JP2007299616A - Manufacturing method of organic el element, and organic el element - Google Patents

Manufacturing method of organic el element, and organic el element Download PDF

Info

Publication number
JP2007299616A
JP2007299616A JP2006126333A JP2006126333A JP2007299616A JP 2007299616 A JP2007299616 A JP 2007299616A JP 2006126333 A JP2006126333 A JP 2006126333A JP 2006126333 A JP2006126333 A JP 2006126333A JP 2007299616 A JP2007299616 A JP 2007299616A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
ink
organic light
layer
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006126333A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Yokoo
正浩 横尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP2006126333A priority Critical patent/JP2007299616A/en
Publication of JP2007299616A publication Critical patent/JP2007299616A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an organic EL element in which regardless of using a letterpress method, a non light-emitting part and a short circuit are eliminated by preventing nontranscription of a positive hole transporting layer and an organic light emitting layer, in which a high definition dotted pattern can be formed, and in which a display panel formation has been made easy, and the organic EL element manufactured by this. <P>SOLUTION: In the organic EL element, a recessed part 22a which matches an arrangement pattern of a convex part 23a which is protruded and installed corresponding to a pixel electrode at the peripheral face of a letterpress 23 mounted on a form cylinder 24 is formed on the surface of an anilox roll 22, and in a state that the anilox roll 22 is positioned to match the letterpress 23 so that the arrangement pattern of this recessed part 22a and the convex part 23a will match, a positive hole transporting ink or an organic light-emitting ink retained by the recessed part 22a of the anilox roll 22 are selectively transferred to the convex part 23a of the letterpress 23, and the positive hole transporting ink and the organic light-emitting ink which have been transferred to this convex part 23a are transcribed onto the pixel electrode in their orders. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機発光層が高分子材料からなる有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）ディスプレイパネル等に用いられる有機ＥＬ素子の製造方法および有機ＥＬ素子に関し、特に有機発光層を印刷法によって形成する有機ＥＬ素子の製造方法およびこの方法により製造された有機ＥＬ素子に関する。   The present invention relates to a method for producing an organic EL element used for an organic EL (electroluminescence) display panel or the like in which an organic light emitting layer is made of a polymer material, and particularly to an organic EL element in which an organic light emitting layer is formed by a printing method. The present invention relates to a device manufacturing method and an organic EL device manufactured by this method.

有機ＥＬ素子は、相対向する二つの電極の間に有機発光材料からなる有機発光層を設け、両電極に電圧を印加して有機発光層に電流を流すことにより発光させるものである。このような有機ＥＬ素子を効率よく発光させるには有機発光層の膜厚が重要であり、１００ｎｍ程度の薄膜にする必要がある。さらに、有機ＥＬ素子をディスプレイパネル化するには高精細にパターニングする必要がある。   In the organic EL element, an organic light emitting layer made of an organic light emitting material is provided between two electrodes facing each other, and light is emitted by applying a voltage to both electrodes and passing a current through the organic light emitting layer. In order to make such an organic EL element emit light efficiently, the film thickness of the organic light emitting layer is important, and it is necessary to form a thin film of about 100 nm. Furthermore, in order to make an organic EL element into a display panel, it is necessary to pattern with high definition.

有機発光層を形成する有機発光材料には、低分子材料と高分子材料が有り、一般に低分子材料を用いた有機発光層は真空蒸着法等により薄膜形成される。この場合、有機発光層は微細パターンのマスクを用いてパターニングされるが、この方法では基板が大型化すればするほどパターニング精度が出にくいという問題がある。また、真空中で成膜するためにスループットが悪いという問題がある。   The organic light emitting material for forming the organic light emitting layer includes a low molecular material and a polymer material. Generally, an organic light emitting layer using a low molecular material is formed into a thin film by a vacuum deposition method or the like. In this case, the organic light emitting layer is patterned using a fine pattern mask. However, this method has a problem that the patterning accuracy is less likely to increase as the substrate becomes larger. In addition, since the film is formed in a vacuum, there is a problem that the throughput is poor.

そこで、最近では高分子材料を溶剤に溶かして塗液にし、これをウェットコーティング法で薄膜形成する方法が試みられるようになってきている。高分子材料の塗液を用いてウェットコーティング法で有機発光層を含む有機発光媒体層を形成する場合の層構成は、陽極である画素電極上に正孔輸送層と有機発光層をこれらの順に積層する二層構成が一般的である。このとき、有機発光層はカラーパネル化するために赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のそれぞれの発光色をもつ有機発光材料を溶剤中に溶解または安定して分散してなる有機発光インキを用いて塗り分ける必要がある（例えば特許文献１参照）。   Therefore, recently, a method of forming a thin film using a wet coating method in which a polymer material is dissolved in a solvent to form a coating liquid has been tried. In the case of forming an organic light emitting medium layer including an organic light emitting layer by a wet coating method using a coating liquid of a polymer material, the layer structure is such that a hole transport layer and an organic light emitting layer are arranged in this order on a pixel electrode which is an anode. A two-layer structure is generally laminated. At this time, the organic light emitting layer is formed by dissolving or stably dispersing organic light emitting materials having respective emission colors of red (R), green (G), and blue (B) in a solvent in order to form a color panel. It is necessary to coat with organic luminescent ink (see, for example, Patent Document 1).

一方、正孔輸送層はパターニングせずに、有機ＥＬディスプレイパネルの画像形成にかかわる部分全体に全面塗布する、いわゆるベタ塗りする方法が一般的であり、スピンコート法やダイコート法といったコーティング法を用いて形成されてきた。これは、正孔輸送層の膜厚は一般に１００ｎｍ以下の薄膜であり、層の横方向へ流れる電流よりも層の厚み方向へ流れる電流の方が圧倒的に多くかつ流れやすく、このため電極がパターニングされていれば、電流の画素の外へのリークは非常に少ないといわれていたからである。
特開２００１−９３６６８公報 On the other hand, the hole transport layer is generally applied to the entire part of the organic EL display panel that is involved in image formation without patterning, so-called solid coating is generally used, and a coating method such as spin coating or die coating is used. Have been formed. This is because the hole transport layer is generally a thin film having a thickness of 100 nm or less, and the current flowing in the thickness direction of the layer is overwhelmingly easier to flow than the current flowing in the lateral direction of the layer. This is because if the patterning is performed, it is said that there is very little leakage of current outside the pixel.
JP 2001-93668 A

ところで、本願発明者等は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板上に、電極を囲むようにボックス状に絶縁層をパターン形成し、１５０ｌｐｉ程度の一般的なハニカム形状のアニロックス平板もしくはロールとドット状パターンの凸部を有する凸版を用いた凸版印刷法により、正孔輸送層と有機発光層のパターニングを行うと、凸版のドット状の凸部とアニロックス平板もしくはロールの非凹部の部分（インキが付着されない部分）とが接触することにより、凸版の凸部にインキが供給されないことがあり、印刷しても画素が形成されない部分が発生してしまうほか、有機ＥＬディスプレイパネルの発光時に未発光やショートする問題があった。   By the way, the inventors of the present application formed an insulating layer pattern in a box shape so as to surround an electrode on a TFT (thin film transistor) substrate, and a general honeycomb-shaped anilox flat plate or roll of about 150 lpi and a convex pattern of a dot pattern. When the hole transport layer and the organic light emitting layer are patterned by a relief printing method using a relief plate having a portion, the dot-like relief portion of the relief plate and the non-recessed portion of the anilox plate or roll (the portion where the ink is not adhered) In some cases, the ink may not be supplied to the convex portions of the relief printing plate, resulting in a portion where pixels are not formed even when printed, and the problem of non-light emission or short-circuiting when the organic EL display panel emits light. there were.

上記の問題は、ハニカム形状のアニロックス平板もしくはロールを高精細化することで解決可能であるが、発光材料や正孔輸送材料は、高分子材料の溶解性の問題から、その濃度を２％前後と低くする必要がある。このため、高精細なアニロックス平板もしくはロールでは、希望する膜厚より薄くなってしまい、有機ＥＬディスプレイパネルとして不都合がある。   The above problems can be solved by increasing the definition of honeycomb-shaped anilox flat plates or rolls. However, the concentration of luminescent materials and hole transport materials is around 2% due to the solubility of polymer materials. It is necessary to lower. For this reason, a high-definition anilox flat plate or roll becomes inconvenient as an organic EL display panel because it becomes thinner than a desired film thickness.

本発明は上記のような問題を解決するためになされたもので、凸版印刷法を用いるにも関らず、正孔輸送層と有機発光層の未転写を防止して未発光部やショートをなくし、高精細なドット状パターンを形成できるとともにディスプレイパネル化を容易にした有機ＥＬ素子の製造方法およびこれにより製造された有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems. In spite of using the relief printing method, the non-transferred portion and the short-circuit are prevented by preventing the transfer of the hole transport layer and the organic light-emitting layer. It is an object of the present invention to provide a method for producing an organic EL element that can form a high-definition dot-like pattern and facilitate display panel formation, and an organic EL element produced thereby.

上述の目的を達成するため本発明は、基板と、前記基板上に表示画素の配列パターンに対応して形成された画素電極と、前記画素電極上に積層された正孔輸送層および有機発光層とを少なくとも有する有機ＥＬ素子の前記正孔輸送層および有機発光層を凸版印刷により形成する有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記画素電極に対応した配列パターンで並べられた多数の凸部を有する凸版が設置された回転式の版胴と、前記凸部に正孔輸送インキおよび有機発光インキを供給するアニロックス体を備え、前記アニロックス体は、前記多数の凸部に一致するように該アニロックス体の表面に形成され正孔輸送インキもしくは有機発光インキを保持する多数の凹部を有し、前記凸部の配列パターンに前記凹部が一致するように前記凸版と前記アニロックス体を位置合わせした状態で前記凸版と前記アニロックス体とを同速度で同一方向に動かすことで前記凹部に前記凸部を順次臨ませて前記アニロックス体の凹部に保持された正孔輸送インキもしくは有機発光インキを前記凸部に転移し、該凸部に転移された正孔輸送インキもしくは有機発光インキを前記画素電極上に転写することを特徴とする。   In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate, a pixel electrode formed on the substrate corresponding to an array pattern of display pixels, and a hole transport layer and an organic light emitting layer laminated on the pixel electrode. A method for manufacturing an organic EL element, in which the hole transport layer and the organic light emitting layer of an organic EL element having at least the above are formed by letterpress printing, wherein a plurality of protrusions arranged in an array pattern corresponding to the pixel electrode are formed. A rotary plate cylinder provided with a relief plate having an anilox body that supplies hole transport ink and organic light-emitting ink to the convex portion, and the anilox body matches the multiple convex portions. A plurality of recesses formed on the surface of the body for holding the hole transport ink or the organic light-emitting ink, and the relief plate and the anion are arranged so that the recesses coincide with the arrangement pattern of the projections. Hole transport ink held in the recess of the anilox body by sequentially moving the relief plate and the anilox body in the same direction at the same speed in a state in which the metal block body is aligned, so that the protrusion faces the recess. The organic light emitting ink is transferred to the convex portion, and the hole transport ink or the organic light emitting ink transferred to the convex portion is transferred onto the pixel electrode.

