JP2004529252A - 広域スペクトルテルビウム含有ガーネット蛍光物質及びこれを組み込んだ白色光源 - Google Patents

広域スペクトルテルビウム含有ガーネット蛍光物質及びこれを組み込んだ白色光源 Download PDF

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Abstract

希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質は、近UV〜青色域の放射線を吸収し、かつ、約490nm〜約770nm範囲の可視光の広域スペクトルを放出することができる。この蛍光物質の450nmでの励起下での放出は、人の目の最大感度の範囲にあるピークを示す。UV/青色LEDと、この蛍光物質とを組み合わせた光源は、プランク軌跡上又はそれに近い白色光を提供し、一般的な証明に有用である。

Description

【０００１】
(本発明の背景)
本発明は、希土類金属イオンで活性化したガーネット構造を有する広域スペクトル可視光放出蛍光物質に関する。特に、本発明は、青色光励起下で黄色光を放出するセリウムで活性化されたテルビウムアルミニウム酸化物ガーネット蛍光物質に関する。本発明は、更に、これら蛍光物質を使用する白色光源に関する。
蛍光物質は、電磁スペクトルの一部の放射エネルギーを吸収し、電磁スペクトルの他の部分のエネルギーを放出する発光物質である。一つの重要なクラスの蛍光物質は、非常に高い化学的純度で、調節された組成物の結晶性無機化合物であり、これに少量の他の要素(「活性剤」と呼ぶ)を添加して、これを効率的な蛍光材料に転換する。活性剤と無機化合物との正しい(right)組み合わせにより、放出の色は、調節され得る。最も有用で周知の蛍光物質は、可視範囲外の電磁放射線による励起に応じて、放射線を電磁スペクトルの可視部分に放出する。よく知られた蛍光物質は、水銀蒸気放電ランプに使用され、励起した水銀蒸気によって放出された紫外(UV)放射線を可視光に転換する。他の蛍光物質は、電子(陰極線管を使用して)によって又はＸ線(例えば、シンチレーターＸ線検出システム)によって励起されながら、可視光を放出し得る。
【０００２】
蛍光物質を使用する照明デバイスの効率は、励起している放射線の波長と放射された放射線の波長との違いが狭くなるに従って、増加する。従って、白色光源の効率の改善の追求において、ＵＶ放射線の波長より長い波長を有する刺激放射線源、及び、このような波長に対応する蛍光物質を探すことに専念する努力が払われてきた。光放出ダイオード(LED)技術における最近の進歩は、近ＵＶ〜青色の範囲で効率的なLEDの放出をもたらす。ここで使用する「近ＵＶ」の語は、約315nm〜約400nmの範囲の波長を有するＵＶ放射線を意味する。近ＵＶ〜青色の範囲におけるこれらのLED放出放射線は、以下、「UV/青色LED」と呼ぶ。ここで使用する、UV/青色LEDは、近UV範囲、青色光の範囲、又は近UVから青色の広い範囲における波長を有する放射線を放出してもよい。これは、照明の技術に進歩し、これらUV/青色LED放射線源から放出され、種々のカラーLEDを生成するための蛍光物質の使用に柔軟性を考慮に入れた放射線によって刺激され得る蛍光物質の範囲を提供する。このような蛍光物質は、UV/青色LEDからの放出と組み合わされる場合、効率的で、ほとんど力を消費しない長い耐久性を提供し得る。
【０００３】
インジウム、アルミニウム、及びガリウムの窒化物の組み合わせに基づく多くの近UV/青色LEDが最近表れている。例えば、米国特許第5,777,350号明細書は、インジウム及びガリウム窒化物及びp-及びn-型AlGaNの複数層を含むLEDを開示し、これは、約380nm〜約420nmの範囲の波長において放出する。このようなLEDの活性層は、他の材料をドープしてLEDピーク放出をUV〜青色波長域内にシフトする。青色光波長中のピーク放出を有するLEDをセリウムで活性化された黄色光放出イットリウムアルミニウムガーネット蛍光物質(YAG:Ce)のコーティングと組み合わせて、白色光を生成することは、米国特許第5,998,925号に開示されている。白色光デバイスに必要な実質的な部分は、LEDベースデバイスによって満たされてもよいが、UV/青色LEDと蛍光物質とを組み合わせる能力は、限定される。これは、YAG:Ceが、青色域における放射線で励起され得る黄色光放出蛍光物質としてのみ知られているからである。
従って、近UV〜青色域で励起可能で、かつ、可視域において放出する新規蛍光物質を提供することを要する。更に、青緑から赤の広い波長域において光を放出し、その結果、UV/青色LEDと組み合わせて、高効率及び／又は高色調指数（CRI）の白色光を生ずる新規蛍光物質を提供することが望ましい。
【０００４】
（本発明の概要）
本発明は、近UV〜青色域(約315nm〜約480nm)の波長を有する放射線によって励起可能で、緑色から黄色の波長域において放出ピークを有する約490nm〜約770nmの広域の波長において可視光を効率的に放出する蛍光物質を提供する。一般的に、本発明の蛍光物質は、少なくともテルビウムと、アルミニウム、ガリウム、及びイリジウムからなる群より選択される少なくとも１つの元素とを含む酸化物固体であり、かつ、セリウム、プラセオジウム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムからなる群から選択される少なくとも１つの希土類金属で活性化される。テルビウムは、イットリウム、ランタン、ガドリニウム、サマリウム及びルテチウムからなる群より選択される少なくとも１つの希土類金属によって部分的に置換されていてもよい。本発明の蛍光物質は、ガーネット構造を有し、以下の一般式を有する：
(Ｔｂ1-x-yＡxＲＥy)3ＤzＯ12
Ａは、Ｙ，Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選択されるメンバーであり；ＲＥは、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ及びこれらの組み合わせからなる群から選択されるメンバーであり；Ｄは、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるメンバーであり；ｘは、０から約０．５の範囲にあり、及びｙは、約0.0005〜約0.2の範囲にあり、及びｚは、約４〜５の範囲内にある。本発明の一つの様相は、４＜ｚ＜５である。
【０００５】
本発明の他の様相において、希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質の調製方法が提供され、これは、以下のステップを含む：(１) 化学量論的量のテルビウムの酸素含有化合物、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕからなる群から選択される少なくとも１種の希土類金属の酸素含有化合物；及びＡｌ，Ｇａ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも１種のメンバーの酸素含有化合物を準備する工程；(２)これら酸素含有化合物を混合して混合物を形成する工程；(３)任意に、Ｔｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，及びＬｕのフッ化物からなる群より選択される少なくとも１種のフラックス化合物を、フラックスとして作用するのに十分な量で混合物中に添加する工程；及び(４)混合物を希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質に転換するのに十分な還元雰囲気、温度及び時間で混合物を焼成する工程。
【０００６】
本発明の他の様相において、テルビウム；Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ、及びＬｕからなる群より選択される少なくとも１種の他の希土類金属；及び、Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎからなる群より選択される少なくとも１種の金属の、酸素含有化合物の化学量論的量の溶液は、アルカリ溶液中に沈殿し、金属の水酸化物の混合物を得る。沈殿された水酸化物の混合物は、酸化雰囲気においてか焼される。か焼された材料は、さらに十分に混合され、及びその後、か焼された混合物を希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質に転換するのに十分な還元雰囲気、温度及び時間で焼成される。
本発明の他の態様において、白色光を放出する光源が提供され、これは、UV/青色LED、式(Ｔｂ1-x-yＡxＲＥy)3ＤzＯ12(式中、Ａ、ＲＥ、Ｄ、ｘ、ｙ及びｚは、上述の通り)を有する希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質の量を含む。蛍光物質は、UV/青色LEDに隣接して配列され、蛍光物質は、UV/青色LEDによって放出された放射線から可視光の少なくとも一部を吸収する。蛍光物質によって放出された光及びUV/青色LEDによって放出された放射線の一部は、組み合わされて白色光を生じる。
