JP2007311520A - 熱処理装置、熱処理方法、熱処理プログラム、及び、そのプログラムを記録した記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Wを保持する基板保持手段と、前記基板保持手段により保持された基板Wの上方及び/または下方から該基板Wを加熱する加熱手段25とを備え、前記基板保持手段は、前記基板Wが載置される載置台24と、前記基板Wと載置台24との間に空気流を形成する気流形成手段51〜56とを有し、前記加熱手段25による加熱処理の際、前記気流形成手段51〜56が形成した空気流により前記基板Wの下面全体を支持し、該基板Wを浮上させた状態で保持する。
【選択図】図2
Description
この構成により、載置台202から受け取ったウエハWに前記冷却流路から発せられる熱をアーム本体211から輻射してウエハWに冷却処理を施すようになされている。
尚、このようなチリングホットプレートユニットの構成を用いた熱処理装置については、特許文献1に開示されている。
また、基板の下方から加熱処理を行う場合であっても、空気流により基板を支持する構成のため、加熱の際に障害となるものがなく、基板面に対し均一な加熱処理を施すことができる。
尚、前記複数の通気孔は、前記載置台において前後左右方向に等間隔に形成され、前記空気送出手段により空気が送出される通気孔と、前記空気吸引手段により吸引される通気孔とが前後左右方向に交互に配置されることが望ましい。
このように構成することにより、載置台上において前後左右方向に等間隔に複数の山なりの空気流を形成することができる。即ち、これにより基板の下面全体を支持することができ、基板を湾曲させずに保持することができる。
このようにガードリングを設けることによって、基板を浮上させ保持する際に横方向の揺れを抑制し、載置台上の一定の位置に保持することができる。
また、前記ガードリングの内周は、前記基板の外周形状に沿って形成されると共に、該内周面において、上端側の内周径が前記基板直径よりも小さく、下端側の内周径が前記基板直径よりも大きくなるよう傾斜していることが望ましい。
このようにガードリングを形成すれば、既に湾曲している基板を浮上させ保持する場合に、基板外縁がガードリングの内周面に当接し、ガードリングを押し上げる方向に力が生じる。これにより、湾曲した基板が矯正され平板状になされる。その結果、加熱手段からの加熱処理が基板に対して均一となり、結果的に均一なパターン線幅を得ることができる。
このように構成することにより、基板が既に湾曲している場合であっても、基板の下面全体を載置台上に吸着することにより、湾曲した基板を矯正し平板状にすることができる。その結果、加熱手段からの加熱処理が基板に対して均一となり、結果的に均一なパターン線幅を得ることができる。
このように構成することにより、基板の下面全体を載置台上に吸着させ、基板の湾曲を矯正した状態で保持することができる
このように載置台上に形成された空気流により基板の下面全体を支持し、基板を保持することにより、基板の荷重を分散させることができる。したがって、従来のピン等を用いた支持方法のように、基板が湾曲する(反る)ことなく保持でき、熱処理における基板面内の温度均一性が得られ、結果的に均一なパターン線幅を得ることができる。
また、基板の下方から加熱処理を行う場合であっても、空気流により基板を支持する構成のため、加熱の際に障害となるものがなく、基板面に対し均一な加熱処理を施すことができる。
このような方法により、載置台上において複数の山なりの空気流を形成することができる。即ち、これにより基板の下面全体を支持することができ、基板を湾曲させずに保持することができる。
このような方法により、基板が既に湾曲している場合であっても、基板の下面全体を載置台上に吸着することにより、湾曲した基板を矯正し平板状にすることができる。その結果、加熱するステップにおける加熱処理が基板に対して均一となり、結果的に均一なパターン線幅を得ることができる。
このような方法により、基板の下面全体を載置台上に吸着させ、基板の湾曲を矯正した状態で保持することができる
レジスト塗布現像処理システム1は、図1に示すように、その一端側に被処理基板として例えば多数枚の半導体ウエハW(以下にウエハWと呼ぶ)を収容する複数のカセット2を例えば4個載置可能に構成したキャリアステーション3を有し、このキャリアステーション3の中央部にはウエハWの搬入・搬出及びウエハWの位置決めを行う補助アーム4が設けられている。
洗浄されたウエハWは、メインアーム5により熱処理装置20に搬送されて、そこで、加熱乾燥処理が行われる。その後、ウエハWはクーリング装置11において冷却され、さらにアドヒージョン処理装置10において疎水化処理が施される。疎水化処理後、ウエハWはレジスト塗布装置12に搬送され、例えばスピンコート法によりウエハ表面にレジスト膜が塗布形成される。
その後、ウエハWは、例えば室温(23℃程度)まで冷却され、露光装置14に搬送されて露光処理が行われる。露光処理後のウエハWは、熱処理装置20に搬送され、所定時間、所定温度(例えば140℃)でベーク処理(現像前ベーク処理)が施される。このベーク処理が終了したウエハWは、現像装置8に搬送され、そこで現像処理が施された後、再び熱処理装置20に搬送され、所定時間、所定温度(50〜180℃)でポストベーク処理(現像後ベーク処理)が施されて、現像後のレジストに残留する現像液等が加熱蒸発される。