また、本発明の有機ＥＬ素子は、請求項１に記載の製造方法を用いることにより形成されたことを特徴とする。   The organic EL device of the present invention is formed by using the manufacturing method according to claim 1.

本発明の有機ＥＬ素子及びその製造方法においては、凸版の周面に画素電極に対応して突設された多数の凸部に一致する多数の凹部をアニロックス体の表面に形成し、この凸部の配列パターンに凹部が一致するように凸版とアニロックス体を位置合わせした状態で凸版とアニロックス体とを同速度で同一方向に動かすことでアニロックス体の凹部に保持された正孔輸送インキもしくは有機発光インキを前記凸部に転移し、この凸部に転移された正孔輸送インキと有機発光インキをそれらの順に画素電極上に転写するように構成にしたので、アニロックス体から凸版の凸部への正孔輸送インキもしく有機発光インキのコーティング不良を解消できるとともに、パネル発光における非発光画素部がなくなり、かつショート等の欠陥のない均一性に優れた有機ＥＬ素子を得ることができる。   In the organic EL element and the manufacturing method thereof according to the present invention, a large number of concave portions corresponding to the large number of convex portions projecting from the peripheral surface of the relief plate corresponding to the pixel electrodes are formed on the surface of the anilox body. The hole transport ink or organic light emission held in the recess of the anilox body by moving the relief plate and the anilox body in the same direction at the same speed while aligning the relief plate and the anilox body so that the recesses coincide with the arrangement pattern of Since the ink is transferred to the convex portion, and the hole transport ink and the organic luminescent ink transferred to the convex portion are transferred onto the pixel electrode in that order, the anilox body to the convex portion of the relief plate In addition to eliminating coating defects with hole-transporting inks and organic light-emitting inks, there is no non-light-emitting pixel area in panel light emission, and there is no defect such as short circuit. It is possible to obtain an organic EL device.

（実施の形態１）
次に、本発明にかかる有機ＥＬ素子の製造方法およびこの方法により製造された有機ＥＬ素子の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、本発明にかかる有機ＥＬ素子およびその製造方法は、以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。
また、本発明における凸版印刷法とは、広義には画素部が凸形状をしている版、すなわち凸版を用いる全ての印刷法を言うが、本発明で述べる凸版印刷法とは、ゴム版または樹脂版からなる凸版を用いる印刷方式を示すこととする。また、印刷業の当業者間ではゴム凸版を用いるものをフレキソ印刷といい、樹脂凸版を用いるものを樹脂凸版印刷と区別して呼んでいるが、本発明では両者を特に区別せず、凸版印刷法と呼ぶこととする。凸版印刷方式で用いられるゴム版や樹脂版は、現在は感光性のゴム版や樹脂版が主に用いられているが、凸版の材質も多様化し、感光性ゴム版と感光性樹脂版の区別も不明確になってきており、本発明ではこの区別も特に設けず、両者とも感光性樹脂凸版と呼ぶことにする。 (Embodiment 1)
Next, a method for manufacturing an organic EL element according to the present invention and an embodiment of the organic EL element manufactured by this method will be described with reference to the drawings. In addition, the organic EL element concerning this invention and its manufacturing method are not limited to embodiment described below.
In addition, the letterpress printing method in the present invention refers to a printing method in which the pixel portion has a convex shape in a broad sense, that is, all printing methods using a letterpress. The letterpress printing method described in the present invention is a rubber plate or A printing method using a relief plate made of a resin plate will be shown. Also, among those skilled in the printing industry, those using rubber letterpress are called flexographic printing, and those using resin letterpress are called to distinguish from resin letterpress printing, but in the present invention, both are not particularly distinguished, letterpress printing method I will call it. Currently, photosensitive rubber plates and resin plates are mainly used for the relief printing system, but the material of the relief plate is also diversified, and the distinction between photosensitive rubber plates and photosensitive resin plates. In the present invention, this distinction is not particularly provided, and both are called photosensitive resin relief plates.

以下、本実施の形態を、アクティブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイパネルに適用した例について説明する。有機ＥＬ素子の駆動方法としては、パッシブマトリックスタイプとアクティブマトリックスタイプがあるが、本実施の形態における有機ＥＬ素子は、パッシブマトリックス方式の有機ＥＬ素子またはアクティブマトリックス方式の有機ＥＬ素子のどちらにも適用可能である。
パッシブマトリックス方式とは、ストライプ状の電極を直交するように対向させ、その交点を発光させる方式であるのに対し、アクティブマトリックス方式は画素毎にトランジスタを形成した、いわゆる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板を用いることにより、画素毎に独立して発光する方式である。 Hereinafter, an example in which the present embodiment is applied to an active matrix driving type organic EL display panel will be described. There are a passive matrix type and an active matrix type as a driving method of the organic EL element. However, the organic EL element in the present embodiment can be applied to either a passive matrix type organic EL element or an active matrix type organic EL element. Is possible.
The passive matrix method is a method in which stripe-shaped electrodes are opposed to each other so as to be orthogonal to each other, and light is emitted from the intersection. On the other hand, the active matrix method uses a so-called thin film transistor (TFT) substrate in which a transistor is formed for each pixel. In this way, light is emitted independently for each pixel.

図１は本実施の形態によるアクティブマトリックス駆動型有機ＥＬディスプレイパネル構造の一部の断面を示す模式図、図２は本実施の形態におけるアクティブマトリックス駆動型有機ＥＬ素子の断面を示す模式図である。   FIG. 1 is a schematic view showing a cross section of a part of an active matrix drive type organic EL display panel structure according to the present embodiment, and FIG. 2 is a schematic view showing a cross section of the active matrix drive type organic EL element in the present embodiment. .

本実施の形態におけるアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬディスプレイパネルは、図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１０および封止体１６を備えている。
有機ＥＬ表示装置１０は、図１に示すように、基板１１と、この基板１１の一方の面に表示画素に対応してパターニングされた第１電極（特許請求の範囲に記載した画素電極に相当する）１２と、この第１電極１２を囲むように基板１１の一方の面に形成された絶縁層１３と、この絶縁層１３で囲まれた第１電極１２の上面に形成された正孔輸送層１４ｂと、この正孔輸送層１４ｂの上面に積層して形成された有機発光層１４ａと、この有機発光層１４ａの上面に積層して形成された第２電極１５とを備え、有機発光層１４ａと正孔輸送層１４ｂは有機発光媒体層１４を構成する。
封止体１６は有機ＥＬ表示装置１０の上面を気密に封止するもので、図１に示すように、絶縁層１３の上面および第２電極１５の上面を外気から遮断するように形成された封止材１６ａと、この封止材１６ａの上面に積層された樹脂層１６bとから構成されている。 As shown in FIG. 1, the active matrix drive type organic EL display panel in the present embodiment includes an organic EL display device 10 and a sealing body 16.
As shown in FIG. 1, the organic EL display device 10 includes a substrate 11 and a first electrode patterned on one surface of the substrate 11 corresponding to display pixels (corresponding to the pixel electrode described in the claims). 12), an insulating layer 13 formed on one surface of the substrate 11 so as to surround the first electrode 12, and a hole transport formed on the upper surface of the first electrode 12 surrounded by the insulating layer 13. An organic light emitting layer comprising a layer 14b, an organic light emitting layer 14a formed on the top surface of the hole transport layer 14b, and a second electrode 15 formed on the top surface of the organic light emitting layer 14a. 14 a and the hole transport layer 14 b constitute the organic light emitting medium layer 14.
The sealing body 16 hermetically seals the upper surface of the organic EL display device 10 and is formed so as to shield the upper surface of the insulating layer 13 and the upper surface of the second electrode 15 from the outside air as shown in FIG. It is comprised from the sealing material 16a and the resin layer 16b laminated | stacked on the upper surface of this sealing material 16a.

基板１１（バックプレーン）は、図２に示すように、支持体１１１と、この支持体１１１上に形成した薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略称する）１２０と、この薄膜トランジスタ１２０上に形成された平坦化層１１７とを備えており、この平坦化層１１７上には有機ＥＬ表示装置１０の第１電極１２および第１電極１２を囲むように絶縁層１３が設けられている。
ＴＦＴ１２０は、図２に示すように、活性層１１２、ゲート絶縁膜１１３、ゲート電極１１４、層間絶縁膜１１５およびドレイン電極１１６を有し、ドレイン電極１１６と第１電極１２との間は平坦化層１１７に設けたコンタクトホール１１８を介して電気的に接続されている。また、１１９はデータ線である。このように構成することにより、ＴＦＴ１２０と有機ＥＬ表示装置１０との間で、優れた電気絶縁性を得ることができる。 As shown in FIG. 2, the substrate 11 (backplane) includes a support 111, a thin film transistor (hereinafter abbreviated as “TFT”) 120 formed on the support 111, and a planarization formed on the thin film transistor 120. The insulating layer 13 is provided on the planarizing layer 117 so as to surround the first electrode 12 and the first electrode 12 of the organic EL display device 10.
As shown in FIG. 2, the TFT 120 includes an active layer 112, a gate insulating film 113, a gate electrode 114, an interlayer insulating film 115, and a drain electrode 116, and a planarization layer is provided between the drain electrode 116 and the first electrode 12. Electrical connection is made via a contact hole 118 provided in 117. Reference numeral 119 denotes a data line. With this configuration, excellent electrical insulation can be obtained between the TFT 120 and the organic EL display device 10.

ＴＦＴ１２０や、その上方に構成されるアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置１０は支持体１１１で支持される。支持体１１１は機械的強度および絶縁性を有し、寸法の安定性に優れたものであれば如何なる材質の材料でも使用することができる。例えば、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートに酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層した透光性基材、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、シートや板、あるいは前記プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。支持体１１１の透光性は光の出射をどちらの面から行うかに応じて選択すればよい。
これらの材料からなる支持体１１は、有機ＥＬ表示装置１０内への水分の侵入を避けるために、無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。特に、有機発光媒体層１４への水分の侵入を避けるために、支持体１１１における含水率およびガス透過係数を小さくすることが好ましい。 The TFT 120 and the active matrix drive organic EL display device 10 formed above the TFT 120 are supported by a support 111. The support 111 can be made of any material as long as it has mechanical strength and insulation and is excellent in dimensional stability. For example, plastic films and sheets such as glass, quartz, polypropylene, polyethersulfone, polycarbonate, cycloolefin polymer, polyarylate, polyamide, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, etc., or oxidation to these plastic films and sheets Metal oxides such as silicon and aluminum oxide, metal fluorides such as aluminum fluoride and magnesium fluoride, metal nitrides such as silicon nitride and aluminum nitride, metal oxynitrides such as silicon oxynitride, acrylic resins and epoxy resins, Translucent base material with a single layer or laminated polymer resin film such as silicon resin or polyester resin, metal foil such as aluminum or stainless steel, sheet or plate, or aluminum on the plastic film or sheet It can be used beam, copper, nickel, stainless steel and metal film non-translucent substrate as a laminate of such. The translucency of the support 111 may be selected according to which surface the light is emitted from.
The support 11 made of these materials is subjected to moisture-proof treatment or hydrophobic treatment by forming an inorganic film or applying a fluororesin in order to prevent moisture from entering the organic EL display device 10. It is preferable. In particular, in order to avoid intrusion of moisture into the organic light emitting medium layer 14, it is preferable to reduce the moisture content and gas permeability coefficient of the support 111.