【０００７】
(発明の詳細な説明)
本発明は、近UV〜青色域における波長を有する放射線によって効率的に励起可能で、青色〜赤色(約490nm〜約770nm)の広域スペクトルを有する可視域の光を効率的に放出する蛍光物質を提供する。この蛍光物質は、人の目の最大感度の範囲を含む緑色〜黄色域(約540nm〜約600nm)に放出ピークを有する。本発明の蛍光物質は、一般式(Ｔｂ1-x-yＡxＲＥy)3ＤzＯ12を有する希土類活性化テルビウム含有ガーネット(ここで「TAG:Ce」ともいう)であり、式中、Ａは、Ｙ，Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選択されるメンバーであり；ＲＥは、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕからなる群から選択されるメンバーであり；Ｄは、Ａｌ，Ｇａ及びＩｎからなる群より選択されるメンバーであり；ｘは、０〜約０．５、好ましくは、０〜約０．３、より好ましくは０〜約０．２の範囲にあり；及びｙは、約0.0005〜約0.2、好ましくは約0.005〜約0.1、より好ましくは約0.005〜約0.07の範囲にあり；及びｚは、約４〜約５、好ましくは約４．５〜５、より好ましくは約４．６〜約５の範囲内にある。
一つの好ましい態様において、蛍光物質は、式(Ｔｂ1-yＣｅy)aＡｌ4.9Ｏ12を有するセリウムで活性化されたテルビウムアルミニウムガーネットであり、ｙは上記した値をとり、ａは、約２．８〜３の範囲にある。
【０００８】
他の好ましい態様において、アルミニウムは、ガリウム、インジウム、又はこれらの組み合わせで部分的に置換される。この場合、蛍光物質は、式(Ｔｂ1-yＣｅy)3(Ａｌ1-r-sＧａrＩｎs)zＯ12を有し、ｙ及びｚは、上述した定義であり、及び０＜ｓ≦０．５及びｒ＋ｓ＜１のとき０≦ｒ≦０．５であり、０≦ｓ≦０．５及びｒ＋ｓ＜１のとき０＜ｒ≦０．５である。好ましくは、ｒは、約0.005〜約0.3、より好ましくは約0.05〜約0.2の範囲にあり；及びｓは、好ましくは、約0.005〜約0.3、より好ましくは約0.05〜約0.2の範囲にある。
他の好ましい態様において、テルビウムは、Ｙ，Ｇｄ，Ｓｍ、又はこれらの組み合わせの一つによって部分的に置換され、アルミニウムは、置換されない。この場合、蛍光物質は、式(Ｔｂ1-y-u-v-wＣｅyＹuＧｄvＳｍw)3ＡｌzＯ12を有し、式中、ｙ及びｚは、上述した定義であり、０≦ｕ，ｖ，ｗ≦０．５、及び0.0005≦ｙ＋ｕ＋ｖ＋ｗ＜１である。各ｕ，ｖ，及びｗは、好ましくは、約0.005〜約０．３、より好ましくは約0.005〜約０．１の範囲である。
更に好ましい態様において、蛍光物質は、式(Ｔｂ1-x-yＡxＣｅy)3ＡｌzＯ12を有し、式中、ＡはＹ又はＧｄであり、０＜ｘ≦０．５、並びに、ｙ及びｚは、上述した定義である。
【０００９】
本発明の蛍光物質は、以下のステップを含む方法によって生産される：(１) 化学量論的量のテルビウムの酸素含有化合物、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕからなる群から選択される少なくとも１種の希土類金属の酸素含有化合物；及びＡｌ，Ｇａ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも１種のメンバーの酸素含有化合物を準備する工程；(２)酸素含有化合物を混合して混合物を形成する工程；及び(３)混合物を希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質に転換するのに十分な還元雰囲気、温度及び時間で混合物を焼成する工程。
本発明の他の態様において、テルビウム、アルミニウム、ガリウム、及びインジウムからなる群から選択される少なくとも１種の金属のフッ化物の量は、フラックス剤として、酸素含有化合物の混合物中に、混合工程の前又は間に加えられる。混合物の全質量の約２０質量％未満、好ましくは、約１０質量％未満のフッ化物化合物の量は、フラックスの目的に適している。
【００１０】
酸素含有化合物を、限定されることなく、高速ブレンダー又はリボンブレンダー中で撹拌し、又はブレンドする工程を含むいかなる機械的方法によって一緒に混合してもよい。酸素含有化合物は、ボールミル、ハンマーミル、又はジェットミルで一緒に混合し及び粉砕してもよい。混合は、特に酸素含有化合物の混合物が続く沈殿のための溶液中に作られるようになる場合、ウェットミルによって行われてもよい。混合物がウエットの場合、還元雰囲気下、約９００℃〜約１７００℃、好ましくは、約１０００℃〜約１６００℃、より好ましくは、約１２００℃〜約１５００℃の温度で、全ての混合物を最終ガーネット組成物に転換するのに十分な時間焼成する前に、まず乾燥されてもよい。この焼成は、バッチ式又は連続プロセスで行われ、好ましくは、良好な気−固接触を促進するために撹拌又は混合行為で行われてもよい。焼成時間は、焼成される混合物の量、焼成装置を通して導かれる気体の速度、及び、焼成装置における気−固接触の特性に依存する。典型的に、約１０時間までの焼成時間が適当である。還元雰囲気は、典型的に、還元ガス、例えば、水素、一酸化炭素、又はこれらの組み合わせを含み、任意に不活性ガス、例えば、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、又はこれらの組み合わせで希釈される。これとは別に、混合物を含むるつぼは、高純度炭素粒子を含む第２の閉じたるつぼに充填されてもよく、及び空気中で焼成されて炭素粒子が空気中に存在する酸素で反応し、それによって還元雰囲気を提供するのに必要な一酸化炭素を生成してもよい。
【００１１】
（実施例）
以下の量のテルビウム、セリウム、及びアルミニウムの酸化物、及びフッ化アルミニウムを十分にドライブレンドした。
Ｔｂ4Ｏ7：６．８０５ｇ
ＣｅＯ2：０．１９４ｇ
Ａｌ2Ｏ3：３．０６２ｇ
ＡｌＦ3：０．１０５ｇ
この混合物は、混合物とともに充填されたココナッツチャコールの粒子を含む第２の閉じたるつぼの内側におかれた第１のるつぼ中に配置し、組み合わせた混合物を、１４５０℃で５時間、窒素中１０(体積)％のＨ2と、ココナッツチャコールの反応によって生成したガスとの組み合わせである還元雰囲気において、箱のファーネス中で焼成した。５時間後、固体を同じＨ2／Ｎ2混合物の流れのもとで冷却した。最終蛍光物質は、元素分析によって測定して、(Ｔｂ0.97Ｃｅ0.03)3Ａｌ4.9Ｏ12の組成を有していた。蛍光物質の４５０ｎｍ励起下での励起スペクトル及び放出スペクトルを測定し、それぞれ図１及び２に示す。本発明の蛍光物質は、約４９０ｎｍ〜約７７０ｎｍの可視域において広域スペクトルの放出を示す。よって、放出は、青色−緑色から赤色光の範囲をカバーする。従って、この放出スペクトルと、例えば、LED放出青色光から放出される青色光との組み合わせは、白色光を提供する。
【００１２】
蛍光物質合成のための１以上の出発材料は、酸化物以外の酸素含有化合物、例えば、ニトレート、サルフェート、アセテート、シトレート、又はクロレートであってもよい。例えば、Ｔｂ4Ｏ7、Ａｌ(ＮＯ3)3・９Ｈ2Ｏ、Ｃｅ(ＮＯ3)3・９Ｈ2Ｏ及びＡｌＦ3の量は、ブレンドされ、硝酸溶液に溶解される。酸溶液の強度は、酸素含有化合物に速やかに溶解するために選択され、この選択は、当業者の技術の範囲内である。水酸化アンモニウムは、その後、Ｔｂ、Ｃｅ、及びＡｌを含む酸性溶液に段階的に加えられ、その間、撹拌してＴｂ、Ｃｅ、及びＡｌの水酸化物の混合物を沈殿させた。有機塩基；例えば、メタノールアミン、エタノールアミン、プロパノールアミン、ジメタノールアミン、ジエタノールアミン、ジプロパノールアミン、トリメタノールアミン、トリエタノールアミン、又はトリプロパノールアミンは、水酸化アンモニウムの代わりに使用されてもよい。沈殿物をろ過し、脱イオン水でろ過し、乾燥した。乾燥した沈殿物を、ボールミルし、又はこれとは別に、十分にブレンドし、その後約４００℃〜約１６００℃の空気中で、出発材料の実質的に完全な脱水を確保するために十分な時間、か焼した。このか焼は、一定温度で行われてもよい。これとは別に、か焼温度は、か焼の持続時間の間、周囲温度から立ち上がり、最終温度で保持されてもよい。か焼された材料は、１２００〜１６００℃で、Ｈ2、ＣＯのような還元雰囲気、又はこれらのガスの１つと不活性ガスとの混合、又はココナッツチャコールと酸素含有化合物の分解の生成物との反応によって発生した雰囲気下で同様に焼成されて、すべてのか焼された材料を所望の蛍光物質組成物に転換した。
【００１３】
本発明の他の態様において、蛍光物質は、その組成が非化学量論的である場合、高い量子効率を有する。表１は、高量子効率が、一般式ＴｂaＡｌbＯ12：Ｃｅ3+（式中a/bは０．６とは異なり、ｂは５より少ない）を有する蛍光物質に対して達成されることを示す。表１に示す相対的量子効率は、標準セリウム活性化アルミン酸イットリウムガーネット蛍光物質に対して比較されている。
【００１４】
表１
Figure 2004529252
【００１５】
白色光放出デバイス
