JP2007510040A - スペクトル特性が向上したガーネット蛍光体材料 - Google Patents

スペクトル特性が向上したガーネット蛍光体材料 Download PDF

Info

Publication number
JP2007510040A
JP2007510040A JP2006538159A JP2006538159A JP2007510040A JP 2007510040 A JP2007510040 A JP 2007510040A JP 2006538159 A JP2006538159 A JP 2006538159A JP 2006538159 A JP2006538159 A JP 2006538159A JP 2007510040 A JP2007510040 A JP 2007510040A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor composition
phosphor
luminaire
light source
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006538159A
Other languages
English (en)
Inventor
アナン アクユット セトラー
アーロック マニ スリヴァスターヴァ
ホリー アン コマンゾ
ゴピ チャンドラン
シャンカー ヴェヌゴパル
エミール ラドコフ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Current Lighting Solutions LLC
Original Assignee
Lumination LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lumination LLC filed Critical Lumination LLC
Publication of JP2007510040A publication Critical patent/JP2007510040A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/77742—Silicates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

化学式（Ｔｂ1-x-y-z-wＹxＧｄyＬｕzＣｅw）3ＭrＡｌs-rＯ12+δ（式中、ＭはＳｃ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、又はＭｇから選択され、０＜ｗ≦０．３、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ＜１、０≦ｒ≦４．５、４．５≦ｓ≦６、−１．５≦δ≦１．５）と、化学式（ＲＥ1-xＳｃxＣｅy）2Ａ3-pＢpＳｉz-qＧｅqＯ12+δ（式中、ＲＥはランタニドイオン又はＹ3+から選択され、ＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、又はＢａから選択され、ＢはＭｇ及びＺｎから選択され、０≦ｐ≦３、０≦ｑ≦３、２．５≦ｚ≦３．５、０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦０．３、−１．５≦δ≦１．５）と、化学式（Ｃａ1-x-y-zＳｒxＢａyＣｅz）3（Ｓｃ1-a-bＬｕaＤc）2Ｓｉn-wＧｅwＯ12+δ（式中、ＤはＭｇ又はＺｕの何れかであり、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜Ｚ≦０．３、０≦ａ≦１、０≦ｃ≦１、０≦ｗ≦３、２．５≦ｎ≦３．５、−１．５≦δ≦１．５）とを有する蛍光体組成物。光源と上記の蛍光体組成物のうちの少なくとも１つとを含む発光デバイスもまた開示される。
【選択図】図１