支持体１１１上に設けられたＴＦＴ１２０は、公知の薄膜トランジスタを用いることができる。具体的には、主として、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層１１２、ゲート絶縁膜１１３及びゲート電極１１４から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。薄膜トランジスタの構造としては、特に限定されるものではなく、例えばスタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。   A known thin film transistor can be used as the TFT 120 provided on the support 111. Specifically, a thin film transistor mainly including an active layer 112 in which a source / drain region and a channel region are formed, a gate insulating film 113, and a gate electrode 114 can be given. The structure of the thin film transistor is not particularly limited, and examples thereof include a staggered type, an inverted staggered type, a top gate type, and a coplanar type.

活性層１１２は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）等の有機半導体材料により形成することができる。これらの活性層１１２は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ法により積層し、イオンドーピングする方法、ＳｉＨ４ガスを用いてＬＰＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、Ｓｉ２Ｈ６ガスを用いてＬＰＣＶＤ法により、また、ＳｉＨ４ガスを用いてＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法（低温プロセス）、減圧ＣＶＤ法又はＬＰＣＶＤ法によりポリシリコンを積層し、１０００℃以上で熱酸化してゲート絶縁膜を形成し、その上にｎ＋ポリシリコンのゲート電極１１４を形成した後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法（高温プロセス）等が挙げられる。 The active layer 112 is not particularly limited, and examples thereof include amorphous semiconductor materials such as amorphous silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, and cadmium selenide, thiophene oligomers, poly (p-phenylene vinylene), and the like. It can be formed of an organic semiconductor material. These active layers 112 are formed by, for example, laminating amorphous silicon by plasma CVD, ion doping, forming amorphous silicon by LPCVD using SiH 4 gas, and crystallizing amorphous silicon by solid phase growth. After obtaining polysilicon, ion doping is performed by ion implantation, amorphous silicon is formed by LPCVD using Si 2 H 6 gas, and PECVD using SiH 4 gas, and laser such as excimer laser After annealing, the amorphous silicon is crystallized to obtain polysilicon, followed by ion doping (low-temperature process), low-pressure CVD or LPCVD, and polysilicon is thermally oxidized at 1000 ° C or higher. T Gate insulating film is formed, after forming the n + polysilicon of the gate electrode 114 thereon, a method of ion doping (high temperature process), and the like by an ion implantation method.

ゲート絶縁膜１１３には、通常、ゲート絶縁膜として使用されているものを用いることができる。例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＯ２やポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ２等を用いることができる。
ゲート電極１１４には、通常、ゲート電極として使用されているものを用いることができる。例えば、アルミ，銅等の金属、チタンやタンタル，タングステン等の高融点金属、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。
ＴＦＴ１２０は、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が３つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、ＬＤＤ構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、１つの画素中に２つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。 As the gate insulating film 113, what is normally used as a gate insulating film can be used. For example, PECVD method, SiO 2 or polysilicon film formed by the LPCVD method or the like can be used SiO 2 or the like obtained by thermal oxidation.
As the gate electrode 114, what is normally used as a gate electrode can be used. Examples thereof include metals such as aluminum and copper, refractory metals such as titanium, tantalum, and tungsten, polysilicon, silicides of refractory metals, polycides, and the like.
The TFT 120 may have a single gate structure, a double gate structure, or a multi-gate structure having three or more gate electrodes. Moreover, you may have a LDD structure and an offset structure. Further, two or more thin film transistors may be arranged in one pixel.

本実施の形態におけるアクティブマトリックス駆動型有機ＥＬディスプレイパネルは、ＴＦＴ１２０が有機ＥＬ表示装置１０のスイッチング素子として機能するように接続されている必要があり、ＴＦＴ１２０のドレイン電極１１６と有機ＥＬ表示装置の第１電極１２が電気的に接続されている。さらに有機ＥＬ表示装置がトップエミッション構造をとるための画素電極には一般に光を反射する金属が用いられる必要がある。
ＴＦＴ１２０とドレイン電極１１６と有機ＥＬ表示装置の第１電極１２との接続は、平坦化層１１７を貫通するコンタクトホール１１８内に形成された接続配線を介して行われる。 The active matrix driving type organic EL display panel in the present embodiment needs to be connected so that the TFT 120 functions as a switching element of the organic EL display device 10, and the drain electrode 116 of the TFT 120 and the first of the organic EL display device. One electrode 12 is electrically connected. Further, it is generally necessary to use a metal that reflects light for the pixel electrode for the organic EL display device to have a top emission structure.
The TFT 120, the drain electrode 116, and the first electrode 12 of the organic EL display device are connected through a connection wiring formed in a contact hole 118 that penetrates the planarization layer 117.

平坦化層１１７の構成材料はＳｉＯ２やスピンオンガラス、ＳｉＮ（Ｓｉ３Ｎ４）、ＴａＯ（Ｔａ２Ｏ５）等の無機材料、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フォトレジスト材料、ブラックマトリックス材料等の有機材料等を用いることができる。これらの材料に合わせてスピンコーティング、ＣＶＤ、蒸着法等を選択できる。また、平坦化層１１７として、必要に応じ、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィーの手法により、あるいは一旦全面に平坦化層を形成した後、下層のＴＦＴ１２０に対応した位置にドライエッチング、ウェットエッチング等でコンタクトホール１１８を形成する。コンタクトホール１１８は、ホール形成後に導電性材料で埋めて平坦化層１１７の上面に形成される第１電極１２との導通を図るようになっている。平坦化層１１７の厚みは下層のＴＦＴ、コンデンサ、配線等を覆うことができればよく、その厚みは数μｍ、例えば３μｍ程度あればよい。 The material of the planarization layer 117 is SiO 2, spin on glass, SiN (Si 3 N 4) , an inorganic material such as TaO (Ta 2 O 5), a polyimide resin or an acrylic resin, a photoresist material, an organic such as black matrix materials Materials and the like can be used. Spin coating, CVD, vapor deposition, etc. can be selected according to these materials. Further, as the planarization layer 117, if necessary, a photolithography technique using a photosensitive resin or once a planarization layer is formed on the entire surface, then dry etching, wet etching, or the like is performed at a position corresponding to the lower TFT 120. A contact hole 118 is formed. The contact hole 118 is configured to be electrically connected to the first electrode 12 formed on the upper surface of the planarization layer 117 by filling with a conductive material after the hole is formed. The thickness of the planarizing layer 117 is only required to cover the lower TFT, capacitor, wiring, etc., and the thickness may be several μm, for example, about 3 μm.

基板１１の上に第１電極１２を成膜し、必要に応じてパターニングを行う。この第１電極１２は絶縁層１３によって区画され、各画素に対応した画素電極となる。第１電極１２を構成する材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したもののいずれをも使用することができる。第１電極１２を陽極とする場合にはＩＴＯなど仕事関数の高い材料を選択することが好ましい。基板１１の下面から光を出射する、いわゆるボトムエミッション構造の場合は透光性のある材料を選択する必要がある。必要に応じて、第１電極１２の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助電極として併設してもよい。第１電極１２の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法、またはグラビア印刷法やスクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。
第１電極１２のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。基板１１として薄膜トランジスタを形成した物を用いる場合は下層の画素に対応して導通を図ることができるように形成する。 The first electrode 12 is formed on the substrate 11 and patterned as necessary. The first electrode 12 is partitioned by the insulating layer 13 and becomes a pixel electrode corresponding to each pixel. Examples of the material constituting the first electrode 12 include metal composite oxides such as ITO (indium tin composite oxide), indium zinc composite oxide, and zinc aluminum composite oxide, metal materials such as gold and platinum, and these metals. Either a single layer or a laminate of fine particle dispersion films in which fine particles of an oxide or a metal material are dispersed in an epoxy resin or an acrylic resin can be used. When the first electrode 12 is used as an anode, it is preferable to select a material having a high work function such as ITO. In the case of a so-called bottom emission structure in which light is emitted from the lower surface of the substrate 11, it is necessary to select a light-transmitting material. If necessary, a metal material such as copper or aluminum may be provided as an auxiliary electrode in order to reduce the wiring resistance of the first electrode 12. Depending on the material, the first electrode 12 may be formed by a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, a dry deposition method such as a sputtering method, a gravure printing method or a screen. A wet film forming method such as a printing method can be used.
As a patterning method for the first electrode 12, an existing patterning method such as a mask vapor deposition method, a photolithography method, a wet etching method, or a dry etching method can be used depending on the material and the film forming method. In the case of using a substrate in which a thin film transistor is formed as the substrate 11, the substrate 11 is formed so as to be conductive corresponding to the lower pixel.

本実施の形態における絶縁層１３は、厚みが０．５μｍから５．０μｍの範囲にあることが望ましい。また、絶縁層１３を隣接する画素電極（第１電極１２）間に設けることによって、各画素電極上に印刷された正孔輸送インキや有機発光インキの広がりを抑え、ディスプレイ化した際に正孔輸送層１４ａが絶縁層１３上にあることによるリーク電流や混色の発生を防ぐことができる。なお、絶縁層１３が薄すぎるとインキの広がりを防止できずにリーク電流や混色が生じ、厚すぎると陰極断線やベタ封止のエア混入などが生じる。   The insulating layer 13 in the present embodiment desirably has a thickness in the range of 0.5 μm to 5.0 μm. Further, by providing the insulating layer 13 between adjacent pixel electrodes (first electrodes 12), the spread of the hole transport ink or the organic light emitting ink printed on each pixel electrode is suppressed, and the holes are formed when the display is made. Leakage current and color mixing due to the transport layer 14a being on the insulating layer 13 can be prevented. If the insulating layer 13 is too thin, ink spreading cannot be prevented and leakage current or color mixing occurs. If the insulating layer 13 is too thick, cathode disconnection or solid sealing air mixing occurs.

