JP2007335459A - 半導体ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】複数のアライメントマーク又は検査マークを従来よりも密に配列することができる導体ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン(半導体)基板10のチップCの空き領域E又はスクライブ領域Sに、四隅がチップCの一辺に対して斜めに切除された複数の領域定義枠(仮想枠)13を設定する工程と、領域定義枠13に収まるアライメントマーク12をシリコン基板10に複数形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。
【選択図】図9
【解決手段】シリコン(半導体)基板10のチップCの空き領域E又はスクライブ領域Sに、四隅がチップCの一辺に対して斜めに切除された複数の領域定義枠(仮想枠)13を設定する工程と、領域定義枠13に収まるアライメントマーク12をシリコン基板10に複数形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。
【選択図】図9
Description
本発明は、半導体ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法に関する。
LSI等の半導体装置の製造工程では、露光工程が何度も行われ、それにより多層のデバイスパターンよりなる半導体装置が製造される。
その露光工程では、ステッパ等の露光装置と半導体基板との位置合わせを行うためのアライメントマークや、露光により得られたレジストパターンと半導体基板との位置ずれを検査するための検査マークを半導体基板に形成することが必要である。
図1は、半導体基板1に形成された従来例に係る検査マーク2の平面図である。
検査マーク2が他のパターン(例えばデバイスパターン)に近接すると、回路が正常に動作しない等の不都合が発生する。そこで、通常は、検査マーク2を周囲のパターンから隔離するための領域定義枠3が設計段階において設けられ、検査マーク2はその領域定義枠3の内部に配される。つまり、領域定義枠3の内部の領域は、検査マークと他のパターンとの緩衝領域として機能する。
図1に示されるように、従来例に係る領域定義枠3は、一辺の長さがLの正方形である。
一方、図2は、従来例に係るアライメントマーク6の平面図である。
図2に示されるように、アライメントマーク6に対しても、上記と同じ理由によって領域定義枠7が付与される。そして、この例では、領域定義枠7は長辺の長さがLで短辺の長さが0.5Lの長方形である。
ここで、上記の検査マーク2やアライメントマーク6を半導体基板1にそれぞれ一つのみ形成するのは稀で、通常は、半導体ウエハのローテーション(回転)や膨張を測定する等の目的により、検査マーク2やアライメントマーク6を連続して複数形成する。
この場合、複数形成されたマークの延在方向としては、Y方向、X方向、及び斜め方向等がある。
例えば、図3の例では、二つの検査マーク2がY方向に延在するように連続して形成されている。
また、図4の例では、四つのアライメントマーク6がX方向に延在するように連続して形成されている。
ところで、これらのマーク2、6は、デバイスパターン等との干渉を防ぐため、半導体基板1に形成されるチップの空き領域や、チップ間のスクライブ領域に形成される。その空き領域やスクライブ領域は、近年の半導体装置の高集積化や複雑化により減少傾向にあるので、複数のマーク2、6をこれらの狭い領域に密に収める必要が生じる。
しかしながら、マーク2、6の領域定義枠3、7が上記のように矩形であると、狭い領域にマーク2、6を密に収めるのが困難となる。
図5及び図6は、この問題を説明するための平面図である。
図5(a)は、従来例に係るアライメントマーク6を斜め方向に三つ配置した場合の平面図である。この場合、アライメントマーク6のY方向の配置ピッチ(配置の周期)は、領域定義枠7のY方向の長さである0.5Lに制限されるため、三つのアライメントマーク6のY方向の全長を1.5L(=3×0.5L)よりも短くすることができない。
これと同様の不都合が図5(b)の配列でも起きる。同図の例では、三つのアライメントマーク6がY方向に直線状に配列されるが、この場合でも三つのアライメントマーク6のY方向の全長は1.5Lに制限される。
また、図6(a)のように三つのアライメントマーク6を斜めに並べる場合では、これらのアライメントマーク6のX方向の全長を3L(=3×L)よりも短くすることができない。
同様に、図6(b)のように三つのアライメントマーク6をX方向に直線状に配列する場合でも、三つのアライメントマーク6のX方向の全長は3Lに制限される。