Description

本発明は蛍光体組成物に関し、詳細には照明用途で用いる蛍光体に関する。より詳細には、本発明は、定義されるスペクトル領域において従来のガーネット蛍光体と比べて輻射が強化されたガーネット蛍光体に関し、これらの蛍光体を用いる照明器具に関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、白熱ランプなどの他の光源の代替品として使用されることの多い半導体発光体である。発光ダイオードは、表示灯、警告灯、及び指示灯として、或いは有色光が要求される他の用途において特に有用である。ＬＥＤによって生成される光の色は、ＬＥＤの製造に使用される半導体材料のタイプによって決まる。
発光ダイオード及びレーザ（本明細書ではこの両方を総括的にＬＥＤと呼ぶ）を含む、有色半導体発光デバイスは、窒化ガリウム（ＧａＮ）のようなＩＩＩ−Ｖ族合金で生成されてきた。ＬＥＤを形成するために、通常は合金の層が炭化ケイ素又はサファイアなどの基板上にエピタキシーに堆積され、種々のｎ型及びｐ型ドーパントでドープして発光効率などの特性を改善することができる。ＧａＮベースのＬＥＤに関しては、光は一般に、電磁スペクトルのＵＶ及び／又は青色範囲で輻射される。つい最近まで、ＬＥＤによって生成される光の固有の色に起因して、ＬＥＤは、明るい白色光が必要とされる照明用途には適切ではなかった。
ＬＥＤは光が放出される半導体に依存する。この光は、半導体材料の電子的励起の結果として放出される。輻射（エネルギ）が半導体材料の原子に衝突すると、原子の電子が励起され、励起（高）エネルギ状態に飛び移る。半導体発光体内の高エネルギ状態と低エネルギ状態はそれぞれ、伝導帯と価電子帯と呼ばれる。電子は、その基底エネルギ状態に戻るときにフォトンを放出する。フォトンは、励起状態と基底エネルギ状態との間のエネルギ差に対応し、輻射の放出を生じる。
近年、ＬＥＤから輻射される光を照明目的で有用な光に変換する技術が開発されてきた。１つの技法においては、ＬＥＤが蛍光体層で被覆され又は覆われる。蛍光体は、電磁スペクトルの一部の輻射エネルギを吸収し、電磁スペクトルの別の部分のエネルギを放出するルミネセンス材料である。１つの重要な部類の蛍光体は、極めて化学純度が高く且つ組成が制御された結晶性無機化合物であり、これらを効率的な蛍光材料に変換するために少量の他の元素（「活性剤」と呼ぶ）が添加されてきた。活性剤と無機化合物とを適切に組み合わせことで、発光色を制御することができる。有用で周知の蛍光体の大部分は、可視範囲外にある電磁輻射による励起に応答して電磁スペクトルの可視部分の輻射を放出する。
ＬＥＤによって発生した輻射で励起される蛍光体を介在させることにより、例えばスペクトルの可視範囲内にある異なる波長の光を発生させることができる。有色ＬＥＤは、玩具、指示灯及び他のデバイスに使用されることが多い。製造業者は、特定の色及びより高い光度を実現するために、こうしたＬＥＤで用いる新規の有色蛍光体を継続的に求めている。
有色ＬＥＤに加え、ＬＥＤ生成光と蛍光体生成光との組み合わせを用いて、白色光を形成することができる。最もよく知られている白色ＬＥＤは、青色発光ＧａＩｎＮチップからなる。青色発光チップは、青色輻射の一部を、例えば黄緑色である補色の輻射に変換する蛍光体で被覆される。青色輻射と黄緑輻射とを併せて白色光を生成する。ＵＶ発光チップと、ＵＶ輻射を可視光に変換するように設計された、赤色、緑色、及び青色輻射蛍光体を含む蛍光体ブレンドとを利用する白色ＬＥＤもまた存在している。
１つの既知の黄白色発光デバイスは、セリウムドープのイットリウム・アルミニウム・ガーネット（Ｔｂ，Ｙ）3Ａｌ4.9Ｏ12-δ：Ｃｅ3+（「ＴＡＧ：Ｃｅ」）（式中δは通常約−１から１）のような黄色発光蛍光体と組み合わせた、近ＵＶから青色範囲（約３１５ｎｍから約４８０ｎｍ）にピーク発光波長を有する青色発光ＬＥＤを含む。この蛍光体は、ＬＥＤから放出された輻射の一部分を吸収し、その吸収した輻射を黄色光に変換する。ＬＥＤによって放出された青色光の残余は蛍光体を通って透過し、蛍光体によって放出された黄色光と混合する。観察者は、この青色光と黄色光との混合を知覚し、ほとんどの場合、この混合光はやや白い黄色光として知覚する。
こうしたシステムは、＞４５００Ｋの相関色温度（ＣＣＴ）及び約７５−８２の範囲の演色評価数（ＣＲＩ）を有する白色光源を作るのに使用することができる。この範囲は、多くの用途に対して適切であるが、一般的な照明光源は通常、より高いＣＲＩ及びより低いＣＣＴを要求する。青色ＬＥＤデバイスにおいてこのことを達成する１つの方法では、従来の蛍光体の現在の黄色輻射と比較して、赤色スペクトル領域で蛍光体輻射が高いことが必要とされる。
これを達成するため、深赤色蛍光体を利用する蛍光体ブレンドが、高い演色評価数（ＣＲＩ）を有する光源を生成するのに使用される場合がある。こうした用途において現在使用されている２つの深赤色蛍光体は、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ2+及び（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）xＳｉyＮz：Ｅｕ2+である。有効ではあるが、こうした蛍光体は、照明デバイス内に存在する場合のある他の蛍光体（例えばＴＡＧ：Ｃｅ）からの輻射を再吸収する可能性があり、これは、これらの材料内のＥｕ2+吸収帯と、他の蛍光体の輻射が重なることに起因する。従って、有色ＬＥＤ及び高ＣＲＩを有する白色光ＬＥＤの両方を形成するための高い量子効率を示すＬＥＤで用いる、ＴＡＧ：Ｃｅ蛍光体よりも更に赤色の輻射を有する新規の蛍光体に対する必要性が存在する。
蛍光体を励起するために青色又はＵＶのＬＥＤを用いる光源のＣＲＩを高めるための別の可能な方法は、青緑色領域においてデバイスの輻射を高めることである。従って、青色光又はＵＶ光で励起されたときに、青緑色領域内においてスペクトル出力が高い蛍光体に対する必要性が存在する。
第１の態様において、本発明は、約２５０から約５５０ｎｍのピーク発光を有する半導体光源と、（ＲＥ1-xＳｃxＣｅy）2Ａ3-pＢpＳｉz-qＧｅqＯ12+δ（式中、ＲＥはランタニドイオン又はＹ3+から選択され、ＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、又はＢａから選択され、ＢはＭｇ及びＺｎから選択され、０≦ｐ≦３、０≦ｑ≦３、２．５≦ｚ≦３．５、０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦０．３、−１．５≦δ≦１．５）から構成される第１の蛍光体を含む蛍光体ブレンドとを含む、白色発光デバイスを提供する。
第２の態様において、本発明は、約２５０から約５５０ｎｍのピーク発光を有する半導体光源と、化学式（Ｔｂ1-x-y-z-wＹxＧｄyＬｕzＣｅw）3ＭrＡｌs-rＯ12+δ（式中、ＭはＳｃ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、又はＭｇから選択され、０＜ｗ≦０．３、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ＜１、０≦ｒ≦４．５、４．５≦ｓ≦６、−１．５≦δ≦１．５）を有する蛍光体組成物とを含む、白色発光デバイスを提供する。
第３の態様において、本発明は、化学式（ＲＥ1-xＳｃxＣｅy）2Ａ3-pＢpＳｉz-qＧｅqＯ12+δ（式中、ＲＥはランタニドイオン又はＹ3+から選択され、ＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、又はＢａから選択され、ＢはＭｇ及びＺｎから選択され、０≦ｐ≦３、０≦ｑ≦３、２．５≦ｚ≦３．５、０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦０．３、−１．５≦δ≦１．５）を有する蛍光体を提供する。
第４の態様において、本発明は、化学式（Ｔｂ1-x-y-z-wＹxＧｄyＬｕzＣｅw）3ＭrＡｌs-rＯ12+δ（式中、ＭはＳｃ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、又はＭｇから選択され、０＜ｗ≦０．３、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ＜１、０≦ｒ≦４．５、４．５≦ｓ≦６、−１．５≦δ≦１．５）を有する蛍光体を提供する。
第５の態様において、本発明は、化学式（Ｔｂ1-x-y-z-wＹxＧｄyＬｕzＣｅw）3ＭrＡｌs-rＯ12+δ（式中、ＭはＳｃ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、又はＭｇから選択され、０＜ｗ≦０．３、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ＜１、０≦ｒ≦４．５、４．５≦ｓ≦６、−１．５≦δ≦１．５）を有する第１の蛍光体と、化学式（ＲＥ1-xＳｃxＣｅy）2Ａ3-pＢpＳｉz-qＧｅqＯ12+δ（式中、ＲＥはランタニドイオン又はＹ3+から選択され、ＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、又はＢａから選択され、ＢはＭｇ及びＺｎから選択され、０≦ｐ≦３、０≦ｑ≦３、２．５≦ｚ≦３．５、０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦０．３、−１．５≦δ≦１．５）を有する第２の蛍光体とを含む蛍光体ブレンドを提供する。
第６の態様において、本発明は、化学式（Ｃａ1-x-y-zＳｒxＢａyＣｅz）3（Ｓｃ1-a-bＬｕaＤc）2Ｓｉn-wＧｅwＯ12+δ（式中、ＤはＭｇ又はＺｕの何れかであり、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｚ≦０．３、０≦ａ≦１、０≦ｃ≦１、０≦ｗ≦３、２．５≦ｎ≦３．５、−１．５≦δ≦１．５）を有する蛍光体を提供する。
第７の態様において、本発明は、約２５０から約５００ｎｍの発光波長を有するＬＥＤと、（Ｃａ1-x-y-zＳｒxＢａyＣｅz）3（Ｓｃ1-a-bＬｕaＤc）2Ｓｉn-wＧｅwＯ12+δ（式中、ＤはＭｇ又はＺｕの何れかであり、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜Ｚ≦０．３、０≦ａ≦１、０≦ｃ≦１、０≦ｗ≦３、２．５≦ｎ≦３．５、−１．５≦δ≦１．５）を含む蛍光体組成物とを含む光源を提供する。
第８の態様において、本発明は、上記で与えられる組成の固溶体である蛍光体を提供する。
第９の態様において、約２５０から約５００ｎｍの発光波長を有するＬＥＤと、上記で与えられる組成の固溶体を備える蛍光体組成物とを含む。
蛍光体は、輻射（エネルギ）を可視光に変換する。蛍光体を様々に組み合わせることにより、種々の有色発光が得られる。蛍光体から発生する有色光は、色温度をもたらす。新規の蛍光体組成物並びにＬＥＤ及び他の光源におけるこれらの使用が本明細書で提示される。
蛍光変換材料（蛍光体材料）は、発生したＵＶ又は青色輻射を異なる波長の可視光に変換する。発生する可視光の色は、蛍光体材料の個々の成分に依存する。蛍光体材料は、所望の色（色合い）を発光させるために、単一の蛍光体組成物のみ、又は、例えば１つ又はそれ以上の黄色及び赤色蛍光体を用いた特定の混合である２つ又はそれ以上の基本色の蛍光体を含むことができる。本明細書で用いられる用語「蛍光体材料」とは、単一の蛍光体並びに２つ又はそれ以上の蛍光体のブレンドの両方を含むものとする。
明るい白色光を生成するＬＥＤランプは、光源としてのＬＥＤに望ましい品質を与えるのに有用であることが確認された。従って、本発明の１つの実施形態では、白色光を提供するためにルミネセンス材料である蛍光変換材料のブレンド（蛍光体ブレンド）が被覆されたＬＥＤを開示する。個々の蛍光体及び個々の蛍光体を含む蛍光体ブレンドは、近ＵＶ又は青色ＬＥＤによって放出される特定波長の輻射（例えば約２５０から５００ｎｍ）を可視光に変換する。蛍光体ブレンドによって得られる可視光は、高い強度及び輝度を有する明るい白色光を含む。