また、絶縁層１３を形成する感光性材料としてはポジ型レジスト、ネガ型レジストのどちらであってもよく、市販のもので構わないが、絶縁性を有する必要がある。具体的にはポリイミド系、アクリル樹脂系、ノボラック樹脂系、フルオレン系といったものが挙げられるが、これに限定されるものではない。また、有機ＥＬ素子の表示品位を上げる目的で、光遮光性の材料を感光性材料に含有させても良い。
また、絶縁層１３を形成する感光性樹脂はスピンコーター、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、グラビアコーター等の塗布方法を用いて塗布され、フォトリソ法によりパターニングされる。また、感光性樹脂を用いずにグラビアオフセット印刷法、反転印刷法、フレキソ印刷法等を用いて絶縁層を形成してもよい。 Further, the photosensitive material for forming the insulating layer 13 may be either a positive resist or a negative resist, and may be a commercially available one, but it must have insulating properties. Specific examples include polyimide, acrylic resin, novolak resin, and fluorene, but are not limited thereto. Further, for the purpose of improving the display quality of the organic EL element, a light shielding material may be included in the photosensitive material.
The photosensitive resin for forming the insulating layer 13 is applied using a coating method such as a spin coater, bar coater, roll coater, die coater, gravure coater, etc., and patterned by a photolithography method. Alternatively, the insulating layer may be formed using a gravure offset printing method, a reverse printing method, a flexographic printing method, or the like without using a photosensitive resin.

以上のようにして絶縁層１３を形成した後、次に正孔輸送層１４が形成される。正孔輸送層１４を形成する正孔輸送材料としては、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）誘導体、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）等が挙げられる。これらの材料を溶媒に溶解または分散させ、正孔輸送材料インキとなり、本実施の形態による凸版印刷方法を用いて形成される。
なお、形成される正孔輸送層の体積抵抗率は発光効率の点から１ｘ１０６Ω・ｃｍ以下のものが好ましい。 After forming the insulating layer 13 as described above, the hole transport layer 14 is formed next. Examples of the hole transport material forming the hole transport layer 14 include polyaniline derivatives, polythiophene derivatives, polyvinylcarbazole (PVK) derivatives, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), and the like. These materials are dissolved or dispersed in a solvent to form a hole transport material ink, which is formed using the relief printing method according to the present embodiment.
The volume resistivity of the formed hole transport layer is preferably 1 × 10 6 Ω · cm or less from the viewpoint of luminous efficiency.

また、正孔輸送材料を溶解または分散させる溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、グリセリン、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソプロピル、水等の単独またはこれらの混合溶媒などが挙げられる。また、必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されていても良い。   Examples of the solvent for dissolving or dispersing the hole transport material include toluene, xylene, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methanol, ethanol, isopropanol, ethylene glycol, polyethylene glycol, glycerin, ethyl acetate, and butyl acetate. , Isopropyl acetate, water and the like alone or a mixed solvent thereof. Moreover, surfactant, antioxidant, a viscosity modifier, a ultraviolet absorber, etc. may be added as needed.

図３は正孔輸送材料からなる正孔輸送インキを、画素用の第２電極１２および絶縁層１３が形成された被印刷基板１１上にパターン印刷する際の凸版印刷装置の概略を示す説明図である。   FIG. 3 is an explanatory diagram showing an outline of a relief printing apparatus when pattern printing is performed on a substrate 11 on which a second electrode 12 for pixels and an insulating layer 13 are formed using a hole transport ink made of a hole transport material. It is.

本実施の形態に適用される凸版印刷装置は、図３に示すように、インキクタンク２０と、インキチャンバー２１と、アニロックスロール２２と、凸版２３がマウントされた回転式の版胴２４と、被印刷基板２６（図１及び図２に示す基板１１に相当する）が載置される平台２５と、アニロックスロール２２の表面に付着した余分なインキを掻き落とすドクター２７を備える。インキタンク２０には溶媒で希釈された正孔輸送インキが収容されており、インキチャンバー２１にはインキタンク２０から正孔輸送インキが送り込まれるようになっている。また、アニロックスロール２２はインキチャンバー２１のインキ供給部に対して回転可能に支持されている。   As shown in FIG. 3, the relief printing apparatus applied to the present embodiment includes an ink tank 20, an ink chamber 21, an anilox roll 22, a rotary plate cylinder 24 on which a relief 23 is mounted, A flat table 25 on which a printed board 26 (corresponding to the board 11 shown in FIGS. 1 and 2) is placed, and a doctor 27 that scrapes off excess ink adhering to the surface of the anilox roll 22 are provided. The ink tank 20 contains hole transport ink diluted with a solvent, and the ink chamber 21 is fed with hole transport ink from the ink tank 20. The anilox roll 22 is supported so as to be rotatable with respect to the ink supply unit of the ink chamber 21.

また、凸版２３の周面には、図３に示すように、前記図１及び図２に示す第１電極（画素電極）１２に対応した配列パターンの多数の凸部２３ａが突設されている。さらに、アニロックスロール２２の周面には、凸部２３ａの配列パターンに一致する多数の凹部２２ａが形成され、この凹部２２ａ内にはインキチャンバー２１から供給された正孔輸送インキが保持され、アニロックスロール２２と版胴２４の回転に伴って凹部２２ａ内のインキを凸版２３の凸部２３ａに転移するように構成されている。そして、凸版２３の凸部２３ａとアニロックスロール２２の凹部２２ａとの位置合わせは、凸版２３及びアニロックスロール２２に設けた図示省略のアライメントマーク等からなるアライメント機構を用いて行われる。   Further, as shown in FIG. 3, a large number of convex portions 23a having an array pattern corresponding to the first electrode (pixel electrode) 12 shown in FIGS. . Further, on the peripheral surface of the anilox roll 22, a large number of recesses 22a corresponding to the arrangement pattern of the projections 23a are formed, and the hole transport ink supplied from the ink chamber 21 is held in the recesses 22a, and anilox As the roll 22 and the plate cylinder 24 rotate, the ink in the concave portion 22 a is transferred to the convex portion 23 a of the relief plate 23. Then, the alignment between the convex portion 23a of the relief plate 23 and the concave portion 22a of the anilox roll 22 is performed by using an alignment mechanism including an alignment mark (not shown) provided on the relief plate 23 and the anilox roll 22.

版胴２４及びアニロックスロール２２が回転されるに伴い、インキチャンバー２１からアニロックスロール２２の表面に正孔輸送インキが供給され、アニロックスロール２２の表面に付着した余分なインキはドクター２７より掻き落とされる。これにより、凹部２２ａ内に凸版２３への転移に必要な正孔輸送インキ２２ｂが保持される。このインキ２２ｂはアニロックスロール２２に近接して回転駆動される凸版２３の凸部２３ａの先端面に転移される。この凸部２３ａは、図１に示すように基板１１上に形成されている第１電極（画素電極）の配列パターンに対応してマトリクス状に配列されたドットパターンを形成している。
平台２５には、図２に示すような透明な第１電極１２および絶縁層１３が形成された被印刷基板２６が載置され、この被印刷基板２６を含めた平台２５は、凸版２３の凸部２３ａによる印刷位置にまで図示しない搬送手段によって搬送されるようになっている。そして、アニロックスロール２２から凸版２３の凸部２３ａに転移された正孔輸送インキは被印刷基板２６に対して転写される。その後、必要に応じて乾燥工程を経ることで被印刷基板２６上に正孔輸送層が形成される。 As the plate cylinder 24 and the anilox roll 22 are rotated, hole transport ink is supplied from the ink chamber 21 to the surface of the anilox roll 22, and excess ink adhering to the surface of the anilox roll 22 is scraped off from the doctor 27. . Thereby, the hole transport ink 22b necessary for the transfer to the relief plate 23 is held in the recess 22a. This ink 22b is transferred to the tip surface of the convex portion 23a of the relief plate 23 that is driven to rotate in the vicinity of the anilox roll 22. As shown in FIG. 1, the convex portions 23 a form a dot pattern arranged in a matrix corresponding to the arrangement pattern of the first electrodes (pixel electrodes) formed on the substrate 11.
A printing substrate 26 on which the transparent first electrode 12 and the insulating layer 13 as shown in FIG. 2 are formed is placed on the flat table 25, and the flat table 25 including the printing substrate 26 is a convex plate of the relief plate 23. It is transported by a transport means (not shown) to the printing position by the section 23a. Then, the hole transport ink transferred from the anilox roll 22 to the convex portion 23 a of the relief plate 23 is transferred to the printing substrate 26. Thereafter, a hole transport layer is formed on the substrate 26 to be printed by passing through a drying process as necessary.

なお、本実施の形態において、凸版２３に用いられる感光性樹脂版には水現像タイプのものを使用した。この感光性樹脂版には、露光した樹脂版を現像する際に用いる現像液が有機溶剤である溶剤現像タイプのものと現像液が水である水現像タイプのものがある。一般に溶剤現像タイプのものは水系のインキに耐性を示し、水現像タイプのものは有機溶剤系のインキに耐性を示す傾向があるが、これに限定されるものではなく、正孔輸送インキに耐性を持ったものであれば、いずれの樹脂凸版も用いることができる。   In this embodiment, the photosensitive resin plate used for the relief plate 23 is a water developing type. This photosensitive resin plate includes a solvent development type in which the developer used for developing the exposed resin plate is an organic solvent and a water development type in which the developer is water. In general, solvent development type is resistant to water-based ink, and water development type tends to be resistant to organic solvent-based ink, but is not limited to this, and is resistant to hole transport ink. Any resin relief printing plate can be used as long as it has.

また、凸版２３の凸部２３ａの突出高さ、つまりインキが転移されない凸版２３の周面２３ｂからの凸部２３ａの先端面までの高さは４０μｍ以上であることが好ましい。これは、凸部２３ａの突出高さが小さいと、印刷条件によっては凸部２３ａだけでなく、凸版２３の周面２３ｂまでも被印刷基板２６に接触してしまい、余計な部分にインキが画素電極以外の面に転写することによるリーク等の不具合が発生するのを防止するためである。   Moreover, it is preferable that the protrusion height of the convex part 23a of the relief plate 23, that is, the height from the peripheral surface 23b of the relief plate 23 to which the ink is not transferred to the front end surface of the convex part 23a is 40 μm or more. This is because if the protruding height of the convex portion 23a is small, depending on the printing conditions, not only the convex portion 23a but also the peripheral surface 23b of the relief plate 23 comes into contact with the substrate 26 to be printed, and ink is formed in the extra portions. This is to prevent problems such as leakage due to transfer to a surface other than the electrode.

本実施の形態において、凸版２３に使用される樹脂材料のショア硬さは４５〜９０度（ショアＡ）、１８〜７５度（ショアＤ）であることが好ましい。ショア硬さが４５度未満（ショアＡ）であると、印圧に対するマージンが狭く画線がよれたりつぶれたりしてしまい、均一なパターン形成をすることが非常に難しくなってしまうからである。また、７５度（ショアＤ）より大きい場合では、パターン形成時の印圧が高くなりすぎ、被印刷基板２６や絶縁層１３に負荷がかかりすぎ、割れやひずみ、キズを生じてしまう危険があるからである。   In the present embodiment, the Shore hardness of the resin material used for the relief plate 23 is preferably 45 to 90 degrees (Shore A) and 18 to 75 degrees (Shore D). This is because if the Shore hardness is less than 45 degrees (Shore A), the margin for the printing pressure is narrow and the image line is distorted or crushed, making it very difficult to form a uniform pattern. On the other hand, when the angle is greater than 75 degrees (Shore D), the printing pressure at the time of pattern formation becomes too high, and the printed substrate 26 and the insulating layer 13 are overloaded, and there is a risk of causing cracks, distortion, and scratches. Because.