このように、領域定義枠7を矩形とする従来例では、アライメントマーク6を連続的に配列しようとする場合に、複数のアライメントマーク6の全長に制限が与えられてしまうので、各アライメントマーク6を密に配置することができず、近年の半導体装置の高集積化や複雑化に対応するのが難しくなる。
なお、上記ではアライメントマーク6の問題について説明したが、これと同じ問題が検査マーク2についても発生する。
また、本発明に関連する技術が次の特許文献1〜4に開示されている。
特開2005−277337号公報
特開2004−134473号公報
特開平2−229419号公報
特開昭62−112325号公報
本発明の目的は、複数のアライメントマーク又は検査マークを従来よりも密に配列することができる導体ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の一観点によれば、複数のチップが形成された半導体基板と、前記チップ内の空き領域、又は前記半導体基板のスクライブ領域に千鳥状に複数形成されたマークとを有する半導体ウエハが提供される。
また、本発明の別の観点によれば、半導体基板と、前記半導体基板の空き領域に千鳥状に複数形成されたマークとを有する半導体装置が提供される。
そして、本発明の更に別の観点によれば、半導体基板のチップ内の空き領域、又は該半導体基板のスクライブ領域に、四隅が前記チップの一辺に対して斜めに切除された複数の仮想枠を設定する工程と、前記仮想枠に収まるマークを前記半導体基板に複数形成する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
次に、本発明の作用について説明する。
本発明では、内部にマークが配される仮想枠の四隅を切除するので、マーク同士が重なるのを防ぎながらマークを千鳥状に複数形成することが可能となり、マークの配置密度が従来よりも高められ、近年求められている半導体装置の高集積化や複雑化に対応することが可能となる。
本発明によれば、内部にマークが配される仮想枠の四隅を切除するため、従来よりも高い密度でマークを配することができ、半導体装置の高集積化や複雑化に寄与することができる。
次に、本発明の実施の形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
(1)第1実施形態
本実施形態では、露光工程で得られたレジストパターンと半導体基板との位置ずれを検査するための検査マークについて説明する。
本実施形態では、露光工程で得られたレジストパターンと半導体基板との位置ずれを検査するための検査マークについて説明する。
図7は、本実施形態に係るシリコン(半導体)ウエハWの拡大平面図である。
そのシリコンウエハWは半導体基板1に複数のチップCを画定してなり、各チップCは、配線等のデバイスパターンが形成されない空き領域Eを有する。更に、各チップCの間にはスクライブ領域Sが形成される。
各領域E、Sには、次の第1〜第4例のようなアライメントマークが配される。
第1例
図8(a)は第1例に係る検査マークの平面図であり、図8(b)は図8(a)のI−I線に沿う断面図である。
図8(a)は第1例に係る検査マークの平面図であり、図8(b)は図8(a)のI−I線に沿う断面図である。
図8(a)に示されるように、検査マーク12は、他のダミーパターン14と共に、スクライブ領域Sに複数形成される。
そして、本実施形態では、四隅がチップCの一辺に対して斜めに切除された領域定義枠(仮想枠)13を半導体基板10に設定し、この領域定義枠13内に収まるようにアライメントマーク12を形成する。このように四隅が切除された領域定義枠13を採用することで、マーク12同士が重なるのを防ぎながら、連続した複数の検査マーク12を千鳥状に配置することができ、各マーク12の配置を密にすることができる。
アライメントマーク12の断面構造は特に限定されない。但し、本実施形態では、図8(b)に示されるように、シリコン基板10上の酸化シリコン膜11を形成し、その酸化シリコン膜11に形成されたアルミニウム膜等の導電膜をパターニングして検査マーク12を形成する。
図9(a)、(b)は、本例において検査マーク12の配列が密にできることを定性的に説明するための平面図である。
本例では、図9(a)に示すような寸法の領域定義枠13を採用する。このような領域定義枠13は、図1に示した従来例に係る領域定義枠3の四隅から距離が{(1−√2)/2}Lの部分を切除したものに相当する。
図9(b)に示すように、この領域定義枠13を採用して四つの検査マーク12を千鳥状に配列すると、X方向の全長を{(1+3√2)/2}Lに抑えることができる。これは、図1の領域定義枠3を採用した場合の全長(4L)よりも短く、本例において検査マーク12が実際に従来よりも密になることが分かる。