図１を参照すると、本発明の１つの好ましい構造による例示的な発光アセンブリ又はランプ１０が示されている。発光アセンブリ１０は、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ１２及びＬＥＤチップに電気的に取付られたリード線１４のような、半導体ＵＶ輻射源を含む。リード線１４は、より太いリードフレーム１６によって支持された薄いワイヤを含むことができ、或いはリード線が自立電極を含み、リードフレームを省略することができる。リード線１４はＬＥＤチップ１２に電流を供給し、これによってＬＥＤチップ１２に輻射を放出させる。
ランプは、放出した輻射が蛍光体上に配向されたときに白色光を生成することができるどのような半導体青色又はＵＶ光源をも含むことができる。好ましい実施形態において、半導体光源は、種々の不純物がドープされた青色輻射ＬＥＤを含む。従って、ＬＥＤは、何れかの適切なＩＩＩ−Ｖ、ＩＩ−ＶＩ又はＩＶ−ＶＩ半導体層をベースとする約２５０から５５０ｎｍの輻射波長を有する半導体ダイオードを含むことができる。好ましくは、ＬＥＤは、ＧａＮ、ＺｎＳｅ、又はＳｉＣを含む少なくとも１つの半導体層を含むことができる。例えば、ＬＥＤは、化学式ＩｎiＧａjＡｌkＮ（式中０≦ｉ；０≦ｊ；０≦ｋ；及びｉ＋ｊ＋ｋ＝１）によって表される、約２５０ｎｍよりも長く約５５０ｎｍよりも短い輻射波長を有する窒化物系化合物半導体を含むことができる。好ましくは、このチップは、約４００から約５００ｎｍのピーク発光波長を有する青色輻射ＬＥＤである。このようなＬＥＤ半導体は、当該技術分野で公知である。輻射源は、本明細書においては便宜上ＬＥＤとして説明する。しかしながら、本明細書で使用される場合のこの用語は、例えば、半導体レーザダイオードを含む全ての半導体輻射源を網羅することを意味する。
本明細書で検討される本発明の例示的な構造体の一般的な検討は、無機ＬＥＤベースの光源に関するが、特に明記されない限りＬＥＤチップは、有機発光構造体又は他の輻射源に置き換えることができ、更に、ＬＥＤチップ又は半導体に対するどのような言及も単に何れかの適切な輻射源を表していることを理解されたい。
有機発光構造体は、当該技術分野で公知である。一般的な高効率有機発光構造体とは、ダブルへテロ構造ＬＥＤを意味する。この構造体は、ＧａＡＳ又はＩｎＰのような材料を用いる一般的な無機ＬＥＤと極めて類似している。このタイプのデバイスにおいては、ガラス製の支持層が、酸化インジウム／錫（ＩＴＯ）の薄層で被覆されてこの構造体の基板を形成する。次に、主として正孔を輸送する薄い（１００−５００Å）有機層（ＨＴＬ）がＩＴＯ層の上に堆積される。ＨＴＬ層の表面上には、薄い（典型的には５０−１００Å）発光層（ＥＬ）が堆積される。これらの層が薄過ぎる場合には、膜の連続性が維持されない可能性があり、膜の厚みが増加すると内部抵抗が大きくなり、より多くの動作消費電力が必要となる。発光層（ＥＬ）は、ＥＬ上に堆積された１００−５００Å厚みの電子輸送層（ＥＴＬ）から注入される電子とＨＴＬ層からの正孔との再結合領域を提供する。ＥＴＬ材料は、電荷欠乏中心（正孔）に対する移動度よりも電子に対する移動度がかなり高いことで特徴付けられる。
別の公知の有機発光構造体には、シングルへテロ構造体と呼ばれるものがある。この構造体のダブルへテロ構造体との差異は、エレクトロルミネセンス層がＥＴＬ層としても機能し、ＥＴＬ層を必要としないことである。しかしながら、このタイプのデバイスは、効率的な動作のためには、良好な電子輸送能力を有するＥＬ層を組み込む必要があり、そうでない場合には、ダブルへテロ構造体と同様の効率の構造体にする別個のＥＴＬ層を組み込まなくてはならない。
ＬＥＤ用の既知の代替のデバイス構造体に、単層（又はポリマー）ＬＥＤと呼ばれるものがある。このタイプのデバイスは、ベース基板を形成する薄いＩＴＯ層で被覆されたガラス支持層を含む。次いで、例えば、スピンコートされたポリマーの薄い有機層が、ＩＴＯ層の上に形成され、上述のデバイスのＨＴＬ、ＥＴＬ、及びＥＬ層の機能の全てを提供する。次に、金属電極層が有機ポリマー層の上に形成される。この金属は、典型的には、Ｍｇ、Ｃａ、又は他の従来的に使用される金属である。
ＬＥＤチップ１２は、ＬＥＤチップと封入材料２０とを密封するシェル１８内に封入することができる。シェル１８は、例えば、ガラス又はプラスティックとすることができる。好ましくは、ＬＥＤ１２は、封入材２０のほぼ中央に位置する。封入材２０は、好ましくはエポキシ、プラスティック、低温ガラス、ポリマー、熱可塑性、熱硬化性材料、樹脂又は当該技術分野で既知の他のタイプのＬＥＤ封入材料である。任意選択的であるが、封入材２０は、スピン・オン・ガラス又は何らかの他の高屈折率材料である。好ましくは、封入材料２０は、エポキシ、又はシリコーンのようなポリマー材料である。シェル１８及び封入材２０の両方は、好ましくは、ＬＥＤチップ１２及び蛍光体組成物２２（以下に説明される）によって生成される光の波長に関して透明又は実質的に光透過性である。或いは、ランプ１０は、外側シェル１８のない封入材料を含むだけであってもよい。ＬＥＤチップ１２は、例えば、リードフレーム１６、自立型電極、シェル１８の底部、又はシェル又はリードフレームに取り付けられた台座（図示せず）によって支持することができる。
照明システムの構造体は、ＬＥＤチップ１２に輻射結合した蛍光体組成物２２を含む。「輻射結合された」とは、各要素が、その１つからの輻射が他のものに伝達されるように互いに関連付けられていることを意味する。好ましい実施形態において、蛍光体組成物２２は、以下で詳述されるように２つ又はそれ以上の蛍光体のブレンドである。この蛍光体組成物２２は、何れかの適切な方法によってＬＥＤ１２上に堆積される。例えば、蛍光体の水性懸濁液を形成し、ＬＥＤ表面に蛍光体層として施工することができる。１つのこのような方法においては、蛍光体粒子が不規則に懸濁されたシリコーンスラリーがＬＥＤの周りに配置される。この方法は、蛍光体組成物２２及びＬＥＤ１２の可能な位置を例示するものに過ぎない。すなわち、蛍光体組成物２２は、ＬＥＤチップ１２の上に蛍光体懸濁液を被覆し乾燥させることによって、ＬＥＤチップ１２の発光面の上又は直接発光面に接触して被覆することができる。シェル１８及び封入材２０の両方は、白色光２４がこれらの要素を透過できるように透明でなければならない。限定を意図するものではないが、１つの実施形態においては、蛍光体組成物の平均粒径は約１から約１０ミクロンとすることができる。
図２は、本発明の好ましい態様によるシステムの第２の好ましい構造体を示す。図２の実施形態の構造体は、蛍光体組成物１２２が、ＬＥＤチップ１１２上に直接形成されるのではなく、封入材料１２０内に散在されていることを除いては、図１のものと類似している。蛍光体（粉体の形態で）は、封入材料１２０の単一領域内に、又はより好ましくは封入材料の全容積にわたって散在させることができる。ＬＥＤチップ１１２で放出された青色光１２６は、蛍光体組成物１２２で放出された光と混合し、混合した光が白色光１２４として現れる。蛍光体が封入材料１２０内に散在されることになる場合は、蛍光体粉体をポリマー前駆体に添加して、ＬＥＤチップ１１２の周りに充填することができ、次いで、ポリマー前駆体を硬化させてポリマー材料を固化することができる。トランスファー充填などの他の既知の蛍光体散在方法を使用してもよい。
図３は、本発明の好ましい態様によるシステムの第３の好ましい構造体を示す。図３に示された実施形態の構造体は、蛍光体組成物２２２が、ＬＥＤチップ２１２上に形成されるのではなくシェル２１８の表面に被覆されることを除いては、図１のものと類似している。蛍光体組成物は好ましくはシェル２１８の内面上に被覆されるが、必要であれば蛍光体はシェルの外面上に被覆してもよい。蛍光体組成物２２２は、シェルの表面全体又はシェルの表面の上部分のみを被覆することができる。ＬＥＤチップ２１２で放出されたＵＶ光２２６は、蛍光体組成物２２２で放出された光と混合し、混合した光は白色光２２４として現れる。勿論、図１−図３の構造体は組み合わされることができ、蛍光体は何れか２つの位置又は３つ全ての位置、或いはシェルから分離され又はＬＥＤ内に一体化されるなどの他の適切な位置に配置することができる。
上記の構造体の何れにおいても、ランプ１０はまた、封入材料内に埋み込められた複数の散乱粒子（図示せず）を含むことができる。散乱粒子は、例えば、アルミナ粉体などのＡｌ2Ｏ3粒子又はＴｉＯ2粒子を含むことができる。散乱粒子は、ＬＥＤチップから放出されたコヒーレント光を好ましくは無視できる吸収量で効果的に散乱する。
図４の第４の好ましい構造体に示されるように、ＬＥＤチップ４１２は、反射カップ４３０内に取付けることができる。カップ４３０は、アルミナ、チタニア、又は当該技術分野で既知の他の絶縁性粉体などの反射材料で作製又は被覆することができる。好ましい反射材料はＡｌ2Ｏ3である。図４の実施形態の構造体の他の部分は、前記図の何れかと同じであり、２つのリード線４１６と、ＬＥＤチップ４１２を第２のリード線に電気的に接続する導線４３２と、封入材料４２０とを含む。
１つの実施形態において、本発明は、上述のＬＥＤにおける蛍光体組成物２２に使用することができる新規の蛍光体組成物を提供し、この組成物は、（Ｔｂ1-x-y-z-wＹxＧｄyＬｕzＣｅw）3ＭrＡｌs-rＯ12+δであって、式中、ＭはＳｃ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、又はＭｇから選択され、０＜ｗ≦０．３、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ＜１、０≦ｒ≦４．５、４．５≦ｓ≦６、−１．５≦δ≦１．５である一般式を有する。とりわけ好ましい蛍光体組成物は、（Ｔｂ0.57Ｃｅ0.03Ｙ0.2Ｇｄ0.2）3Ａｌs-rＯ12+δの化学式を有する。２５０から５００ｎｍで発光するＬＥＤで使用されると、結果として得られる照明システムは白色を有する光を生成することとなり、その特性が以下でより詳細に検討される。
上述の配合は、等価イオンの添加によって、Ｃｅ3+輻射をより深い赤色（すなわちより長い）の波長に移動させることにより、従来のＴＡＧ蛍光体と比較してより深い赤の成分を有する輻射を備えた蛍光体を提供する。この作用は図５に示され、ＴＡＧと比較したときの化学式（Ｔｂ0.57Ｃｅ0.03Ｙ0.2Ｇｄ0.2）3Ａｌ4.9Ｏ12+δを有する蛍光体の輻射を示している。上記の化学式による等量のＹ及びＧｄで置換されたＴｂの部分を有する修正ＴＡＧ蛍光体が、従来のＴＡＧ蛍光体と比較して発光極大値を赤色側に移動させることが分かる。
３５０−５５０ｎｍで放出するＬＥＤと任意選択的に１つ又はそれ以上の追加の蛍光体と組み合わせた場合、上記の蛍光体を使用することにより、ＴＡＧベースの照明デバイスと比較してより高いＣＲＩ値及びより低いＣＣＴを有する白色ＬＥＤデバイスが可能となる。約２５００から約１００００、好ましくは約２５００から４５００のＣＣＴ値及び約７０から９５の高ＣＲＩ値を有するＬＥＤデバイスを作製することができる。このことは、ＬＥＤデバイスにおいて、ＣＩＥ色度図上の高いｃｃｘ座標及び低いｃｃｙ座標を可能とし、結果として「より暖い」色のＬＥＤが得られる。この効果は図６で見ることができ、これは、異なる蛍光体組成物を用いた他の場合では同一のＬＥＤ照明パッケージの色座標を示している。（Ｔｂ0.57Ｃｅ0.03Ｙ0.2Ｇｄ0.2）3Ａｌ4.9Ｏ12+δとＴＡＧ：Ｃｅとの８０／２０ブレンドを用いるＬＥＤが、ＴＡＧ：Ｃｅだけを用いる同等のＬＥＤよりも大きなｃｃｘ座標及び小さなｃｃｙ座標を有し、より低いＣＣＴを証明することが分かる。
第２の実施形態において、蛍光体組成物は、ガーネット主相と、化学式（ＲＥ1-xＳｃxＣｅy）2Ａ3-pＢpＳｉz-qＧｅqＯ12+δ（式中ＲＥはランタニドイオン又はＹ3+から選択され、ＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、又はＢａから選択され、ＢはＭｇ及びＺｎから選択され、０≦ｐ≦３、０≦ｑ≦３、２．５≦ｚ≦３．５、０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦０．３、−１．５≦δ≦１．５）を有する二次ケイ酸塩相とを備えた蛍光体組成物を含む。ｚの条件が２．５から３．５であることにより、材料のルミネセンス特性をどのようにも有意に変化させることなく、「化学量論比からずれた」蛍光体を可能にする。好ましい実施形態において、ＲＥ＝Ｙ又はＬｕ又はＳｃ、Ｌｕ又はＳｃが特に好ましく、ｙ≦０．０５、Ａ＝Ｃａ又はＭｇであってＣａが特に好ましく、Ｂ＝Ｍｇ、２．９≦ｚ≦３．１、及び０≦ｑ／（ｚ−ｑ）≦０．５である。より赤色の発光色を有するこの実施形態の好ましい組成物は、（ＲＥ1-xＣｅx）2Ａ3-pＢpＳｉ3-qＧｅqＯ12+δの化学式を有し、式中ｘ、ｐ、及びｑは上記で定められ、ＲＥはＬｕである。特に好ましい組成は、（Ｌｕ0.955Ｃｅ0.045）2ＣａＭｇ2Ｓｉ3Ｏ12である。