また、正孔輸送層インキの粘度としては５〜８０ｍＰａ・ｓであることが好ましい。これは、本実施の形態で用いる凸版印刷法ではアニロックスロール２２から凸版２３上へのインキの転移が最初に行われるが、８０ｍＰａ・ｓ以上の粘度ではアニロックスロール２２から凸版２３上へインキが転移された後、凸版２３上で十分インキがレベリングせず、ムラの原因になるからである。   The viscosity of the hole transport layer ink is preferably 5 to 80 mPa · s. This is because, in the relief printing method used in this embodiment, the ink is first transferred from the anilox roll 22 onto the relief plate 23, but at a viscosity of 80 mPa · s or more, the ink is transferred from the anilox roll 22 onto the relief plate 23. This is because the ink is not sufficiently leveled on the relief plate 23 after the printing, causing unevenness.

次に、以上のようにして被印刷基板２６に正孔輸送層１４ｂを形成した後は、有機発光層１４ａを形成する。有機発光層１４ａは第１電極１２と第２電極１５との間に電圧を印加して有機発光層１４ａに電流を通すことにより発光する層であり、この有機発光層１４ａを形成する有機発光材料は、例えば、クマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系等の発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料が挙げられる。   Next, after forming the hole transport layer 14b on the substrate 26 to be printed as described above, the organic light emitting layer 14a is formed. The organic light emitting layer 14a is a layer that emits light by applying a voltage between the first electrode 12 and the second electrode 15 and passing a current through the organic light emitting layer 14a. The organic light emitting material that forms the organic light emitting layer 14a Are, for example, coumarin, perylene, pyran, anthrone, porphyrene, quinacridone, N, N'-dialkyl substituted quinacridone, naphthalimide, N, N'-diaryl substituted pyrrolopyrrole, iridium complex And luminescent dyes such as polystyrene, polymethyl methacrylate, and polyvinyl carbazole, and polyarylene-based, polyarylene vinylene-based, and polyfluorene-based polymer materials.

これらの有機発光材料は溶媒に溶解または安定に分散させことにより有機発光インキとなる。有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の単独またはこれらの混合溶媒が挙げられる。中でも、トルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶剤が有機発光材料の溶解性の面から好適である。また、有機発光インキには、必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されても良い。   These organic light emitting materials are dissolved or stably dispersed in a solvent to form an organic light emitting ink. Examples of the solvent for dissolving or dispersing the organic light-emitting material include toluene, xylene, acetone, anisole, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, or a mixed solvent thereof. Among these, aromatic organic solvents such as toluene, xylene, and anisole are preferable from the viewpoint of solubility of the organic light emitting material. Moreover, surfactant, antioxidant, a viscosity modifier, a ultraviolet absorber, etc. may be added to organic luminescent ink as needed.

有機発光層１４ａの形成方法において、凸版印刷法を用いる場合は、有機発光インキに適した樹脂凸版を使用することができ、中でも水現像タイプの感光性樹脂凸版が好適である。
また、有機発光インキの粘度としては５〜８０ｍＰａ・ｓであることが好ましい。これは、本実施の形態で用いる凸版印刷法ではアニロックスロール２２から凸版２３上へのインキの転移が最初に行われるが、８０ｍＰａ・ｓ以上の粘度ではアニロックスロール２２から凸版２３上へインキを転移した後、凸版２３上で十分インキがレベリングせず、ムラの原因になるからである。
なお、有機発光インキの印刷は、インキの種類が異なるものの、前記正孔輸送層１４ｂを凸版印刷法により印刷する場合と同様にアニロックスロール２２および凸版２３がマウントされた回転式の版胴２４を利用することで行われるので、その説明は省略する。 In the method of forming the organic light emitting layer 14a, when using a letterpress printing method, a resin letterpress suitable for organic light emitting ink can be used, and among these, a water developing type photosensitive resin letterpress is preferable.
The viscosity of the organic light emitting ink is preferably 5 to 80 mPa · s. This is because, in the relief printing method used in the present embodiment, the ink is first transferred from the anilox roll 22 onto the relief plate 23, but at a viscosity of 80 mPa · s or more, the ink is transferred from the anilox roll 22 onto the relief plate 23. This is because the ink does not sufficiently level on the relief plate 23 and causes unevenness.
Although printing of organic light-emitting ink is different, the rotary plate cylinder 24 on which the anilox roll 22 and the relief plate 23 are mounted is the same as in the case of printing the hole transport layer 14b by the relief printing method. Since it is performed by using, the description is omitted.

次に、有機発光層１４ａが形成された後の有機発光層１４ａ上には、図１に示す第２電極１５が形成される。ここで、第２電極１５を陰極とする場合には有機発光媒体層１４への電子注入効率の高い、仕事関数の低い物質を用いる。具体的にはＭｇ，Ａｌ，Ｙｂ等の金属単体を用いたり、有機発光媒体層と接する界面にＬｉや酸化Ｌｉ，ＬｉＦ等の化合物を１ｎｍ程度挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層して用いてもよい。または電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いＬｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｓｃ，Ｙ，Ｙｂ等の金属を１種以上と、安定なＡｇ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属元素との合金系を用いてもよい。具体的にはＭｇＡｇ，ＡｌＬｉ，ＣｕＬｉ等の合金が使用できる。第２電極１５側から光を出射する、いわゆるトップエミッション構造とする場合には、第２電極１５に透光性を有する材料を選択することが好ましい。この場合、仕事関数が低いＬｉ，Ｃａを薄く設けた後に、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物を積層してもよく、前記有機発光媒体層１４に、仕事関数が低いＬｉ，Ｃａなどの金属を少量ドーピングして、ＩＴＯなどの金属化合物を積層してもよい。   Next, the second electrode 15 shown in FIG. 1 is formed on the organic light emitting layer 14a after the organic light emitting layer 14a is formed. Here, when the second electrode 15 is used as a cathode, a material having a high electron injection efficiency into the organic light emitting medium layer 14 and a low work function is used. Specifically, a single metal such as Mg, Al, or Yb is used, or a compound such as Li, oxidized Li, or LiF is sandwiched by about 1 nm at the interface in contact with the organic light emitting medium layer, and Al or Cu having high stability and conductivity. May be used in a stacked manner. Alternatively, in order to achieve both electron injection efficiency and stability, one or more metals such as Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, and Yb having a low work function, and stable Ag, An alloy system with a metal element such as Al or Cu may be used. Specifically, alloys such as MgAg, AlLi, and CuLi can be used. In the case of a so-called top emission structure in which light is emitted from the second electrode 15 side, it is preferable to select a material having translucency for the second electrode 15. In this case, after thinly providing Li and Ca having a low work function, a metal composite oxide such as ITO (indium tin composite oxide), indium zinc composite oxide, or zinc aluminum composite oxide may be laminated. The organic light emitting medium layer 14 may be laminated with a metal compound such as ITO by doping a small amount of a metal such as Li or Ca having a low work function.

第２電極１５の形成方法には、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができる。この場合、第２電極１５の厚さに特に制限はないが、十分な抵抗値を確保するためには１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度の厚さが望ましい。また、第２電極を透光性電極層として利用する場合は透光性を持たせるため薄いことが好ましく、Ｃａ、ＢａやＬｉなどの金属材料を用いる場合の膜厚は透光性をそれほど必要としなければ４０ｎｍ程度であり、透光性を必要とする場合は３０ｎｍ以下、最も好ましくは２０ｎｍ以下の膜厚である。
また、第２電極１５としての抵抗値を確保するため、および膜としての形状を維持するためには１０ｎｍ以上が好ましい。第２電極１５としてＩＴＯなどの透光性のある導電性金属化合物を用いる場合は、十分な抵抗値を確保するために１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚が好ましく、積層時に下層の有機発光媒体層１４に与えるダメージを考慮すると１００ｎｍ以下の膜厚が好ましい。また、金属薄膜と金属化合物の両方を積層して第２電極としてもよい。さらに、ＬｉＦ等の金属化合物材料を第２電極の一部として、あるいは第２電極に隣接する層に積層してもよい。 As a method for forming the second electrode 15, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method can be used depending on the material. In this case, the thickness of the second electrode 15 is not particularly limited, but a thickness of about 10 nm to 1000 nm is desirable to ensure a sufficient resistance value. Further, when the second electrode is used as a translucent electrode layer, it is preferable that the second electrode is thin in order to provide translucency, and the film thickness in the case of using a metal material such as Ca, Ba, or Li needs to be so translucent. If not, the film thickness is about 40 nm. When translucency is required, the film thickness is 30 nm or less, and most preferably 20 nm or less.
Moreover, in order to ensure the resistance value as the 2nd electrode 15, and in order to maintain the shape as a film | membrane, 10 nm or more is preferable. When a light-transmitting conductive metal compound such as ITO is used as the second electrode 15, a film thickness of 10 nm or more and 300 nm or less is preferable in order to ensure a sufficient resistance value. In consideration of damage to the film, a film thickness of 100 nm or less is preferable. Moreover, it is good also as a 2nd electrode by laminating | stacking both a metal thin film and a metal compound. Further, a metal compound material such as LiF may be laminated as a part of the second electrode or in a layer adjacent to the second electrode.

本実施の形態におけるアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置が備える補助電極（図示省略）は第２電極１５上の非画素領域に設けられる。このため、当該表示装置の表示性能を妨げることがない。さらに絶縁層１３の端面で断線した第２電極１５の修復を行うこともできる。また、本実施の形態におけるアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置では、有機発光媒体層１４の上に一旦第２電極１５を形成するので、その上部への補助電極の形成方法には下層の有機発光媒体材料が何であるかにかかわらず効率のよい印刷法を選択することができる。   An auxiliary electrode (not shown) provided in the active matrix driving organic EL display device in the present embodiment is provided in a non-pixel region on the second electrode 15. For this reason, the display performance of the display device is not hindered. Further, the second electrode 15 that is disconnected at the end face of the insulating layer 13 can be repaired. Further, in the active matrix driving type organic EL display device according to the present embodiment, the second electrode 15 is once formed on the organic light emitting medium layer 14. An efficient printing method can be selected regardless of what the media material is.

補助電極の形成方法は材料に応じて選択すれば特に制限はないが、下層の有機発光媒体層１４への影響を考慮すると第２電極１５上に直接的にパターンを形成できる方法が好ましい。このような形成方法としては蒸着法、スパッタ法や印刷法が挙げられ、印刷法としては、例えば凸版印刷法、平版印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法、反転オフセット印刷法等を挙げることができる。この場合、銀や金のペースト、カーボンペースト等の導電性ペーストを用いることができる。また、補助電極材料の溶媒に溶解可能な導電性高分子を用いることもできる。   The method for forming the auxiliary electrode is not particularly limited as long as it is selected according to the material, but a method capable of directly forming a pattern on the second electrode 15 is preferable in consideration of the influence on the lower organic light emitting medium layer 14. Examples of such a forming method include a vapor deposition method, a sputtering method, and a printing method. Examples of the printing method include a relief printing method, a planographic printing method, a gravure printing method, a flexographic printing method, a screen printing method, and a reverse offset printing method. Can be mentioned. In this case, a conductive paste such as a silver or gold paste or a carbon paste can be used. Alternatively, a conductive polymer that can be dissolved in the solvent of the auxiliary electrode material can be used.

