JP2007304556A - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 235
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 172
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 73
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 65
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 61
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 21
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
【課題】本発明は液晶表示装置に係り、特に液晶表示装置とその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、第1基板上に、相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と、ゲート配線及びデータ配線に連結される薄膜トランジスタと、第1及び第2高さ調節部を含むアレイ基板と;アレイ基板と向かい合う対向基板と;アレイ基板と対向基板との間に位置する液晶層と;第1高さ調節部に対応し、アレイ基板と対向基板に接触するギャップスペーサーと;第2高さ調節部に対応し、対向基板に接触して、アレイ基板と離隔された第1プレスバッファスペーサーと;対向基板に接触して、アレイ基板と離隔された第2プレスバッファスペーサーを含み、第1プレスバッファスペーサーとアレイ基板との間の離隔間隔は、第2プレスバッファスペーサーとアレイ基板との間の離隔間隔より小さいことを特徴とする液晶表示装置である。
【選択図】図5
Description
図1に示したように、一般的な液晶表示装置11は、カラーフィルター基板B1とアレイ基板B2が液晶層14を間に挟んで合着された状態で製作される。
また、画素領域Pに位置してドレイン電極36と接触する画素電極17を含む。
図2に示したように、従来の横電界方式の液晶表示装置10のアレイ基板には、基板50上に、一方向に延在するゲート配線52と、これと平行に離隔して形成された第1共通配線56a及び第2共通配線56bが構成される。
ゲート配線52とデータ配線72が交差して画素領域Pを定義する。
ゲート配線52とデータ配線72の交差部には、ゲート配線52の一部であるゲート電極54と、ゲート電極54の上部に位置する半導体層60と、半導体層60の上部に離隔されたソース電極62とドレイン電極64で構成された薄膜トランジスタTが位置する。
この時、第1共通配線56aと上部の連結部78は、この間に介された絶縁膜と共に、補助容量Cstを形成する。
プレスバッファスペーサー98bが必要な理由は、液晶パネルに外部から加えられた圧力による光漏れ不良を防ぐためである。
この場合は、液晶の配列が初期ブラック状態を維持せずに、液晶層を通過した光が正常部位と異なる位相差を有して回転し、光漏れが現われる。これによって、斑のような画質の低下が発生する。
ギャップスペーサー98aは、二つの基板の離隔されたギャップを維持するための機能をするので、両基板と各々接触するように構成される。プレスバッファスペーサー98bは、両基板のうちいずれかとは離隔される。
この場合、ギャップスペーサー98aとプレスバッファスペーサー98bとを別途の工程によって製作するより、アレイ基板の段差、すなわち、高さの差を利用する方が工程上、有利である。
図3と図4に示したように、従来の横電界方式の液晶表示装置は、アレイ基板と、カラーフィルター94a、94b、94cとブラックマトリックス92と平坦化膜96及びギャップスペーサー98aとプレスバッファスペーサー98bとが構成されたカラーフィルター基板90が液晶層を間に挟んで合着されることによって構成される。
ゲート配線102とデータ配線130が交差して画素領域Pを定義する。
この時、第1共通配線106aと上部の連結部146は、この間に絶縁膜が介されており、補助容量Cstを形成する。
この時、ギャップスペーサーは、第1高さ調節部G1と対応するように構成して、第1プレスバッファスペーサー208は、第2高さ調節部G2と対応するように構成する。
図6と図7と図8に示したように、本発明による横電界方式の液晶表示装置は、アレイ基板B2と、赤色R、緑色G、青色Bのカラーフィルター204a、204b、204c、ブラックマトリックス202、ギャップスペーサー208、第1プレスバッファスペーサー210及び第2プレスバッファスペーサー212を含むカラーフィルター基板B1とを液晶層(図示せず)を間に挟んで合着して構成する。
ギャップスペーサー208と第1プレスバッファスペーサー210及び第2プレスバッファスペーサー212の高さは、実質的に同一である。
図9A、図10A、図11A及び図12Aに示したように、基板100に画素領域Pとスイッチング領域Sを定義する。基板100上に導電性物質を蒸着して第1マスク工程によってパターニングし、一方向に延在して相互に平行に離隔された複数のゲート配線102と、ゲート配線102の一部またはこれから突出した形状のゲート電極104を形成すると同時に、ゲート配線102と平行に離隔された第1共通配線106aと第2共通配線(図5の106b)を形成し、第1共通電極108を形成する。
第1ないし第4感光パターン120a、120b、120c、120dの周辺に導電層116が露出された状態になる。