図７及び図８は、（Ｌｕ0.97Ｃｅ0.03）2ＣａＭｇ2Ｓｉ2ＧｅＯ12蛍光体及びＴＡＧ：Ｃｅ蛍光体の吸収スペクトルと発光スペクトルとをそれぞれ示している。発光スペクトルは、４７０ｎｍの励起波長に基づくものである。図示のように、（Ｌｕ0.97Ｃｅ0.03）2ＣａＭｇ2Ｓｉ2ＧｅＯ12蛍光体の発光スペクトルは、ＴＡＧ：Ｃｅよりも長い（すなわち、より赤色の）波長でピーク発光を示している。加えて、この吸収スペクトルは、（Ｌｕ0.97Ｃｅ0.03）2ＣａＭｇ2Ｓｉ2ＧｅＯ12蛍光体の最大吸収が４７０ｎｍ付近を中心とすることを示している。このことは、この蛍光体が追加の蛍光体と併せて使用される場合に有利であり、これら他の蛍光体からの発光を有意に吸収する可能性が低いためである。
ＬＥＤ照明システムにおける上述の蛍光体組成物の汎用性は、材料内にＳｃを含めることによって改善することができる。これらの材料のピーク発光は、従来のＴＡＢ：Ｃｅ蛍光体のピーク発光と比較すると、ホスト材料内のＳｃの量を制御することによって移動させることができる。従って、上記の蛍光体組成物は通常、ＴＡＧ：Ｃｅに比べて有意により赤色の（より長波長の）発光を有するが、蛍光体にＳｃを相当量の添加することで、実際には、これらの輻射をＴＡＧ：Ｃｅに比較して同程度の波長まで、或いは約０から約２０ｎｍの範囲でより短波長にまで移動させることになる。Ｓｃが豊富な組成物（例えば、化学式（ＲＥ1-xＳｃxＣｅy）2Ａ3-pＢpＳｉz-qＧｅqＯ12+δにおいてｘ＝０．９５５のもの）は黄色であり、ほとんどの用途においてＴＡＧ：Ｃｅと置換することができ、他方、Ｓｃが少ない組成物（例えば、同上の化学式においてｘ＝０．１０のもの）は、上述のようにＴＡＧ：Ｃｅと比較して有意な赤色移動を有することになる。この結果、蛍光体中の個々の成分の量を簡単に変更することによって、種々の用途に使用できる、極めて汎用性のある蛍光体が得られる。
上述の蛍光体は、例えば、Ｌｎ9.33（ＳｉＯ4）6Ｏ2のようなアパタイト、並びにＬｎ2Ｓｉ2Ｏ7又はＬｎ2ＳｉＯ5のような他のケイ酸塩を含む、光学的に不活性な微量の不純物を含有することができる。このような不純物の量が蛍光体組成物中で最大約１０重量％まで存在することは、蛍光体の量子効率及び色に有意な影響を与えることにはならない。
第３の実施形態において、蛍光体組成物は、化学式（Ｃａ1-x-y-zＳｒxＢａyＣｅz）3（Ｓｃ1-a-bＬｕaＤc）2Ｓｉn-wＧｅwＯ12+δ（式中ＤはＭｇ又はＺｕの何れか、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜Ｚ≦０．３、０≦ａ≦１、０≦ｃ≦１、０≦ｗ≦３、２．５≦ｎ≦３．５、−１．５≦δ≦１．５）を有する蛍光体組成物を含む。この実施形態において、ＬＥＤは、２５０から５００ｎｍの領域で一次輻射を有するのが好ましい。好ましい実施形態において、０≦ｘ≦０．１、０≦ｙ≦０．１、０＜ｚ≦０．０１、０≦ａ≦０．２、Ｄ＝Ｍｇ、０≦ｃ≦０．２、２．９≦ｎ≦３．１、０≦ｗ／（ｎ−Ｗ）≦０．５である。
配合が正確な場合には、この蛍光体は、典型的なＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体の約７０％以上の量子効率を有する。この蛍光体の好ましい特定の実施形態としては、Ｓｉ、Ｇｅ成分が少なくとも６６％Ｓｉ4+と、少なくとも８３％Ｓｉ4+と、１００％Ｓｉ4+とを含むものがある。従って、好ましい特定の実施形態は、Ｃａ3Ｓｃ2（ＳｉxＧｅ1-x）3Ｏ12：Ｃｅ（式中ｘは０．６７から１．０）を含む。
図９は、化学式（Ｃａ0.99Ｃｅ0.01）3Ｓｃ2Ｓｉ3Ｏ12を有する蛍光体の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示している。この蛍光体は、比率Ｉ（Ｔ）／（ＲＴ）が室温で約１から２５０℃で約０．８までの範囲にある、従来のＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体と比較して熱クエンチがより小さく、これはこれらの材料の量子効率が極めて高いことを示している。
上述の蛍光体組成物は、例えば、出発材料として元素酸化物、炭酸塩、及び／又は水酸化物を組み合わせることにより、蛍光体の生成の公知の固相反応工程を用いて生成することができる。他の出発材料としては、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩、クエン酸塩、又はシュウ酸塩を含むことができる。或いは、ＲＥ元素の出発材料として希土類酸化物の共沈物を使用することができる。Ｓｉは通常、ケイ酸を経由して提供されるが、ヒュームドシリカのような他の供給源を使用してもよい。典型的な工程においては、出発材料は乾式又は湿式ブレンド工程によって組み合わされ、空気中又は還元性雰囲気下で、例えば１０００から１６００℃で焼成される。
融剤は、混合段階の前又は途中で混合物に添加することができる。この融剤は、ＮＨ4Ｃｌ、又は、テルビウム、アルミニウム、ガリウム、及びインジウムからなる群から選ばれた少なくとも１つの金属のフッ化物のような通常の何らかの他の融剤とすることができる。混合物の全重量の約２０重量パーセント未満、好ましくは約１０重量パーセント未満の融剤の量が融剤添加の目的には適切である。
出発材料は、限定ではないが、高速ブレンダ又はリボンブレンダ内での攪拌又は配合を含む何らかの機械的方法によって共に混合することができる。出発材料は、皿型ミル、ハンマーミル、又はジェットミル内で組み合わされて共に微粉化することができる。特に出発材料の混合物が、後続の沈殿のための溶液にされることになる場合には、湿式粉砕によって混合を行うことができる。混合物が湿っている場合、該混合物は、最初に乾燥させた後で、混合物の全てを最終組成物に変換するのに十分な時間にわたって還元性雰囲気の下で約９００℃から約１７００℃、好ましくは約１０００℃から約１６００℃の温度で焼成させることができる。
焼成は、好ましくは良好な気体−固体接触を促進させるために攪拌作用又は混合作用を用いて、バッチ工程又は連続工程で行うことができる。焼成時間は、焼成されるべき混合物の量、焼成設備を通って導入される気体の速度、及び焼成設備内の気体−固体接触の特質によって決まる。通常、最大約１０時間の焼成時間が適切である。還元性雰囲気は通常、任意選択的に窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、又はそれらの組み合わせなどの不活性ガスで希釈された水素、一酸化炭素、又はそれらの組み合わせなどの還元ガスを一般に含む。或いは、混合物を収容したるつぼを高純度の炭素粒子を収容した第２の密閉るつぼ内に詰めて空気中で焼成させ、炭素粒子が空気中の酸素と反応し、それによって還元性雰囲気を提供する一酸化炭素が発生するようになる。
これらの化合物を配合して硝酸性溶液中に溶解させることができる。酸性溶液の濃度は、酸素含有化合物を迅速に溶解させるように選択され、該選択は当業者の技量の範囲内である。次いで、水酸化アンモニウムを徐々に酸性溶液に添加する。メタノールアミン、エタノールアミン、プロパノールアミン、ジメタノールアミン、ジエタノールアミン、ジプロパノールアミン、トリメタノールアミン、トリエタノールアミン、又はトリプロパノールアミンなどの有機塩基を水酸化アンモニウムの代わりに使用することができる。
沈殿物を濾過し、脱イオン水で洗浄して乾燥させる。乾燥した沈殿物をボールミル処理するか又は他の方法で完全に配合し、次いで空気中で出発材料の実質的に完全な脱水が確保されるのに十分な時間にわたって約４００℃から約１６００℃でか焼する。か焼は一定の温度で実施することができる。或いは、か焼温度は、か焼の持続時間中に周囲温度から立ち上げて最終温度で保持することができる。か焼された材料は、Ｈ2、ＣＯ、又はそれらの気体のうちの１つと不活性ガスとの混合物などの還元性雰囲気或いはココナツ活性炭と出発材料の分解生成物との間の反応によって生成される雰囲気下で十分な時間にわたって１０００−１６００℃で焼成され、か焼された材料の全てを所望の蛍光体組成物に変換する。
また、ゾル−ゲル合成を用いて、本発明の蛍光体を生成することもできる。すなわち、１つの例示的な工程において、本発明による（ＬｕＣｅ）2ＣａＭｇ2Ｓｉ3Ｏ12蛍光体は、最初に所定量のＬｕ2Ｏ3、ＣａＣＯ3、ＭｇＣＯ3、Ｃｅ2（ＣＯ3）3*ｘＨ2Ｏを組み合わせ、これらを水で湿潤することによって作製することができる。次いで、希硝酸を添加して酸化物及び炭酸塩を溶解する。次に、溶液を乾燥させて過剰な硝酸を除去し、次いで無水エタノールに溶解させる。第２の容器内では、所定の量のテトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）を無水エタノール中に溶解させる。次いで、２つの容器の内容物を組み合わせて、ゲル化するまで加熱しながら攪拌する。ゲルを引き続きオーブン内で加熱して有機物を除去し、粉体に粉砕した後８００−１２００℃でか焼する。最終的に、粉体を再び粉砕して、１％水素の還元性雰囲気中１４００℃で５時間更にか焼する。上述した他の蛍光体にも同様の手順を用いることができる。
青色又はＵＶのＬＥＤチップ単独でも多くの用途で好適であるが、上述の２つの蛍光体組成物を互いに又は他の追加の蛍光体と配合して、ＬＥＤ光源で使用することができる。従って、別の実施形態では、上述の実施形態のうちの１つからの蛍光体と１つ又はそれ以上の追加の蛍光体とのブレンドを含む蛍光体組成物２２を含むＬＥＤ照明アセンブリが提供される。約２５０から５５０ｎｍの範囲の輻射を放出する青色又は近ＵＶのＬＥＤと組み合わせた照明アセンブリで使用すると、該アセンブリによって放出される光は白色光が得られることになる。１つの実施形態において、蛍光体組成物は、上述の２つの蛍光体（ＲＥ1-xＳｃxＣｅy）2Ａ3-pＢpＳｉz-qＧｅqＯ12+δ及び（Ｔｂ1-x-y-z-wＹxＧｄyＬｕzＣｅw）3ＭrＡｌs-rＯ12+δのブレンドと任意選択的に１つ又はそれ以上の追加の蛍光体とを含む。
別の好ましい実施形態において、蛍光体組成物は、青緑色蛍光体及び赤色蛍光体と共に、（ＲＥ1-xＳｃxＣｅy）2Ａ3-pＢpＳｉz-qＧｅqＯ12+δ、（Ｔｂ1-x-y-z-wＹxＧｄyＬｕzＣｅw）3ＭrＡｌs-rＯ12+δ、（Ｃａ1-x-y-zＳｒxＢａyＣｅz）3（Ｓｃ1-a-bＬｕaＤc）2Ｓｉn-wＧｅwＯ12+δ及びＴＡＧ：Ｃｅの何れかの組み合わせのブレンドを含む。蛍光体組成物内の各蛍光体の相対量は、スペクトル重みで記述することができる。スペクトル重みとは、各蛍光体が蛍光体ブレンドの全体の発光スペクトルに対し寄与する相対量である。全ての個々の蛍光体のスペクトル重み量は合計すると１になるはずである。好ましいブレンドのスペクトル重みは、青緑色蛍光体について０．００１から０．２００、赤色蛍光体について０．００１から０．３００を含み、及び残余の蛍光体ブレンドは、（ＲＥ1-xＳｃxＣｅy）2Ａ3-pＢpＳｉz-qＧｅqＯ12+δ、（Ｔｂ1-x-y-z-wＹxＧｄyＬｕzＣｅw）3ＭrＡｌs-rＯ12+δ、（Ｃａ1-x-y-zＳｒxＢａyＣｅz）3（Ｓｃ1-a-bＬｕaＤc）2Ｓｉn-wＧｅwＯ12+δ及び／又はＴＡＧ：Ｃｅである。ＵＶ又は青色ＬＥＤシステムに使用するのに適切などのような青緑色蛍光体及び赤色蛍光体を使用してもよい。更に、緑色、青色、橙色、又は他の色などの他の蛍光体をブレンドして用いて、結果として得られる光の白色を調整してより高いＣＲＩ光源を生成することができる。例えば、２５０から５５０ｎｍで発光するＬＥＤチップと共に使用する場合には、本照明システムは、ＬＥＤ輻射の一部、好ましくは全てを青色光に変換する青色蛍光体を含むのが好ましく、これも同様に本発明の蛍光体によって効率的に変換することができる。限定を意図するものではないが、本発明の蛍光体とのブレンドで使用する適切な蛍光体としては：
青色：
Figure 2007510040
 青緑色：
Figure 2007510040
 緑色：
Figure 2007510040
 黄橙色：
Figure 2007510040