補助電極は非画素領域であれば、どこにでも設けることができるが、主に絶縁層１３の上方部位が好ましい。また、補助電極は絶縁層１３よりも幅が広くてもよい。この場合、絶縁層１３の存在によって断線した第２電極１５を修復する効果が望める。補助電極が絶縁層１３よりも大きくはみ出すと、非画素領域が広がり相対的に画素領域が減少する。この場合は補助電極材料としても透光性の材料を選択することが好ましい。   The auxiliary electrode can be provided anywhere as long as it is a non-pixel region, but the upper part of the insulating layer 13 is mainly preferable. The auxiliary electrode may be wider than the insulating layer 13. In this case, an effect of repairing the broken second electrode 15 due to the presence of the insulating layer 13 can be expected. When the auxiliary electrode protrudes larger than the insulating layer 13, the non-pixel region is expanded and the pixel region is relatively reduced. In this case, it is preferable to select a translucent material as the auxiliary electrode material.

有機ＥＬ表示装置１０としては、第１電極１２と第２電極１５との間に有機発光材料を挟み、電流を流すことで発光させることが可能であるが、有機発光材料は大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまうため、通常は外部と遮断するための封止体１６を設ける。この封止体１６は、例えば封止材１６ａ上に樹脂層１６ｂを設けて作成することができる。   As the organic EL display device 10, it is possible to emit light by sandwiching an organic light emitting material between the first electrode 12 and the second electrode 15 and passing an electric current. Since it is easily deteriorated by oxygen, a sealing body 16 is usually provided for shielding from the outside. This sealing body 16 can be produced by providing a resin layer 16b on a sealing material 16a, for example.

封止材１６ａとしては、水分や酸素の透過性が低い基材である必要がある。また、材料の一例として、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、耐湿性フィルムなどを挙げることができる。耐湿性フィルムの例として、プラスチック基材の両面にＳｉＯｘをＣＶＤ法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤を塗布した重合体フィルムなどがあり、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、１０‐６ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。   The sealing material 16a needs to be a base material having low moisture and oxygen permeability. Examples of the material include ceramics such as alumina, silicon nitride, and boron nitride, glass such as alkali-free glass and alkali glass, metal foil such as quartz, aluminum, and stainless steel, and moisture-resistant film. Examples of moisture-resistant films include films formed by CVD of SiOx on both sides of plastic substrates, films with low permeability and water-absorbing films, or polymer films coated with a water-absorbing agent. The water vapor transmission rate is preferably 10-6 g / m2 / day or less.

樹脂層１６ｂの材料としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、２液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート（ＥＥＡ）ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物などの熱可塑性接着性樹脂を挙げることができる。樹脂層１６ｂを封止材１６ａの上に形成する方法には、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などを挙げることができる。また、樹脂層１６ｂには必要に応じて吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることもできる。封止材１６ａ上に形成する樹脂層１６ｂの厚みは、封止する有機ＥＬ表示装置の大きさや形状により任意に決定されるが、５〜５００μｍ程度の厚さが望ましい。なお、ここでは、樹脂層１６ｂを封止材１６ａ上に形成したが、直接有機ＥＬ表示装置側に形成することもできる。   Examples of the material of the resin layer 16b include a photo-curing adhesive resin, a thermosetting adhesive resin, a two-component curable adhesive resin, and ethylene ethyl acrylate (EEA) made of epoxy resin, acrylic resin, silicon resin, and the like. Examples thereof include acrylic resins such as polymers, vinyl resins such as ethylene vinyl acetate (EVA), thermoplastic resins such as polyamide and synthetic rubber, and thermoplastic adhesive resins such as acid-modified products of polyethylene and polypropylene. The method of forming the resin layer 16b on the sealing material 16a includes a solvent solution method, an extrusion lamination method, a melting / hot melt method, a calendar method, a nozzle coating method, a screen printing method, a vacuum laminating method, and a hot roll laminating method. And so on. Further, the resin layer 16b may contain a material having hygroscopicity or oxygen absorption as needed. Although the thickness of the resin layer 16b formed on the sealing material 16a is arbitrarily determined depending on the size and shape of the organic EL display device to be sealed, a thickness of about 5 to 500 μm is desirable. Although the resin layer 16b is formed on the sealing material 16a here, it can be formed directly on the organic EL display device side.

最後に、有機ＥＬ表示装置１０と封止体１６との貼り合わせは封止室で行われる。封止体１６を、封止材１６ａと樹脂層１６ｂの２層構造とし、樹脂層１６ｂに熱可塑性樹脂を使用した場合は、加熱したロールにより圧着するのみで行うことが好ましい。熱硬化型接着樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着した後、さらに硬化温度で加熱硬化を行うことが好ましい。光硬化性接着樹脂を使用した場合は、ロールで圧着した後、さらに光を照射することで硬化することができる。   Finally, the organic EL display device 10 and the sealing body 16 are bonded together in a sealing chamber. When the sealing body 16 has a two-layer structure of a sealing material 16a and a resin layer 16b, and a thermoplastic resin is used for the resin layer 16b, it is preferable that the sealing body 16 is simply bonded by a heated roll. When a thermosetting adhesive resin is used, it is preferable to perform heat curing at a curing temperature after pressure bonding with a heated roll. When a photocurable adhesive resin is used, it can be cured by further irradiating light after pressure bonding with a roll.

封止体１６を用いて有機ＥＬ表示装置１０の上面を封止する前やその代わりに、例えばパッシベーション膜として、ＣＶＤ法を用いて、窒化珪素膜を１５０ｎｍ成膜するなどして、無機薄膜により封止することも可能である。   Before or instead of sealing the upper surface of the organic EL display device 10 using the sealing body 16, for example, as a passivation film, a CVD method is used to form a silicon nitride film having a thickness of 150 nm. It is also possible to seal.

次に、本発明の実施例について説明する。
ここでは、以下のような実施例１と比較例１〜３について試作と測定を行った。基板１１として、支持体１１１上に設けられたスイッチング素子として機能する薄膜トランジスタ１２０と、その上方に形成された平坦化層１１７と、平坦化層１１７上にコンタクトホール１１８によって薄膜トランジスタ１２０と導通が図られている第１電極１２とを備えたトップエミッション用アクティブマトリクス基板を用いた。基板１１のサイズは対角５インチ、画素数は３２０×２４０である。 Next, examples of the present invention will be described.
Here, trial manufacture and measurement were performed for the following Example 1 and Comparative Examples 1 to 3. As the substrate 11, the thin film transistor 120 functioning as a switching element provided on the support 111, the planarization layer 117 formed thereabove, and the thin film transistor 120 are electrically connected to each other by the contact hole 118 on the planarization layer 117. The top emission active matrix substrate provided with the first electrode 12 is used. The size of the substrate 11 is 5 inches diagonal and the number of pixels is 320 × 240.

この基板上に設けられている第１電極１２の周囲縁部を囲むように被覆し画素を区画する形状の絶縁層１３を形成した。絶縁層１３は、日本ゼオン社製ポジレジストＺＷＤ６２１６−６をスピンコーターにて基板全面に厚み２μｍで形成した後、フォトリソグラフィーによって幅４０μｍの隔壁を形成した。これによりサブピクセル数９６０×２４０ドット、０．１２ｍｍ×０．３６ｍｍピッチ画素領域が区画された。   An insulating layer 13 having a shape that covers and surrounds the peripheral edge of the first electrode 12 provided on the substrate to partition pixels is formed. The insulating layer 13 was formed by forming a positive resist ZWD6216-6 manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd. on the entire surface of the substrate with a spin coater to a thickness of 2 μm, and then forming a partition wall having a width of 40 μm by photolithography. As a result, a pixel area of 960 × 240 dots and a pitch of 0.12 mm × 0.36 mm was defined.

次に、正孔輸送インキとしてＰＥＤＯＴ溶液であるバイトロンＡＩ−４０８３を８０重量部と、イソプロピルアルコールを２０重量部とを混合調液し、粘度１５ｍＰａ・ｓのインキを用意した。凸版２３の凸部２３ａのサイズを３２０×２４０ドット、０．１２ｍｍ×０．３６ｍｍピッチとし、凸版２３の周面２３ｂからの凸部２３aの突出高さが７０μｍとなるように製版を行った。版材のショア硬さは７７（ショアＡ）のものを使用した。上記のインキ及び版を用いて凸版印刷法にて絶縁層１３で囲まれた第１電極１２（画素電極）上に正孔輸送層１４ｂを形成した。印刷には凸版２３の個々の凸部それぞれに対応した凹部２２ａをアニロックスロール２２が有し、アライメント機構を備え、凹部２２ａの深さが３０μｍであり、結果的に凸版２３の突出高さとアニロックスロール２２の凹部２２ａの深さとの差が４０μｍであるアニロックスロールを使用する。そして、印刷後は、２００℃、３０分大気中で乾燥して正孔輸送層１４ｂを形成した。このときの膜厚は５０ｎｍとなった。   Next, 80 parts by weight of Vitron AI-4083, which is a PEDOT solution, and 20 parts by weight of isopropyl alcohol were mixed and prepared as hole transporting inks to prepare inks having a viscosity of 15 mPa · s. The size of the projections 23a of the relief plate 23 was set to 320 × 240 dots and a pitch of 0.12 mm × 0.36 mm, and plate making was performed so that the projection height of the projections 23a from the peripheral surface 23b of the relief plate 23 was 70 μm. The plate material used had a Shore hardness of 77 (Shore A). A hole transport layer 14b was formed on the first electrode 12 (pixel electrode) surrounded by the insulating layer 13 by the relief printing method using the above ink and plate. For printing, the anilox roll 22 has concave portions 22a corresponding to the individual convex portions of the relief plate 23, is provided with an alignment mechanism, and the depth of the concave portion 22a is 30 μm. As a result, the protrusion height of the relief plate 23 and the anilox roll An anilox roll having a difference from the depth of the 22 concave portions 22a of 40 μm is used. And after printing, it dried in air | atmosphere at 200 degreeC for 30 minutes, and formed the positive hole transport layer 14b. The film thickness at this time was 50 nm.