図10は、比較例に係る検査マークの配置方法を示す平面図である。
この比較例は、従来例に係る図1の検査マーク2をX方向に直線状に6つ配置しようとしたものである。しかしながら、この配置方法では、各マーク2のX方向の全長が図8(a)の本例よりも長くなってしまうため、右側の二つのマーク2が他のダミーパターン14に重複してしまう。よって、この配置方法においては、スクライブ領域Sに四つの検査マーク2しか配列することができず、六つ配列できる本例(図8(a)参照)よりも検査マークの個数が減ってしまう。
第2例
図11(a)は第2例に係る検査マークの平面図であり、図11(b)は図11(a)のII−II線に沿う断面図である。
図11(a)は第2例に係る検査マークの平面図であり、図11(b)は図11(a)のII−II線に沿う断面図である。
本例が第1例と異なる点は、図11(a)に示されるように、アルミニウム膜等の導電膜18の溝により検査マーク12を構成した点である。この場合、領域定義枠13は、導電膜18の輪郭で構成されることになる。
また、図11(b)に示すように、検査マーク12が形成される導電膜18は、他のダミーパターン14と同時に形成される。
このように導電膜18の溝で構成される検査マーク12を用いる場合でも、領域定義枠13となる導電膜18の輪郭の四隅を切除することで、第1例と同じ理由により検査マーク12を密に配列することが可能となる。
第3例
図12は、第3例に係る検査マークの平面図(その1)である。
図12は、第3例に係る検査マークの平面図(その1)である。
本例が第1例と異なる点は領域定義枠13の形状のみであり、検査マーク12自体は第1例と同じである。また、本例ではチップの空き領域Eに検査マーク12を配するが、第1例のようにスクライブ領域Sに検査マーク12を配してもよい。
その検査マーク12は、アルミニウム膜等の導電膜をパターニングすることにより、配線15と同時に形成される。
本例では、従来例に係る領域定義枠3(図1参照)の四隅を全て切除し、領域定義枠13を菱形にする。これにより、配線15に重ならないように複数の検査マーク12を千鳥状に配列することができ、複雑な形状を有する空き領域Eに検査マーク12を密に形成することが可能となる。
図13(a)、(b)は、本例において検査マーク12の配列が密にできることを定性的に説明するための平面図である。
本例では、図13(a)に示すような寸法の領域定義枠13を採用する。このような領域定義枠13は、図1に示した従来例に係る領域定義枠3の四隅から距離が0.5Lの部分を切除したものに相当する。
図13(b)に示すように、この領域定義枠13を採用して四つの検査マーク12を千鳥状に配列すると、X方向の全長を2.5Lに抑えることができる。これは、図1の領域定義枠3を採用した場合の全長(4L)よりも短く、本例において検査マーク12が実際に従来よりも密になることが分かる。
図14は、第3例に係る検査マークの平面図(その2)である。
この例では、領域定義枠13と検査マーク12のそれぞれの形状は先の図13の例と同じであるが、隣り合う領域定義枠13の角同士が接するようにする。領域定義枠13をこのように配置することで、配線15の間の複雑な形状の空きスペースEに、配線15に重ならないように複数の検査マーク12を形成することが可能となる。
第4例
図15は、第4例に係る検査マークの平面図(その1)である。本例が図12の第3例と異なる点は、配線15と同時に形成されるアルミニウム膜等の導電膜18の溝により検査マーク12を構成し、その導電膜18の輪郭を領域定義枠13とした点である。
図15は、第4例に係る検査マークの平面図(その1)である。本例が図12の第3例と異なる点は、配線15と同時に形成されるアルミニウム膜等の導電膜18の溝により検査マーク12を構成し、その導電膜18の輪郭を領域定義枠13とした点である。
このような検査マーク12を採用しても、第3例と同様に、複数のマーク12を密に配列することが可能となる。
また、図16は、第4例に係る検査マークの平面図(その2)である。この例では、領域定義枠13と検査マーク12のそれぞれの形状は先の図14の例と同じであるが、隣り合う領域定義枠13の角同士が接するようにする。これにより、配線15に重ならないように複数の検査マーク12を形成することができる。
検査マークの用い方
次に、上記した検査マーク12の使用方法について説明する。なお、以下では上記した第1例に係る検査マーク12を例にして説明するが、第2〜第4例の検査マーク12についても以下と同じようにして使用される。
次に、上記した検査マーク12の使用方法について説明する。なお、以下では上記した第1例に係る検査マーク12を例にして説明するが、第2〜第4例の検査マーク12についても以下と同じようにして使用される。