図9G、図10G、図11G及び図12Gに示したように、ソース電極132及びドレイン電極134とデータ配線130と第1高さ調節部G1及び第2高さ調節部G2とが形成された基板100全面に、窒化シリコンSiNXと酸化シリコンSiO2を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つを蒸着して保護膜140を形成してパターニングし、ドレイン電極134の一部を露出するドレインコンタクトホール142と第2共通配線(図5の106b)の一部を露出する共通配線コンタクトホール(図5の143)とを形成する。保護膜140は、ベンゾシクロブテン(BCB)とアクリル系樹脂を含む有機絶縁物質グループのうちから選択された一つで構成される。
図9H、図10H、図11H及び図12Hに示したように、保護膜140が形成された基板100全面に、インジウム−スズ−オキサイド(ITO)とインジウム−ジンク−オキサイド(IZO)を含む透明な導電性金属グループのうちから選択された一つを蒸着してパターニングし、ドレイン電極134と接触しながら第1共通配線106aと平面的に重なる形状に延在する連結部146と、連結部146から画素領域Pに延在する画素電極148とを形成すると同時に、共通配線コンタクトホールを通じて第2共通配線と接触しながら画素領域Pに延在する第2共通電極(図5の150)を形成する。
この場合、画素領域Pの両側で、第1共通電極108及び第2共通電極150によってデータ配線130に流れる信号が画素に及ぶ影響を遮断する。
カラーフィルター204a、204bは、通常、赤色、緑色、青色の感光性カラー樹脂を塗布して、これを画素領域P別にパターニングして赤色、緑色、青色のカラーフィルター(240a、204b、図示せず)順に対応するように形成する。
102:ゲート配線
104:ゲート電極
106a:第1共通配線
106b:第2共通配線
108:第1共通電極
130:データ配線
132:ソース電極
134:ドレイン電極
136:アクティブ層
146:連結部
148:画素電極
150:共通電極
208:ギャップスペーサー
210:第1プレスバッファスペーサー
212:第2プレスバッファスペーサー
Claims (52)
- 第1基板上において、相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線及びデータ配線に連結される薄膜トランジスタと、第1及び第2高さ調節部とを含むアレイ基板と;
前記アレイ基板と向かい合う対向基板と;
前記アレイ基板と前記対向基板との間に位置する液晶層と;
前記第1高さ調節部に対応して形成され、前記アレイ基板と前記対向基板とに接触するギャップスペーサーと;
前記第2高さ調節部に対応して形成され、前記対向基板に接触して、前記アレイ基板と離隔された第1プレスバッファスペーサーと;
前記対向基板に接触して、前記アレイ基板と離隔された第2プレスバッファスペーサーとを含み、前記第1プレスバッファスペーサーと前記アレイ基板との間の離隔間隔は、前記第2プレスバッファスペーサーと前記アレイ基板との間の離隔間隔より小さいことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記ゲート配線と離隔された共通配線と;
前記共通配線上及び前記ゲート配線上に位置するゲート絶縁膜とをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記第1高さ調節部は、前記ゲート配線と前記共通配線のうち、少なくとも一つの上部のゲート絶縁膜上に位置し、前記第2高さ調節部は、前記ゲート配線と前記共通配線の外部のゲート絶縁膜上に位置することを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記第2プレスバッファスペーサーは、前記ゲート配線と前記共通配線のうち、少なくとも一つに対応することを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。
- 前記薄膜トランジスタは、前記ゲート絶縁膜の下部のゲート電極と、前記ゲート絶縁膜上の半導体層と、前記半導体層上のソース電極及びドレイン電極とを含むことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記第1及び第2高さ調節部の各々は、前記半導体層と同一物質で構成された半導体パターンと、前記ソース電極及びドレイン電極と同一物質で構成された導電パターンとを含むことを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記半導体層は、純粋非晶質シリコン層と、前記純粋非晶質シリコン層上の不純物非晶質シリコン層とを含むことを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記半導体層は、前記データ配線の下部に延在することを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記純粋非晶質シリコン層は、前記不純物非晶質シリコン層の外部へと突出することを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記半導体層と前記ソース電極及びドレイン電極は、前記第1高さ調節部として使用されることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 画素領域に交互に配置された画素電極及び第1共通電極をさらに含み、前記画素電極は前記薄膜トランジスタに連結し、前記第1共通電極は前記共通配線に連結することを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記共通配線は、前記画素電極の外部に位置する第2共通電極を通じて相互に連結される第1及び第2共通配線を含み、前記第1共通配線は前記第1共通電極に連結することを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。
