JP2007324357A - 剥離剤組成物 - Google Patents
剥離剤組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007324357A JP2007324357A JP2006152563A JP2006152563A JP2007324357A JP 2007324357 A JP2007324357 A JP 2007324357A JP 2006152563 A JP2006152563 A JP 2006152563A JP 2006152563 A JP2006152563 A JP 2006152563A JP 2007324357 A JP2007324357 A JP 2007324357A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- residue
- wiring
- agent composition
- release agent
- peeling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】配線を含む半導体素子の製造過程で用いられる剥離剤組成物であって、有機アミンと、有機ホスホン酸と、直鎖糖アルコールと、水と含み、20℃におけるpHが9〜13である剥離剤組成物。
【選択図】なし
Description
先ず、図1Aに示すように、半導体基板1の一方の主面側に、例えば絶縁層2(例えば、SiO2)を形成し、絶縁層2上にバリア層3(例えば、TiN)を形成する。次に、バリア層3上にAl層4を形成し、Al層4上にバリア層5(例えば、TiN)を形成する。次に、バリア層5上にレジストパターン6aを形成する。絶縁層2、バリア層3、5、Al層4はいずれもCVD法にて形成できる。レジストパターン6aの材料には従来から公知のフォトレジストを用いればよい。その形成方法についても特に制限はなく従来から公知のフォトリソグラフィー技術を用いればよい。
次に、図3Aに示すように、配線4aをその半導体基板1側の反対側から覆う絶縁層15を形成した後、CMP(化学的機械的研磨)法等により絶縁層15を平坦化する。次いで、平坦化された絶縁層15上にレジストパターン6bを形成する。次に、図3Bに示すように、レジストパターン6bをマスクとして絶縁層15およびバリア膜5をエッチングして、配線4aに達するホール17を形成する(ホール形成工程)。レジストパターン6bの材料および形成方法は、例えば、レジストパターン6aの場合と同様でよい。エッチングガス13については、例えば、フッ素系ガス等を用いればよい。なお、図3Bにおいて、16aはアッシング処理を経る前のエッチング残渣である。
下記の積層構造を有し、配線幅0.25μmのAlを含む配線(Al−Cu配線)を有する未洗浄のウエハを1cm角に分断して評価用サンプルとする。
(積層構造)
TiN/Al−Cu/TiN/SiO2/半導体基板
1,3−プロパンジアミン(メルク(株)製、合成用)
D−ソルビトール(和光純薬工業(株)製、1級)
D−マンニトール(関東化学(株)製、特級)
myo−イノシトール(和光純薬工業(株)製、特級)
ケイフッ化アンモニウム(森田化学工業(株)製、試薬特級)
アミノトリ(メチレンホスホン酸)(ソルーシアジャパン(株)製、ディクエスト2000、50%水溶液)
アンモニア(富山薬品工業(株)製、LSI Grade)
純水(25℃での電気伝導率:0.97 μS/cm)
20℃におけるpHは、pHメータ(東亜電波工業株式会社、HM−30G)を使用して測定した。
25℃の剥離剤組成物30ml中に1枚の評価用サンプルを1.5分間又は3分間浸漬した。その後、サンプルを剥離剤組成物から取り出し、次いで、25℃の超純水30mlに1分間浸漬した。この超純水への浸漬を2回繰り返した後、評価用サンプルに窒素ガスを吹き付けて乾燥させた。このようにして剥離剤組成物を用いて剥離処理をした評価用サンプルを、下記のようにして観察した。
FE−SEM(走査型電子顕微鏡)を用いて50000倍〜150000倍の倍率下で、剥離処理前のサンプルと、剥離処理後のサンプルとを比較観察し、以下の評価基準に従って、残渣に対する剥離性および防食性の評価を行った。その結果を表1に示している。
(残渣に対する剥離性)
◎:残渣の残存が全く確認されない。
○:残渣が50%以上除去されている。
△:残渣の除去が50%未満である。
×:残渣除去できず。
(防食性)
◎:Alを含む配線の露出表面に、腐食は全く見られない。
○:Alを含む配線の露出表面に生じた腐食の範囲が、当該露出表面の面積の50%未満の範囲である。
△:Alを含む配線の露出表面に生じた腐食の範囲が、当該露出面の面積の50%以上の範囲である。
×:Alを含む配線の露出表面の全範囲に腐食が発生している。
2,15 絶縁層
3,5 バリア層
4 Al層
6a,6b レジストパターン
7,13 エッチングガス
8,14 酸素ガス
4a Al配線
9a,16a アッシング処理を経る前のエッチング残渣
9b,16b 残渣
10 シリコンウエハ
11 スピンコート機
12 剥離剤組成物
17 ホール
Claims (9)
- 配線を含む半導体素子の製造過程で用いられる剥離剤組成物であって、
有機アミンと、有機ホスホン酸と、直鎖糖アルコールと、水とを含み、
20℃におけるpHが9〜13である剥離剤組成物。 - 配線を含む半導体素子の製造過程で用いられる剥離剤組成物であって、
有機アミンと、有機ホスホン酸と、直鎖糖アルコールとを、水に添加し、
20℃におけるpHが9〜13となるように調整して得た剥離剤組成物。 - 前記有機アミンと前記有機ホスホン酸との合計量に対する前記直鎖糖アルコールの重量比〔直鎖糖アルコール/(有機アミン+有機ホスホン酸)〕が、1/0.03〜1/36である請求項1または2に記載の剥離剤組成物。
- 剥離剤組成物における有機アミンと有機ホスホン酸の重量比(有機アミン/有機ホスホン酸)が、0.5/1〜7.5/1である請求項1〜3のいずれかの項に記載の剥離剤組成物。
- 前記配線はアルミニウムを含む請求項1〜4のいずれかの項に記載の剥離剤組成物。
- 半導体基板と配線とを含む半導体素子の製造方法であって、
前記半導体基板の一方の主面側に、金属層とレジストパターンとをこの順に形成し、前記レジストパターンをマスクとして前記金属層をエッチングして、配線を形成する配線形成工程と、
前記レジストパターンを灰化するアッシング工程と、
前記アッシング工程後に前記配線の近傍に残った残渣を除去する残渣剥離工程と、を含み、
前記残渣剥離工程において、請求項1〜5のいずれかの項に記載の剥離剤組成物を用いて前記残渣を除去する半導体素子の製造方法。 - 前記配線は、アルミニウムを含む請求項6に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記残渣剥離工程における剥離処理時間は、3分以下である請求項6又は7に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記残渣剥離工程において、枚葉式剥離法で前記残渣を除去する請求項6又は7に記載の半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006152563A JP4731406B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | 剥離剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006152563A JP4731406B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | 剥離剤組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007324357A true JP2007324357A (ja) | 2007-12-13 |