赤色：
Figure 2007510040
 が挙げられる。
蛍光体ブレンドでの個々の蛍光体の各々の比率は、所望の光出力の特性に応じて変わる可能性がある。種々の実施形態の蛍光体ブレンドの個々の蛍光体の相対的比率は、これらの発光が配合されてＬＥＤ照明デバイスで使用される際に、ＣＩＥ色度図上での所定のｘ値及びｙ値の可視光が生成されるように調整することができる。上述のように白色光が形成されるのが好ましい。白色光は、例えば、約０．３０から約０．５５の範囲のｘ値と約０．３０から約０．５５の範囲のｙ値とを有することができる。しかしながら上述のように、蛍光体組成物の各蛍光体の厳密な素性及びその量はエンドユーザの要求に応じて変えることができる。
第１の実施形態の蛍光体に関する上述の配合に従って種々の蛍光体組成物を製造した。４７０ｎｍの励起波長を用いて、これらの蛍光体の色座標を測定し、該蛍光体の量子効率（「ＱＥ」）をＴＡＧ：Ｃｅと比較した。その結果を以下の表１に示す。ＱＥは、ＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体のＱＥの％として示される。





















Figure 2007510040
上記表から理解できるように、本発明の第１の実施形態による好ましい組成物は、（Ｔｂ0.57Ｃｅ0.03Ｙ0.2Ｇｄ0.2）3Ａｌ4.9Ｏ12+δであり、この組成物は、ＴＡＧに匹敵するＱＥを提供する一方で、有意な赤色発光（ＴＡＧの場合のｃｃｘ＝０．４８０及びｃｃｙ＝０．５１０に対して、ｃｃｘ＝０．４９５及びｃｃｙ＝０．４９７）を有し、従って、赤色発光蛍光体成分としてＴＡＧを用いて得られるものよりも低いＣＣＴ値を有する白色ＬＥＤの製造が可能となる。
この蛍光体が上述の第２の実施形態による別の蛍光体とブレンドされたときに、この影響が明確に分かる。この点において、表２は、（Ｔｂ0.57Ｃｅ0.03Ｙ0.2Ｇｄ0.2）3Ａｌ4.9Ｏ12+δ（蛍光体１）及び（Ｌｕ0.955Ｃｅ0.045）2ＣａＭｇ2Ｓｉ2ＧｅＯ12（蛍光体２）のブレンドと、４７０ｎｍで発光するＬＥＤとを備えるＬＥＤの特性を示す。パーセンテージは、ＬＥＤによって輻射される光の各輻射成分のスペクトル重みである。









Figure 2007510040
（Ｔｂ0.57Ｃｅ0.03Ｙ0.2Ｇｄ0.2）3Ａｌ4.9Ｏ12+δ及び（Ｌｕ0.955Ｃｅ0.045）2ＣａＭｇ2Ｓｉ2ＧｅＯ12のブレンドは、ハロゲン光源及び白熱光源に匹敵するＣＣＴを有すると同時に、ＴＡＧベースＬＥＤと比較して高ＣＣＴでＣＲＩを向上させたＬＥＤの製造を可能にする。このようにして、上記で開示された蛍光体を含む蛍光体ブレンドを用いて、２５００から８０００のＣＣＴで６０を越えるＣＲＩを有し、好ましくは７０を越えるＣＲＩｗｐ備えたＬＥＤランプを製造することができる。
（Ｔｂ0.57Ｃｅ0.03Ｙ0.2Ｇｄ0.2）3Ａｌ4.9Ｏ12+δ及び（Ｌｕ0.955Ｃｅ0.045）2ＣａＭｇ2Ｓｉ2ＧｅＯ12の上述のブレンド中での（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）3（Ｓｃ，Ｌｕ）2（Ｓｉ，Ｇｅ）3Ｏ12：Ｃｅ3+の使用は、この蛍光体の追加の青緑色発光によりＣＲＩを高めることができる。
上述の蛍光体組成物は、ＬＥＤ以外の別の用途で使用することができる。例えば、この材料は、蛍光ランプ、陰極線管、プラズマディスプレーデバイス、又は液晶ディスプレー（ＬＣＤ）の蛍光体として使用することができる。この材料はまた、電磁カロリーメーター、ガンマ線カメラ、コンピュータ・トモグラフィ・スキャナー、又はレーザにおけるシンチレータとしても使用できる。これらの用途は、単に例示的なものであり、網羅的なものではない。
本発明を種々の好ましい実施形態に関連して説明してきた。本明細書を読み理解すると、当業者であれば修正及び変更が想定されるであろう。本発明は、添付の請求項又はその均等物の範囲内にある限り、全てのこのような修正及び変更を包含するものとする。
本発明の１つの実施形態による照明システムの概略断面図である。 本発明の第２の実施形態による照明システムの概略断面図である。 本発明の第３の実施形態による照明システムの概略断面図である。 本発明の第４の実施形態による照明システムの切り欠き斜視図である。 ＴＡＧ蛍光体と、化学式（Ｔｂ0.57Ｙ0.2Ｇｄ0.2Ｃｅ0.03）3ＭrＡｌ4.9Ｏ12+δを有する本発明による蛍光体との発光スペクトルのグラフである。 異なる蛍光体成分を含むＬＥＤ照明システムからの光のＣＩＥ色度図上の色度座標のグラフである。 ＴＡＧ蛍光体と、化学式（Ｌｕ0.97Ｃｅ0.03）3ＣａＭｇ2Ｓｉ2ＧｅＯ12を有する本発明による蛍光体との発光スペクトルのグラフである。 ＴＡＧ蛍光体と、化学式（Ｌｕ0.97Ｃｅ0.03）3ＣａＭｇ2Ｓｉ2ＧｅＯ12を有する本発明による蛍光体との発光スペクトルのグラフである。 （Ｃａ0.99Ｃｅ0.01）3Ｓｃ2Ｓｉ3Ｏ12の発光スペクトル及び吸収スペクトルのグラフである。
符号の説明
１０ 発光アセンブリ又はランプ
１２ 発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ
１４ リード線
１６ リードフレーム
１８ シェル
２０ 封入材

Claims (73)

  1. 白色光を放出するための照明器具であって、
    約２５０ｎｍから約５５０ｎｍで輻射を放出する光源と、
    （Ｔｂ1-x-y-z-wＹxＧｄyＬｕzＣｅw）3ＭrＡｌs-rＯ12+δ（式中、ＭはＳｃ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、又はＭｇから選択され、０＜ｗ≦０．３、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ＜１、０≦ｒ≦４．５、４．５≦ｓ≦６、−１．５≦δ≦１．５）を含む、前記光源に輻射結合した蛍光体組成物と、
    を含むことを特徴とする照明器具。
  2. 前記光源が、約３５０から約５５０ｎｍの範囲の波長を有する輻射を放出する半導体発光ダイオード（ＬＥＤ）であることを特徴とする請求項１に記載の照明器具。
  3. 前記ＬＥＤが、化学式ＩｎiＧａjＡｌkＮ（式中０≦ｉ；０≦ｊ、０≦ｋ、及びｉ＋ｊ＋ｋ＝１）によって表される窒化化合物半導体を含むことを特徴とする請求項２に記載の照明器具。
  4. 前記光源が、有機発光構造体であることを特徴とする請求項１に記載の照明器具。
  5. 前記蛍光体組成物が、前記光源の表面上に被覆されることを特徴とする請求項１に記載の照明器具。
  6. 前記光源及び前記蛍光体組成物を囲む封入材を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の照明器具。
  7. 前記蛍光体組成物が、前記封入材中に分散されることを特徴とする請求項１に記載の照明器具。
  8. 反射カップを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の照明器具。
  9. 前記蛍光体組成物が、（Ｔｂ0.57Ｃｅ0.03Ｙ0.2Ｇｄ0.2）3Ａｌ4.9Ｏ12+δを含むことを特徴とする請求項１に記載の照明器具。
  10. 前記蛍光体組成物が、１つ又はそれ以上の追加の蛍光体を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の照明器具。














  11. 前記１つ又はそれ以上の追加の蛍光体が、
    Figure 2007510040
     からなる群から選択されることを特徴とする請求項１０に記載の照明器具。
  12. （Ｔｂ，Ｙ）3Ａｌ4.9Ｏ12-δ：Ｃｅ3+（式中−１≦δ≦１）の蛍光体を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の照明器具。
  13. 前記照明器具が、約２５００から８０００のＣＣＴ値を有することを特徴とする請求項１に記載の照明器具。
  14. 前記照明器具が、６０を越えるＣＲＩ値を有することを特徴とする請求項１に記載の照明器具。
  15. 白色光を放出するための照明器具であって：
    約２５０ｎｍから約５５０ｎｍで輻射を放出する光源と、
    （ＲＥ1-xＳｃxＣｅy）2Ａ3-pＢpＳｉz-qＧｅqＯ12+δ（式中、ＲＥはランタニドイオン又はＹ3+から選択され、ＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、又はＢａから選択され、ＢはＭｇ及びＺｎから選択され、０≦ｐ≦３、０≦ｑ≦３、２．５≦ｚ≦３．５、０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦０．３、−１．５≦δ≦１．５）を含む、前記光源に輻射結合した蛍光体組成物と、
    を含むことを特徴とする照明器具。
  16. 前記光源が、約３５０から約５５０ｎｍの範囲の波長を有する輻射を放出する半導体ＬＥＤであることを特徴とする請求項１５に記載の照明器具。
  17. 前記ＬＥＤが、化学式ＩｎiＧａjＡｌkＮ（式中０≦ｉ；０≦ｊ、０≦ｋ、及びｉ＋ｊ＋ｋ＝１）によって表される窒化化合物半導体を含むことを特徴とする請求項１６に記載の照明器具。
  18. 前記光源が、有機発光構造体であることを特徴とする請求項１５に記載の照明器具。
  19. 前記蛍光体組成物が、前記光源の表面上に被覆されることを特徴とする請求項１５に記載の照明器具。
  20. 前記光源及び前記蛍光体組成物を囲む封入材を更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の照明器具。
  21. 前記蛍光体組成物が、前記封入材中に分散されることを特徴とする請求項１５に記載の照明器具。
  22. 反射カップを更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法照明器具。
  23. 前記蛍光体組成物が、（Ｌｕ0.955Ｃｅ0.045）2ＣａＭｇ2Ｓｉ3Ｏ12を含むことを特徴とする請求項１５に記載の照明器具。
  24. 前記蛍光体組成物が、化学式（ＲＥ1-xＳｃxＣｅy）2Ａ3-pＢpＳｉz-qＧｅqＯ12+δ（式中、ＲＥはランタニドイオン又はＹ3+から選択され、ＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、又はＢａから選択され、ＢはＭｇ及びＺｎから選択され、０≦ｐ≦３、０≦ｑ≦３、２．５≦ｚ≦３．５、０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦０．３、−１．５≦δ≦１．５）を有する２つ又はそれ以上の別個の蛍光体を含み、前記別個の蛍光体の各々が異なる発光スペクトルを有することを特徴とする請求項１５に記載の照明器具。
  25. 前記蛍光体組成物が、１つ又はそれ以上の追加の蛍光体を更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の照明器具。