- 前記第1共通電極は、前記第2共通電極と重なって、前記画素電極と同一層に位置し、前記第2共通電極は、前記第1及び第2共通配線から延在することを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置。
- ドレインコンタクトホールと共通配線コンタクトホールとを有する保護膜をさらに含み、前記ドレインコンタクトホールを通じて前記画素電極と薄膜トランジスタが連結され、前記共通配線コンタクトホールを通じて前記第1共通電極と第1共通配線が連結され、前記ゲート絶縁膜は、前記共通配線コンタクトホールを有することを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置。
- 前記対向基板は、第2基板上にブラックマトリックスとカラーフィルターと平坦化膜とを有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記ギャップスペーサーに対応するアレイ基板部分は、前記第1プレスバッファスペーサーに対応するアレイ基板部分より高く、前記第1プレスバッファスペーサーに対応するアレイ基板部分は、前記第2プレスバッファスペーサーに対応するアレイ基板部分より高いことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記ギャップスペーサーと第1及び第2プレスバッファスペーサーとは、同一な厚さを有することを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。
- 前記第1及び第2高さ調節部は、同一な厚さを有することを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。
- 前記ギャップスペーサーに対応するアレイ基板部分と前記第1プレスバッファスペーサーに対応するアレイ基板部分とは、2500Åの高さの差を有することを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。
- 前記第1及び第2高さ調節部の下部のゲート絶縁膜は、前記第2プレスバッファスペーサーの下部のゲート絶縁膜に比べて、1000Å厚いことを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。
- 第1基板上にゲート配線とゲート電極とを形成する段階と、前記ゲート配線とゲート電極の上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線を形成するとともに、前記ゲート電極上に、半導体層とソース電極及びドレイン電極と、第1及び第2高さ調節部とを形成する段階とを含む、アレイ基板を形成する段階と;
前記アレイ基板と向かい合う対向基板を形成する段階と;
前記第1高さ調節部に対応し前記アレイ基板と前記対向基板とに接触するギャップスペーサーと、前記第2高さ調節部に対応し前記対向基板に接触して前記アレイ基板と離隔された第1プレスバッファスペーサーと、前記対向基板に接触して前記アレイ基板と離隔された第2プレスバッファスペーサーとを形成する段階と;
前記アレイ基板と前記対向基板との間に液晶層を位置させる段階とを含み、前記第1プレスバッファスペーサーとアレイ基板との間の離隔間隔は、前記第2プレスバッファスペーサーとアレイ基板との間の離隔間隔より小さいことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記ゲート配線と同一な工程で共通配線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1高さ調節部は、前記ゲート配線と前記共通配線のうち、少なくとも一つの上部のゲート絶縁膜上に位置し、前記第2高さ調節部は、前記ゲート配線及び前記共通配線の外部のゲート絶縁膜上に位置することを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2プレスバッファスペーサーは、前記ゲート配線と前記共通配線のうち、少なくとも一つに対応することを特徴とする請求項23に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1及び第2高さ調節部各々は、前記半導体層と同一な物質で構成された半導体パターンと、前記ソース電極及びドレイン電極と同一物質で構成された導電パターンとを含むことを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記半導体層は、前記データ配線の下部に延在することを特徴とする請求項25に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記データ配線とソース電極及びドレイン電極と半導体層と第1及び第2高さ調節部とを形成する段階は、
前記ゲート絶縁膜上に純粋非晶質シリコン層と不純物非晶質シリコン層と導電層とを形成する段階と;
マスクを使用して、スイッチング領域に対応して一部が他の部分に比べて薄い厚さを有する第1感光パターンと、前記画素領域の両側に対応する第2感光パターンと、第1及び第2領域の各々に対応する第3及び第4感光パターンを形成する段階と;
前記第1ないし第4感光パターンを使用して、前記純粋非晶質シリコン層と不純物非晶質シリコン層と導電層とをエッチングする段階と;
第1ないし第4感光パターンをアッシングして、前記第1感光パターンの薄い厚さを有する部分を除去する段階と;