次に、有機発光材料であるポリフェニレンビニレン誘導体を濃度１％になるようにトルエンに溶解させた有機発光インキを用い、絶縁層１３で囲まれた画素電極１２の真上の正孔輸送層１４ｂ上にそのドットパターンにあわせて有機発光層１４ａを凸版印刷法で印刷し形成した。この場合、正孔輸送層１４ｂの印刷時と同様のアニロックスロール及び水現像タイプの感光性樹脂版を使用した。この結果、印刷、乾燥後の有機発光層の膜厚は８０ｎｍとなった。   Next, on the hole transport layer 14b directly above the pixel electrode 12 surrounded by the insulating layer 13, using an organic light emitting ink in which a polyphenylene vinylene derivative, which is an organic light emitting material, is dissolved in toluene to a concentration of 1%. The organic light emitting layer 14a was printed by letterpress printing in accordance with the dot pattern. In this case, the same anilox roll and water developing type photosensitive resin plate as those used for printing the hole transport layer 14b were used. As a result, the film thickness of the organic light emitting layer after printing and drying was 80 nm.

その後、真空蒸着法でカルシウムを厚み２０ｎｍ成膜して第２電極１５を形成し、しかる後開口幅４０μｍの横ストライプメタルマスクに入れ替え有機ＥＬ表示装置の非画素領域に相当する横方向の絶縁層１３に位置を合わせ、抵抗加熱法でアルミニウムを厚み３００ｎｍ成膜して第一補助電極を形成した。更に縦ストライプメタルマスクに入れ替え同様に縦方向の絶縁層１３に位置を合わせ、抵抗加熱法でアルミニウムを厚み３００ｎｍ成膜することによって第二補助電極を形成し、第一補助電極と導通させることで、格子状に補助電極を形成した。   Thereafter, calcium is deposited to a thickness of 20 nm by vacuum deposition to form the second electrode 15, and then replaced with a horizontal stripe metal mask having an opening width of 40 μm, and a lateral insulating layer corresponding to a non-pixel region of the organic EL display device The first auxiliary electrode was formed by aligning the position 13 and forming a 300 nm thick aluminum film by resistance heating. Further, by replacing with a vertical stripe metal mask, the second auxiliary electrode is formed by aligning the position with the insulating layer 13 in the vertical direction, forming aluminum with a thickness of 300 nm by a resistance heating method, and conducting with the first auxiliary electrode. Auxiliary electrodes were formed in a grid pattern.

補助電極を形成した後、有機ＥＬ表示装置１０の上面に熱接着剤を全面に塗布し、しかる後、透光性封止材としてガラス板を発光領域全てがカバーされるように載せ、約９０℃で１時間接着剤を熱硬化して封止を行った。このようにして完成したパネルは第２電極１５であるカルシウムが薄膜であるため有機発光層１４ａからの光を良好に透過し、封止側から発光を取り出すことができた。こうして得られたアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置を駆動したところ、第２電極１５の配線抵抗による輝度ムラもなく均一な発光状態であった。   After the auxiliary electrode is formed, a thermal adhesive is applied to the entire upper surface of the organic EL display device 10, and then a glass plate is placed as a translucent sealing material so that the entire light emitting region is covered, and about 90 Sealing was performed by thermosetting the adhesive at 1 ° C. for 1 hour. The panel thus completed was able to transmit light from the organic light-emitting layer 14a well and extract light from the sealing side because the calcium as the second electrode 15 was a thin film. When the active matrix driving type organic EL display device thus obtained was driven, it was in a uniform light emitting state without luminance unevenness due to the wiring resistance of the second electrode 15.

（比較例１）
正孔輸送層印刷および有機発光層印刷用のアニロックスロール２２として、１５０ｌｐｉのアライメント機構のないものを使用した以外は実施例１と同様とした。 (Comparative Example 1)
Example 1 was used except that an anilox roll 22 for hole transport layer printing and organic light emitting layer printing without a 150 lpi alignment mechanism was used.

（比較例２）
正孔輸送層印刷および有機発光層印刷用のアニロックスロールとして、凹部の深さが５０μｍで、結果的に凸版のレリーフ深さとアニロックスの凹部の深さとの差が２０μｍになるアニロックスロールを使用した以外は実施例１と同様とした。 (Comparative Example 2)
As an anilox roll for hole transport layer printing and organic light emitting layer printing, an anilox roll having a recess depth of 50 μm and a difference between the relief relief depth of the relief and the anilox recess depth of 20 μm is used. Was the same as in Example 1.

（比較例３）
正孔輸送層印刷および有機発光層印刷用の凸版として、凸版の凸部の表面と谷部との深さが３０μｍであるものを使用した以外は実施例１と同様とした。この場合、リーク電流が発生しないものの、有機発光媒体層のパターン形状が不均一となり、発光に混色が生じるという問題がある。 (Comparative Example 3)
As the relief printing for hole transport layer printing and organic light emitting layer printing, it was the same as in Example 1 except that the one having a depth of 30 μm between the surface of the relief and the valley of the relief printing was used. In this case, although no leak current is generated, there is a problem that the pattern shape of the organic light emitting medium layer becomes non-uniform and color mixture occurs in light emission.

以上のような実施例１及び比較例１〜３での正孔輸送層と有機発光層のドットパターン形状の評価結果と、作製した有機ＥＬディスプレイの表示状態の評価結果を図４に示している。図４から明らかなように、有機発光媒体層のパターン形状、リーク電流の発生および発光状態（発光ムラ）は比較例に比べて本発明の実施例で良好な結果が得られることが判明した。
これに対して比較例１の場合は、図４から明らかなように、有機発光媒体層のパターン形状は良いものの、画素抜けによりリーク電流が発生し、発光ムラが生じた。
また、比較例２の場合は、図４から明らかなように、リーク電流が発生しないものの、有機発光媒体層のパターン形状が不均一となり、発光に混色が生じるという問題がある。また、比較例３の場合も比較例２と同様に、リーク電流が発生しないものの、有機発光媒体層のパターン形状が不均一となり、発光に混色が生じるという問題がある。 FIG. 4 shows the evaluation results of the dot pattern shapes of the hole transport layer and the organic light emitting layer in Example 1 and Comparative Examples 1 to 3 as described above, and the evaluation result of the display state of the produced organic EL display. . As is apparent from FIG. 4, it was found that the pattern shape of the organic light emitting medium layer, the occurrence of leakage current, and the light emission state (light emission unevenness) were better in the example of the present invention than in the comparative example.
On the other hand, in the case of Comparative Example 1, as is apparent from FIG. 4, although the pattern shape of the organic light emitting medium layer is good, a leakage current is generated due to pixel omission and light emission unevenness occurs.
Further, in the case of Comparative Example 2, as is apparent from FIG. 4, there is a problem that although the leak current does not occur, the pattern shape of the organic light emitting medium layer becomes non-uniform and color mixing occurs in the light emission. In the case of Comparative Example 3, as in Comparative Example 2, there is a problem that although no leak current is generated, the pattern shape of the organic light emitting medium layer becomes non-uniform and color mixing occurs in light emission.

本実施の形態によるアクティブマトリックス駆動型有機ＥＬディスプレイパネル構造の断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the cross section of the active matrix drive type organic electroluminescent display panel structure by this Embodiment. 本実施の形態におけるアクティブマトリックス駆動型有機ＥＬ素子の断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the cross section of the active matrix drive type organic EL element in this Embodiment. 本発明の実施の形態における凸版印刷装置の概略を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the outline of the relief printing apparatus in embodiment of this invention. 本発明の実施例と比較例によって得られる有機ＥＬディスプレイのパターン形状、リーク電流、発光状態の測定結果を比較例１〜３と共に対比して示した一覧表である。It is the list | surface which showed the measurement result of the pattern shape of the organic electroluminescent display obtained by the Example and comparative example of this invention, a leakage current, and the light emission state with Comparative Examples 1-3.

符号の説明Explanation of symbols

１０……有機ＥＬ表示装置、１１……基板、１２……第１電極、１３……隔壁、１４……有機発光媒体層、１４ａ……有機発光層、１４ｂ……正孔輸送層、１５……第２電極、１６……封止体、１６ａ……封止材、１６ｂ……樹脂層、１１１……支持体、１１２……活性層、１１３……ゲート絶縁膜、１１４……ゲート電極、１１５……層間絶縁膜、１１６……ドレイン電極、１１７……平坦化層、１１８……コンタクトホール、１１９……データ線、１２０……薄膜トランジスタ、２０……インクタンク、２１……インキチャンバー、２２……アニロックスロール、２２ａ……凹部、２２ｂ……インキ層、２３……凸版、２３ａ……凸部、２４……版胴、２５……平台、２６……被印刷基板、２７……ドクター。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Organic EL display device, 11 ... Board | substrate, 12 ... 1st electrode, 13 ... Partition, 14 ... Organic luminescent medium layer, 14a ... Organic luminescent layer, 14b ... Hole transport layer, 15 ... 2nd electrode, 16 ... sealing body, 16a ... sealing material, 16b ... resin layer, 111 ... support, 112 ... active layer, 113 ... gate insulating film, 114 ... gate electrode, 115: Interlayer insulating film, 116: Drain electrode, 117: Planarization layer, 118: Contact hole, 119: Data line, 120: Thin film transistor, 20: Ink tank, 21: Ink chamber, 22 ...... Anilox roll, 22a .... concave, 22b..ink layer, 23 .... letplate, 23a..projection, 24 ... plate cylinder, 25 ... flat bed, 26 ... substrate to be printed, 27 ... doctor.

Claims (8)