本発明の希土類活性化テルビウム含有蛍光物質を、約400nm〜約800nmの範囲の青色光を放出するLEDを含むデバイスに取り込むと、電力を効率的に使用する白色光源が提供される。白色光源を加工して、一つの青色LEDを使用することによる点光源デバイス又は多数の青色LEDを使用することによって広い範囲を照らすデバイスを提供してもよい。
図３に示すような本発明の１つの態様は、白色光源１０は、約400nm〜約480nmの範囲の青色光を放出するLED１００と、本発明の蛍光物質を含む。LED１００は、LED１００に隣接する反射表面１４０を有するキャップ１２０にマウントされている。白色光放出デバイスに好適な青色LEDは、InGaN半導体ベースLEDであり、上述した米国特許第5,777,350号明細書に記載されている(この文献はここで参考として取り入れる)。他のUV/青色LEDを、更に使用してもよく、例えば、大きなバンドギャップを提供する種々の金属をドープしたGaN半導体をベースとするLEDがある。導線１５０及び１５２は、電力をLED１００に供給するために備えられている。透明鋳造物１６０は、エポキシ、シリコーン、又はガラス１８０を含み、本発明の蛍光物質の実質的に均一な粒子２００が分散される。これとは別に、蛍光物質粒子は、LED１００の上に適用されてもよく、又は透明鋳造物１６０の部分だけに分散されてもよい。他の透明ポリマーを更に使用して、透明鋳造物を形成してもよい。加えて、光散乱材料の粒子、例えば、ＴｉＯ2又はＡｌ2Ｏ3を透明鋳造物中に蛍光物質に混じって含め、光源１０から放出された光の均一性を改善してもよい。LEDのInGaN活性層の組成物、及び鋳造物に適用された蛍光物質の量を選択する結果、蛍光物質によって吸収されないLEDによって放出された青色光の一部、並びに、蛍光物質によって放出された広域スペクトル光を組み合わせて、所望の色温度及びCRIの白色光源１０を提供する。
【００１６】
図４は、青色LED及び本発明の蛍光物質の種々の組み合わせから生じる白色光を提供する光源の範囲の色座標を示す。図４において、点Ａは、本発明の(Ｔｂ0.97Ｃｅ0.03)3Ａｌ4.9Ｏ12蛍光物質のピーク放出の座標を表し、点Ｂ及びＣは、それぞれ、450nm及び470nmでの青色LEDのピーク放出の座標を表す。線ＡＢ及びＡＣは、LEDと本発明の(Ｔｂ0.97Ｃｅ0.03)3Ａｌ4.9Ｏ12蛍光物質の組み合わせの光源の色座標を表し、プランク又は黒体軌跡を交差して示される。このような交点は、(Ｔｂ0.97Ｃｅ0.03)3Ａｌ4.9Ｏ12蛍光物質と適当な青色LEDとの組み合わせの白色光源の色座標を示す。470nmで放出する青色LEDからの青色光の２５％の寄与と、蛍光物質によって放出された光からの７５％の寄与を組み合わせたデバイスのコンピュータシミュレーションは、約4300Kの色温度、315ルーメン／ワット(lpw)の明度、及び７６のCRIを示す。450nmで放出する青色LEDからの青色光の１５％の寄与と、蛍光物質によって放出された光からの８５％の寄与を使用した類似のコンピュータシミュレーションは、約3600Kの色温度、342lpwの明度、及び６５のCRIを有する白色光源を示す。本発明の１つ以上の蛍光物質を同じデバイスに組み込んで、色調整を提供してもよい。
【００１７】
一般的な照明用の広域白色光源を、多数の青色LEDを平らな反射パネル上に配置し、適当な導線を個々のLEDに提供し、少なくとも１つの本発明の蛍光物質とポリマーバインダー、例えば、エポキシを含むコーティングを提供し、その後、全体の組み合わせ構造を透明で気密なシール中に密封することによって製造してもよい。蛍光物質／ポリマーコーティングは、個々のLED上に直接適用されてもよく、又は全体のパネル表面の上に適用されてもよい。前者の場合、追加のポリマーコーティングを、蛍光物質がLED上に適用された後に全体のパネル表面の上に適用してもよい。加えて、不活性固体の粒子、例えば、ＴｉＯ2又はＡｌ2Ｏ3を、ポリマーマトリックス中に提供してデバイスからの光放出の均一性を向上してもよい。
種々の態様をここで記載したが、要素、改変、均等物、又はこれらにおける改善の種々の組み合わせが当業者によってなされてもよく、これらは、添付した請求の範囲で定義された本発明の範囲内にあることが、本明細書から理解されるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】組成物(Tb0.97Ce0.03)3Al4.9O12を有する本発明の蛍光物質の室温励起スペクトルを示す。
【図２】(Tb0.97Ce0.03)3Al4.9O12蛍光物質の室温励起スペクトルを示す。
【図３】本発明の蛍光物質を使用する白色光源の態様を示す。
【図４】本発明のUV/青色LED及びテルビウム含有蛍光物質の組み合わせから生産した光源の範囲のカラーコーディネートを示す。

Claims (64)

  1. テルビウムと、アルミニウム、ガリウム、及びイリジウムからなる群より選択される少なくとも１つの元素とを含む希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質であって；前記蛍光物質が、セリウム、プラセオジウム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムからなる群から選択される少なくとも１つの希土類金属イオンで活性化されることを特徴とする、希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質。
  2. 前記テルビウムが、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、及びＳｍからなる群より選択される少なくとも１つの希土類金属によって部分的に置換される、請求項１に記載の希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質。
  3. 式(Ｔｂ1-x-yＡxＲＥy)3ＤzＯ12
    (式中、Ａは、Ｙ，Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選択されるメンバーであり；ＲＥは、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ及びこれらの組み合わせからなる群から選択されるメンバーであり；Ｄは、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるメンバーであり；ｘは０〜約０．５の範囲にあり、及びｙは、約0.0005〜約0.2の範囲にあり、及びｚは、約４〜約５の範囲内にある)を有する、請求項２に記載の希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質。
  4. ｘが、好ましくは０〜約０．３、及びより好ましくは０〜約０．２の範囲にあり；ｙが、好ましくは約0.005〜約0.1、及びより好ましくは約0.005〜約0.07の範囲にあり；及びｚが、好ましくは約４．５〜約５、及びより好ましくは約４．６〜約５の範囲内にある、請求項３に記載の希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質。
  5. 式(Ｔｂ1-yＣｅy)3ＡｌzＯ12
    （式中、ｙは、約0.0005〜約0.2の範囲にあり、及びｚは、約４〜約５の範囲にある）を有する、請求項１に記載の希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質。
  6. ｙが、好ましくは約0.005〜約0.1、及びより好ましくは約0.005〜約0.07の範囲にあり；及びｚが、好ましくは約４．５〜約５、及びより好ましくは約４．６〜約５の範囲内にある、請求項５に記載の希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質。
  7. 前記蛍光物質が、式(Ｔｂ1-yＣｅy)3(Ａｌ1-r-sＧａrＩｎs)zＯ12（式中、ｙは、約0.0005〜約0.2の範囲にあり、ｚは、約４〜約５の範囲にあり、０≦ｒ≦０．５、０＜ｓ≦０．５、及びｒ＋ｓ＜１である）を有する、請求項１に記載の希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質。
  8. 前記蛍光物質が、式(Ｔｂ1-yＣｅy)3(Ａｌ1-r-sＧａrＩｎs)zＯ12（式中、ｙは、約0.0005〜約0.2の範囲にあり、ｚは、約４〜約５の範囲にあり、０＜ｒ≦０．５、０≦ｓ≦０．５、及びｒ＋ｓ＜１である）を有する、請求項１に記載の希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質。
  9. ｙが、好ましくは約0.005〜約0.1、及びより好ましくは約0.005〜約0.07の範囲にあり；及びｚが、好ましくは約４．５〜約５、及びより好ましくは約４．６〜約５の範囲内にあり；ｒが、好ましくは約0.005〜約0.3、より好ましくは約0.05〜約0.2の範囲にあり；及びｓが、好ましくは約0.005〜約0.3、より好ましくは約0.05〜約0.2の範囲にある、請求項７に記載の希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質。