JP4731406B2 JP4731406B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=38856884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006152563A Expired - Fee Related JP4731406B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | 剥離剤組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4731406B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011159658A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Advanced Technology Materials Inc | タングステン配線半導体用洗浄剤 |
JP2012518716A (ja) * | 2009-02-25 | 2012-08-16 | アバントール パフォーマンス マテリアルズ, インコーポレイテッド | 半導体デバイスウェハーからイオン注入フォトレジストを洗浄するためのストリッピング組成物 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000284506A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Sharp Corp | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
JP2004004775A (ja) * | 2002-04-26 | 2004-01-08 | Kao Corp | レジスト用剥離剤組成物 |
JP2004317584A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Kao Corp | 電子基板の製造方法 |
-
2006
- 2006-05-31 JP JP2006152563A patent/JP4731406B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000284506A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Sharp Corp | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
JP2004004775A (ja) * | 2002-04-26 | 2004-01-08 | Kao Corp | レジスト用剥離剤組成物 |
JP2004317584A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Kao Corp | 電子基板の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012518716A (ja) * | 2009-02-25 | 2012-08-16 | アバントール パフォーマンス マテリアルズ, インコーポレイテッド | 半導体デバイスウェハーからイオン注入フォトレジストを洗浄するためのストリッピング組成物 |
JP2011159658A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Advanced Technology Materials Inc | タングステン配線半導体用洗浄剤 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4731406B2 (ja) | 2011-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4628209B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
KR101884367B1 (ko) | 높은 wn/w 에칭 선택비를 지닌 스트립핑 조성물 | |
TWI233942B (en) | Lactam compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices | |
KR100595024B1 (ko) | 박리제 조성물 | |
JP5537126B2 (ja) | エッチング残渣を除去するための組成物基板及びその使用 | |
KR101608952B1 (ko) | 반도체소자의 세정용 액체 조성물, 및 반도체소자의 세정방법 | |
KR102533069B1 (ko) | 반도체소자의 세정용 액체 조성물, 반도체소자의 세정방법 및 반도체소자의 제조방법 | |
KR20070003772A (ko) | 석영 코팅된 폴리실리콘 및 기타 물질을 세정하기 위한비스-콜린 및 트리스-콜린의 사용법 | |
WO2004100245A1 (en) | Removal of post-etch residues in semiconductor processing | |
TWI388943B (zh) | 剝離劑組合物 | |
JP5801594B2 (ja) | 洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法 | |
CN114940926A (zh) | 清洁制剂 | |
JP3389166B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
KR20080073299A (ko) | 반도체 소자 또는 표시 소자용 세정액 및 세정 방법 | |
JP3792620B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
JP4666515B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
JP4637010B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
KR102678103B1 (ko) | 반도체소자의 세정용 액체 조성물 및 반도체소자의 세정방법, 그리고 반도체소자의 제조방법 | |
JP2004325918A (ja) | 剥離剤組成物 | |
JP4731406B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
JP2003313594A (ja) | 洗浄液および半導体装置の製造方法 | |
JP2007173601A (ja) | 含リン洗浄剤組成物 | |
JP2005150236A (ja) | 洗浄液およびそれを用いた洗浄方法 | |
JP4651269B2 (ja) | 洗浄液およびそれを用いた洗浄法 | |
JP4772107B2 (ja) | 洗浄液およびそれを用いた洗浄法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110419 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110419 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |