JP2015185531A - Organic electroluminescence element and manufacturing method of the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescence element and a manufacturing method of the same, which can remove an auxiliary luminescent layer evenly in a short time without changing properties of electric wiring and a protective layer which are arranged in an underlayer of the auxiliary luminescent layer.SOLUTION: An organic electroluminescence element comprises: a substrate; a patterned first electrode formed on the substrate; an organic light-emitting medium layer formed by an organic luminescent layer and an auxiliary luminescent layer on the first electrode; and a second electrode formed to be opposite to the first electrode across the organic light-emitting medium layer. The auxiliary luminescent layer is formed by a plurality of layers, and at least two layers of the plurality of layers which form the auxiliary luminescent layer are formed by a wet deposition method by dissolving a material for forming the organic light-emitting medium layer with a solvent or dispersing the material in the solvent to change the material to ink and by using the material converted to ink. The auxiliary luminescent layer has a film thickness adjustment layer on electric wiring arranged on a periphery of a display region of the organic electroluminescence element.

Description

本発明は、情報表示端末等のディスプレイへの用途が期待される有機エレクトロルミネッセンス素子と、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関するものである。   The present invention relates to an organic electroluminescence element expected to be used for a display such as an information display terminal, and a method for producing the organic electroluminescence element.

有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、「有機ＥＬディスプレイ」と記載する場合がある）は、基板上に、少なくとも陽極と有機発光層と陰極を含み、電極間に電界をかけることにより、有機発光層に電子と正孔を注入して発光させる有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と記載する場合がある）からなる。
有機ＥＬ素子は、自発光型素子であることから、液晶ディスプレイのようにバックライトを用いなくても表示が可能である。また、素子構造が単純であるため、薄くて軽量な素子を作製することが可能であり、現在、活発に研究が行われている。 An organic electroluminescence display (hereinafter sometimes referred to as “organic EL display”) includes at least an anode, an organic light emitting layer, and a cathode on a substrate, and an electric field is applied between the electrodes, whereby electrons are added to the organic light emitting layer. And an organic electroluminescence element that emits light by injecting holes (hereinafter sometimes referred to as “organic EL element”).
Since the organic EL element is a self-luminous element, it can be displayed without using a backlight like a liquid crystal display. In addition, since the element structure is simple, it is possible to produce a thin and light element, and research is actively conducted now.

一般的な有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との電極間に、有機発光層だけでなく、発光補助層を備えている構成もある。発光補助層としては、正孔輸送層、正孔注入層、インターレイヤ層、電子輸送層、電子注入層等がある。
有機ＥＬ素子の有機発光層に用いられる有機発光材料には、低分子材料と高分子材料とがあり、一般に、低分子材料は、蒸着法等の真空成膜法（ドライコーティング法）により薄膜形成される。
しかし、フルカラーの有機ＥＬディスプレイを製造する場合、有機ＥＬディスプレイが、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）といった３色の異なる発光を有する有機ＥＬ素子からなる場合には、有機発光層を、画素毎にパターン形成する必要がある。また、真空成膜法により有機発光層のパターニングをおこなう場合には、微細パターンを有する蒸着マスクを用いる必要がある。 A general organic EL element has a configuration in which not only an organic light emitting layer but also a light emission auxiliary layer is provided between an anode and a cathode. Examples of the light emission auxiliary layer include a hole transport layer, a hole injection layer, an interlayer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
Organic light-emitting materials used in the organic light-emitting layer of organic EL devices include low-molecular materials and high-molecular materials. In general, low-molecular materials are formed into thin films by vacuum deposition methods (dry coating methods) such as vapor deposition. Is done.
However, when manufacturing a full-color organic EL display, when the organic EL display is composed of organic EL elements having three different colors of light emission, such as R (red), G (green), and B (blue), It is necessary to pattern the organic light emitting layer for each pixel. Moreover, when patterning an organic light emitting layer by the vacuum film-forming method, it is necessary to use the vapor deposition mask which has a fine pattern.

蒸着マスクを用いてパターニングを行う方法では、基板の大型化に伴い、パターニング精度を得難いという問題がある。また、ドライコーティング法であるため、基板表面上の異物や突起を十分に被覆できず、ショートが発生しやすい等の問題もある。また、有機発光層以外の発光補助層についても、同様の問題が生じる。
そこで、有機発光材料を、溶媒に溶解または分散させてインキ（塗工液）を作り、このインキを、塗布法や印刷法といったウェットコーティング法にて膜形成する方法が試みられている。この場合、ウェットコーティング法を用いることによって、均一かつ高速に薄膜の形成が可能となり、特に、大型基板を用いる製造プロセスにおいて、大量生産品のコストダウンが可能となるため、盛んに研究開発が行われている。 In the method of performing patterning using a vapor deposition mask, there is a problem that it is difficult to obtain patterning accuracy as the substrate becomes larger. In addition, since the dry coating method is used, there is a problem that foreign matter and protrusions on the surface of the substrate cannot be sufficiently covered, and a short circuit is likely to occur. Moreover, the same problem arises also about light emission auxiliary layers other than an organic light emitting layer.
Therefore, an organic light emitting material is dissolved or dispersed in a solvent to prepare an ink (coating liquid), and a method of forming a film of this ink by a wet coating method such as a coating method or a printing method has been attempted. In this case, by using the wet coating method, it is possible to form a thin film uniformly and at high speed. Especially in the manufacturing process using a large substrate, it is possible to reduce the cost of mass-produced products. It has been broken.

塗布型の有機発光媒体材料を用いた有機ＥＬ素子の構造は、陽極、発光補助層、有機発光層、陰極の順に積層する構造とすることが一般的であり、陽極、陰極といった電極を除き、全て、ウェットコーティング法により作製することが可能である。また、薄膜を形成するためのウェットコーティング法としては、スリットコート法、スピンコート法、バーコート法、ディップコート法、吐出コート法、ロールコート法等の塗布法や、凸版印刷法、インクジェット法、凹版印刷法といった印刷法等がある。
特に、有機発光層を、画素毎に、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の三色の異なる発光色を有するように塗り分けるためには、印刷法による選択的膜形成が、有力な製造方法である。 The structure of the organic EL element using the coating type organic light emitting medium material is generally a structure in which an anode, a light emission auxiliary layer, an organic light emitting layer, and a cathode are laminated in this order, except for electrodes such as an anode and a cathode, All can be produced by a wet coating method. In addition, as a wet coating method for forming a thin film, a slit coating method, a spin coating method, a bar coating method, a dip coating method, a discharge coating method, a roll coating method, a relief printing method, an inkjet method, There are printing methods such as intaglio printing.
In particular, in order to coat the organic light emitting layer so as to have three different emission colors of R (red), G (green), and B (blue) for each pixel, selective film formation by a printing method is performed. This is an effective manufacturing method.

各種印刷法の中でも、グラビア印刷法のように硬質の印刷版を用いる方法は、ガラスを基板とする有機ＥＬ素子には不向きである。また、弾性を有するゴムブランケットを用いるオフセット印刷では、ゴムブランケットが有機発光材料の溶剤である芳香族系溶媒によって膨潤しやすいため、高精度に安定して印刷することが難しい。
一方、樹脂版を用いる凸版印刷法は、オフセット印刷に見られる版の膨潤がなく、また、樹脂が弾性を有するため、ガラス基板への印刷も可能である。そのため、凸版印刷法は、有機ＥＬ素子の製造方法として最も適している。 Among various printing methods, a method using a hard printing plate such as a gravure printing method is not suitable for an organic EL element having a glass substrate. Further, in offset printing using a rubber blanket having elasticity, the rubber blanket is easily swelled by an aromatic solvent that is a solvent of the organic light emitting material, so that it is difficult to stably print with high accuracy.
On the other hand, the relief printing method using a resin plate does not swell the plate as seen in offset printing, and because the resin has elasticity, printing on a glass substrate is also possible. Therefore, the relief printing method is most suitable as a method for producing an organic EL element.

また、有機ＥＬ素子の製造における有機発光層は、上述したように、三色に塗り分けることが求められるが、発光補助層である正孔輸送層や正孔注入層は、有機発光層の下層に三色共通層として形成されるため、凸版印刷法等を用いて三色に塗り分ける必要がない。また、凸版印刷法等を用いての発光補助層の形成は可能であるが、工程数や成膜均一性が問題となる。このような問題に対して、発光補助層の一括形成が求められる。
上記のような要求に対して、スリットコート法、スピンコート法、バーコート法、ディップコート法、ダイコート法、ロールコート法等のウェットコーティング法が有力な薄膜形成方法となるが、いずれの製法においても、有機ＥＬ素子の全面に薄膜が成膜される。 In addition, as described above, the organic light emitting layer in the production of the organic EL element is required to be applied in three colors separately. However, the hole transport layer and the hole injection layer which are light emission auxiliary layers are layers below the organic light emitting layer. Therefore, it is not necessary to coat the three colors separately using a relief printing method or the like. Further, although the light emission auxiliary layer can be formed using a relief printing method or the like, the number of steps and film formation uniformity are problematic. In order to solve such a problem, it is required to collectively form a light emission auxiliary layer.
In response to the above requirements, the wet coating methods such as the slit coating method, spin coating method, bar coating method, dip coating method, die coating method, and roll coating method are effective thin film forming methods. In addition, a thin film is formed on the entire surface of the organic EL element.