  10. ｙが、好ましくは約0.005〜約0.1、及びより好ましくは約0.005〜約0.07の範囲にあり；及びｚが、好ましくは約４．５〜約５、及びより好ましくは約４．６〜約５の範囲内にあり；ｒが、好ましくは約0.005〜約0.3、より好ましくは約0.05〜約0.2の範囲にあり；及びｓが、好ましくは約0.005〜約0.3、より好ましくは約0.05〜約0.2の範囲にある、請求項８に記載の希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質。
  11. 式(Ｔｂ1-y-u-v-wＣｅyＹuＧｄvＳｍw)3ＡｌzＯ12（式中、ｙは、約0.0005〜約0.2の範囲にあり、ｚは、約４〜約５の範囲にあり、０≦ｕ，ｖ，ｗ≦０．５、及び0.0005≦ｙ＋ｕ＋ｖ＋ｗ＜１である）を有する、請求項１に記載の希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質。
  12. 式(Ｔｂ1-y-u-v-wＣｅyＹuＧｄvＳｍw)3ＡｌzＯ12（式中、ｙは、好ましくは約0.005〜約0.1、及びより好ましくは約0.005〜約0.07の範囲にあり；及びｚは、好ましくは約４．５〜約５、及びより好ましくは約４．６〜約５の範囲内にあり；各ｕ，ｖ，及びｗは、好ましくは、約0.005〜約0.3、より好ましくは約0.005〜約0.1の範囲である）を有する、請求項１に記載の希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質。
  13. Ａが、Ｙ及びＧｄからなる群より選択されるメンバーであり、ＲＥがＣｅであり、及びＤがＡｌである、請求項３に記載の希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質。
  14. (１) テルビウムの酸素含有化合物の量、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕからなる群から選択される少なくとも１種の希土類金属の酸素含有化合物；及びＡｌ，Ｇａ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも１種のメンバーの酸素含有化合物を準備する工程；
    (２)酸素含有化合物を一緒に混合して混合物を形成する工程；及び
    (３)混合物を希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質に転換するのに十分な還元雰囲気、温度及び時間で混合物を焼成する工程、
    を含むことを特徴とする、希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質を生産する方法。
  15. Ｔｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｙ，Ｌａ，Ｇａ，Ｓｍ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｅｕ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，及びＬｕからなる群より選択される少なくとも１種の金属のフッ素化物の量を、混合工程の前に添加する工程であって、前記量が、前記テルビウム含有ガーネット蛍光物質の調製にフラックスとして作用するのに十分な量である工程を更に含む、請求項１４に記載の方法。
  16. Ｔｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｙ，Ｌａ，Ｇａ，Ｓｍ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｅｕ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，及びＬｕからなる群より選択される少なくとも１種の金属のフッ素化物の量を、混合工程中に添加する工程であって、前記量が、前記テルビウム含有ガーネット蛍光物質の調製にフラックスとして作用するのに十分な量である工程を更に含む、請求項１４に記載の方法。
  17. 前記酸素含有化合物が、酸化物である、請求項１５に記載の方法。
  18. 混合が、前記混合物を撹拌、ブレンド、及び粉砕することからなる群より選択される方法によって行われる、請求項１５に記載の方法。
  19. 前記温度が、約９００℃〜約１７００℃の範囲にある、請求項１５に記載の方法。
  20. 前記温度が、好ましくは約１０００℃〜約１６００℃、及びより好ましくは約１２００℃〜約１５００℃の範囲にある、請求項１９に記載の方法。
  21. 前記時間が、約１０時間より少ない、請求項１５に記載の方法。
  22. 前記還元雰囲気が、水素、一酸化炭素、及びこれらの混合物からなる群より選択されるガスと、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、及びこれらの混合物からなる群より選択される不活性ガスとを含む、請求項１５に記載の方法。
  23. 前記還元雰囲気が、炭素粒子で充填された閉じた容器中で発生したガスを含む、請求項１５に記載の方法。
  24. (１) テルビウムの酸素含有化合物の量；Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕからなる群から選択される少なくとも１種の希土類金属の酸素含有化合物；及びＡｌ，Ｇａ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも１種のメンバーの酸素含有化合物を準備する工程；
    (２)前記酸素含有化合物を含む第１溶液を調製する工程；
    (３)塩基を含む第２溶液を準備する工程；
    (４)前記第２溶液を前記第１溶液に加えて沈殿物を得る工程；
    (５)前記沈殿物を分離する工程；
    (６)前記沈殿物を脱水するのに十分な、酸化雰囲気、温度、時間で前記沈殿物をか焼する工程；及び
    (７) 混合物を希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質に転換するのに十分な、還元雰囲気、温度及び時間で該混合物を焼成する工程、
    を含むことを特徴とする、希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質を生産する方法。
  25. Ｔｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｙ，Ｌａ，Ｇａ，Ｓｍ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｅｕ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，及びＬｕからなる群より選択される少なくとも１種の金属のフッ素化物を、前記第１溶液中に添加する工程を更に含む、請求項２４に記載の方法。
  26. 前記酸素含有化合物が、ニトレート、サルフェート、アセテート、シトレート、クロレート、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項２４に記載の方法。
  27. 前記塩基が、水酸化アンモニウムである、請求項２４に記載の方法。
  28. 前記か焼が、約４００℃〜約１６００℃の範囲の温度で行われる、請求項２４に記載の方法。
  29. 前記か焼が、約１０時間未満続けられる、請求項２５に記載の方法。
  30. 前記酸素雰囲気が、酸素、空気、及びこれらの混合物からなる群より選択されるものと、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、及びキセノンからなる群より選択される不活性ガスである、請求項２４に記載の方法。
  31. 前記還元雰囲気が、水素、一酸化炭素、これらの混合物、及び、これらの混合物と、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、及びこれらの混合物から選択される不活性ガスとからなるもの、から選択されるガスを含む、請求項２４に記載の方法。
  32. 前記還元雰囲気が、炭素粒子で充填された閉じた容器中で発生したガスを含む、請求項２４に記載の方法。
  33. 前記焼成が、約９００℃〜約１７００℃の範囲の温度で行われる、請求項２４に記載の方法。
  34. 前記温度が、好ましくは約１０００℃〜約１６００℃、より好ましくは約１２００℃〜約１６００℃の範囲の温度で行われる請求項３０に記載の方法。
  35. 光源が、
    ・近ＵＶ〜青色の範囲の波長を有する放射線を放出し得る少なくとも１つのLED；及び
    ・透明ポリマー、並びに、テルビウムと、アルミニウム、ガリウム、及びイリジウムからなる群より選択される少なくとも１つの元素とを含む希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質の粒子を含む蛍光物質鋳造物であって；前記蛍光物質が、セリウム、プラセオジウム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムからなる群から選択される少なくとも１つの希土類金属イオンで活性化され；前記蛍光物質鋳造物が、前記少なくとも１つのLEDを実質的に囲み；前記蛍光物質が前記少なくとも１つのLEDから放出される前記放射線の一部を吸収し、かつ、可視域の波長を有する光を放出する、