基板と、前記基板上に表示画素の配列パターンに対応して形成された画素電極と、前記画素電極上に積層された正孔輸送層および有機発光層とを少なくとも有する有機ＥＬ素子の前記正孔輸送層および有機発光層を凸版印刷により形成する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記画素電極に対応した配列パターンで並べられた多数の凸部を有する凸版が設置された回転式の版胴と、前記凸部に正孔輸送インキおよび有機発光インキを供給するアニロックス体を備え、
前記アニロックス体は、前記多数の凸部に一致するように該アニロックス体の表面に形成され正孔輸送インキもしくは有機発光インキを保持する多数の凹部を有し、
前記凸部の配列パターンに前記凹部が一致するように前記凸版と前記アニロックス体を位置合わせした状態で前記凸版と前記アニロックス体とを同速度で同一方向に動かすことで前記凹部に前記凸部を順次臨ませて前記アニロックス体の凹部に保持された正孔輸送インキもしくは有機発光インキを前記凸部に転移し、該凸部に転移された正孔輸送インキもしくは有機発光インキを前記画素電極上に転写する、
ことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 The hole of the organic EL element having at least a substrate, a pixel electrode formed on the substrate corresponding to an arrangement pattern of display pixels, and a hole transport layer and an organic light emitting layer stacked on the pixel electrode A method for producing an organic EL element in which a transport layer and an organic light emitting layer are formed by relief printing,
A rotary plate cylinder provided with a relief plate having a large number of projections arranged in an array pattern corresponding to the pixel electrode, and an anilox body that supplies hole transport ink and organic light-emitting ink to the projections,
The anilox body has a large number of concave portions formed on the surface of the anilox body so as to coincide with the large number of convex portions and holding a hole transport ink or an organic light-emitting ink,
The convex portion and the anilox body are moved in the same direction at the same speed in a state where the convex plate and the anilox body are aligned so that the concave portion coincides with the arrangement pattern of the convex portions. The hole transport ink or the organic light emitting ink held in the concave portion of the anilox body is sequentially transferred to the convex portion, and the hole transport ink or the organic light emitting ink transferred to the convex portion is transferred onto the pixel electrode. Transcribe,
The manufacturing method of the organic EL element characterized by the above-mentioned. 前記アニロックス体は平板もしくはロールであることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造方法。   2. The method of manufacturing an organic EL element according to claim 1, wherein the anilox body is a flat plate or a roll. 前記基板は、前記画素毎にトランジスタを有する薄膜トランジスタ基板であることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造方法。   2. The method of manufacturing an organic EL element according to claim 1, wherein the substrate is a thin film transistor substrate having a transistor for each pixel. 前記凹部に前記凸部が臨んだ状態で、前記凸部の先端面と前記凹部の底面との間は３０μｍ以上離間されていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造方法。   2. The method of manufacturing an organic EL element according to claim 1, wherein a tip surface of the convex portion and a bottom surface of the concave portion are spaced apart by 30 μm or more with the convex portion facing the concave portion. 前記版胴の外周面からの前記凸部の突出高さが４０μｍ以上であることを特徴とする請求項１または４記載の有機ＥＬ素子の製造方法。   The method for producing an organic EL element according to claim 1, wherein a protruding height of the convex portion from the outer peripheral surface of the plate cylinder is 40 μm or more. 前記凸版は樹脂材料から形成され、前記樹脂材料のショア硬さは１８〜７５（ショアＤ）、４５〜９０（ショアＡ）であることを特徴とする請求項１、４または５の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。   The said letterpress is formed from the resin material, The Shore hardness of the said resin material is 18-75 (Shore D), 45-90 (Shore A), The any one of Claim 1, 4 or 5 characterized by the above-mentioned. The manufacturing method of the organic EL element of description. 前記請求項１に記載の製造方法を用いることにより形成されたことを特徴とする有機ＥＬ素子。   An organic EL element formed by using the manufacturing method according to claim 1. 前記基板は、前記画素毎にトランジスタを有する薄膜トランジスタ基板であることを特徴とする請求項７記載の有機ＥＬ素子。
8. The organic EL device according to claim 7, wherein the substrate is a thin film transistor substrate having a transistor for each pixel.
JP2006126333A 2006-04-28 2006-04-28 Manufacturing method of organic el element, and organic el element Pending JP2007299616A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006126333A JP2007299616A (en) 2006-04-28 2006-04-28 Manufacturing method of organic el element, and organic el element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006126333A JP2007299616A (en) 2006-04-28 2006-04-28 Manufacturing method of organic el element, and organic el element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007299616A true JP2007299616A (en) 2007-11-15

Family

ID=38768941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006126333A Pending JP2007299616A (en) 2006-04-28 2006-04-28 Manufacturing method of organic el element, and organic el element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007299616A (en)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011075299A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-23 Kateeva, Inc Method and apparatus for depositing a film using a rotating source
JP2011198577A (en) * 2010-03-18 2011-10-06 Casio Computer Co Ltd Apparatus and method for manufacturing light emitting device
JP2011198578A (en) * 2010-03-18 2011-10-06 Casio Computer Co Ltd Apparatus and method for manufacturing light emitting device
US8128753B2 (en) 2004-11-19 2012-03-06 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
US8235487B2 (en) 2009-01-05 2012-08-07 Kateeva, Inc. Rapid ink-charging of a dry ink discharge nozzle
US8383202B2 (en) 2008-06-13 2013-02-26 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
KR101289435B1 (en) 2010-11-12 2013-07-24 한국기계연구원 Pattern roller having micro pattern groove and printing apparatus and method of gravure
US8556389B2 (en) 2011-02-04 2013-10-15 Kateeva, Inc. Low-profile MEMS thermal printhead die having backside electrical connections
US8632145B2 (en) 2008-06-13 2014-01-21 Kateeva, Inc. Method and apparatus for printing using a facetted drum
US8808799B2 (en) 2009-05-01 2014-08-19 Kateeva, Inc. Method and apparatus for organic vapor printing
US8899171B2 (en) 2008-06-13 2014-12-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US8962073B2 (en) 2004-11-19 2015-02-24 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for controlling film deposition
US8986780B2 (en) 2004-11-19 2015-03-24 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
US9048344B2 (en) 2008-06-13 2015-06-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
JP2015164129A (en) * 2014-02-18 2015-09-10 フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー．ファオ Method for manufacturing organic electronic device and organic electronic device
US9604245B2 (en) 2008-06-13 2017-03-28 Kateeva, Inc. Gas enclosure systems and methods utilizing an auxiliary enclosure
KR20190135873A (en) * 2018-05-29 2019-12-09 한밭대학교 산학협력단 Micro-contact printing system using roll to roll process
CN111619222A (en) * 2020-07-22 2020-09-04 买栋 Printing laminating equipment
US11107712B2 (en) 2013-12-26 2021-08-31 Kateeva, Inc. Techniques for thermal treatment of electronic devices
CN113345864A (en) * 2021-06-07 2021-09-03 成都辰显光电有限公司 Driving backboard and micro light-emitting diode display panel
US11338319B2 (en) 2014-04-30 2022-05-24 Kateeva, Inc. Gas cushion apparatus and techniques for substrate coating
US11633968B2 (en) 2008-06-13 2023-04-25 Kateeva, Inc. Low-particle gas enclosure systems and methods

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8962073B2 (en) 2004-11-19 2015-02-24 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for controlling film deposition
US8128753B2 (en) 2004-11-19 2012-03-06 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
US9005365B2 (en) 2004-11-19 2015-04-14 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
US8986780B2 (en) 2004-11-19 2015-03-24 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
US9385322B2 (en) 2005-11-21 2016-07-05 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
US9023670B2 (en) 2007-06-14 2015-05-05 Kateeva, Inc. Modular printhead for OLED printing
US8596747B2 (en) 2008-06-13 2013-12-03 Kateeva, Inc. Modular printhead for OLED printing
US8802186B2 (en) 2008-06-13 2014-08-12 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US11633968B2 (en) 2008-06-13 2023-04-25 Kateeva, Inc. Low-particle gas enclosure systems and methods
US9248643B2 (en) 2008-06-13 2016-02-02 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US8632145B2 (en) 2008-06-13 2014-01-21 Kateeva, Inc. Method and apparatus for printing using a facetted drum
US8720366B2 (en) 2008-06-13 2014-05-13 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US8802195B2 (en) 2008-06-13 2014-08-12 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US9604245B2 (en) 2008-06-13 2017-03-28 Kateeva, Inc. Gas enclosure systems and methods utilizing an auxiliary enclosure
US8807071B2 (en) 2008-06-13 2014-08-19 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US9048344B2 (en) 2008-06-13 2015-06-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US8875648B2 (en) 2008-06-13 2014-11-04 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US8899171B2 (en) 2008-06-13 2014-12-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US8383202B2 (en) 2008-06-13 2013-02-26 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US9174433B2 (en) 2008-06-13 2015-11-03 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US8235487B2 (en) 2009-01-05 2012-08-07 Kateeva, Inc. Rapid ink-charging of a dry ink discharge nozzle
US8808799B2 (en) 2009-05-01 2014-08-19 Kateeva, Inc. Method and apparatus for organic vapor printing
CN102473861A (en) * 2009-11-27 2012-05-23 卡帝瓦公司 Method and apparatus for depositing a film using a rotating source
WO2011075299A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-23 Kateeva, Inc Method and apparatus for depositing a film using a rotating source
JP2011198578A (en) * 2010-03-18 2011-10-06 Casio Computer Co Ltd Apparatus and method for manufacturing light emitting device
JP2011198577A (en) * 2010-03-18 2011-10-06 Casio Computer Co Ltd Apparatus and method for manufacturing light emitting device
KR101289435B1 (en) 2010-11-12 2013-07-24 한국기계연구원 Pattern roller having micro pattern groove and printing apparatus and method of gravure
US8556389B2 (en) 2011-02-04 2013-10-15 Kateeva, Inc. Low-profile MEMS thermal printhead die having backside electrical connections
US11107712B2 (en) 2013-12-26 2021-08-31 Kateeva, Inc. Techniques for thermal treatment of electronic devices
JP2015164129A (en) * 2014-02-18 2015-09-10 フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー．ファオ Method for manufacturing organic electronic device and organic electronic device
US11338319B2 (en) 2014-04-30 2022-05-24 Kateeva, Inc. Gas cushion apparatus and techniques for substrate coating
KR20190135873A (en) * 2018-05-29 2019-12-09 한밭대학교 산학협력단 Micro-contact printing system using roll to roll process
KR102094005B1 (en) * 2018-05-29 2020-03-27 한밭대학교 산학협력단 Micro-contact printing system using roll to roll process
CN111619222A (en) * 2020-07-22 2020-09-04 买栋 Printing laminating equipment
CN111619222B (en) * 2020-07-22 2022-04-22 广东优美包装科技有限公司 Printing laminating equipment
CN113345864A (en) * 2021-06-07 2021-09-03 成都辰显光电有限公司 Driving backboard and micro light-emitting diode display panel

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007299616A (en) Manufacturing method of organic el element, and organic el element
JP5526610B2 (en) Structure of organic EL display and manufacturing method thereof
JP2006286309A (en) Organic electroluminescent display device and its manufacturing method
JP2008135259A (en) Organic el display panel and its manufacturing method
JP2007115465A (en) Organic electroluminescence element
JP5092485B2 (en) Organic electroluminescence display and manufacturing method thereof
JP2011170981A (en) Organic electroluminescent element and method of manufacturing the same
TWI539642B (en) Relief printing plate for printing and method of manufacturing organic el element using thereof
JP2009123618A (en) Organic el display device and its manufacturing method
JP4706845B2 (en) Manufacturing method of organic EL element
JP2008229947A (en) Highly fine pattern forming relief printing plate, planar photosensitive resin laminate, electronic circuit pattern, forming method of organic el element, organic el element, and organic el display
JP2007250298A (en) Organic electroluminescent element and its manufacturing method
JP4747637B2 (en) Manufacturing method of organic EL display panel
JP4998008B2 (en) Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same
JP2009078501A (en) Pattern forming method by letterpress printing, and method for producing organic functional element
JP2008140579A (en) Organic el element and its manufacturing method, and letterpress
JP5298489B2 (en) Organic EL device and manufacturing method thereof
JP2007253447A (en) Relief printing plate for printing and printed matter
JP2007200699A (en) Organic el element and its manufacturing method
JP4940831B2 (en) Method for manufacturing organic EL element and organic EL element
JP5663853B2 (en) Organic EL panel and manufacturing method thereof
JP2012204328A (en) Organic electroluminescent element and manufacturing method thereof
JP2008140588A (en) Organic el element and its manufacturing method, and letterpress
JP2009158585A (en) Organic electroluminescent display device, and its manufacturing method
JP2015185531A (en) Organic electroluminescence element and manufacturing method of the same