  26. 前記１つ又はそれ以上の追加の蛍光体が、
    Figure 2007510040
     からなる群から選択されることを特徴とする請求項２５に記載の照明器具。
  27. （Ｔｂ，Ｙ）3Ａｌ4.9Ｏ12-δ：Ｃｅ3+（式中−１≦δ≦１）の蛍光体を更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の照明器具。
  28. 式中、２．９≦ｚ≦３．１であることを特徴とする請求項１５に記載の照明器具。
  29. 式中、０≦ｑ／（ｚ−ｑ）≦０．５であることを特徴とする請求項１５に記載の照明器具。
  30. 式中、ＡがＣａであることを特徴とする請求項１５に記載の照明器具。
  31. 式中、ＡがＭｇであることを特徴とする請求項１５に記載の照明器具。
  32. 式中ＢがＭｇであることを特徴とする請求項１５に記載の照明器具。
  33. 式中、ｙ≦０．０５であることを特徴とする請求項１５に記載の照明器具。
  34. 前記照明器具が、約２５００から８０００のＣＣＴ値を有することを特徴とする請求項１５に記載の照明器具。
  35. 前記照明器具が、６０を越えるＣＲＩ値を有することを特徴とする請求項１５に記載の照明器具。
  36. （Ｔｂ1-x-y-z-wＹxＧｄyＬｕzＣｅw）3ＭrＡｌs-rＯ12+δ（式中、ＭはＳｃ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、又はＭｇから選択され、０＜ｗ≦０．３、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ＜１、０≦ｒ≦４．５、４．５≦ｓ≦６、−１．５≦δ≦１．５）を含む蛍光体組成物。
  37. （Ｔｂ0.57Ｃｅ0.03Ｙ0.2Ｇｄ0.2）3Ａｌ4.9Ｏ12+δを含むことを特徴とする請求項３６に記載の蛍光体組成物。
  38. 前記蛍光体組成物が、４００−５００ｎｍで発光する光源によって放出される輻射を吸収することができ、前記光源からの前記輻射と組み合わされたときに白色光を生成する輻射を放出することができることを特徴とする請求項３６に記載の蛍光体組成物。
  39. （ＲＥ1-xＳｃxＣｅy）2Ａ3-pＢpＳｉz-qＧｅqＯ12+δ（式中、ＲＥはランタニドイオン又はＹ3+から選択され、ＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、又はＢａから選択され、ＢはＭｇ及びＺｎから選択され、０≦ｐ≦３、０≦ｑ≦３、２．５≦ｚ≦３．５、０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦０．３、−１．５≦δ≦１．５）を含む蛍光体組成物。
  40. 式中、２．９≦ｚ≦３．１であることを特徴とする請求項３９に記載の蛍光体組成物。
  41. 式中、０≦ｑ／（ｚ−ｑ）≦０．５であることを特徴とする請求項３９に記載の蛍光体組成物。
  42. 式中、ＡがＣａであることを特徴とする請求項３９に記載の蛍光体組成物。
  43. 式中、ＡがＭｇであることを特徴とする請求項３９に記載の蛍光体組成物。
  44. 式中、ＢがＭｇであることを特徴とする請求項３９に記載の蛍光体組成物。
  45. 式中、ｙ≦０．０５であることを特徴とする請求項３９に記載の蛍光体組成物。
  46. （Ｌｕ0.955Ｃｅ0.045）2ＣａＭｇ2Ｓｉ3Ｏ12を含むことを特徴とする請求項３９に記載の蛍光体組成物。
  47. 前記蛍光体組成物が、４００−５００ｎｍで発光する光源によって放出される輻射を吸収することができ、前記光源からの前記輻射と組み合わされたときに白色光を生成する輻射を放出することができることを特徴とする請求項３９に記載の蛍光体組成物。
  48. （Ｔｂ，Ｙ）3Ａｌ4.9Ｏ12-δ：Ｃｅ3+（式中−１≦δ≦１）及び（Ｔｂ1-x-y-z-wＹxＧｄyＬｕzＣｅw）3ＭrＡｌs-rＯ12+δ（式中、ＭはＳｃ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、又はＭｇから選択され、０＜ｗ≦０．３、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ＜１、０≦ｒ≦４．５、４．５≦ｓ≦６、−１．５≦δ≦１．５）からなる群から選択される第１の蛍光体と、化学式（ＲＥ1-xＳｃxＣｅy）2Ａ3-pＢpＳｉz-qＧｅqＯ12+δ（式中、ＲＥはランタニドイオン又はＹ3+から選択され、ＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、又はＢａから選択され、ＢはＭｇ及びＺｎから選択され、０≦ｐ≦３、０≦ｑ≦３、２．５≦ｚ≦３．５、０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦０．３、−１．５≦δ≦１．５）を有する第２の蛍光体とを含む蛍光体ブレンド。
  49. （Ｃａ1-x-y-zＳｒxＢａyＣｅz）3（Ｓｃ1-a-bＬｕaＤc）2Ｓｉn-wＧｅwＯ12+δ（式中、ＤはＭｇ又はＺｕの何れかであり、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜Ｚ≦０．３、０≦ａ≦１、０≦ｃ≦１、０≦ｗ≦３、２．５≦ｎ≦３．５、−１．５≦δ≦１．５）を含む蛍光体組成物。
  50. Ｃａ3Ｓｃ2（ＳｉxＧｅ1-x）3Ｏ12：Ｃｅ3+（式中、ｘは０．６７から１．０）を含むことを特徴とする請求項４９に記載の蛍光体組成物。
  51. Ｃａ3Ｓｃ2Ｓｉ3Ｏ12：Ｃｅ3+を含むことを特徴とする請求項５０に記載の蛍光体組成物。
  52. （Ｃａ0.99Ｃｅ0.01）3Ｓｃ2Ｓｉ3Ｏ12：Ｃｅ3+を含むことを特徴とする請求項５０に記載の蛍光体組成物。
  53. 前記蛍光体組成物が、約２５０から約４９０ｎｍの波長を有する輻射を吸収することができ、約５０５ｎｍに発光極大をもつ輻射を放出することができることを特徴とする請求項４９に記載の方法。
  54. 式中、２．９≦ｎ≦３．１であることを特徴とする請求項４９に記載の蛍光体組成物。
  55. 式中、０≦ｗ／（ｎ−ｗ）≦０．５であることを特徴とする請求項４９に記載の蛍光体組成物。
  56. 式中、ｘ≦０．１であることを特徴とする請求項４９に記載の蛍光体組成物。
  57. 式中、ｙ≦０．１であることを特徴とする請求項４９に記載の蛍光体組成物。
  58. 式中、ｚ≦０．０５であることを特徴とする請求項４９に記載の蛍光体組成物。
  59. 式中、ａ≦０．１０であることを特徴とする請求項４９に記載の蛍光体組成物。
  60. Ｃａ3Ｓｃ2（ＳｉxＧｅ1-x）3Ｏ12：Ｃｅ3+（式中、ｘは０．６７から１．０）を含むことを特徴とする請求項４９に記載の蛍光体組成物。
  61. Ｃａ3Ｓｃ2Ｓｉ3Ｏ12：Ｃｅ3+を含むことを特徴とする請求項４９に記載の蛍光体組成物。
  62. （Ｃａ0.99Ｃｅ0.01）3Ｓｃ2Ｓｉ3Ｏ12：Ｃｅ3+を含むことを特徴とする請求項４９に記載の蛍光体組成物。
  63. （Ｔｂ1-x-y-z-wＹxＧｄyＬｕzＣｅw）3ＭrＡｌs-rＯ12+δ（式中、ＭはＳｃ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、又はＭｇから選択され、０＜ｗ≦０．３、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ＜１、０≦ｒ≦４．５、４．５≦ｓ≦６、−１．５≦δ≦１．５）と、（ＲＥ1-xＳｃxＣｅy）2Ａ3-pＢpＳｉz-qＧｅqＯ12+δ（式中、ＲＥはランタニドイオン又はＹ3+から選択され、ＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、又はＢａから選択され、ＢはＭｇ及びＺｎから選択され、０≦ｐ≦３、０≦ｑ≦３、２．５≦ｚ≦３．５、０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦０．３、−１．５≦δ≦１．５）とを更に含むことを特徴とする請求項４９に記載の蛍光体組成物。
  64. 照明器具であって、
    約２５０から約５００ｎｍの輻射長を有する輻射を放出する光源と、
    （Ｃａ1-x-y-zＳｒxＢａyＣｅz）3（Ｓｃ1-a-bＬｕaＤc）2Ｓｉn-wＧｅwＯ12+δ（式中、ＤはＭｇ又はＺｕの何れかであり、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜Ｚ≦０．３、０≦ａ≦１、０≦ｃ≦１、０≦ｗ≦３、２．５≦ｎ≦３．５、−１．５≦δ≦１．５）を含む蛍光体組成物と、
    を含むことを特徴とする照明器具。
  65. 前記照明器具が、白色発光デバイスであることを特徴とする請求項６４に記載の照明器具。
  66. １つ又はそれ以上の追加の蛍光体を更に含むことを特徴とする請求項６４に記載の照明器具。






























  67. 前記１つ又はそれ以上の追加の蛍光体が、
    Figure 2007510040
     からなる群から選択されることを特徴とする請求項６６に記載の照明器具。
  68. （Ｔｂ1-x-y-z-wＹxＧｄyＬｕzＣｅw）3ＭrＡｌs-rＯ12+δ（式中、ＭはＳｃ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、又はＭｇから選択され、０＜ｗ≦０．３、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ＜１、０≦ｒ≦４．５、４．５≦ｓ≦６、−１．５≦δ≦１．５）と、（ＲＥ1-xＳｃxＣｅy）2Ａ3-pＢpＳｉz-qＧｅqＯ12+δ（式中、ＲＥはランタニドイオン又はＹ3+から選択され、ＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、又はＢａから選択され、ＢはＭｇ及びＺｎから選択され、０≦ｐ≦３、０≦ｑ≦３、２．５≦ｚ≦３．５、０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦０．３、−１．５≦δ≦１．５）と、（Ｔｂ，Ｙ）3Ａｌ4.9Ｏ12+δ：Ｃｅ3+（式中、−１≦δ≦１）とからなる群から選択される少なくとも１つの蛍光体を更に含むことを特徴とする請求項６４に記載の照明器具。
  69. 前記光源が、半導体発光ダイオードであることを特徴とする請求項６４に記載の照明器具。
  70. 前記照明器具が、６０を越えるＣＲＩ値を有することを特徴とする請求項６４に記載の照明器具。
  71. 前記蛍光体組成物が、Ｃａ3Ｓｃ2（ＳｉxＧｅ1-x）3Ｏ12：Ｃｅ3+（式中、ｘは０．６７から１．０）を含むことを特徴とする請求項６４に記載の照明器具。
  72. 前記蛍光体組成物が、Ｃａ3Ｓｃ2Ｓｉ3Ｏ12：Ｃｅ3+を含むことを特徴とする請求項６４に記載の照明器具。
  73. 前記蛍光体組成物が、（Ｃａ0.99Ｃｅ0.01）3Ｓｃ2Ｓｉ3Ｏ12：Ｃｅ3+を含むことを特徴とする請求項６４に記載の照明器具。
JP2006538159A 2003-10-29 2004-10-25 スペクトル特性が向上したガーネット蛍光体材料 Pending JP2007510040A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/696,637 US7094362B2 (en) 2003-10-29 2003-10-29 Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
PCT/US2004/035400 WO2005044947A2 (en) 2003-10-29 2004-10-25 Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007510040A true JP2007510040A (ja) 2007-04-19

Family

ID=34550155

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006538159A Pending JP2007510040A (ja) 2003-10-29 2004-10-25 スペクトル特性が向上したガーネット蛍光体材料

