JP2007507893A5

JP2007507893A5 -

Info

Publication number: JP2007507893A5
Application number: JP2006533923A
Authority: JP
Filing date: 2004-09-15
Publication date: 2007-08-16
Anticipated expiration: 2024-09-15

Claims

半導体スイッチング・デバイスにおいて、
第１および第２の対向する主表面を有する半導体材料のボディであって、前記半導体材料のボディの一部は共通ドレイン領域を形成する、半導体材料のボディと、
前記半導体材料のボディ内に形成され、前記第１の主表面から広がる複数のソース領域であって、前記デバイスは垂直電力ＭＯＳＦＥＴである、複数のソース領域と、
前記複数のソース領域の近傍に形成され、前記複数のソース領域の第１部分と前記共通ドレイン領域との間の電流の流れを制御するために構成された第１の絶縁ゲート構造であって、前記第１の絶縁ゲート構造は第１の複数のゲート電極に結合された第１のゲート・フィードを含む、第１の絶縁ゲート構造と、
前記第１の絶縁ゲート構造とは区別される第２の絶縁ゲート構造であって、前記第２の絶縁ゲート構造は、前記複数のソース領域の近傍に形成され、かつ前記複数のソース領域の第２部分と前記共通ドレイン領域との間の電流の流れを制御するために構成され、前記第２の絶縁ゲート構造は第２の複数のゲート電極に結合された第２のゲート・フィードを含み、また前記第１および第２の複数のゲート電極は互いに入り込んだ構造からなり、その結果、前記第１および第２の絶縁ゲート構造の１つのみが前記デバイスをオンにするためにバイアスされるとき、前記デバイスの電流輸送負荷は前記デバイスの全域に実質的に分配される、第２の絶縁ゲート構造と、
から構成されることを特徴とする半導体スイッチング・デバイス。
半導体スイッチング・デバイスを形成する方法において、
第１および第２の対向する主表面を有する半導体材料のボディを提供する段階であって、前記半導体材料のボディの一部は共通ドレイン領域を形成する、段階と、
前記半導体材料のボディ内に形成され、前記第１の主表面から広がる複数のソース領域を形成する段階であって、前記デバイスは垂直電力ＭＯＳＦＥＴである、段階と、
前記複数のソース領域の近傍に形成され、前記複数のソース領域の第１部分と前記共通ドレイン領域との間の電流の流れを制御するために構成された第１の絶縁ゲート構造を形成する段階であって、前記第１の絶縁ゲート構造は第１の複数のゲート電極に結合された第１のゲート・フィードを含む、段階と、
前記第１の絶縁ゲート構造とは区別され、前記複数のソース領域の近傍に形成される第２の絶縁ゲート構造を形成する段階であって、前記複数のソース領域の第２部分と前記共通ドレイン領域との間の電流の流れを制御するために構成され、前記第２の絶縁ゲート構造は第２の複数のゲート電極に結合された第２のゲート・フィードを含み、また前記第１および第２の複数のゲート電極は互いに入り込んだ構造からなり、その結果、前記第１および第２の絶縁ゲート構造の１つのみが前記デバイスをオンにするためにバイアスされるとき、前記デバイスの電流輸送負荷は前記デバイスの全域に実質的に分配される、段階と、
から構成されることを特徴とする方法。
ホット・スワップ保護デバイスにおいて、
第１ゲート電極を有する第１ＭＯＳＦＥＴデバイス、および、第２ゲート電極を有する第２ＭＯＳＦＥＴデバイスを含む分割ゲート・スイッチング・デバイスと、
電流制限モードでの動作中に、前記第１ＭＯＳＦＥＴデバイスを制御するために前記第１ゲート電極に結合された電流制限デバイスと、
電流非制限モードでの動作中に、前記第２ＭＯＳＦＥＴデバイスをオンにするために前記第１および第２制御電極に結合された比較器デバイスと、
から構成されることを特徴とするホット・スワップ保護デバイス。
電力スイッチング構造において、
第１制御電極を有する第１スイッチ、および、第２制御電極を有する第２スイッチを含む分割ゲート・スイッチング・デバイスと、
電流制限モードでの動作中に、前記第１スイッチを制御するための前記第１制御電極に結合された電流制限デバイスと、
電流非制限モードでの動作中に、前記第２スイッチをオンにするための前記第２制御電極に結合された比較器デバイスと、
から構成されることを特徴とする電力スイッチング構造。