有機ＥＬ素子の表示領域の外周部には、封止ガラスを接着するための接着代部がある。しかしながら、有機ＥＬ素子の全面に発光補助層が成膜されると、封止ガラスの密着性が低下するため、接着代部（除去必要領域）上に成膜された発光補助層を除去する必要がある。
有機膜の除去方法としては、綿棒や布テープ等に溶剤を付けて拭き取る拭き取り法、レーザーアブレーション法、酸素プラズマ洗浄法（例えば、特許文献１を参照）、ＵＶオゾン洗浄法等が検討されている。 There is an adhesive margin for adhering the sealing glass on the outer periphery of the display area of the organic EL element. However, if the light emission auxiliary layer is formed on the entire surface of the organic EL element, the adhesion of the sealing glass is lowered. Therefore, it is necessary to remove the light emission auxiliary layer formed on the bonding margin (removal required region). There is.
As a method for removing the organic film, a wiping method in which a cotton swab or cloth tape is wiped off with a solvent, a laser ablation method, an oxygen plasma cleaning method (see, for example, Patent Document 1), a UV ozone cleaning method, and the like are being studied. .

しかしながら、拭き取り法は、有機ＥＬ素子に接触する方法であるため、異物混入の懸念がある。また、発光補助層の熱架橋工程前に処理が必要となるため、工程数が増加する問題がある。
また、レーザーアブレーション法、酸素プラズマ洗浄法、ＵＶオゾン洗浄法では、処理条件によっては、発光補助層の下層である電気配線やその保護層が変質する。
このため、例えば、レーザーアブレーション法では、照射波長を限定することで、除去対象膜のみを、選択的に除去している（例えば、特許文献２を参照）。 However, since the wiping method is a method of contacting the organic EL element, there is a concern of foreign matter mixing. Moreover, since a process is required before the heat | fever crosslinking process of a light emission auxiliary layer, there exists a problem which the number of processes increases.
Further, in the laser ablation method, the oxygen plasma cleaning method, and the UV ozone cleaning method, depending on the processing conditions, the electrical wiring that is the lower layer of the light emission auxiliary layer and its protective layer are altered.
For this reason, for example, in the laser ablation method, only the film to be removed is selectively removed by limiting the irradiation wavelength (see, for example, Patent Document 2).

特許第３５２１５８７号公報Japanese Patent No. 3521587 特開２００２−１２４３８０号公報JP 2002-124380 A

しかしながら、特許文献２に記載の方法では、電極層への影響を軽減可能であるため、有機膜の選択的な除去に有効であるが、電極材料がレーザー光を吸収するため、照射条件によっては、電極層の焼損等の変質が懸念される。
また、表示領域の外周部は、電気配線が複雑に配置された積層構造であるために、成膜される発光補助層の膜厚均一性が低くなる。また、除去必要領域において有機膜を除去するためには、最も厚膜となる領域の発光補助層の除去可能条件を選択する必要があるが、上記の条件では、薄膜領域において、電気配線や保護層が変質する問題がある。 However, the method described in Patent Document 2 is effective for selective removal of the organic film because the influence on the electrode layer can be reduced. However, since the electrode material absorbs laser light, depending on the irradiation conditions, There is a concern about deterioration of the electrode layer such as burnout.
In addition, since the outer peripheral portion of the display region has a laminated structure in which electric wirings are arranged in a complicated manner, the film thickness uniformity of the light emitting auxiliary layer to be formed becomes low. In addition, in order to remove the organic film in the region where removal is necessary, it is necessary to select the conditions for removing the light emitting auxiliary layer in the region where the film is to be the thickest. There is a problem that the layer is altered.

薄膜領域において電気配線や保護層が変質する問題に対しては、薄膜除去条件で繰り返し走査することにより、厚膜領域を除去可能であるが、その場合は、処理時間が長くなることが問題となる。
本発明は、このような問題点を解決しようとするものであり、表示領域の外周部に発光補助層を成膜することによって、発光補助層の下層に配置される電気配線や保護層を変質させることなく、発光補助層を、ムラなく短時間に除去することが可能な、有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 For the problem that the electrical wiring and the protective layer change in the thin film region, the thick film region can be removed by scanning repeatedly under the thin film removal conditions, but in that case, the processing time becomes long. Become.
The present invention is intended to solve such problems, and by forming a light emission auxiliary layer on the outer periphery of the display area, the electrical wiring and protective layer disposed under the light emission auxiliary layer are altered. It is an object of the present invention to provide an organic electroluminescence element and a method for manufacturing the same, which can remove the light emission auxiliary layer without unevenness in a short time.

本発明の一態様は、基板と、当該基板上にパターン化して形成された第一電極と、当該第一電極上に有機発光層及び発光補助層で形成された有機発光媒体層と、当該有機発光媒体層を挟んで前記第一電極と対向させて形成された第二電極と、を備える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光補助層は、複数の層で形成され、
前記有機発光媒体層を形成する材料を溶媒に溶解または分散させてインク化し、前記インク化した材料を用いて、湿式成膜法により前記発光補助層を形成する複数の層のうち少なくとも二つの層を形成し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の表示領域の外周部に配置された電気配線上に、前記発光補助層の膜厚を調整する膜厚調整層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。 One embodiment of the present invention includes a substrate, a first electrode formed by patterning on the substrate, an organic light emitting medium layer formed of an organic light emitting layer and a light emission auxiliary layer on the first electrode, and the organic A second electrode formed opposite to the first electrode across a light emitting medium layer, and an organic electroluminescence device comprising:
The light emission auxiliary layer is formed of a plurality of layers,
The material for forming the organic light emitting medium layer is dissolved or dispersed in a solvent to form an ink, and the ink converted material is used to form at least two layers of the plurality of layers for forming the light emitting auxiliary layer by a wet film forming method. Form the
It is an organic electroluminescent element characterized by having a film thickness adjusting layer for adjusting the film thickness of the light emission auxiliary layer on the electric wiring arranged in the outer peripheral portion of the display area of the organic electroluminescent element.

また、本発明の一態様は、基板と、当該基板上にパターン化して形成された第一電極と、当該第一電極上に有機発光層及び発光補助層で形成された有機発光媒体層と、当該有機発光媒体層を挟んで前記第一電極と対向させて形成された第二電極と、を備える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光補助層は、複数の層で形成され、
前記有機発光媒体層を形成する材料を溶媒に溶解または分散させてインク化し、前記インク化した材料を用いて、湿式成膜法により前記発光補助層を形成する複数の層のうち少なくとも二つの層を形成し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の表示領域の外周部に配置された電気配線間に、前記発光補助層の膜厚を調整する膜厚調整層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
また、本発明の一態様は、前記膜厚調整層は、感光性樹脂からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
また、本発明の一態様は、前記膜厚調整層は、半導体材料からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。 One embodiment of the present invention is a substrate, a first electrode formed by patterning on the substrate, an organic light emitting medium layer formed of an organic light emitting layer and a light emission auxiliary layer on the first electrode, An organic electroluminescence device comprising: a second electrode formed to face the first electrode across the organic light emitting medium layer,
The light emission auxiliary layer is formed of a plurality of layers,
The material for forming the organic light emitting medium layer is dissolved or dispersed in a solvent to form an ink, and the ink converted material is used to form at least two layers of the plurality of layers for forming the light emitting auxiliary layer by a wet film forming method. Form the
It is an organic electroluminescent element characterized by having a film thickness adjusting layer for adjusting the film thickness of the light emission auxiliary layer between the electric wirings arranged on the outer periphery of the display region of the organic electroluminescent element.
Another embodiment of the present invention is the organic electroluminescence element, wherein the film thickness adjusting layer is made of a photosensitive resin.
Another embodiment of the present invention is the organic electroluminescence element, wherein the film thickness adjusting layer is made of a semiconductor material.

また、本発明の一態様は、基板と、当該基板上にパターン化して形成された第一電極と、当該第一電極上に有機発光層及び発光補助層で形成された有機発光媒体層と、当該有機発光媒体層を挟んで前記第一電極と対向させて形成された第二電極と、を備える有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記発光補助層を、複数の層で形成し、
前記有機発光媒体層を形成する材料を溶媒に溶解または分散させてインク化し、前記インク化した材料を用いて、湿式成膜法により前記発光補助層を形成する複数の層のうち少なくとも二つの層を形成し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の表示領域の外周部に配置された電気配線上及び前記電気配線間に、前記有機発光媒体層を形成する工程の前工程において前記発光補助層の膜厚を調整する膜厚調整層を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。 One embodiment of the present invention is a substrate, a first electrode formed by patterning on the substrate, an organic light emitting medium layer formed of an organic light emitting layer and a light emission auxiliary layer on the first electrode, A second electrode formed to face the first electrode across the organic light emitting medium layer, and a method for producing an organic electroluminescent element comprising:
The light emitting auxiliary layer is formed of a plurality of layers,
The material for forming the organic light emitting medium layer is dissolved or dispersed in a solvent to form an ink, and the ink converted material is used to form at least two layers of the plurality of layers for forming the light emitting auxiliary layer by a wet film forming method. Form the
A film thickness for adjusting the film thickness of the light emission auxiliary layer in the pre-process of the step of forming the organic light emitting medium layer on and between the electric wirings arranged on the outer peripheral portion of the display area of the organic electroluminescence element It is a manufacturing method of the organic electroluminescent element characterized by forming an adjustment layer.

また、本発明の一態様は、前記膜厚調整層を、前記表示領域内に形成する画素隔壁と同時に形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また、本発明の一態様は、前記膜厚調整層を有する前記表示領域の外周部を含む前記基板の全面に前記有機発光媒体層を成膜する工程と、前記表示領域の外周部に成膜された前記有機発光媒体層を除去する工程と、を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また、本発明の一態様は、前記インク化した材料を用いて形成した発光補助層を形成する複数の層のうち少なくとも一つの層を、前記表示領域の外周部上に成膜された有機発光媒体層を除去する工程後に形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また、本発明の一態様は、前記インク化した材料を用いて形成した発光補助層を形成する複数の層のうち少なくとも一つの層を、凸版印刷方式により形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。 Another embodiment of the present invention is a method for manufacturing an organic electroluminescent element, wherein the film thickness adjusting layer is formed simultaneously with a pixel partition wall formed in the display region.
In one embodiment of the present invention, the organic light emitting medium layer is formed on the entire surface of the substrate including the outer periphery of the display region having the film thickness adjusting layer, and the film is formed on the outer periphery of the display region. And a step of removing the organic light emitting medium layer formed. The method for producing an organic electroluminescent element, comprising:
One embodiment of the present invention is an organic light emitting device in which at least one of a plurality of layers forming a light emission auxiliary layer formed using the ink material is formed on an outer peripheral portion of the display region. It is formed after the process of removing a medium layer, It is a manufacturing method of the organic electroluminescent element characterized by the above-mentioned.
In one embodiment of the present invention, at least one of a plurality of layers forming a light emission auxiliary layer formed using the ink material is formed by a relief printing method. It is a manufacturing method of an element.

本発明の一態様であれば、表示領域の外周部に発光補助層を成膜することによって、発光補助層の下層に配置される電気配線や保護層を変質させることなく、発光補助層を、ムラなく短時間に除去することが可能な、有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することが可能となる。   According to one embodiment of the present invention, by forming a light emission auxiliary layer on the outer peripheral portion of the display region, without changing the electrical wiring and the protective layer disposed in the lower layer of the light emission auxiliary layer, the light emission auxiliary layer, It is possible to provide an organic electroluminescence element that can be removed in a short time without unevenness and a method for manufacturing the same.

本発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の概略構成を示す図であり、有機ＥＬ素子を側方から見た断面模式図である。It is a figure which shows schematic structure of the organic EL element of 1st embodiment of this invention, and is the cross-sectional schematic diagram which looked at the organic EL element from the side. 本発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の除去必要領域を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the removal required area | region of the organic EL element of 1st embodiment of this invention. 本発明の第一実施形態における有機ＥＬ素子の、表示領域外周部の模式図の一例であり、電気配線を覆うように膜厚調整層を形成する場合を示す図である。It is an example of the schematic diagram of the display area outer periphery part of the organic EL element in 1st embodiment of this invention, and is a figure which shows the case where a film thickness adjustment layer is formed so that electrical wiring may be covered. 本発明の第一実施形態における有機ＥＬ素子の、表示領域外周部の模式図の一例であり、電気配線間に膜厚調整層を形成する場合を示す図である。It is an example of the schematic diagram of the display area outer periphery part of the organic EL element in 1st embodiment of this invention, and is a figure which shows the case where a film thickness adjustment layer is formed between electrical wiring. 本発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子を作製するための凸版印刷機の概念図である。It is a conceptual diagram of the relief printing machine for producing the organic EL element of 1st embodiment of this invention. 本発明の実施例１における有機ＥＬ素子の表示領域外周部に形成した発光補助層の形状を示す模式図の一例である。It is an example of the schematic diagram which shows the shape of the light emission auxiliary layer formed in the display area outer periphery part of the organic EL element in Example 1 of this invention. 本発明の実施例２における有機ＥＬ素子の表示領域外周部に形成した発光補助層の形状を示す模式図の一例である。It is an example of the schematic diagram which shows the shape of the light emission auxiliary layer formed in the display area outer periphery part of the organic EL element in Example 2 of this invention. 本発明の比較例２における有機ＥＬ素子の表示領域外周部の模式図の一例である。It is an example of the schematic diagram of the display area outer periphery part of the organic EL element in the comparative example 2 of this invention. 本発明の比較例２における有機ＥＬ素子の表示領域外周部に形成した発光補助層の形状を示す模式図の一例である。It is an example of the schematic diagram which shows the shape of the light emission auxiliary layer formed in the display area outer periphery part of the organic EL element in the comparative example 2 of this invention.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
（第一実施形態）
以下、本発明の第一実施形態（以下、本実施形態と記載する）について、図面を参照しつつ説明する。
（全体構成）
図１中に示すように、有機ＥＬ素子１は、基板１０１と、第一電極１０２と、画素隔壁１０３と、正孔輸送層１０４と、インターレイヤ層１０５と、有機発光層１０６と、第二電極１０７と、封止体１０８を備えている。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention (hereinafter referred to as the present embodiment) will be described with reference to the drawings.
(overall structure)
As shown in FIG. 1, the organic EL element 1 includes a substrate 101, a first electrode 102, a pixel partition wall 103, a hole transport layer 104, an interlayer layer 105, an organic light emitting layer 106, a second An electrode 107 and a sealing body 108 are provided.

本実施形態の有機ＥＬ素子１は、第一電極１０２と第二電極１０７との間に有機発光層１０６が設けられ、第一電極１０２と有機発光層１０６との間に正孔輸送層１０４とインターレイヤ層１０５が設けられる構造であり、有機ＥＬ素子１の発光部の、代表的な構造である。
また、陽極１０２のパターン間には、画素隔壁１０３（隔壁）が設けられ、発光画素を仕切るとともに、画素間の電気的絶縁を図る。
また、基板１０１上に、陽極である第一電極１０２、画素隔壁１０３、正孔輸送層１０４、インターレイヤ層１０５、有機発光層１０６、陰極である第二電極１０７が設けられた有機ＥＬ構成体は、さらに、第一電極１０２、正孔輸送層１０４及びインターレイヤ層１０５を含む発光補助層４００と、有機発光層１０６と、第二電極１０７を、外部の環境から保護するための封止体１０８により覆われる。 In the organic EL element 1 of the present embodiment, an organic light emitting layer 106 is provided between the first electrode 102 and the second electrode 107, and a hole transport layer 104 is provided between the first electrode 102 and the organic light emitting layer 106. This is a structure in which an interlayer 105 is provided, and is a typical structure of the light emitting portion of the organic EL element 1.
A pixel partition 103 (partition) is provided between the patterns of the anode 102 to partition the light emitting pixels and to electrically insulate the pixels.
An organic EL structure in which a first electrode 102 as an anode, a pixel partition wall 103, a hole transport layer 104, an interlayer layer 105, an organic light emitting layer 106, and a second electrode 107 as a cathode are provided on a substrate 101. Further, a sealing body for protecting the light emission auxiliary layer 400 including the first electrode 102, the hole transport layer 104 and the interlayer layer 105, the organic light emitting layer 106, and the second electrode 107 from the external environment. 108.

封止体１０８は、封止キャップ１０８ａ、乾燥剤１０８ｂ、接着剤１０８ｃを備える。
また、本実施形態の有機ＥＬ素子１においては、第一電極１０２と第二電極１０７の間に、有機発光層１０６の他に、発光補助層４００を備える。
発光補助層４００としては、図１中に示した正孔輸送層１０４及びインターレイヤ層１０５の他に、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等を用いることが可能である。これらの発光補助層４００は、適宜選択されるものであり、複数選択してもよい。
正孔注入層は、第一電極１０２と有機発光層１０６との間に設けられ、電子注入層及び電子輸送層は、有機発光層１０６と第二電極１０７との間に設けられる。また、本実施形態の有機ＥＬ素子１にあっては、第一電極１０２、第二電極１０７、有機発光層１０６、正孔輸送層１０４は、単層構造ではなく、多層構造としてもよい。 The sealing body 108 includes a sealing cap 108a, a desiccant 108b, and an adhesive 108c.
Further, in the organic EL element 1 of the present embodiment, a light emission auxiliary layer 400 is provided between the first electrode 102 and the second electrode 107 in addition to the organic light emitting layer 106.
As the light emission auxiliary layer 400, a hole injection layer, an electron transport layer, an electron injection layer, or the like can be used in addition to the hole transport layer 104 and the interlayer layer 105 shown in FIG. These light emission auxiliary layers 400 are appropriately selected, and a plurality of light emission auxiliary layers 400 may be selected.
The hole injection layer is provided between the first electrode 102 and the organic light emitting layer 106, and the electron injection layer and the electron transport layer are provided between the organic light emitting layer 106 and the second electrode 107. Moreover, in the organic EL element 1 of the present embodiment, the first electrode 102, the second electrode 107, the organic light emitting layer 106, and the hole transport layer 104 may have a multilayer structure instead of a single layer structure.

また、本実施形態の有機ＥＬ素子１は、有機ＥＬディスプレイとしての画像駆動方式として、パッシブマトリックス方式、アクティブマトリックス方式のどちらにも適用可能である。
ここで、パッシブマトリックス方式とは、ストライプ状の陽極及び陰極を直交させるように対向させ、その交点を発光させる方式である。
一方、アクティブマトリックス方式は、画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成した基板、すなわち、いわゆるＴＦＴ基板を用いることにより、画素毎に独立して発光する方式である。 Further, the organic EL element 1 of the present embodiment can be applied to either a passive matrix method or an active matrix method as an image driving method as an organic EL display.
Here, the passive matrix system is a system in which stripe-like anodes and cathodes are opposed to each other so as to be orthogonal to each other, and light is emitted at the intersection.
On the other hand, the active matrix method is a method of emitting light independently for each pixel by using a substrate on which a thin film transistor (TFT) is formed for each pixel, that is, a so-called TFT substrate.

アクティブマトリックス方式の有機ＥＬディスプレイの場合、有機ＥＬ素子１の陽極及び陰極のうち一方の電極は、ＴＦＴ基板上に画素毎に設けられ、他方の電極は、画素全体に設けられる。
また、本実施形態の有機ＥＬ素子１は、表示のための光の取り出し方から、二種類に大別される方式、すなわち、発光した光を基板側から取り出すボトムエミッション方式と、発光した光を基板と反対側から取り出すトップエミッション方式とのいずれの方式にも適用可能である。 In the case of an active matrix type organic EL display, one of the anode and the cathode of the organic EL element 1 is provided for each pixel on the TFT substrate, and the other electrode is provided for the entire pixel.
In addition, the organic EL element 1 of the present embodiment is divided into two types according to how to extract light for display, that is, a bottom emission method in which emitted light is extracted from the substrate side, and emitted light. It can be applied to any of the top emission method of taking out from the opposite side of the substrate.

ここで、ボトムエミッション方式の有機ＥＬ素子１とする場合には、基板及び陽極が光透過性を有する必要がある。一方、トップエミッション方式の有機ＥＬ素子１とするためには、陰極及び封止体が光透過性を有する必要がある。
また、本実施形態の有機ＥＬ素子１においては、図１中に示す構造とは異なり、基板上に、陰極となる第一電極、有機発光層、正孔輸送層、陽極となる第二電極を順に設けた構造としてもよい。この場合、有機発光層と正孔輸送層等の発光補助層４００とを総称して有機発光媒体層４０１と呼称すれば、いずれの場合も、基板上に、第一電極、有機発光媒体層、第二電極の順に断面構成され、平面上の画素の区分けを、別途作製する画素隔壁により行う構造となる。 Here, when it is set as the organic EL element 1 of a bottom emission system, a board | substrate and an anode need to have a light transmittance. On the other hand, in order to obtain the top emission type organic EL element 1, the cathode and the sealing body need to have light transmittance.
Further, in the organic EL element 1 of the present embodiment, unlike the structure shown in FIG. 1, a first electrode serving as a cathode, an organic light emitting layer, a hole transport layer, and a second electrode serving as an anode are formed on a substrate. It is good also as a structure provided in order. In this case, if the organic light emitting layer and the light emission auxiliary layer 400 such as a hole transport layer are collectively referred to as an organic light emitting medium layer 401, the first electrode, the organic light emitting medium layer, The cross section is configured in the order of the second electrode, and the pixel on the plane is divided by a separately formed pixel partition wall.

（有機ＥＬ素子１の具体的な構成、有機ＥＬ素子１の製造方法）
以下、図１を参照しつつ、図２から図４を用いて、有機ＥＬ素子１の具体的な構成と、有機ＥＬ素子１の製造方法について説明する。
基板１０１としては、絶縁性を有する基板であれば、いかなる基板も用いることが可能である。但し、この基板側から光を出射するボトムエミッション方式の場合には、基板１０１として、透明なものを使用する必要がある。
透明な基板１０１としては、例えば、ガラス基板や石英基板を用いることが可能である。また、透明な基板１０１としては、例えば、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシートを用いることが可能である。 (The specific structure of the organic EL element 1, the manufacturing method of the organic EL element 1)
Hereinafter, a specific configuration of the organic EL element 1 and a method for manufacturing the organic EL element 1 will be described with reference to FIGS.
Any substrate can be used as the substrate 101 as long as it is an insulating substrate. However, in the case of the bottom emission method in which light is emitted from the substrate side, it is necessary to use a transparent substrate 101.
As the transparent substrate 101, for example, a glass substrate or a quartz substrate can be used. Further, as the transparent substrate 101, for example, a plastic film or sheet such as polypropylene, polyethersulfone, polycarbonate, cycloolefin polymer, polyarylate, polyamide, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate can be used. It is.

また、上述したように、プラスチックフィルムやシートに、金属酸化物薄膜、金属弗化物薄膜、金属窒化物薄膜、金属酸窒化物薄膜、または、高分子樹脂膜を積層したものを基板１０１として用いることにより、水分やガスの透過を小さくして、素子の特性を安定化させることが可能となる。
金属酸化物薄膜としては、例えば、酸化珪素、酸化アルミニウム等を用いることが可能である。また、金属弗化物薄膜としては、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等を用いることが可能である。また、金属窒化物薄膜としては、窒化珪素、窒化アルミニウム等を用いることが可能である。また、高分子樹脂膜としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂等を用いることが可能である。 Further, as described above, a substrate in which a metal oxide thin film, a metal fluoride thin film, a metal nitride thin film, a metal oxynitride thin film, or a polymer resin film is laminated on a plastic film or sheet is used as the substrate 101. Therefore, it is possible to reduce the permeation of moisture and gas and stabilize the characteristics of the element.
As the metal oxide thin film, for example, silicon oxide, aluminum oxide, or the like can be used. As the metal fluoride thin film, aluminum fluoride, magnesium fluoride, or the like can be used. Further, as the metal nitride thin film, silicon nitride, aluminum nitride or the like can be used. As the polymer resin film, an acrylic resin, an epoxy resin, a silicone resin, a polyester resin, or the like can be used.

また、トップエミッション方式の場合には、不透明な基板を用いることが可能である。この場合、例えば、シリコンウエハ、アルミニウムやステンレス等の金属箔、金属シート金属板等を用いることが可能である。また、プラスチックフィルムやシートに、アルミニウム、銅、ニッケル、ステンレス等の金属薄膜を積層させたものを用いることも可能である。
なお、上述した各種の基板は、あらかじめ加熱処理を行うことにより、基板の内部や表面に吸着した水分を極力低減することがより好ましい。また、基板上に積層される材料に応じて、密着性を向上させるために、超音波洗浄処理、コロナ放電処理、プラズマ処理、ＵＶオゾン処理等の表面処理を施してから使用することが好ましい。 In the case of the top emission method, an opaque substrate can be used. In this case, for example, a silicon wafer, a metal foil such as aluminum or stainless steel, a metal sheet metal plate, or the like can be used. Moreover, it is also possible to use what laminated | stacked metal thin films, such as aluminum, copper, nickel, stainless steel, on a plastic film or a sheet | seat.
In addition, it is more preferable to reduce the moisture adsorbed on the inside or the surface of the substrate as much as possible by performing heat treatment on the various substrates described above. Further, in order to improve the adhesion, depending on the material laminated on the substrate, it is preferable to use it after performing surface treatment such as ultrasonic cleaning treatment, corona discharge treatment, plasma treatment, UV ozone treatment.

また、上述した基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成して、駆動用基板としても良い。この場合、ＴＦＴの材料としては、例えば、ポリチオフェンやポリアニリン、銅フタロシアニンやペリレン誘導体等の有機ＴＦＴを用いることが可能であり、また、アモルファスシリコンやポリシリコンＴＦＴを用いることも可能である。また、上述した基板のどちらかの面に、カラーフィルタ層や光散乱層、光偏光層等を設けて、基板１０１としてもよい。   Alternatively, a thin film transistor (TFT) may be formed over the above substrate to serve as a driving substrate. In this case, as the TFT material, for example, organic TFTs such as polythiophene, polyaniline, copper phthalocyanine, and perylene derivatives can be used, and amorphous silicon and polysilicon TFTs can also be used. Further, the substrate 101 may be provided by providing a color filter layer, a light scattering layer, a light polarizing layer, or the like on either surface of the substrate.

有機ＥＬ素子１を製造する際には、まず、基板１０１上に第一電極１０２を形成する。
第一電極１０２を形成する材料（陽極形成材料）としては、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の金属複合酸化物を用いることが可能である。また、被膜形成方法としては、ドライコーティング方式を用いることが可能である。
ドライコーティング方式は、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等である。そして、真空製膜された金属酸化物被膜にフォトレジストを塗布して露光・現像し、ウェットエッチングまたはドライエッチングして、パターン状に加工することが可能である。 When manufacturing the organic EL element 1, first, the first electrode 102 is formed on the substrate 101.
As a material (anode forming material) for forming the first electrode 102, for example, a metal composite oxide such as ITO (indium tin composite oxide), IZO (indium zinc composite oxide), zinc aluminum composite oxide, or the like is used. Is possible. As a film forming method, a dry coating method can be used.
Examples of the dry coating method include resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, reactive vapor deposition, ion plating, and sputtering. Then, a photoresist can be applied to the vacuum-formed metal oxide film, exposed and developed, and processed into a pattern by wet etching or dry etching.

パッシブマトリックス方式の有機ＥＬ素子の場合には、陽極（第一電極１０２）は、ストライプ状に形成される。一方、アクティブマトリックス方式の有機ＥＬ素子の場合には、陽極（第一電極１０２）は、ドット状にパターン形成される。
陽極（第一電極１０２）を形成した後、隣接する陽極パターンとの間に、感光性材料を用いて、フォトリソグラフィー法により画素隔壁１０３を形成する。フォトリソグラフィー法により画素隔壁１０３を形成する工程は、少なくとも、感光性樹脂組成物を基板１０１に塗布する工程と、パターン露光、現像、焼成して画素隔壁パターンを形成する工程を有する。 In the case of a passive matrix organic EL element, the anode (first electrode 102) is formed in a stripe shape. On the other hand, in the case of an active matrix organic EL element, the anode (first electrode 102) is patterned in a dot shape.
After forming the anode (first electrode 102), a pixel partition wall 103 is formed between the adjacent anode patterns by a photolithography method using a photosensitive material. The step of forming the pixel partition 103 by the photolithography method includes at least a step of applying a photosensitive resin composition to the substrate 101 and a step of forming a pixel partition pattern by pattern exposure, development, and baking.

画素隔壁１０３を形成する感光性樹脂材料としては、例えば、ポジ型レジスト、ネガ型レジストのどちらを用いることも可能であり、市販の材料を用いることが可能であるが、絶縁性を有する必要がある。これは、画素隔壁１０３が十分な絶縁性を有さない場合には、画素隔壁１０３を通じて隣り合う画素電極に電流が流れてしまい、表示不良が発生するためである。また、感光性樹脂材料としては、具体的には、ポリイミド系、アクリル樹脂系、ノボラック樹脂系、フルオレン系といったものを用いることが可能であるが、感光性樹脂材料は、これらに限定するものではない。   As the photosensitive resin material for forming the pixel partition wall 103, for example, either a positive resist or a negative resist can be used, and a commercially available material can be used, but it needs to have insulating properties. is there. This is because when the pixel partition wall 103 does not have sufficient insulation, a current flows through the pixel partition wall 103 to the adjacent pixel electrode, resulting in a display defect. As the photosensitive resin material, specifically, polyimide, acrylic resin, novolac resin, fluorene, and the like can be used. However, the photosensitive resin material is not limited to these. Absent.

上述した感光性樹脂材料の中でも、感光性ポリイミドは、耐熱性、耐溶剤性、低アウトガス等の特性から最も好適である。また、有機ＥＬディスプレイパネルの表示品位向上及び薄膜トランジスタの誤作動防止のため、光遮光性の材料を感光性材料に含有させてもよい。
また、画素隔壁１０３を形成する感光性樹脂は、スピンコーター、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、グラビアコーター等の公知の塗布方法を用いて塗布する。 Among the above-described photosensitive resin materials, photosensitive polyimide is most suitable from the characteristics such as heat resistance, solvent resistance, and low outgas. Further, in order to improve the display quality of the organic EL display panel and prevent the malfunction of the thin film transistor, a light shielding material may be included in the photosensitive material.
The photosensitive resin forming the pixel partition wall 103 is applied using a known coating method such as a spin coater, bar coater, roll coater, die coater, or gravure coater.

次に、パターン露光と現像により、画素隔壁パターンを形成する。
本実施形態の有機ＥＬ素子１では、画素隔壁１０３の膜厚は、所望の絶縁性を確保することが可能であることと、ウェットコーティング法により形成する有機発光媒体層４０１を、均一に成膜することが可能であることを満たす範囲において、任意に選択する。具体的には、画素隔壁１０３の膜厚は、０．１μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内であることが望ましいが、画素隔壁１０３の膜厚は、これに限定されるものではない。
本実施形態では、画素隔壁１０３を形成する工程（画素隔壁形成工程）において、画素隔壁１０３と膜厚調整層を一括形成する。なお、膜厚調整層は、図２中に示す表示領域外周部２０２に形成する。なお、図２中には、有機ＥＬ素子表示領域を、符号「２０１」により示す。 Next, a pixel partition pattern is formed by pattern exposure and development.
In the organic EL element 1 of the present embodiment, the pixel partition wall 103 can have a desired insulating property, and the organic light emitting medium layer 401 formed by a wet coating method can be uniformly formed. It is arbitrarily selected within a range that satisfies what is possible. Specifically, the film thickness of the pixel partition wall 103 is desirably in the range of 0.1 μm to 3.0 μm, but the film thickness of the pixel partition wall 103 is not limited to this.
In the present embodiment, in the step of forming the pixel partition wall 103 (pixel partition wall formation step), the pixel partition wall 103 and the film thickness adjusting layer are collectively formed. Note that the film thickness adjusting layer is formed on the outer peripheral portion 202 of the display area shown in FIG. In FIG. 2, the organic EL element display area is indicated by reference numeral “201”.

膜厚調整層上の発光補助層は、図３中に示すように、膜厚調整層３０３を形成することによって、電気配線３０１上を厚膜に、電気配線３０１間上を薄膜に成膜する。なお、図３中では、膜厚調整層３０３の最も厚膜部の膜厚を「膜厚Ａ」と示し、膜厚調整層３０３の最も薄膜部の膜厚を「膜厚Ｂ」と示す。さらに、図３中では、電気配線保護層を符号「３０２」により示す。
ここで、画素隔壁形成工程とは別に膜厚調整層形成工程を設けることで、表示領域外周部２０２に、任意の膜厚の膜厚調整層３０３を形成することが可能であるが、画素隔壁１０３の膜厚は任意に選択可能であることから、一括成膜条件で必要な膜厚が得られる条件を選定することが望ましい。また、ポジレジスト使用時は、電気配線３０１上への露光条件適正化によって、膜厚Ａ及び膜厚Ｂを、所望の膜厚に成膜することが可能である。ネガレジスト使用時は、露光工程でハーフトーンマスクを用いる等の手法により、膜厚Ａ及び膜厚Ｂを、所望の膜厚に成膜することが可能である。 As shown in FIG. 3, the light emission auxiliary layer on the film thickness adjusting layer forms a film thickness adjusting layer 303 to form a thick film on the electric wiring 301 and a thin film on the electric wiring 301. . In FIG. 3, the film thickness of the thickest film portion of the film thickness adjusting layer 303 is indicated as “film thickness A”, and the film thickness of the thinnest film portion of the film thickness adjusting layer 303 is indicated as “film thickness B”. Further, in FIG. 3, the electrical wiring protective layer is indicated by reference numeral “302”.
Here, by providing the film thickness adjusting layer forming step separately from the pixel barrier rib forming step, the film thickness adjusting layer 303 having an arbitrary film thickness can be formed on the outer peripheral portion 202 of the display region. Since the film thickness of 103 can be arbitrarily selected, it is desirable to select a condition for obtaining a necessary film thickness under the batch film formation conditions. Further, when using a positive resist, the film thickness A and the film thickness B can be formed to desired film thicknesses by optimizing exposure conditions on the electric wiring 301. When using a negative resist, it is possible to form the film thickness A and the film thickness B into desired film thicknesses by a method such as using a halftone mask in the exposure process.

膜厚調整層３０３上の発光補助層を形成する際には、図４中に示すように、膜厚調整層３０３を形成することによっても、電気配線３０１上を厚膜に、電気配線３０１間上を薄膜に成膜することが可能となる。また、図４に示すように、電気配線３０１間に膜厚調整層３０３を形成する場合は、膜厚調整層３０３の膜厚を、電気配線保護層３０２の最表面より厚膜に成膜する必要がある。なお、図４中では、膜厚調整層３０３の膜厚を「膜厚Ｃ」と示す。さらに、図４中では、図３中と同様、電気配線保護層を、符号「３０２」により示す。   When forming the light emission auxiliary layer on the film thickness adjusting layer 303, as shown in FIG. 4, by forming the film thickness adjusting layer 303, the electric wiring 301 is made thick and the electric wiring 301 is connected. It becomes possible to form a thin film on the top. As shown in FIG. 4, when the film thickness adjusting layer 303 is formed between the electric wirings 301, the film thickness adjusting layer 303 is formed to be thicker than the outermost surface of the electric wiring protective layer 302. There is a need. In FIG. 4, the film thickness of the film thickness adjusting layer 303 is indicated as “film thickness C”. Further, in FIG. 4, as in FIG. 3, the electrical wiring protective layer is denoted by reference numeral “302”.

ここで、画素隔壁１０３の膜厚を任意に選定可能であることから、一括成膜条件で必要な膜厚を達成可能な条件を選定することが望ましい。ポジレジスト、ネガレジストの、いずれを使用しても、露光条件の適正化によって、膜厚Ａ及び膜厚Ｂを、所望の膜厚に成膜することが可能である。
上記のように画素隔壁１０３と膜厚調整層３０３を形成した後に、正孔輸送層１０４を形成する。
正孔輸送層１０４を形成する材料としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物等の高分子正孔輸送材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、その他既存の正孔輸送材料を用いることが可能である。 Here, since the film thickness of the pixel partition wall 103 can be arbitrarily selected, it is desirable to select conditions that can achieve a necessary film thickness under the batch film formation conditions. Regardless of whether a positive resist or a negative resist is used, the film thickness A and the film thickness B can be formed to desired film thicknesses by optimizing exposure conditions.
After the pixel partition wall 103 and the film thickness adjusting layer 303 are formed as described above, the hole transport layer 104 is formed.
As a material for forming the hole transport layer 104, for example, polyaniline, polythiophene, polyvinylcarbazole, a polymer hole transport material such as a mixture of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrenesulfonic acid, polythiophene oligomer, and the like. It is possible to use materials and other existing hole transport materials.

上述した正孔輸送層材料を溶解または分散する溶媒としては、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、水等の、単独、または、これらの混合溶剤等を用いることが可能である。
上記の材料を溶媒に溶解もしくは分散させて形成したインキ（塗工液）は、その表面張力を、３５ｍＮ／ｍ以下に調整することが望ましい。これは、インキの表面張力が３５ｍＮ／ｍよりも大きくなると、塗膜を塗布した直後から、その表面張力により液のヨリが発生して、均一な平坦面を損ねるためである。 Solvents that dissolve or disperse the above-described hole transport layer material include xylene, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl acetate, butyl acetate, water, and the like alone or these It is possible to use a mixed solvent or the like.
The ink (coating liquid) formed by dissolving or dispersing the above materials in a solvent preferably has a surface tension adjusted to 35 mN / m or less. This is because, when the surface tension of the ink is greater than 35 mN / m, liquid twist occurs due to the surface tension immediately after the coating film is applied, and the uniform flat surface is damaged.

また、溶媒が水を中心とする場合には、表面張力を下げるために、水に対して１０ｖｏｌ％以上３０ｖｏｌ％以下の範囲内程度のアルコール類を入れることが望ましい。これは、水に対するアルコールの濃度が３０ｖｏｌ％を超えると、水との蒸発速度差からムラが発生しやすくなり、さらに、分散体の凝集等の問題が起こるためである。また、水に対するアルコールの濃度が１０ｖｏｌ％未満であると、表面張力を下げるのに不十分であるためである。以上のような溶媒を用いたインキの濃度は、通常０．０１％以上１０％以下の範囲内程度、好ましくは０．１％以上３％以下の範囲内で固形分を含むように調整される。   When the solvent is mainly water, it is desirable to add alcohol in the range of 10 vol% or more and 30 vol% or less with respect to water in order to lower the surface tension. This is because when the alcohol concentration relative to water exceeds 30 vol%, unevenness is likely to occur due to the difference in evaporation rate with water, and problems such as aggregation of the dispersion occur. Moreover, it is because it is inadequate for lowering | hanging surface tension as the density | concentration of the alcohol with respect to water is less than 10 vol%. The concentration of the ink using the solvent as described above is usually adjusted so as to contain a solid content in the range of 0.01% to 10%, preferably in the range of 0.1% to 3%. .

次に、上記のような溶媒にてインキ化された材料を、ウェットコート法によって基板１０１に塗布する。ここで、ウェットコート法としては、例えば、スピンコート法、バーコート法、ディップコート法、ダイコート法、ロールコート法等の塗布法や、凸版印刷法、インクジェット法、凹版印刷法等の印刷法を用いることが可能である。
上記の手法にて塗布した膜は、速やかに乾燥を行うことが望ましい。ここで、膜の乾燥には、オーブンやホットプレート等、既知の加熱方法のいずれを用いてもよい。また、膜の乾燥には、真空乾燥を用いても良い。 Next, a material inked with the solvent as described above is applied to the substrate 101 by a wet coating method. Here, as the wet coating method, for example, a coating method such as a spin coating method, a bar coating method, a dip coating method, a die coating method, a roll coating method, or a printing method such as a relief printing method, an ink jet method, an intaglio printing method, or the like is used. It is possible to use.
It is desirable that the film applied by the above method is quickly dried. Here, any known heating method such as an oven or a hot plate may be used for drying the film. Further, vacuum drying may be used for drying the film.

また、正孔輸送層１０４の焼成温度は、正孔輸送層１０４がＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリチオフェン／ポリスチレンスルホン酸）の場合、１３０℃以上２３０℃以下の範囲内で加熱することが好ましい。これは、焼成温度が１３０℃未満では、焼成条件としては低温であり、正孔輸送層１０４からの水分の蒸発不足等の問題が懸念され、水分が画素隔壁１０３中に残ると、発光材料が水分により汚染劣化されてしまうためである。また、焼成温度が２３０℃を超えると、焼成条件として高温であり、正孔輸送層１０４が熱劣化してしまう危険があるためである。したがって、正孔輸送層１０４の焼成時間は、水分の蒸発不足、発光効率への影響、生産性等を考慮して決定することが望ましい。また、乾燥する際には、減圧下で乾燥してもよいし、窒素下で乾燥してもよい。   In addition, when the hole transport layer 104 is PEDOT / PSS (polythiophene / polystyrene sulfonic acid), the firing temperature of the hole transport layer 104 is preferably heated within a range of 130 ° C. or higher and 230 ° C. or lower. This is because when the firing temperature is less than 130 ° C., the firing condition is low, and there is a concern about insufficient evaporation of moisture from the hole transport layer 104. If moisture remains in the pixel partition wall 103, the light emitting material is This is because contamination and deterioration are caused by moisture. Further, if the firing temperature exceeds 230 ° C., the firing conditions are high, and the hole transport layer 104 may be thermally deteriorated. Therefore, it is desirable to determine the firing time of the hole transport layer 104 in consideration of insufficient evaporation of moisture, influence on light emission efficiency, productivity, and the like. Moreover, when drying, you may dry under reduced pressure and may dry under nitrogen.

次に、インターレイヤ層１０５を形成する。
インターレイヤ層１０５は、電子ブロック層として働き、有機発光層１０６と正孔輸送層１０４の間に積層することで、素子の発光寿命を向上させることが可能である。通常、インターレイヤ層１０５は、正孔輸送層１０４を被覆するように形成するが、必要に応じてパターニングを行っても良い。
また、インターレイヤ層１０５の材料としては、有機材料では、ポリビニルカルバゾール、または、その誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の、芳香族アミンを含むポリマー等を用いることが可能である。 Next, the interlayer layer 105 is formed.
The interlayer layer 105 functions as an electron blocking layer and can be stacked between the organic light emitting layer 106 and the hole transport layer 104 to improve the light emission lifetime of the element. In general, the interlayer 105 is formed so as to cover the hole transport layer 104, but may be patterned as necessary.
As the material of the interlayer layer 105, organic materials include polyvinyl carbazole or derivatives thereof, polyarylene derivatives having an aromatic amine in the side chain or main chain, arylamine derivatives, triphenyldiamine derivatives, and the like. A polymer containing a group amine can be used.

上記の構造は、熱架橋部位を有していてもよい。この場合、架橋温度以上の温度が加えられることにより架橋し、架橋温度以下では未架橋となる。また、架橋反応が進むと、未架橋時には、溶解または分散していた溶媒に対する溶解または分散性が低下する。
上述したインターレイヤ層１０５の材料として用いることが可能な有機材料は、溶媒に溶解または安定に分散させることにより、有機インターレイヤインキとなる。有機インターレイヤ材料を溶解または分散する溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、テトラリン等の、単独、または、これらの混合溶媒を用いることが可能である。 The above structure may have a thermal crosslinking site. In this case, crosslinking is performed by applying a temperature equal to or higher than the crosslinking temperature, and uncrosslinked below the crosslinking temperature. Further, when the crosslinking reaction proceeds, the solubility or dispersibility in a solvent that has been dissolved or dispersed when uncrosslinked is lowered.
The organic material that can be used as the material of the interlayer layer 105 described above becomes an organic interlayer ink by being dissolved or stably dispersed in a solvent. As a solvent for dissolving or dispersing the organic interlayer material, for example, toluene, xylene, acetone, anisole, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, tetralin, etc. can be used alone or a mixed solvent thereof. .

特に、有機インターレイヤ材料を溶解または分散する溶媒の中でも、トルエン、キシレン、アニソール、テトラリンといった芳香族有機溶媒が、有機インターレイヤ材料の溶解性の面から好適である。また、有機インターレイヤインキには、必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等を添加してもよい。
また、インターレイヤ層１０５を形成するウェットコーティング法としては、例えば、スピンコート法、バーコート法、ディップコート法、ダイコート法、ロールコート法等の塗布法や、凸版印刷法、インクジェット法、凹版印刷法等の印刷法を用いることが可能である。 In particular, among the solvents for dissolving or dispersing the organic interlayer material, aromatic organic solvents such as toluene, xylene, anisole, and tetralin are preferable from the viewpoint of the solubility of the organic interlayer material. Moreover, you may add surfactant, antioxidant, a viscosity modifier, a ultraviolet absorber, etc. to organic interlayer ink as needed.
Examples of the wet coating method for forming the interlayer 105 include spin coating, bar coating, dip coating, die coating, roll coating, and other coating methods, letterpress printing, ink jet printing, and intaglio printing. It is possible to use a printing method such as a method.

上記の手法にて塗布した膜は、速やかに乾燥を行うことが望ましい。ここで、膜の乾燥には、オーブンやホットプレート等の既知の加熱方法のいずれを用いてもよい。また、膜の乾燥には、真空乾燥を用いても良い。
正孔輸送層１０４及びインターレイヤ層１０５の形成に、上記の塗布法を用いた場合、表示領域外周部２０２を含む基板１０１の全面に、正孔輸送層１０４及びインターレイヤ層１０５が成膜されるため、表示領域に成膜された発光補助層を除去する必要がある。
この場合、有機発光補助層の成膜後に、表示領域外周部２０２の有機膜を除去することが望ましいが、有機発光層１０６の形成後に、除去工程を設けてもよい。また、処理時間を考慮すると、表示領域外周部２０２における除去が必要な領域のみを処理することが望ましいが、表示領域以外の全領域を除去処理してもよい。ここで、除去手法としては、レーザーアブレーション法、酸素プラズマ洗浄法、ＵＶオゾン洗浄法等を用いることが可能である。 It is desirable that the film applied by the above method is quickly dried. Here, any known heating method such as an oven or a hot plate may be used for drying the film. Further, vacuum drying may be used for drying the film.
When the above-described coating method is used to form the hole transport layer 104 and the interlayer layer 105, the hole transport layer 104 and the interlayer layer 105 are formed on the entire surface of the substrate 101 including the display region outer peripheral portion 202. Therefore, it is necessary to remove the light emission auxiliary layer formed in the display region.
In this case, it is desirable to remove the organic film on the display region outer peripheral portion 202 after the formation of the organic light emitting auxiliary layer, but a removal step may be provided after the formation of the organic light emitting layer 106. In consideration of the processing time, it is desirable to process only the area that needs to be removed in the display area outer periphery 202, but the entire area other than the display area may be removed. Here, as a removing method, a laser ablation method, an oxygen plasma cleaning method, a UV ozone cleaning method, or the like can be used.

次に、有機発光層１０６を形成する。
有機発光層１０６は、電流を通すことにより発光する層である。
有機発光層１０６を形成する有機発光材料としては、例えば、クマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、Ｎ，Ｎ’―ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系等の発光性色素を、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系、ポリフェニレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料を用いることが可能である。 Next, the organic light emitting layer 106 is formed.
The organic light emitting layer 106 is a layer that emits light by passing a current.
Examples of the organic light emitting material for forming the organic light emitting layer 106 include, for example, coumarin, perylene, pyran, anthrone, porphyrene, quinacridone, N, N′-dialkyl-substituted quinacridone, naphthalimide, N, N '-Diaryl-substituted pyrrolopyrrole, iridium complex and other luminescent dyes dispersed in polymers such as polystyrene, polymethyl methacrylate, polyvinylcarbazole, polyarylene, polyarylene vinylene, polyphenylene vinylene Alternatively, a polyfluorene-based polymer material can be used.