前記アッシングされた第1ないし第4感光パターンを使用して、前記エッチングされた純粋非晶質シリコン層と不純物非晶質シリコン層と導電層をエッチングし、前記スイッチング領域に前記ソース電極及びドレイン電極と半導体層とを形成し、前記画素領域の両側に前記データ配線を形成し、前記第1及び第2領域の各々に前記第1及び第2高さ調節部を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項26に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1ないし第4感光パターンを形成する段階は、
前記導電層上に感光層を形成する段階と;
前記画素領域に対応する透過部と、前記スイッチング領域の一部に対応する半透過部と、前記スイッチング領域の他の部分と前記画素領域の両側と前記第1及び第2領域に対応する遮断部とを有するマスクを使用して、前記感光層を露光する段階を含むことを特徴とする請求項27に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記半導体層と前記ソース電極及びドレイン電極は、前記第1高さ調節部として使用されることを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 画素領域に交互に配置された画素電極及び第1共通電極を形成する段階をさらに含み、前記画素電極は前記ドレイン電極に連結され、前記第1共通電極は前記共通配線に連結されることを特徴とする請求項22に記載の液晶表示装置の製造方法。
- ドレインコンタクトホールと共通配線コンタクトホールとを有する保護膜をさらに含み、前記ドレインコンタクトホールを通じて前記画素電極と前記ドレイン電極とが連結され、前記共通配線コンタクトホールを通じて前記第1共通電極と第1共通配線とが連結され、前記ゲート絶縁膜は前記共通配線コンタクトホールを有することを特徴とする請求項30に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記共通配線は、前記画素電極の外部に位置する第2共通電極を通じて相互に連結される第1及び第2共通配線を含み、前記第1共通配線は、前記第1共通電極に前記共通配線コンタクトホールを通じて連結されることを特徴とする請求項31に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1共通電極は前記第2共通電極と重なり、前記第2共通電極は前記第1及び第2共通配線から延在することを特徴とする請求項32に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記対向基板を形成する段階は、第2基板上にブラックマトリックスとカラーフィルターと平坦化膜とを形成する段階を含むことを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ギャップスペーサーに対応するアレイ基板部分の高さは前記第1プレスバッファスペーサーに対応するアレイ基板部分の高さより高く、前記第1プレスバッファスペーサーに対応するアレイ基板部分の高さは、前記第2プレスバッファスペーサーに対応するアレイ基板部分の高さより高いことを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ギャップスペーサーと第1及び第2プレスバッファスペーサーとは、同一な厚さを有することを特徴とする請求項35に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1及び第2高さ調節部は、同一な厚さを有することを特徴とする請求項35に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ギャップスペーサーに対応するアレイ基板部分と前記第1プレスバッファスペーサーに対応するアレイ基板部分とは、2500Åの高さの差を有することを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記データ配線とソース電極及びドレイン電極と半導体層と第1及び第2高さ調節部とを形成する間、前記第2プレスバッファスペーサーの下部のゲート絶縁膜の厚さは、1000Åに減少することを特徴とする請求項27に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線を含むアレイ基板と;
前記アレイ基板と向かい合う対向基板と;
前記アレイ基板と前記対向基板との間に位置する液晶層と;
前記アレイ基板と前記対向基板とに接触するギャップスペーサーと;
前記アレイ基板と前記対向基板のいずれかに接触して、残りの一つと離隔された第1プレスバッファスペーサーと;
前記アレイ基板と前記対向基板のいずれかに接触して、残りの一つと離隔された第2プレスバッファスペーサーとを含み、前記第1プレスバッファスペーサーと、これと離隔された基板との間の間隔は、前記第2プレスバッファスペーサーと、これと離隔された基板との間の間隔より小さいことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記アレイ基板と前記対向基板のいずれかに含まれ、前記ギャップスペーサーに対応する第1高さ調節部と;
前記アレイ基板と前記対向基板のいずれかに含まれ、前記第1プレスバッファスペーサーに対応する第2高さ調節部とをさらに含むことを特徴とする請求項40に記載の液晶表示装置。 - 前記第1及び第2プレスバッファスペーサーは同一基板に接触し、前記第1及び第2高さ調節部は前記第1及び第2プレスバッファスペーサーと離隔された基板に含まれることを特徴とする請求項41に記載の液晶表示装置。
- 前記第1及び第2高さ調節部はアレイ基板に含まれることを特徴とする請求項42に記載の液晶表示装置。
- 前記ギャップスペーサーと第1及び第2プレスバッファスペーサーは、同一な厚さを有することを特徴とする請求項43に記載の液晶表示装置。