図17(a)は、本実施形態に係る検査マーク12の使用方法について説明するための平面図であり、図17(b)は図17(a)のIII−III線に沿う断面図である。
検査マーク12は、露光により得られたレジストパターンとシリコン基板10との位置ずれを検査するためのものである。そのレジストパターンは、シリコン基板10の上方に形成され、配線等のデバイスパターンに対応したパターンの他に、図17(a)のように検査マーク12と相似の検査用のパターン30も有する。
検査に際しては、検査用の光を用いて検査マーク12とパターン30とを光学的に読み取り、それらのX方向のオフセットSxとY方向のオフセットSyとを検出する。そして、オフセットSx、Syが、位置ずれが無い場合の値から外れているかどうかにより、レジストパターンとシリコン基板10との間に位置ずれがあるかどうかを判断する。
本実施形態のように検査マーク12を複数個設けることで、X方向とY方向の位置ずれの他に、シリコン基板10のローテーションや膨張も検査することができる。
(2)第2実施形態
本実施形態ではアライメントマークについて説明する。
本実施形態ではアライメントマークについて説明する。
図18(a)は本実施形態に係るアライメントマークの平面図であり、図18(b)は図18(a)のIV−IV線に沿う断面図である。
図18(a)に示されるように、本実施形態に係るアライメントマーク16は、図7に示したシリコンウエハWのスクライブ領域Sに複数形成される。
そして、このアライメントマーク16は領域定義枠17の内部に配されるが、その領域定義枠17の四隅をチップCの一辺に対して斜めに切除するので、第1実施形態と同様に、連続した複数のアライメントマーク16を千鳥状に配置することが可能となり、各マーク16の配置が密になる。
そのアライメントマーク16の断面構造は特に限定されないが、本実施形態では、図18(b)に示すように、シリコン基板10上の酸化シリコン膜11を形成し、その酸化シリコン膜11に形成されたアルミニウム膜等の導電膜をパターニングしてアライメントマーク16を形成する。
図19(a)、(b)は、本実施形態においてアライメントマーク16の配列が密にできることを定性的に説明するための平面図である。
領域定義枠17の寸法としては、例えば図19(a)に示すような寸法を採用する。この寸法は、図2に示した従来例に係る領域定義枠7の四頂点からX方向の距離が((√3)/8)L、そしてY方向の距離が0.125Lの部分を切除したものに相当する。
このような寸法を採用することで、図19(b)に示すように、四つの連続した検査マーク16のX方向の全長を(1+3(√2)/2)Lに抑えることができ、X方向の全長が4Lである従来例(図4参照)と比較して、マーク16の配列が密になる。
次に、このようなアライメントマーク16の使用方法について説明する。
図20(a)は、本実施形態に係るアライメントマーク12の使用方法について説明するための平面図であり、図20(b)は図20(a)のV−V線に沿う断面図である。
アライメントマーク12は、ステッパ等の露光装置とシリコン基板10との位置合わせに使用される。
その位置合わせに際しては、図20(a)に示すように、シリコン基板10の上方にフォトレジスト31を塗布した後、不図示の露光装置にシリコン基板10を入れる。そして、フォトレジスト31に対して露光を行う前に、アライメントマーク検出用の光(アライメント光)でX方向にアライメントマーク12を走査し、アライメントマーク12の表面で反射して戻ってきたアライメント光の走査方向に対する反射強度の変化を検出することにより、アライメントマーク12のエッジ(段差)の位置を確認する。
なお、アライメント光としては、フォトレジスト31が感光せず、フォトレジストを透過するような波長の光が使用される。
そして、上記のようにしてアライメントマーク12のエッジの位置を確認しながら、シリコン基板10が載せられるウエハステージの位置を微調整することにより、露光装置とシリコン基板10とのX方向の位置合わせが行われる。
なお、Y方向の位置合わせを行うには、図20(a)のアライメントマーク12をウエハ内で90°反転した形状のアライメントマークを用い、上記と同じ操作行えばよい。
本実施形態のようにアライメントマーク12を複数個設けると、露光装置とシリコン基板10のX方向やY方向の位置ずれの他に、シリコン基板10のローテーションや膨張をも発見することができる。
以下に、本発明の特徴を付記する。
(付記1) 複数のチップが形成された半導体基板と、
前記チップ内の空き領域、又は前記半導体基板のスクライブ領域に千鳥状に複数形成されたマークと、
を有することを特徴とする半導体ウエハ。
前記チップ内の空き領域、又は前記半導体基板のスクライブ領域に千鳥状に複数形成されたマークと、
を有することを特徴とする半導体ウエハ。
