KR100920481B1 - 횡전계 방식 액정표시장치와 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (17)
- 복수의 화소영역이 형성된 제 1 기판과 제 2 기판과;상기 제 1 기판의 일면에 구성되고, 상기 화소 영역의 일 측에 위치하는 게이트 배선과;상기 게이트 배선과 평행하게 이격된 공통 배선과;상기 게이트 배선 및 공통 배선과 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 교차하여, 상기 화소 영역의 타 측에 위치하고, 하부에 길이 방향을 따라 양측으로 돌출된 반도체층이 존재하는 데이터 배선과;상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하는 박막트랜지스터와;상기 게이트 배선 또는 공통 배선의 상부에 위치하고, 반도체층과 금속패턴이 적층된 제 1 돌기와;상기 게이트 배선과 공통 배선의 이격된 영역에 위치하고, 반도체층과 금속패턴이 적층된 제 2 돌기와;상기 박막트랜지스터와 접촉하면서 상기 화소 영역으로 연장된 막대 형상의 투명한 화소 전극과, 이와 평행하게 이격된 투명한 공통 전극과;상기 제 2 기판의 일면에 상기 화소 영역의 둘레에 대응하여 구성한 블랙매트릭스와;상기 화소 영역에 구성한 컬러필터와;상기 컬러필터 및 화소 영역이 구성된 기판에 구성되고, 상기 제 1 기판의 제 1 돌기에 대응하여 구성된 갭 스페이서와, 상기 제 2 돌기에 대응하여 구성된 제 1 눌림 스페이서와, 상기 게이트 배선 또는 공통 배선에 대응하여 구성된 제 2 눌림 스페이서를 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 공통 배선은 상기 화소 영역의 하부와 상부에 위치한 제 1 공통 배선과 제 2 공통 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 화소 영역의 양측에 상기 제 1 및 제 2 공통 배선을 연결하는 공통 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 돌기의 양측에 위치한 게이트 배선과 공통 배선 중 하나는 상기 제 2 돌기의 형상에 따라 안쪽으로 인입된 형태로 구성된 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 돌기는 상부의 금속패턴이 하부의 반도체층에 비해 작은 면적으로 구성된 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 눌림 스페이서와 제 2 눌림 스페이서가 위치한 상기 제 1 기판의 표면 단차는 2500Å인 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서상기 게이트 절연막은 상기 소스 및 드레인 전극과, 상기 제 1 및 제 2 돌기와 상기 데이터 배선의 하부에 위치한 부분이 다른 영역의 부분보다 1000Å두껍게 구성된 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치.
- 복수의 화소영역이 형성된 제 1 기판과 제 2 기판을 준비하는 단계와;상기 제 1 기판의 일면에 상기 화소 영역의 일 측에 위치하도록 게이트 배선과, 이와 이격된 공통 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선 및 공통 배선과 게이트 절연막을 사이에 두고 교차하여, 상기 화소 영역의 타 측에 위치하고, 하부에 길이 방향을 따라 양측으로 돌출된 반도체층과 그 상부의 데이터 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 게이트 배선 또는 공통 배선의 상부에 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 위치하고 반도체층과 금속패턴이 적층된 제 1 돌기와, 상기 게이트 배선과 공통 배선의 이격된 영역에 위치하고 반도체층과 금속패턴이 적층된 제 2 돌기를 형성하는 단계와;상기 박막트랜지스터와 접촉하면서 상기 화소 영역으로 연장된 막대 형상의 투명한 화소 전극과, 이와 평행하게 이격된 공통 전극을 형성하는 단계와;상기 제 2 기판의 일면에 상기 화소 영역의 둘레에 대응하여 블랙매트릭스를 형성하는 단계와;상기 화소 영역에 컬러필터를 형성하는 단계와;상기 컬러필터 및 블랙매트릭스가 형성된 기판에 형성되고, 상기 제 1 기판의 제 1 돌기에 대응하여 갭 스페이서와, 상기 제 2 돌기에 대응하여 제 1 눌림 스페이서와, 상기 게이트 배선 또는 공통 배선에 대응하여 제 2 눌림 스페이서를 형성하는 단계를 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 공통 배선은 상기 화소 영역의 하부와 상부에 위치한 제 1 공통 배선과 제 2 공통 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 화소 영역의 양측에 상기 제 1 및 제 2 공통 배선을 연결하는 공통 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 2 돌기의 양측에 위치한 게이트 배선과 공통 배선 중 하나는 상기 제 2 돌기의 형상에 따라 안쪽으로 인입된 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 돌기는 상부의 금속패턴이 하부의 반도체층에 비해 작은 면적으로 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 눌림 스페이서와 제 2 눌림스페이서가 위치한 상기 제 1 기판의 표면 단차는 2500Å인 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치 제조방법.