その後、ウエハWは、クーリング装置11に搬送され、室温(23℃程度)まで冷却、すなわち温度調整された後、カセット2に戻され収容される。
図2に示す熱処理装置20は、前記メインアーム5によって搬送されたウエハWを所定の温度に加熱処理する加熱処理部21と、加熱処理された後のウエハWを受け取ると共に、所定の温度例えば室温(23℃程度)まで冷却(冷却温調)する冷却手段としてのクールアーム40の待機部22とを備えている。
カバー部材26は、例えばその平面形状が載置台24に合わせて矩形の筒形状とされ、図2に示すように、その下方が開口した形状になされている。このカバー部材26内には、発熱体23(ヒータ)を埋設して有する加熱板25(加熱手段)が、該カバー部材26の内周面に沿って水平状態で設けられている。即ち、載置台24上に載置されたウエハWは、その上方に配置された加熱板25により加熱処理されるよう構成されている。
なお、カバー部材26の周部において加熱板25の下方には複数の排気口26bが均等に設けられ、加熱処理室内に供給された空気はウエハW上に均一に供給された後、ウエハWの回りに分散し、処理室外に排気されるようになされている。
また、送風部55、吸引部56、圧力センサ53、54は夫々制御部60に接続され、制御部60は圧力センサ53、54の検出する空気圧の値に基づいて送風部55から送出する空気の圧力、及び吸引部56により吸引する空気の圧力を制御するよう構成されている。
これにより、図4の載置台24の一部拡大図に示すように、載置台24上に送出する空気の力(送出力P1)と載置台24上から空気を吸引する力(吸引力P2)とが交互に形成される。したがって載置台24上には、この載置台24上に送出された空気が装置台24から再び吸引されることによる山なりの空気流が前後左右方向に複数形成される。そして、この空気流によってウエハWが浮上し、一定の高さに保持されるよう、制御部60が送風部55、吸引部56を制御するようなされている。
また、図3に示すように、載置台24上にはウエハWの直径に略等しい内径を有するガードリング35が設けられ、浮上したウエハWの側部を押さえ、横方向の移動を固定するようになされている。
このように、熱処理装置20においては、ウエハWを保持する基板保持手段として、載置台24と、この載置台24上に空気流を形成するための気流形成手段と、ガードリング35とを具備している。尚、気流形成手段は、空気送出手段を構成する通気管51、圧力センサ53及び送風部55、空気吸引手段を構成する通気管52、圧力センサ54及び吸引部56により構成される。
なお、ペルチェ素子41の代りに、管状の流路を内蔵させ、所定温度に冷却された恒温水,ガス等を循環させて冷却するように構成することもできる。
先ず、昇降シリンダ27の駆動によりカバー部材26が載置台24上方に移動し、カバー部材26と載置台24とが分離した状態で、メインアーム5によりウエハWが加熱処理部21内に搬送される(図5のステップS1)。
次いで、支持ピン32が載置台24の上方に突出するよう上昇し、この支持ピン32上にウエハWが引き渡される(図5のステップS2)。
次いで、送風部55、吸引部56が駆動制御されることにより載置台24上に複数の山なりの空気流が前後左右方向に均等に形成され、これによりウエハW全体が載置台24から所定の高さ寸法で浮上し保持される(図5のステップS4)。尚、このように載置台24上に均等に形成された複数の空気流によってウエハWの下面全体が支持されるため、ウエハWの荷重が分散され、ピン等を用いた従来の支持方法のようにウエハWの自重によりウエハWが湾曲する(反る)ことがなく保持される。
次いで、クールアーム40が加熱処理部21内のウエハW下方まで水平移動し、ウエハWを所定温度に冷却処理し、加熱処理部21外に搬出する(図5のステップS7)。
図示するように、この形態においては載置台24に形成された通気孔24aの全てに通気管52が接続され、通気管52は圧力センサ54を介し吸引部56に接続されている。即ち、吸引部56の駆動により通気孔24aは全て吸引口として機能し、載置台24上のウエハWは、その下面全体が吸引されるようになされる。
この第三の実施の形態においては、カバー部材26の内側下端部にガードリング26cが形成され設けられる。このガードリング26cは、その内周面が傾斜することにより、その上端が下端よりも突出して形成されている。また、その下端側の内径はウエハWの直径よりも大きく形成され、上端側の内径はウエハWの直径よりも小さく形成されている。したがって、カバー部材26が開かれ、ウエハWが載置台24上に載置された後、カバー部材26が閉じられると、ガードリング26cがウエハWの外縁を覆うようになされている。
20 熱処理装置
21 加熱処理部
22 待機部
23 発熱体
24 載置台(基板保持手段)
24a 通気孔
25 加熱板(加熱手段)
26 カバー部材
26a 給気口
26b 排気口
27 昇降シリンダ
28 給気手段
32 支持ピン
35 ガードリング
40 クールアーム
51 通気管(空気送出手段、気流形成手段、基板保持手段)