    を含むことを特徴とする、白色光放出光源。
  36. 前記少なくとも１つのLEDによって放出される前記放射線が、約315nm〜約480nmの範囲にあり、及び、前記蛍光物質が、約490nm〜約770nmの範囲の波長を有する光を放出し得る、請求項３２に記載の光源。
  37. 前記LEDが、好ましくは約400nm〜約480nmの範囲で放出する、請求項３３に記載の光源。
  38. 前記テルビウムが、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、及びＳｍからなる群より選択される少なくとも１つの希土類金属によって部分的に置換される、請求項３２に記載の光源。
  39. 前記希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質が、式(Ｔｂ1-x-yＡxＲＥy)3ＤzＯ12(式中、Ａは、Ｙ，Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選択されるメンバーであり；ＲＥは、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ及びこれらの組み合わせからなる群から選択されるメンバーであり；Ｄは、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるメンバーであり；ｘは、０〜約０．５の範囲にあり、ｙは、約0.0005〜約0.2の範囲にあり、及びｚは、約４〜約５の範囲内にある)を有する、請求項３２に記載の光源。
  40. ｘが、好ましくは０〜約０．３、及びより好ましくは０〜約０．２の範囲にあり；ｙが、好ましくは約0.005〜約0.1、及びより好ましくは約0.005〜約0.07の範囲にあり；及びｚが、好ましくは約４．５〜約５、及びより好ましくは約４．６〜約５の範囲内にある、請求項３９に記載の光源。
  41. 前記希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質が、式(Ｔｂ1-yＣｅy)3ＡｌzＯ12（式中、ｙは、約0.0005〜約0.2の範囲にあり、及びｚは、約４〜約５の範囲にある）を有する、請求項３５に記載の光源。
  42. ｙが、好ましくは約0.005〜約0.1、及びより好ましくは約0.005〜約0.07の範囲にあり；及びｚが、好ましくは約４．５〜約５、及びより好ましくは約４．６〜約５の範囲内にある、請求項４１に記載の光源。
  43. 前記蛍光物質が、式(Ｔｂ1-yＣｅy)3(Ａｌ1-r-sＧａrＩｎs)zＯ12（式中、ｙは、約0.0005〜約0.2の範囲にあり、ｚは、約４〜約５の範囲にあり、０≦ｒ≦０．５、０＜ｓ≦０．５、及びｒ＋ｓ＜１である）を有する、請求項３５に記載の光源。
  44. 前記蛍光物質が、式(Ｔｂ1-yＣｅy)3(Ａｌ1-r-sＧａrＩｎs)zＯ12（式中、ｙは、約0.0005〜約0.2の範囲にあり、ｚは、約４〜約５の範囲にあり、０＜ｒ≦０．５、０≦ｓ≦０．５、及びｒ＋ｓ＜１である）を有する、請求項３５に記載の光源。
  45. ｙが、好ましくは約0.005〜約0.1、及びより好ましくは約0.005〜約0.07の範囲にあり；及びｚが、好ましくは約４．５〜約５、及びより好ましくは約４．６〜約５の範囲内にあり；ｒが、好ましくは約0.005〜約0.3、より好ましくは約0.05〜約0.2の範囲にあり；及びｓが、好ましくは約0.005〜約0.3、より好ましくは約0.05〜約0.2の範囲にある、請求項４３に記載の光源。
  46. ｙが、好ましくは約0.005〜約0.1、及びより好ましくは約0.005〜約0.07の範囲にあり；及びｚが、好ましくは約４．５〜約５、及びより好ましくは約４．６〜約５の範囲内にあり；ｒが、好ましくは約0.005〜約0.3、より好ましくは約0.05〜約0.2の範囲にあり；及びｓが、好ましくは約0.005〜約0.3、より好ましくは約0.05〜約0.2の範囲にある、請求項４４に記載の光源。
  47. 前記希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質が、式(Ｔｂ1-y-u-v-wＣｅyＹzＧｄvＳｍw)3ＡｌzＯ12（式中、ｙは、約0.0005〜約0.2の範囲にあり、ｚは、約４〜約５の範囲にあり、０≦ｕ，ｖ，ｗ≦０．５、及び0.0005≦ｙ＋ｕ＋ｖ＋ｗ＜１である）を有する、請求項３５に記載の光源。
  48. ｙが、好ましくは約0.005〜約0.1、及びより好ましくは約0.005〜約0.07の範囲にあり；及びｚが、好ましくは約４．５〜約５、及びより好ましくは約４．６〜約５の範囲内にあり；各ｕ，ｖ，及びｗが、好ましくは、約0.005〜約0.3、より好ましくは約0.005〜約0.1の範囲である、請求項４７に記載の光源。
  49. Ａが、Ｙ及びＧｄからなる群より選択されるメンバーであり、ＲＥがＣｅであり、及びＤがＡｌである、請求項３９に記載の光源。
  50. 光源が、
    ・近ＵＶ〜青色の範囲の波長を有する放射線を放出し得る少なくとも１つのLED；及び
    ・透明ポリマー、並びに、テルビウムと、アルミニウム、ガリウム、及びイリジウムからなる群より選択される少なくとも１つの元素とを含む希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質の粒子を含むコーティングであって；前記蛍光物質が、セリウム、プラセオジウム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムからなる群から選択される少なくとも１つの希土類金属イオンで活性化され；前記コーティングが、前記少なくとも１つのLEDに隣接して配置され；前記蛍光物質が前記少なくとも１つのLEDから放出される前記放射線の一部を吸収し、かつ、可視域の波長を有する光を放出する、
    を含むことを特徴とする、白色光放出光源。
  51. 前記少なくとも１つのLEDによって放出される前記放射線が、約315nm〜約480nmの範囲にあり、及び、前記蛍光物質が、約490nm〜約770nmの範囲の波長を有する光を放出し得る、請求項５０に記載の光源。
  52. 前記LEDが、好ましくは約400nm〜約480nmの範囲で放出する、請求項５１に記載の光源。
  53. 前記テルビウムが、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、及びＳｍからなる群より選択される少なくとも１つの希土類金属によって部分的に置換される、請求項５０に記載の光源。
  54. 前記希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質が、式(Ｔｂ1-x-yＡxＲＥy)3ＤzＯ12(式中、Ａは、Ｙ，Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選択されるメンバーであり；ＲＥは、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ及びこれらの組み合わせからなる群から選択されるメンバーであり；Ｄは、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるメンバーであり；ｘは、０〜約０．５の範囲にあり、ｙは、約0.0005〜約0.2の範囲にあり、及びｚは、約４〜約５の範囲内にある)を有する、請求項５０に記載の光源。
  55. ｘが、好ましくは０〜約０．３、及びより好ましくは０〜約０．２の範囲にあり；ｙが、好ましくは約0.005〜約0.1、及びより好ましくは約0.005〜約0.07の範囲にあり；及びｚが、好ましくは約４．５〜約５、及びより好ましくは約４．６〜約５の範囲内にある、請求項５４に記載の光源。
  56. 前記希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質が、式(Ｔｂ1-yＣｅy)3ＡｌzＯ12（式中、ｙは、約0.0005〜約0.2の範囲にあり、及びｚは、約４〜約５の範囲にある）を有する、請求項５０に記載の光源。
  57. ｙが、好ましくは約0.005〜約0.1、及びより好ましくは約0.005〜約0.07の範囲にあり；及びｚが、好ましくは約４．５〜約５、及びより好ましくは約４．６〜約５の範囲内にある、請求項５６に記載の光源。
  58. 前記蛍光物質が、式(Ｔｂ1-yＣｅy)3(Ａｌ1-r-sＧａrＩｎs)zＯ12（式中、ｙは、約0.0005〜約0.2の範囲にあり、ｚは、約４〜約５の範囲にあり、０≦ｒ≦０．５、０＜ｓ≦０．５、及びｒ＋ｓ＜１である）を有する、請求項５０に記載の光源。
  59. 前記蛍光物質が、式(Ｔｂ1-yＣｅy)3(Ａｌ1-r-sＧａrＩｎs)zＯ12（式中、ｙは、約0.0005〜約0.2の範囲にあり、ｚは、約４〜約５の範囲にあり、０＜ｒ≦０．５、０≦ｓ≦０．５、及びｒ＋ｓ＜１である）を有する、請求項５０に記載の光源。
  60. ｙが、好ましくは約0.005〜約0.1、及びより好ましくは約0.005〜約0.07の範囲にあり；及びｚが、好ましくは約４．５〜約５、及びより好ましくは約４．６〜約５の範囲内にあり；ｒが、好ましくは約0.005〜約0.3、より好ましくは約0.05〜約0.2の範囲にあり；及びｓが、好ましくは約0.005〜約0.3、より好ましくは約0.05〜約0.2の範囲にある、請求項５８に記載の光源。
  61. ｙが、好ましくは約0.005〜約0.1、及びより好ましくは約0.005〜約0.07の範囲にあり；及びｚが、好ましくは約４．５〜約５、及びより好ましくは約４．６〜約５の範囲内にあり；ｒが、好ましくは約0.005〜約0.3、より好ましくは約0.05〜約0.2の範囲にあり；及びｓが、好ましくは約0.005〜約0.3、より好ましくは約0.05〜約0.2の範囲にある、請求項５９に記載の光源。
  62. 前記希土類活性化テルビウム含有ガーネット蛍光物質が、式(Ｔｂ1-y-u-v-wＣｅyＹuＧｄvＳｍw)3ＡｌzＯ12（式中、ｙは、約0.0005〜約0.2の範囲にあり、ｚは、約４〜約５の範囲にあり、０≦ｕ，ｖ，ｗ≦０．５、及び0.0005≦ｙ＋ｕ＋ｖ＋ｗ＜１である）を有する、請求項５０に記載の光源。
  63. ｙが、好ましくは約0.005〜約0.1、及びより好ましくは約0.005〜約0.07の範囲にあり；及びｚが、好ましくは約４．５〜約５、及びより好ましくは約４．６〜約５の範囲内にあり；各ｕ，ｖ，及びｗが、好ましくは、約0.005〜約0.3、より好ましくは約0.005〜約0.1の範囲である、請求項５９に記載の光源。
  64. Ａが、Ｙ及びＧｄからなる群より選択されるメンバーであり、ＲＥがＣｅであり、及びＤがＡｌである、請求項５４に記載の光源。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005126718A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc 放射線損傷に対する耐性が向上したテルビウム又はルテチウムを含有するシンチレータ組成
JP2005264062A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Nemoto & Co Ltd 蛍光体
JP2006233158A (ja) * 2005-02-28 2006-09-07 Kasei Optonix Co Ltd Ｃｅ付活希土類アルミン酸塩系蛍光体及びこれを用いた発光素子
JP2007510040A (ja) * 2003-10-29 2007-04-19 ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー スペクトル特性が向上したガーネット蛍光体材料
JP2010174211A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Toshiba Corp 固体シンチレータ、放射線検出器、放射線検査装置、固体シンチレータ製造用粉末および固体シンチレータの製造方法
WO2010119655A1 (ja) * 2009-04-17 2010-10-21 パナソニック株式会社 蛍光体、発光装置およびプラズマディスプレイパネル
JP2014531760A (ja) * 2011-09-20 2014-11-27 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス半導体部品、および複数のそのような部品を有するモジュール

Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1190997C (zh) * 1999-07-23 2005-02-23 电灯专利信托有限公司 光源的发光物质及其相关的光源
US7132786B1 (en) 1999-07-23 2006-11-07 Osram Gmbh Luminescent array, wavelength-converting sealing material and light source
JP2004522990A (ja) * 2000-12-15 2004-07-29 コピン コーポレーション ディスプレイハウジング
TWI282357B (en) * 2001-05-29 2007-06-11 Nantex Industry Co Ltd Process for the preparation of pink light-emitting diode with high brightness
CN1156553C (zh) * 2001-09-27 2004-07-07 中国科学院长春应用化学研究所 稀土发光材料的制备方法
US6630077B2 (en) * 2001-10-11 2003-10-07 General Electric Company Terbium- or lutetium - containing garnet phosphors and scintillators for detection of high-energy radiation
US7846778B2 (en) * 2002-02-08 2010-12-07 Intel Corporation Integrated heat spreader, heat sink or heat pipe with pre-attached phase change thermal interface material and method of making an electronic assembly
US7473995B2 (en) * 2002-03-25 2009-01-06 Intel Corporation Integrated heat spreader, heat sink or heat pipe with pre-attached phase change thermal interface material and method of making an electronic assembly
KR100703154B1 (ko) * 2002-06-07 2007-04-05 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 강자성 ⅳ족계 반도체，강자성 ⅲ-ⅴ족계 화합물 반도체또는 강자성 ⅱ-ⅵ족계 화합물 반도체와 그 강자성 특성의조정방법
US6765237B1 (en) * 2003-01-15 2004-07-20 Gelcore, Llc White light emitting device based on UV LED and phosphor blend
US6936857B2 (en) * 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
EP1603170B1 (en) * 2003-03-10 2018-08-01 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for manufacturing a solid-state optical element device
US7038370B2 (en) * 2003-03-17 2006-05-02 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
TWI229125B (en) * 2003-03-28 2005-03-11 Nantex Industry Co Ltd Fluorescent material of terbium aluminum garnet and manufacturing method therefor
US7184111B2 (en) * 2003-04-28 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Phosphor for use in white semiconductor light sources and a white light source utilizing the same
JP2005005482A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄ発光装置及びそれを用いたカラー表示装置
KR100512600B1 (ko) * 2003-06-23 2005-09-07 럭스피아 주식회사 사마륨을 포함하는 알루미늄산이트륨계 적색형광체를 갖는발광다이오드
US7088038B2 (en) * 2003-07-02 2006-08-08 Gelcore Llc Green phosphor for general illumination applications
US20050019241A1 (en) * 2003-07-23 2005-01-27 Lyons Robert Joseph Preparation of rare earth ceramic garnet