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7094362B2 (ja)
EP (1) EP1678273A2 (ja)
JP (1) JP2007510040A (ja)
CN (1) CN1922286A (ja)
WO (1) WO2005044947A2 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007515527A (ja) * 2003-12-22 2007-06-14 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト　フユール　エレクトリツシエ　グリユーラムペン　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 蛍光体及びかかる蛍光体を有する光源
WO2009113379A1 (ja) * 2008-03-10 2009-09-17 株式会社東芝 固体シンチレータ、放射線検出器およびｘ線断層写真撮影装置
JP2010538413A (ja) * 2007-08-27 2010-12-09 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光出力装置
JP2012072331A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Toshiba Corp 固体シンチレータ用材料、固体シンチレータ、およびそれを用いた放射線検出器並びに放射線検査装置
JP2013112818A (ja) * 2011-11-29 2013-06-10 Chi Mei Corp 蛍光材料およびこれを用いた発光装置
JP2016219519A (ja) * 2015-05-18 2016-12-22 サンケン電気株式会社 発光装置
WO2017154830A1 (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体及び発光装置
JP2017222868A (ja) * 2017-07-06 2017-12-21 インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ テルビウム含有アルミネート系黄緑色〜黄色発光蛍光体
WO2018042949A1 (ja) * 2016-08-29 2018-03-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体及び発光装置
WO2018230207A1 (ja) * 2017-06-15 2018-12-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ガーネット珪酸塩、ガーネット珪酸塩蛍光体、並びにガーネット珪酸塩蛍光体を用いた波長変換体及び発光装置
JP2019054286A (ja) * 2013-11-08 2019-04-04 ルミマイクロ コーポレーション リミテッドＬｕｍｉｍｉｃｒｏ Ｃｏｒｐ． Ｌｔｄ． 発光装置
KR20220106920A (ko) * 2015-07-08 2022-08-01 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광장치

Families Citing this family (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7189340B2 (en) * 2004-02-12 2007-03-13 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, light emitting device using phosphor, and display and lighting system using light emitting device
JP4032682B2 (ja) * 2001-08-28 2008-01-16 三菱化学株式会社 蛍光体
US7252787B2 (en) 2003-10-29 2007-08-07 General Electric Company Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
US7442326B2 (en) * 2003-10-29 2008-10-28 Lumination Llc Red garnet phosphors for use in LEDs
KR20050050292A (ko) * 2003-11-25 2005-05-31 삼성전기주식회사 열방출부를 구비한 발광소자 램프
JP2008505433A (ja) * 2004-06-29 2008-02-21 松下電器産業株式会社 照明光源
EP1808471A4 (en) * 2004-10-15 2009-10-21 Mitsubishi Chem Corp FLUORESCENT MATERIAL, FLUORESCENT DEVICE USING THE MATERIAL, AND IMAGE DISPLAY DEVICE AND LIGHTING EQUIPMENT
US7358542B2 (en) * 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US20070114562A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
US7648649B2 (en) * 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
US7497973B2 (en) * 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
WO2006098450A1 (ja) 2005-03-18 2006-09-21 Mitsubishi Chemical Corporation 発光装置、白色発光装置、照明装置及び画像表示装置
US7329371B2 (en) * 2005-04-19 2008-02-12 Lumination Llc Red phosphor for LED based lighting
JP2012033945A (ja) * 2005-05-24 2012-02-16 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、照明装置、ディスプレイ用バックライトおよびディスプレイ
JP5098221B2 (ja) * 2005-05-24 2012-12-12 三菱化学株式会社 発光装置、照明装置、ディスプレイ用バックライトおよびディスプレイ
JP2007049114A (ja) * 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
US9412926B2 (en) 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
US7501753B2 (en) * 2005-08-31 2009-03-10 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
US7859182B2 (en) 2005-08-31 2010-12-28 Lumination Llc Warm white LED-based lamp incoporating divalent EU-activated silicate yellow emitting phosphor
JP4832995B2 (ja) * 2005-09-01 2011-12-07 シャープ株式会社 発光装置
US20070052342A1 (en) * 2005-09-01 2007-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
BRPI0620413A2 (pt) 2005-12-21 2011-11-08 Cree Led Lighting Solutions dispositivo de iluminação e método de iluminação
US7560046B2 (en) * 2005-12-22 2009-07-14 General Electric Company Scintillator material and radiation detectors containing same
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
TWI460880B (zh) 2006-04-18 2014-11-11 Cree Inc 照明裝置及照明方法
US9084328B2 (en) * 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7780871B2 (en) * 2006-04-26 2010-08-24 Wei-Hung Lo Inorganic light-emitting materials for UV solid light source
US20070262288A1 (en) * 2006-05-09 2007-11-15 Soshchin Naum Inorganic fluorescent powder as a solid light source
KR20090048640A (ko) * 2006-08-23 2009-05-14 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치 및 조명 방법
EP2074475B1 (en) * 2006-10-18 2014-01-08 Koninklijke Philips N.V. Illumination system and display device
US8133461B2 (en) 2006-10-20 2012-03-13 Intematix Corporation Nano-YAG:Ce phosphor compositions and their methods of preparation
US8475683B2 (en) 2006-10-20 2013-07-02 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates
US8529791B2 (en) 2006-10-20 2013-09-10 Intematix Corporation Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications
US9120975B2 (en) 2006-10-20 2015-09-01 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates
US20110150735A1 (en) * 2006-11-01 2011-06-23 Lawrence Livermore National Security, Llc. Fabrication of Transparent Ceramics Using Nanoparticles Synthesized Via Flame Spray Pyrolysis
US8029155B2 (en) 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
JP5367218B2 (ja) 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
US9441793B2 (en) * 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
JP2008140704A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄバックライト
US8333907B2 (en) 2007-01-17 2012-12-18 Utc Fire & Security Corporation Articles using persistent phosphors
US7959827B2 (en) * 2007-12-12 2011-06-14 General Electric Company Persistent phosphor
US7900705B2 (en) * 2007-03-13 2011-03-08 Schlumberger Technology Corporation Flow control assembly having a fixed flow control device and an adjustable flow control device
US7708968B2 (en) * 2007-03-26 2010-05-04 General Electric Company Nano-scale metal oxide, oxyhalide and oxysulfide scintillation materials and methods for making same
US7625502B2 (en) * 2007-03-26 2009-12-01 General Electric Company Nano-scale metal halide scintillation materials and methods for making same
US7608829B2 (en) * 2007-03-26 2009-10-27 General Electric Company Polymeric composite scintillators and method for making same
CN101711325B (zh) * 2007-05-08 2013-07-10 科锐公司 照明装置和照明方法
TWI429731B (zh) * 2007-07-16 2014-03-11 Lumination Llc 由４價錳離子活化之發紅光錯合氟化磷光體
TWI363085B (en) * 2007-07-26 2012-05-01 Univ Nat Chiao Tung A novel phosphor and fabrication of the same
US8545723B2 (en) * 2007-12-12 2013-10-01 General Electric Company Persistent phosphor
KR20090085880A (ko) * 2008-02-05 2009-08-10 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널용 녹색 형광체 및 이를 포함하는플라즈마 디스플레이 패널
US8703016B2 (en) 2008-10-22 2014-04-22 General Electric Company Phosphor materials and related devices
US8329060B2 (en) * 2008-10-22 2012-12-11 General Electric Company Blue-green and green phosphors for lighting applications
US8461535B2 (en) 2009-05-20 2013-06-11 Lawrence Livermore National Security, Llc Phase stable rare earth garnets
US8562161B2 (en) 2010-03-03 2013-10-22 Cree, Inc. LED based pedestal-type lighting structure
US8632196B2 (en) 2010-03-03 2014-01-21 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
US10359151B2 (en) 2010-03-03 2019-07-23 Ideal Industries Lighting Llc Solid state lamp with thermal spreading elements and light directing optics
US8882284B2 (en) 2010-03-03 2014-11-11 Cree, Inc. LED lamp or bulb with remote phosphor and diffuser configuration with enhanced scattering properties
US9500325B2 (en) * 2010-03-03 2016-11-22 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor with heat dissipation features
US9316361B2 (en) 2010-03-03 2016-04-19 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration
US9024517B2 (en) 2010-03-03 2015-05-05 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration utilizing red emitters
US9310030B2 (en) 2010-03-03 2016-04-12 Cree, Inc. Non-uniform diffuser to scatter light into uniform emission pattern
US9057511B2 (en) 2010-03-03 2015-06-16 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US9062830B2 (en) 2010-03-03 2015-06-23 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US9625105B2 (en) * 2010-03-03 2017-04-18 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US8931933B2 (en) * 2010-03-03 2015-01-13 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US8324798B2 (en) * 2010-03-19 2012-12-04 Nitto Denko Corporation Light emitting device using orange-red phosphor with co-dopants
TWI394827B (zh) * 2010-04-20 2013-05-01 China Glaze Co Ltd 螢光材料與白光發光裝置
US8593062B2 (en) 2010-04-29 2013-11-26 General Electric Company Color stable phosphors for LED lamps and methods for preparing them
US8912498B2 (en) * 2010-05-10 2014-12-16 University Of Tennessee Research Foundation Halide scintillator for radiation detection
US8896197B2 (en) 2010-05-13 2014-11-25 Cree, Inc. Lighting device and method of making
KR101244187B1 (ko) 2010-06-16 2013-03-18 관동대학교산학협력단 ＹＡＧ : Ｃｅ 형광체 분말 제조 방법
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
CN102376860A (zh) 2010-08-05 2012-03-14 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
WO2012053924A1 (ru) * 2010-10-22 2012-04-26 Vishnyakov Anatoly Vasilyevich Люминесцирующий материал для твердотельных источников белого света
US9068701B2 (en) 2012-01-26 2015-06-30 Cree, Inc. Lamp structure with remote LED light source
US9234655B2 (en) 2011-02-07 2016-01-12 Cree, Inc. Lamp with remote LED light source and heat dissipating elements
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
KR101337999B1 (ko) * 2011-04-20 2013-12-06 조성매 단일상 형광체를 포함하는 백색 발광 다이오드
CN102910637B (zh) * 2011-08-05 2014-11-05 中国科学院上海硅酸盐研究所 稀土硅酸盐纳米粉体的制备方法
CA2848917A1 (en) 2011-09-30 2013-04-04 General Electric Company Phosphor materials and related devices
CN102604634B (zh) * 2012-02-10 2013-08-28 南通南京大学材料工程技术研究院 一种白光led用黄色荧光粉
AT512588B1 (de) * 2012-03-12 2014-12-15 Zizala Lichtsysteme Gmbh Lichtquellenmodul mit Laserlichtquelle sowie Fahrzeugscheinwerfer
CN102618274A (zh) * 2012-03-13 2012-08-01 湖南信多利新材料有限公司 一种led用绿色荧光粉及其制备方法
JP6158167B2 (ja) * 2012-03-15 2017-07-05 株式会社東芝 固体シンチレータ、放射線検出器、および放射線検査装置
US9488359B2 (en) 2012-03-26 2016-11-08 Cree, Inc. Passive phase change radiators for LED lamps and fixtures
US8506104B1 (en) 2012-03-28 2013-08-13 General Electric Company Phosphors for LED lamps
US9353917B2 (en) 2012-09-14 2016-05-31 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
US20150225644A1 (en) * 2012-12-06 2015-08-13 Anatoly Vasilyevich Vishnyakov Luminescent material for solid-state sources of white light
CN103013514A (zh) * 2012-12-22 2013-04-03 广州有色金属研究院 一种铈离子激活的绿色荧光粉
JP6103042B2 (ja) * 2013-04-12 2017-03-29 日立金属株式会社 蛍光材料、シンチレータ、並びに放射線変換パネル
DE102013109313A1 (de) 2013-08-28 2015-03-05 Leuchtstoffwerk Breitungen Gmbh Verbesserter Granatleuchtstoff und Verfahren zu dessen Herstellung
US10074781B2 (en) 2013-08-29 2018-09-11 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including multiple red phosphors that exhibit good color rendering properties with increased brightness
WO2015045260A1 (ja) * 2013-09-30 2015-04-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置、照明光源、照明装置
JP6384893B2 (ja) * 2013-10-23 2018-09-05 株式会社光波 単結晶蛍光体及び発光装置
US9360188B2 (en) 2014-02-20 2016-06-07 Cree, Inc. Remote phosphor element filled with transparent material and method for forming multisection optical elements
CN104031645B (zh) * 2014-06-20 2016-08-17 东华大学 一种白光led用橙黄色荧光粉及其制备方法
CN106796822B (zh) * 2014-09-25 2019-02-22 株式会社东芝 闪烁体、闪烁体阵列、放射线检测器和放射线检查装置
CN104312587B (zh) * 2014-09-30 2017-02-08 东华大学 一种具有红光发射的Lu2MgCa2Si3O12:Ce3+荧光膜的制备方法
DE102014226591A1 (de) * 2014-12-19 2016-06-23 Osram Gmbh Lichtmodul und Verfahren zur Bereitstellung von wellenlängenkonvertiertem Licht im roten Spektralbereich sowie Projektionsvorrichtung dazu
DE102015110258A1 (de) 2015-06-25 2016-12-29 Osram Gmbh Leuchtstoff, Verfahren zum Herstellen eines Leuchtstoffs und Verwendung eines Leuchtstoffs
JP6273637B1 (ja) * 2016-07-04 2018-02-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ファイバー光源、内視鏡および内視鏡システム
WO2018008284A1 (ja) 2016-07-04 2018-01-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プロジェクター装置
CN107849448B (zh) 2016-07-04 2022-04-15 松下知识产权经营株式会社 荧光体以及发光装置
DE102016116016A1 (de) 2016-08-29 2018-03-01 Osram Gmbh Leuchtstoff, Verwendung eines Leuchtstoffs und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs
CN108018040A (zh) * 2017-12-12 2018-05-11 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种荧光陶瓷材料、其制备方法以及一种低色温白光led
KR20200048233A (ko) 2018-10-29 2020-05-08 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치의 제조 방법
JP2021165368A (ja) * 2020-02-18 2021-10-14 エボニック オペレーションズ ゲーエムベーハー 抗菌性を有するコーティングを作製するための組成物