52 通気管(空気吸引手段、気流形成手段、基板保持手段)
53 圧力センサ(空気送出手段、気流形成手段、基板保持手段)
54 圧力センサ(空気吸引手段、気流形成手段、基板保持手段)
55 送風部(空気送出手段、気流形成手段、基板保持手段)
56 吸引部(空気吸引手段、気流形成手段、基板保持手段)
60 制御部
W ウエハ(基板)
Claims (13)
- 基板に対し熱処理を行う熱処理装置において、
前記基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段により保持された基板の上方及び/または下方から該基板を加熱する加熱手段とを備え、
前記基板保持手段は、前記基板が載置される載置台と、前記基板と載置台との間に空気流を形成する気流形成手段とを有し、前記加熱手段による加熱処理の際、前記気流形成手段が形成した空気流により前記基板の下面全体を支持し、該基板を浮上させた状態で保持することを特徴とする熱処理装置。 - 前記載置台には、上下方向に貫通する複数の通気孔が形成され、
前記気流形成手段は、前記複数の通気孔のいずれかから前記載置台上に空気を送出する空気送出手段と、前記複数の通気孔のいずれかから前記載置台上の空気を吸引する空気吸引手段とを有し、
前記基板保持手段は、前記空気送出手段によって前記載置台上に送出した空気を前記空気吸引手段によって吸引させることにより、載置台上に空気流を形成することを特徴とする請求項1に記載された熱処理装置。 - 前記複数の通気孔は、前記載置台において前後左右方向に等間隔に形成され、
前記空気送出手段により空気が送出される通気孔と、前記空気吸引手段により吸引される通気孔とが前後左右方向に交互に配置されることを特徴とする請求項2に記載された熱処理装置。 - 前記基板保持手段は、前記加熱手段による加熱処理の際、前記載置台の上方で保持された基板の側部を押さえ、横方向の移動を固定するためのガードリングを有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された熱処理装置。
- 前記ガードリングの内周は、前記基板の外周形状に沿って形成されると共に、該内周面において、上端側の内周径が前記基板直径よりも小さく、下端側の内周径が前記基板直径よりも大きくなるよう傾斜していることを特徴とする請求項4に記載された熱処理装置。
- 基板に対し熱処理を行う熱処理装置において、
前記基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段により保持された基板の上方及び/または下方から該基板を加熱する加熱手段とを備え、
前記基板保持手段は、前記基板が載置される載置台と、前記基板を載置台に吸着させる基板吸着手段とを有し、前記加熱手段による加熱処理の際、前記基板吸着手段により前記基板の下面全体を前記載置台に吸着し、該基板を保持することを特徴とする熱処理装置。 - 前記載置台には、上下方向に貫通する複数の通気孔が形成され、
前記基板吸着手段は、前記複数の通気孔から前記載置台上の空気を吸引する空気吸引手段を有し、
前記基板保持手段は、前記載置台と前記基板との間に介在する空気を前記空気吸引手段によって吸引させることにより、載置台上に前記基板を吸着保持することを特徴とする請求項6に記載された熱処理装置。 - 基板に対し熱処理を行う熱処理方法において、
載置台上に前記基板を載置するステップと、
前記基板と前記載置台との間に空気流を形成するステップと、
前記形成された空気流により前記基板の下面全体を支持し、該基板を前記載置台上に浮上させた状態で保持するステップと、
前記載置台上に浮上し保持された基板を上方及び/または下方から加熱するステップとを実行することを特徴とする熱処理方法。 - 前記基板と前記載置台との間に空気流を形成するステップにおいて、
上下方向に貫通する複数の通気孔が形成された前記載置台の、前記複数の通気孔のいずれかから前記載置台上に空気を送出するステップと、
前記複数の通気孔のいずれかから前記載置台上に送出された空気を前記複数の通気孔のいずれかから吸引するステップとを実行し、前記載置台上に空気流を形成することを特徴とする請求項8に記載された熱処理方法。 - 基板に対し熱処理を行う熱処理方法において、
載置台上に前記基板を載置するステップと、
前記基板の下面全体を前記載置台に吸着し該基板を保持するステップと、
前記載置台上に吸着保持された基板を上方及び/または下方から加熱するステップとを実行することを特徴とする熱処理方法。 - 前記基板の全面を前記載置台上に吸着保持するステップにおいて、
上下方向に貫通する複数の通気孔が形成された前記載置台の前記複数の通気孔から該載置台と前記基板との間に介在する空気を吸引し、載置台上に前記基板を吸着保持することを特徴とする請求項10に記載された熱処理方法。 - 前記請求項8乃至11のいずれかに記載された熱処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
- 前記請求項12に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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