- 前記ギャップスペーサーに対応するアレイ基板部分の高さは、前記第1プレスバッファスペーサーに対応するアレイ基板部分の高さより高くて、前記第1プレスバッファスペーサーに対応するアレイ基板部分の高さは、前記第2プレスバッファスペーサーに対応するアレイ基板部分の高さより高いことを特徴とする請求項43に記載の液晶表示装置。
- 前記第1及び第2高さ調節部は、同一な厚さを有することを特徴とする請求項45に記載の液晶表示装置。
- 前記ギャップスペーサーに対応するアレイ基板部分は、前記第1プレスバッファスペーサーに対応するアレイ基板部分より、少なくとも一つの層をさらに有することを特徴とする請求項46に記載の液晶表示装置。
- 前記アレイ基板は、前記ゲート配線と同一層の共通配線を含み、前記少なくとも一つの層は、前記ゲート配線と前記共通配線を含むことを特徴とする請求項47に記載の液晶表示装置。
- 前記アレイ基板は、ゲート絶縁膜の下部のゲート電極と、前記ゲート絶縁膜上の半導体層と、前記半導体層上のソース電極及びドレイン電極とを含むことを特徴とする請求項43に記載の液晶表示装置。
- 前記第1及び第2高さ調節部の各々は、前記ゲート絶縁膜上に位置し、前記半導体層と同一な物質で構成された半導体パターンと、前記ソース電極及びドレイン電極と同一な物質で構成された導電パターンとを含むことを特徴とする請求項49に記載の液晶表示装置。
- 前記第1高さ調節部は、前記半導体層とソース電極及びドレイン電極とを含むことを特徴とする請求項49に記載の液晶表示装置。
- 前記アレイ基板は、前記画素領域で交互に配置された画素電極と共通電極を含むことを特徴とする請求項40に記載の液晶表示装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060041835A KR100920481B1 (ko) | 2006-05-10 | 2006-05-10 | 횡전계 방식 액정표시장치와 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007304556A true JP2007304556A (ja) | 2007-11-22 |
JP4571615B2 JP4571615B2 (ja) | 2010-10-27 |
Family
ID=38684774
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006345351A Active JP4571615B2 (ja) | 2006-05-10 | 2006-12-22 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7920244B2 (ja) |
JP (1) | JP4571615B2 (ja) |
KR (1) | KR100920481B1 (ja) |
CN (1) | CN100559249C (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101621027B1 (ko) | 2009-12-30 | 2016-05-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
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KR101730995B1 (ko) | 2010-10-22 | 2017-04-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
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CN1497299A (zh) | 2002-09-26 | 2004-05-19 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器、液晶显示器面板及其制造方法 |
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JP4583015B2 (ja) | 2003-09-29 | 2010-11-17 | 三洋電機株式会社 | キャラクタ表示制御回路および集積回路 |
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- 2006-05-10 KR KR1020060041835A patent/KR100920481B1/ko active IP Right Grant
- 2006-12-14 US US11/638,385 patent/US7920244B2/en active Active
- 2006-12-15 CN CNB2006101680525A patent/CN100559249C/zh active Active
- 2006-12-22 JP JP2006345351A patent/JP4571615B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070109202A (ko) | 2007-11-15 |
KR100920481B1 (ko) | 2009-10-08 |
US20070263162A1 (en) | 2007-11-15 |
US8325314B2 (en) | 2012-12-04 |
CN100559249C (zh) | 2009-11-11 |
JP4571615B2 (ja) | 2010-10-27 |
US7920244B2 (en) | 2011-04-05 |
CN101071241A (zh) | 2007-11-14 |
US20110136274A1 (en) | 2011-06-09 |
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