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11199781A (ja) * 1998-01-08 1999-07-27 Nichia Chem Ind Ltd 色変換シート及びそれを用いた発光装置
JP2003505583A (ja) * 1999-07-23 2003-02-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光物質装置、波長変換注入成形材および光源
JP2003505582A (ja) * 1999-07-23 2003-02-12 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング 光源用発光物質および発光物質を有する光源
JP2003064358A (ja) * 2001-08-28 2003-03-05 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びそれを用いた発光素子、並びに画像表示装置、照明装置
WO2003021691A1 (en) * 2001-09-03 2003-03-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting device
JP2004529252A (ja) * 2001-06-01 2004-09-24 ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー 広域スペクトルテルビウム含有ガーネット蛍光物質及びこれを組み込んだ白色光源
JP2004300409A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Nantex Industry Co Ltd Ｔａｇ型磁気光学結晶の蛍光素材とその製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4550256A (en) * 1983-10-17 1985-10-29 At&T Bell Laboratories Visual display system utilizing high luminosity single crystal garnet material
US6013199A (en) 1997-03-04 2000-01-11 Symyx Technologies Phosphor materials
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6351069B1 (en) 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
DE19934126A1 (de) * 1999-07-23 2001-01-25 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstoff für Lichtquellen und zugehörige Lichtquelle
US6552487B1 (en) 1999-10-27 2003-04-22 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Phosphor for light sources, and associated light source
US6409938B1 (en) 2000-03-27 2002-06-25 The General Electric Company Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG
US6538371B1 (en) 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
KR100784573B1 (ko) * 2000-05-29 2007-12-10 파텐트-트로이한트-게젤샤프트 퓌어 엘렉트리쉐 글뤼람펜 엠베하 발광다이오드에 기반을 둔 백색광을 방출하는 조명 기구
JP3747845B2 (ja) 2000-12-25 2006-02-22 ソニー株式会社 固体撮像素子の駆動方法
US7189340B2 (en) 2004-02-12 2007-03-13 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, light emitting device using phosphor, and display and lighting system using light emitting device
DE10223988A1 (de) 2002-05-29 2003-12-18 Siemens Ag Leuchtstoffpulver, Verfahren zum Herstellen des Leuchtstoffpulvers und Leuchtstoffkörper mit dem Leuchtstoffpulver
US6936857B2 (en) * 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
US7723740B2 (en) * 2003-09-18 2010-05-25 Nichia Corporation Light emitting device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11199781A (ja) * 1998-01-08 1999-07-27 Nichia Chem Ind Ltd 色変換シート及びそれを用いた発光装置
JP2003505583A (ja) * 1999-07-23 2003-02-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光物質装置、波長変換注入成形材および光源
JP2003505582A (ja) * 1999-07-23 2003-02-12 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング 光源用発光物質および発光物質を有する光源
JP2004529252A (ja) * 2001-06-01 2004-09-24 ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー 広域スペクトルテルビウム含有ガーネット蛍光物質及びこれを組み込んだ白色光源
JP2003064358A (ja) * 2001-08-28 2003-03-05 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びそれを用いた発光素子、並びに画像表示装置、照明装置
WO2003021691A1 (en) * 2001-09-03 2003-03-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting device
JP2004300409A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Nantex Industry Co Ltd Ｔａｇ型磁気光学結晶の蛍光素材とその製造方法

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4838727B2 (ja) * 2003-12-22 2011-12-14 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング 蛍光体及びかかる蛍光体を有する光源
JP2007515527A (ja) * 2003-12-22 2007-06-14 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト　フユール　エレクトリツシエ　グリユーラムペン　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 蛍光体及びかかる蛍光体を有する光源
JP2010538413A (ja) * 2007-08-27 2010-12-09 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光出力装置
WO2009113379A1 (ja) * 2008-03-10 2009-09-17 株式会社東芝 固体シンチレータ、放射線検出器およびｘ線断層写真撮影装置
US8083968B2 (en) 2008-03-10 2011-12-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid scintillator, radiation detector, and X-ray tomographic imaging apparatus
JP2012072331A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Toshiba Corp 固体シンチレータ用材料、固体シンチレータ、およびそれを用いた放射線検出器並びに放射線検査装置
JP2013112818A (ja) * 2011-11-29 2013-06-10 Chi Mei Corp 蛍光材料およびこれを用いた発光装置
JP2019054286A (ja) * 2013-11-08 2019-04-04 ルミマイクロ コーポレーション リミテッドＬｕｍｉｍｉｃｒｏ Ｃｏｒｐ． Ｌｔｄ． 発光装置
JP2016219519A (ja) * 2015-05-18 2016-12-22 サンケン電気株式会社 発光装置
KR102579649B1 (ko) 2015-07-08 2023-09-18 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광장치
KR20220106920A (ko) * 2015-07-08 2022-08-01 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광장치
JP6273595B1 (ja) * 2016-03-08 2018-02-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体及び発光装置
US11050005B2 (en) 2016-03-08 2021-06-29 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Phosphor and light emitting device
WO2017154830A1 (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体及び発光装置
WO2018042949A1 (ja) * 2016-08-29 2018-03-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体及び発光装置
JPWO2018042949A1 (ja) * 2016-08-29 2019-06-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体及び発光装置
US10611959B2 (en) 2016-08-29 2020-04-07 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Phosphor and light emitting device
WO2018230207A1 (ja) * 2017-06-15 2018-12-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ガーネット珪酸塩、ガーネット珪酸塩蛍光体、並びにガーネット珪酸塩蛍光体を用いた波長変換体及び発光装置
JPWO2018230207A1 (ja) * 2017-06-15 2020-04-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ガーネット珪酸塩、ガーネット珪酸塩蛍光体、並びにガーネット珪酸塩蛍光体を用いた波長変換体及び発光装置
JP2017222868A (ja) * 2017-07-06 2017-12-21 インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ テルビウム含有アルミネート系黄緑色〜黄色発光蛍光体

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005044947A2 (en) 2005-05-19
WO2005044947A3 (en) 2005-09-01
EP1678273A2 (en) 2006-07-12
CN1922286A (zh) 2007-02-28
US7094362B2 (en) 2006-08-22
US20050093442A1 (en) 2005-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7094362B2 (en) Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
US7274045B2 (en) Borate phosphor materials for use in lighting applications
US6765237B1 (en) White light emitting device based on UV LED and phosphor blend
JP5143549B2 (ja) Ｌｅｄに使用するための蛍光体及びそれらの混合物
US7442326B2 (en) Red garnet phosphors for use in LEDs
US7252787B2 (en) Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
US7906790B2 (en) Full spectrum phosphor blends for white light generation with LED chips
US7229573B2 (en) Ce3+ and Eu2+ doped phosphors for light generation
US7026755B2 (en) Deep red phosphor for general illumination applications
JP4760082B2 (ja) 発光装置、発光素子用蛍光体及びその製造方法
US20060231851A1 (en) Red phosphor for LED based lighting
US7439668B2 (en) Oxynitride phosphors for use in lighting applications having improved color quality
US20060049414A1 (en) Novel oxynitride phosphors
JP2009516774A (ja) 照明用途において使用するための電荷補償窒化物蛍光体
US8440104B2 (en) Kimzeyite garnet phosphors
KR20120063923A (ko) 알카리 토류 포스포러스 나이트라이드계 형광체와 그 제조방법 및 이를 이용한 발광장치
US20110127905A1 (en) Alkaline earth borate phosphors
KR101047775B1 (ko) 형광체 및 발광소자
TWI509051B (zh) 螢光粉、其製造方法、及發光裝置
KR100906923B1 (ko) 형광체, 코팅 형광체 조성물, 형광체 제조방법 및 발광소자
KR20120129329A (ko) 적색 형광체 및 이를 포함하는 발광장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071023

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110124

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110704