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型装置
US6201262B1 (en) * 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
JP2001196636A (ja) 2000-01-06 2001-07-19 Casio Comput Co Ltd 発光素子
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6958497B2 (en) * 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
JP4114331B2 (ja) * 2001-06-15 2008-07-09 豊田合成株式会社 発光装置
US6765351B2 (en) * 2001-12-20 2004-07-20 The Trustees Of Princeton University Organic optoelectronic device structures
JP4240276B2 (ja) * 2002-07-05 2009-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
AU2003276867A1 (en) * 2002-09-19 2004-04-08 Cree, Inc. Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor
US6717362B1 (en) * 2002-11-14 2004-04-06 Agilent Technologies, Inc. Light emitting diode with gradient index layering
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003034791A (ja) * 2001-04-04 2003-02-07 Lumileds Lighting Us Llc 蛍光変換発光ダイオード
WO2003093393A1 (de) * 2002-05-06 2003-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierende reaktionsharzmasse und leuchtdiodenbauelement
JP2004015063A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Lumileds Lighting Us Llc ナノ粒子を用いる発光デバイス
JP2004071908A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP3102445U (ja) * 2003-12-24 2004-07-08 實慶 孫 発光ダイオード装置
JP2005197317A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Toshiba Corp 固体照明素子
JP2007524119A (ja) * 2004-01-15 2007-08-23 ナノシス・インコーポレイテッド ナノ結晶をドーピングしたマトリックス
JP2005310756A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Koito Mfg Co Ltd 光源モジュールおよび車両用前照灯

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012124587A1 (ja) * 2011-03-16 2012-09-20 シャープ株式会社 波長変換部材およびその製造方法、ならびに、発光装置、照明装置および前照灯
JP2012204072A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Sharp Corp 発光装置、照明装置および車両用前照灯

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