上記の有機発光材料は、溶媒に溶解または安定に分散させることにより、有機発光インキとなる。また、有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の、単独、または、これらの混合溶媒を用いることが可能である。
特に、有機発光材料を溶解または分散する溶媒の中でも、トルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶剤が、有機発光材料の溶解性の面から好適である。また、有機発光インキには、必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等を添加してもよい。
本発明においては、有機発光層１０６は、凸版印刷法を用いて形成されることが望ましい。 Said organic luminescent material becomes organic luminescent ink by melt | dissolving or disperse | distributing stably to a solvent. In addition, as a solvent for dissolving or dispersing the organic light emitting material, it is possible to use toluene, xylene, acetone, anisole, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, etc. alone or a mixed solvent thereof.
In particular, among the solvents for dissolving or dispersing the organic light emitting material, aromatic organic solvents such as toluene, xylene, and anisole are preferable from the viewpoint of the solubility of the organic light emitting material. Moreover, you may add surfactant, antioxidant, a viscosity modifier, a ultraviolet absorber, etc. to organic luminescent ink as needed.
In the present invention, the organic light emitting layer 106 is preferably formed using a relief printing method.

以下、凸版印刷法について詳細に説明する。
有機発光媒体層４０１の一部または全ての形成に用いることが可能な凸版印刷法の版としては、水現像タイプの樹脂凸版を用いることが好ましい。このような樹脂版を構成する水現像タイプの感光性樹脂としては、例えば、親水性のポリマーと不飽和結合を含むモノマー、いわゆる、架橋性モノマー及び光重合開始剤を構成要素とするタイプを用いることが可能である。このタイプでは、親水性ポリマーとしてポリアミド、ポリビニルアルコール、セルロース誘導体等が用いられる。 Hereinafter, the relief printing method will be described in detail.
As a relief printing plate that can be used for forming part or all of the organic light emitting medium layer 401, it is preferable to use a water development type resin relief plate. As the water-developing type photosensitive resin constituting such a resin plate, for example, a type including a monomer containing a hydrophilic polymer and an unsaturated bond, a so-called crosslinkable monomer and a photopolymerization initiator as constituent elements is used. It is possible. In this type, polyamide, polyvinyl alcohol, cellulose derivatives and the like are used as hydrophilic polymers.

また、架橋性モノマーとしては、例えば、ビニル結合を有するメタクリレート類を用いることが可能である。また、光重合開始剤としては、例えば、芳香族カルボニル化合物を用いることが可能である。
上記の中でも、印刷適性の面から、ポリアミド系の水現像タイプの感光性樹脂が好適である。これは、印刷版の凸部（画線部）は、数十μｍの高さであり、さらに、弾性を有し、被印刷基板の画素隔壁は数μｍであるため、画素隔壁１０３を十分に乗り越えて印刷を行うことが可能となるためである。
有機発光媒体層４０１の一部または全ての形成に用いる印刷機は、被印刷基板として平板を用いる方式の凸版印刷機であれば使用可能であるが、図５中に示すような印刷機が望ましい。 In addition, as the crosslinkable monomer, for example, methacrylates having a vinyl bond can be used. Moreover, as a photoinitiator, it is possible to use an aromatic carbonyl compound, for example.
Among the above, from the viewpoint of printability, a polyamide-based water development type photosensitive resin is preferable. This is because the convex part (image line part) of the printing plate has a height of several tens of μm, and further has elasticity, and the pixel partition of the substrate to be printed is several μm. This is because it is possible to overcome the printing.
A printing machine used for forming part or all of the organic light emitting medium layer 401 can be used as long as it is a relief printing machine using a flat plate as a substrate to be printed. However, a printing machine as shown in FIG. 5 is desirable. .

図５中に示すように、凸版印刷機１０（製造装置）は、アニロックスロール７０１と、ドクターブレード７０２と、版胴７０５と、基板固定台（ステージ）７０６と、インキチャンバー７０８を備えている。
アニロックスロール７０１は、インキチャンバー７０８のインキ供給部及び版胴７０５に接して回転するようになっている。
版胴７０５には、クッションテープ７０３を介して、樹脂凸版７０４が取り付けられている。 As shown in FIG. 5, the relief printing machine 10 (manufacturing apparatus) includes an anilox roll 701, a doctor blade 702, a plate cylinder 705, a substrate fixing base (stage) 706, and an ink chamber 708.
The anilox roll 701 rotates in contact with the ink supply unit of the ink chamber 708 and the plate cylinder 705.
A resin relief plate 704 is attached to the plate cylinder 705 via a cushion tape 703.

インキチャンバー７０８には、有機発光媒体インキが収容されている。
そして、凸版印刷機１０を用いて有機発光層１０６を形成する際には、アニロックスロール７０１の回転に伴い、インキチャンバー７０８から供給された有機発光媒体インキを、ドクターブレード７０２によってアニロックスロール７０１の表面へ均一に保持する。その後、アニロックスロール７０１の表面へ均一に保持した有機発光媒体インキを、版胴７０５に取り付けた樹脂凸版７０４の凸部に、均一な膜厚で転移させる。 The ink chamber 708 contains an organic light emitting medium ink.
When the organic light emitting layer 106 is formed using the relief printing press 10, the organic light emitting medium ink supplied from the ink chamber 708 with the rotation of the anilox roll 701 is transferred to the surface of the anilox roll 701 by the doctor blade 702. Hold evenly. Thereafter, the organic light emitting medium ink uniformly held on the surface of the anilox roll 701 is transferred to the convex portions of the resin relief plate 704 attached to the plate cylinder 705 with a uniform film thickness.

さらに、基板固定台（ステージ）７０６上に固定した被印刷基板７０７を、版のパターンと被印刷基板７０７のパターンの位置調整機構（図示せず）により、位置調整しながら印刷開始位置まで移動させる。そして、版胴７０５の回転に合わせて、樹脂凸版７０４の凸部を被印刷基板７０７に接触させながらさらに移動させ、被印刷基板７０７の所定位置にインキを転移させて、有機発光層１０６をパターニングする。
上記の手順で有機発光層１０６を形成した後、陰極となる第二電極１０７を形成する。
第二電極１０７の材料としては、例えば、有機発光層１０６への電子注入効率の高い物質を用いる。具体的には、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂ等の金属単体を用いてもよく、また、発光媒体と接する界面にＬｉや酸化Ｌｉ，ＬｉＦ等の化合物を１ｎｍ程度挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層して用いてもよい。 Further, the printing substrate 707 fixed on the substrate fixing base (stage) 706 is moved to the printing start position while adjusting the position by the position adjustment mechanism (not shown) of the plate pattern and the pattern of the printing substrate 707. . Then, in accordance with the rotation of the plate cylinder 705, the convex portion of the resin relief plate 704 is further moved while being in contact with the substrate to be printed 707, the ink is transferred to a predetermined position of the substrate to be printed 707, and the organic light emitting layer 106 is patterned. To do.
After forming the organic light emitting layer 106 by the above procedure, the second electrode 107 serving as a cathode is formed.
As a material of the second electrode 107, for example, a substance having high electron injection efficiency into the organic light emitting layer 106 is used. Specifically, simple metals such as Mg, Al, and Yb may be used, and a compound such as Li, oxidized Li, and LiF is sandwiched by about 1 nm at the interface in contact with the light emitting medium, and the stability and conductivity are high. Al or Cu may be laminated and used.

また、第二電極１０７の材料としては、例えば、電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ等の金属１種以上と、安定なＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属元素との合金系を用いてもよい。具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いることが可能である。
また、第二電極１０７を透光性電極層として利用する場合には、仕事関数が低いＬｉ、Ｃａを薄く設けた後に、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の金属複合酸化物を積層してもよく、前記有機発光層１０５に、仕事関数が低いＬｉ，Ｃａ等の金属を少量ドーピングして、ＩＴＯ等の金属酸化物を積層してもよい。 The material of the second electrode 107 is, for example, Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, Yb, etc., which have a low work function in order to achieve both electron injection efficiency and stability. An alloy system of one or more of these metals and a stable metal element such as Ag, Al, or Cu may be used. Specifically, an alloy such as MgAg, AlLi, or CuLi can be used.
When the second electrode 107 is used as a translucent electrode layer, a thin work piece of Li or Ca having a low work function is provided, and then ITO (indium tin composite oxide), indium zinc composite oxide, or zinc aluminum composite is used. A metal composite oxide such as an oxide may be stacked, and a metal oxide such as ITO may be stacked in the organic light emitting layer 105 by doping a small amount of a metal such as Li or Ca having a low work function. .

第二電極１０７の形成方法としては、上述した材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることが可能である。
また、第二電極１０７の厚さには、特に制限はないが、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内程度が望ましい。これは、第二電極１０７の膜厚が１０ｎｍ未満であると、膜のピンホールが十分に埋められずに、ショートの原因となるためである。また、第二電極１０７の膜厚が１０００ｎｍよりも大きいと、製膜時間が長くなり、生産性が悪くなるためである。なお、第二電極１０７は、成膜時に所望のパターンで作製されたマスクを用いることでパターンニングすることが可能である。 As a method for forming the second electrode 107, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method can be used depending on the above-described materials.
Further, the thickness of the second electrode 107 is not particularly limited, but is preferably in the range of 10 nm to 1000 nm. This is because if the film thickness of the second electrode 107 is less than 10 nm, the pinholes in the film are not sufficiently filled, causing a short circuit. Further, if the film thickness of the second electrode 107 is larger than 1000 nm, the film forming time becomes long and the productivity is deteriorated. Note that the second electrode 107 can be patterned by using a mask formed in a desired pattern during film formation.