(付記2) 前記マークは、前記半導体基板上に形成された膜よりなることを特徴とする付記1に記載の半導体ウエハ。
(付記3) 前記マークは、前記半導体基板上に形成された膜に溝を形成してなることを特徴とする付記1に記載の半導体ウエハ。
(付記4) 前記マークは、前記半導体基板の上方に形成されるレジストパターンと前記半導体基板との位置ずれを検査するときに使用される検査マーク、又は露光装置と前記半導体装置とを位置合わせするときに使用されるアライメントマークであることを特徴とする付記1に記載の半導体ウエハ。
(付記5) 半導体基板と、
前記半導体基板の空き領域に千鳥状に複数形成されたマークと、
を有することを特徴とする半導体装置。
前記半導体基板の空き領域に千鳥状に複数形成されたマークと、
を有することを特徴とする半導体装置。
(付記6) 前記マークは、前記半導体基板上に形成された膜よりなることを特徴とする付記5に記載の半導体装置。
(付記7) 前記マークは、前記半導体基板上に形成された膜に溝を形成してなることを特徴とする付記5に記載の半導体装置。
(付記8) 前記マークは、前記半導体基板の上方に形成されるレジストパターンと前記半導体基板との位置ずれを検査するときに使用される検査マーク、又は露光装置と前記半導体装置とを位置合わせするときに使用されるアライメントマークであることを特徴とする付記5に記載の半導体装置。
(付記9) 半導体基板のチップ内の空き領域、又は該半導体基板のスクライブ領域に、四隅が前記チップの一辺に対して斜めに切除された複数の仮想枠を設定する工程と、
前記仮想枠に収まるマークを前記半導体基板に複数形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記仮想枠に収まるマークを前記半導体基板に複数形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記10) 複数の前記仮想枠を千鳥状に設定することを特徴とする付記9に記載の半導体装置の製造方法。
(付記11) 前記半導体基板の上方にレジストパターンを形成する工程と、
前記マークを検査マークとして使用しながら、前記半導体基板と前記レジストパターンとが位置合わせされているかどうかを検査する工程とを有することを特徴とする付記9に記載の半導体装置の製造方法。
前記マークを検査マークとして使用しながら、前記半導体基板と前記レジストパターンとが位置合わせされているかどうかを検査する工程とを有することを特徴とする付記9に記載の半導体装置の製造方法。
(付記12) 前記マークをアライメントマークとして使用しながら、前記半導体基板と露光装置との位置合わせを行う工程を有することを特徴とする付記9に記載の半導体装置の製造方法。
1、10…半導体基板、2、12…検査マーク、3、7、13、17…領域定義枠、6、16…アライメントマーク、11…酸化シリコン膜、14…ダミーパターン、15…配線、18…導電膜、30…レジストパターンの検査用のパターン、31…フォトレジスト、C…チップ、E…チップの空き領域、S…スクライブ領域、W…半導体ウエハ。
Claims (5)
- 複数のチップが形成された半導体基板と、
前記チップ内の空き領域、又は前記半導体基板のスクライブ領域に千鳥状に複数形成されたマークと、
を有することを特徴とする半導体ウエハ。 - 前記マークは、前記半導体基板の上方に形成されるレジストパターンと前記半導体基板との位置ずれを検査するときに使用される検査マーク、又は露光装置と前記半導体装置とを位置合わせするときに使用されるアライメントマークであることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエハ。
- 半導体基板と、
前記半導体基板の空き領域に千鳥状に複数形成されたマークと、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記マークは、前記半導体基板の上方に形成されるレジストパターンと前記半導体基板との位置ずれを検査するときに使用される検査マーク、又は露光装置と前記半導体装置とを位置合わせするときに使用されるアライメントマークであることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 半導体基板のチップ内の空き領域、又は該半導体基板のスクライブ領域に、四隅が前記チップの一辺に対して斜めに切除された複数の仮想枠を設定する工程と、
前記仮想枠に収まるマークを前記半導体基板に複数形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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