US7026755B2 (en) * 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
JP2005064233A (ja) 2003-08-12 2005-03-10 Stanley Electric Co Ltd 波長変換型ｌｅｄ
TWI233697B (en) * 2003-08-28 2005-06-01 Genesis Photonics Inc AlInGaN light-emitting diode with wide spectrum and solid-state white light device
WO2005022032A1 (ja) * 2003-08-28 2005-03-10 Mitsubishi Chemical Corporation 発光装置及び蛍光体
US6841804B1 (en) * 2003-10-27 2005-01-11 Formosa Epitaxy Incorporation Device of white light-emitting diode
US7252787B2 (en) * 2003-10-29 2007-08-07 General Electric Company Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
US7442326B2 (en) 2003-10-29 2008-10-28 Lumination Llc Red garnet phosphors for use in LEDs
US20050099786A1 (en) * 2003-11-07 2005-05-12 Ru-Shi Liu Yellow phosphor material and white light-emitting device using the same
DE10360546A1 (de) * 2003-12-22 2005-07-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
TWI229465B (en) 2004-03-02 2005-03-11 Genesis Photonics Inc Single chip white light component
US7427366B2 (en) * 2004-07-06 2008-09-23 Sarnoff Corporation Efficient, green-emitting phosphors, and combinations with red-emitting phosphors
JP4747726B2 (ja) * 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置
KR100485673B1 (ko) * 2004-10-11 2005-04-27 씨엠에스테크놀로지(주) 백색 발광장치
US7358542B2 (en) * 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US7497973B2 (en) * 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US7648649B2 (en) * 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
US20070114562A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
WO2006093015A1 (ja) * 2005-02-28 2006-09-08 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法並びにその応用
US7274045B2 (en) * 2005-03-17 2007-09-25 Lumination Llc Borate phosphor materials for use in lighting applications
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
US7252789B2 (en) * 2005-03-31 2007-08-07 General Electric Company High-density scintillators for imaging system and method of making same
US20100044697A2 (en) * 2005-04-14 2010-02-25 Duke University Bright visible wavelength luminescent nanostructures and methods of making and devices for using the same
US7329371B2 (en) * 2005-04-19 2008-02-12 Lumination Llc Red phosphor for LED based lighting
CN100385693C (zh) * 2005-08-18 2008-04-30 中国科学院半导体研究所 用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法
DE102005043623A1 (de) * 2005-09-13 2007-03-15 Schott Ag Herstellung hochhomogener spannungsarmer Einkristalle durch Ziehen, eine Vorrichtung hierfür sowie die Verwendung solcher Kristalle
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) * 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
US7427577B2 (en) * 2006-04-06 2008-09-23 Nanocerox Inc Sintered polycrystalline terbium aluminum garnet and use thereof in magneto-optical devices
CN100455536C (zh) * 2006-04-07 2009-01-28 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种镥铝石榴石基透明陶瓷及其制备方法
US20070262294A1 (en) * 2006-05-15 2007-11-15 X-Rite, Incorporated Light source including quantum dot material and apparatus including same
TW200833814A (en) 2006-10-03 2008-08-16 Sarnoff Corp Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
US20080099388A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-01 Honeywell International, Inc. Combination filter for a lubrication system
TW200823277A (en) * 2006-11-21 2008-06-01 Cai Chen Xiang Mian A light emission diode and phosphor and organic thin film
US7959827B2 (en) * 2007-12-12 2011-06-14 General Electric Company Persistent phosphor
US8333907B2 (en) 2007-01-17 2012-12-18 Utc Fire & Security Corporation Articles using persistent phosphors
DE102007010719A1 (de) * 2007-03-06 2008-09-11 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffe bestehend aus dotierten Granaten für pcLEDs
US7625502B2 (en) * 2007-03-26 2009-12-01 General Electric Company Nano-scale metal halide scintillation materials and methods for making same
US7708968B2 (en) * 2007-03-26 2010-05-04 General Electric Company Nano-scale metal oxide, oxyhalide and oxysulfide scintillation materials and methods for making same