- 제 8 항에 있어서상기 게이트 절연막은 상기 소스 및 드레인 전극과, 상기 제 1 및 제 2 돌기와 상기 데이터 배선의 하부에 위치한 부분이 다른 영역의 부분보다 1000Å 두껍게 구성된 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치 제조방법.
- 기판에 복수의 화소 영역과 스위칭 영역을 형성하는 단계와;상기 기판 상에 일 방향으로 연장된 게이트 배선과, 이와 평행하게 이격된 공통 배선과, 상기 스위칭 영역에 게이트 전극을 형성하는 제 1 마스크 공정 단계와;상기 게이트 배선과 게이트 전극과 공통 전극이 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막과 순수 비정질 실리콘층과 불순물 비정질 실리콘층과 도전성 금속층을 적층하는 단계와;상기 도전성 금속층과 불순물 비정질 실리콘층과 순수 비정질 실리콘층을 패턴하여, 상기 게이트 전극에 대응하는 게이트 절연막의 상부에 제 1 반도체층과, 제 1 반도체층의 상부에 이격된 소스 전극과 드레인 전극을 형성하고, 상기 화소 영역의 일 측에 상기 제 1 반도체층에서 연장된 제 2 반도체층과, 상기 제 2 반도체층의 상부에 데이터 배선을 형성하고, 상기 게이트 배선 또는 공통 배선의 이격된 영역에 제 2 반도체층과 제 1 금속패턴이 적층된 제 1 돌기와, 상기 게이트 배선 또는 공통 배선의 상부에 제 3 반도체층과 제 2 금속패턴이 적층된 제 2 돌기를 형성하는 제 2 마스크 공정 단계와;상기 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선과 제 1 및 제 2 돌기가 형성된 기판의 전면에 보호막을 형성하고, 상기 드레인 전극과 상기 공통 배선을 노출하는 제 3 마스크 공정 단계와;상기 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소 영역으로 연장된 투명한 화소 전극과, 이와는 이격되고 상기 공통 배선과 접촉하는 투명한 공통 전극을 형성하는 제 4 마스크 공정 단계를 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 제 2 마스크 공정 단계는상기 도전성 금속층의 상부에 감광층을 형성하는 단계와;상기 감광층 이격된 상부에 투과부와 차단부과 반투과부로 구성된 마스크를 위치시키고, 빛을 조사하여 상기 감광층을 노광하는 단계와;상기 감광층을 현상하여, 상기 스위칭 영역에 중심이 낮은 높이로 패턴된 단차진 제 1 감광패턴과, 상기 제 1 감광패턴에서 상기 화소 영역의 일 측으로 연장된 제 2 감광패턴과, 상기 게이트 배선 또는 공통 배선에 제 3 감광패턴과, 상기 게이트 배선과 공통 배선의 이격영역에 제 4 감광패턴을 형성하는 단계와;상기 제 1 내지 제 4 감광패턴의 주변으로 노출된 상기 도전성 금속층과 그 하부의 불순물 비정질 실리콘층과 순수 비정질 실리콘층을 제거하여, 상기 제 1 내지 제 4 감광패턴의 하부에 이와 동일 형상의 금속패턴과, 반도체 패턴을 형성하는 단계와;상기 제 1 내지 제 4 감광패턴을 애싱하여, 상기 제 1 감광패턴의 낮은 부분을 제거하는 단계와;상기 제 1 감광패턴을 제거하여 노출된 금속패턴을 제거하고, 그 하부의 반도체패턴 중 불순물 비정질 실리콘층을 제거하는 단계와;상기 제 1 내지 제 4 감광패턴을 제거하여, 상기 스위칭 영역에 대응하여 액티브층과, 액티브층의 상부에 이격된 오믹 콘택층과, 상기 오믹 콘택층의 상부에 소스 전극과 드레인 전극과, 상기 소스 전극에서 상기 화소 영역의 일 측으로 연장되고 하부에 양측으로 연장된 반도체 패턴이 구성된 데이터 배선과, 상기 게이트 배선 또는 공통 배선의 상부에 반도체 패턴과 금속패턴이 적층된 제 1 돌기와, 상기 공통 배선과 게이트 배선의 이격된 영역에 반도체 패턴과 금속패턴이 적층된 제 2 돌기를 형성한 단계를 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 마스크는 상기 스위칭 영역에 대응하여 반투과부를 중심으로 양측에 차단부가 구성되고, 상기 게이트 배선 또는 공통 배선의 임의의 영역과, 상기 게이트 배선과 공통 배선의 이격영역의 임의의 영역과, 상기 화소 영역의 일 측을 따라 길이 방향으로 차단부가 구성된 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
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