US7608829B2 (en) * 2007-03-26 2009-10-27 General Electric Company Polymeric composite scintillators and method for making same
JP2008283155A (ja) * 2007-05-14 2008-11-20 Sharp Corp 発光装置、照明機器および液晶表示装置
US7847309B2 (en) * 2007-07-16 2010-12-07 GE Lighting Solutions, LLC Red line emitting complex fluoride phosphors activated with Mn4+
US8545723B2 (en) * 2007-12-12 2013-10-01 General Electric Company Persistent phosphor
CN101487581A (zh) * 2008-01-17 2009-07-22 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管光源模组
DE102008032299B4 (de) 2008-07-09 2021-12-02 Osram Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Granat-Leuchtstoffs
US8456082B2 (en) 2008-12-01 2013-06-04 Ifire Ip Corporation Surface-emission light source with uniform illumination
JP5681113B2 (ja) * 2009-10-21 2015-03-04 株式会社フジクラ 単結晶、その製造方法、光アイソレータ及びこれを用いた光加工器
DE102010028246A1 (de) * 2010-04-27 2011-10-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
US9399733B2 (en) 2010-10-22 2016-07-26 Anatoly Vasilyevich Vishnyakov Luminescent material for solid-state sources of white light
US9112123B2 (en) * 2010-10-29 2015-08-18 National Institute For Materials Science Light-emitting device
CN102820402B (zh) * 2011-06-08 2015-04-29 展晶科技(深圳)有限公司 半导体封装结构
US10439112B2 (en) * 2012-05-31 2019-10-08 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods having improved performance
KR101762818B1 (ko) 2013-04-09 2017-07-28 대주전자재료 주식회사 백색 발광다이오드용 형광체 및 이의 제조방법
CN106590658A (zh) * 2017-01-22 2017-04-26 清远市德晟嘉恒能源环保工程有限责任公司 一种白光led用的高热稳定性荧光粉及其制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS493629B1 (ja) * 1969-10-13 1974-01-28
JPS493631B1 (ja) * 1969-10-16 1974-01-28
GB1500902A (en) 1974-01-17 1978-02-15 Thorn Electrical Ind Ltd Phosphors and their preparation
JPS59105075A (ja) 1982-12-07 1984-06-18 Toshiba Corp 蛍光体及びこれを用いた単色表示陰極線管
US4550256A (en) 1983-10-17 1985-10-29 At&T Bell Laboratories Visual display system utilizing high luminosity single crystal garnet material
US4631144A (en) 1985-03-25 1986-12-23 General Electric Company Aluminate phosphor
US6013199A (en) * 1997-03-04 2000-01-11 Symyx Technologies Phosphor materials
US5777350A (en) 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
CN1190997C (zh) 1999-07-23 2005-02-23 电灯专利信托有限公司 光源的发光物质及其相关的光源
US7132786B1 (en) 1999-07-23 2006-11-07 Osram Gmbh Luminescent array, wavelength-converting sealing material and light source
DE19960554A1 (de) * 1999-09-09 2001-03-15 Takata Europ Gmbh Sicherheitsgurtvorrichtung für Fahrzeuge
DE10020465A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE10026435A1 (de) * 2000-05-29 2002-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kalzium-Magnesium-Chlorosilikat-Leuchtstoff und seine Anwendung bei Lumineszenz-Konversions-LED

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005126718A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc 放射線損傷に対する耐性が向上したテルビウム又はルテチウムを含有するシンチレータ組成
JP2007510040A (ja) * 2003-10-29 2007-04-19 ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー スペクトル特性が向上したガーネット蛍光体材料
JP2005264062A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Nemoto & Co Ltd 蛍光体
JP4503321B2 (ja) * 2004-03-19 2010-07-14 根本特殊化学株式会社 蛍光体
JP2006233158A (ja) * 2005-02-28 2006-09-07 Kasei Optonix Co Ltd Ｃｅ付活希土類アルミン酸塩系蛍光体及びこれを用いた発光素子
JP2010174211A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Toshiba Corp 固体シンチレータ、放射線検出器、放射線検査装置、固体シンチレータ製造用粉末および固体シンチレータの製造方法
WO2010119655A1 (ja) * 2009-04-17 2010-10-21 パナソニック株式会社 蛍光体、発光装置およびプラズマディスプレイパネル
US8183778B2 (en) 2009-04-17 2012-05-22 Panasonic Corporation Stoichiometric phosphor, and light emitting device and plasma display panel utilizing the phosphor
JP5156841B2 (ja) * 2009-04-17 2013-03-06 パナソニック株式会社 蛍光体、発光装置およびプラズマディスプレイパネル
JP2014531760A (ja) * 2011-09-20 2014-11-27 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス半導体部品、および複数のそのような部品を有するモジュール
US9362438B2 (en) 2011-09-20 2016-06-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and module with a plurality of such components

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