上述したように、第一電極１０２と、画素隔壁１０３と、正孔輸送層１０４と、インターレイヤ層１０５と、有機発光層１０６と、第二電極１０７を形成した後、これらの有機ＥＬ構成体（基板１０１、第一電極１０２、画素隔壁１０３、正孔輸送層１０４、インターレイヤ層１０５、有機発光層１０６、第二電極１０７）を、外部の酸素や水分から保護するために、封止体１０８を用いて封止する。
封止体１０８を形成する方法としては、例えば、凹部を有する封止キャップ１０８ａを用い、封止キャップ１０８ａと基板１０１を、接着剤１０８ｃを介して貼り合わせる方法を用いることが可能である。この方法を用いる場合、有機発光補助層の除去処理後の接着代部で貼り合わせる。また、封止キャップ１０８ａと基板１０１で密封した空間には、乾燥剤１０８ｂを配置することが可能である。 As described above, after forming the first electrode 102, the pixel partition wall 103, the hole transport layer 104, the interlayer layer 105, the organic light emitting layer 106, and the second electrode 107, these organic EL constituents are formed. In order to protect (the substrate 101, the first electrode 102, the pixel partition wall 103, the hole transport layer 104, the interlayer layer 105, the organic light emitting layer 106, the second electrode 107) from external oxygen and moisture, a sealing body 108 is used for sealing.
As a method for forming the sealing body 108, for example, a sealing cap 108a having a concave portion can be used, and the sealing cap 108a and the substrate 101 can be bonded together with an adhesive 108c. When this method is used, bonding is performed at the bonding margin after the removal treatment of the organic light emitting auxiliary layer. In addition, a desiccant 108 b can be placed in a space sealed by the sealing cap 108 a and the substrate 101.

封止キャップ１０８ａとしては、例えば、金属キャップ、ガラスキャップを用いることが可能である。
接着剤１０８ｃとしては、例えば、エステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、メラミンアクリレート、アクリル樹脂アクリレート等のアクリレート、ウレタンポリエステル等の樹脂を用いたラジカル系接着剤や、エポキシ、ビニルエーテル等の樹脂を用いたカチオン系接着剤、チオール・エン付加型樹脂系接着剤等の光硬化型樹脂、または、熱硬化型樹脂を用いることが可能である。また、接着剤１０８ｃとしては、例えば、ＵＶ硬化型エポキシ系接着剤を用いることが可能である。 As the sealing cap 108a, for example, a metal cap or a glass cap can be used.
As the adhesive 108c, for example, radical adhesives using resins such as acrylates such as ester acrylates, urethane acrylates, epoxy acrylates, melamine acrylates and acrylic resin acrylates, urethane polyesters, and resins such as epoxies and vinyl ethers were used. Photo-curing resins such as cationic adhesives, thiol / ene-added resin adhesives, or thermosetting resins can be used. Moreover, as the adhesive 108c, for example, a UV curable epoxy adhesive can be used.

乾燥剤１０８ｂとしては、酸化バリウムや酸化カルシウムを用いることが可能である。
また、この他にも、有機ＥＬ構成体にバリア層を形成し、バリア層を封止体とすることも可能である。このとき、バリア層としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素等を用いることが可能であり、これらは、ＣＶＤ法等の真空成膜法により有機ＥＬ構成体全面を覆うように形成される。また、バリア層が形成された有機ＥＬ素子１は、接着層を介して封止基板と貼りあわせ、これらを封止体とすることも可能である。 As the desiccant 108b, barium oxide or calcium oxide can be used.
In addition to this, it is also possible to form a barrier layer on the organic EL structure and use the barrier layer as a sealing body. At this time, for example, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride or the like can be used as the barrier layer, and these are formed so as to cover the entire surface of the organic EL structure by a vacuum film forming method such as a CVD method. Is done. Moreover, the organic EL element 1 in which the barrier layer is formed can be attached to a sealing substrate through an adhesive layer, and these can be used as a sealing body.

（第一実施形態の効果）
以下、本実施形態の効果を列挙する。
（１）有機エレクトロルミネッセンス素子の表示領域の、外周部の除去必要領域上において、公知の有機膜除去技術を用いた際に焼損されやすい電気配線３０１上（詳細には、電気配線保護層３０２上）と電気配線３０１間で、発光補助層４００に所望の膜厚差を有する状態で、発光補助層４００の成膜が可能となる（電気配線３０１上の発光補助層４００が、厚膜に成膜される）。これにより、公知の有機膜除去技術を用いた場合においても、電気配線３０１上の発光補助層４００を焼損なく除去可能となる単一条件を用いて、除去必要領域上に成膜された発光補助層３００の除去処理が可能となる。このため、封止密閉性を損なうことなく、有機ＥＬディスプレイパネルを製造することが可能となる。 (Effects of the first embodiment)
The effects of this embodiment are listed below.
(1) On the electric wiring 301 that is easily burnt when using a known organic film removal technique on the area where the outer peripheral portion of the display area of the organic electroluminescence element needs to be removed (specifically, on the electric wiring protective layer 302) ) And the electrical wiring 301, the light emission auxiliary layer 400 can be formed in a state where the light emission auxiliary layer 400 has a desired film thickness difference (the light emission auxiliary layer 400 on the electric wiring 301 is formed into a thick film. Filmed). As a result, even when a known organic film removal technique is used, the light emission assist layer formed on the region that needs to be removed using a single condition that allows the light emission assist layer 400 on the electrical wiring 301 to be removed without burning. The removal process of the layer 300 becomes possible. For this reason, it becomes possible to manufacture an organic EL display panel without impairing sealing hermeticity.

（２）除去必要領域上の発光補助層４００を適正に除去することが可能となることにより、公知のウェットコーティング法を用いて、表示領域に発光補助層４００を均一に一括形成することが可能となる。そのため、発光ムラのない高品位な有機ＥＬ素子１を製造することが可能となる。
（３）膜厚調整層３０３を、表示領域内に形成する画素隔壁１０３と同工程で形成することが可能であるため、製造工程の増加や複雑化を抑制することが可能となる。 (2) By properly removing the light emission auxiliary layer 400 on the area where removal is necessary, it is possible to uniformly form the light emission auxiliary layer 400 in the display area using a known wet coating method. It becomes. Therefore, it is possible to manufacture a high-quality organic EL element 1 with no light emission unevenness.
(3) Since the film thickness adjusting layer 303 can be formed in the same process as the pixel partition wall 103 formed in the display region, it is possible to suppress an increase in manufacturing process and complexity.

以下、本発明の実施例（以下、「本発明例」と記載する場合がある）について、図１から図５を参照しつつ、図６から図９を用いるとともに、比較例に基づく比較結果を用いて説明する。なお、以下に、本発明例及び比較例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
（実施例１）
・被印刷基板７０７の作製工程
まず、基板である無アルカリガラス上に、回路層として、シリコンと、ＩＴＯ等の水に不溶な金属及び金属酸化物と、金属窒化物とからなるＴＦＴ回路が形成された基板を準備した。回路用配線はＡｌで形成し、膜厚は４００ｎｍとした。 Hereinafter, examples of the present invention (hereinafter sometimes referred to as “examples of the present invention”) will be described with reference to FIGS. 1 to 5 and FIGS. 6 to 9 and comparison results based on comparative examples. It explains using. In addition, although the example of this invention and a comparative example are shown below, this invention is not limited to this.
Example 1
-Manufacturing process of printed substrate 707 First, a TFT circuit made of silicon, water-insoluble metal such as ITO, metal oxide, and metal nitride is formed on a non-alkali glass substrate as a circuit layer. A prepared substrate was prepared. The circuit wiring was made of Al, and the film thickness was 400 nm.

次に、ＴＦＴ回路が形成された基板上に、感光性樹脂を用いて画素隔壁１０３を形成した。具体的には、まず、ＴＦＴ回路が形成された基板を、純水、ブラシ洗浄、超音波洗浄等のウェットプロセスによる洗浄を行った後に、ポジ型感光性ポリイミドを全面スピンコートした。ここで、スピンコート成膜後の感光性材料の膜厚は、画素隔壁部において２．５μｍとなる条件を選定した。そして、スピンコート成膜後、１２０℃の温度で５分間、プレベークを行った。さらに、プレベーク後の基板に対し、フォトマスクを介し、ｉ線ステッパーを用いて１００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光した後、２．３８％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて４０秒間の現像処理を行った。その後、２３０℃で６０分間焼成することで、膜厚２．３μｍの画素隔壁１０３を形成した。 Next, a pixel partition 103 was formed using a photosensitive resin on the substrate on which the TFT circuit was formed. Specifically, first, the substrate on which the TFT circuit was formed was cleaned by a wet process such as pure water, brush cleaning, and ultrasonic cleaning, and then positive photosensitive polyimide was spin coated on the entire surface. Here, the film thickness of the photosensitive material after the spin coat film formation was selected to be 2.5 μm at the pixel partition wall. Then, after the spin coat film formation, prebaking was performed at a temperature of 120 ° C. for 5 minutes. Further, the pre-baked substrate was exposed through a photomask at an exposure amount of 100 mJ / cm 2 using an i-line stepper, and then developed with a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 40 seconds. Went. Thereafter, the pixel partition wall 103 having a film thickness of 2.3 μm was formed by baking at 230 ° C. for 60 minutes.

膜厚調整層３０３は、上記の画素隔壁形成工程において、画素隔壁１０３と一括形成した（図３参照）。画素隔壁１０３の形成に用いたフォトマスクは、電気配線３０１上の開口部をハーフトーンとすることによって、電気配線３０１上の膜厚を制御した。膜厚調整層３０３の膜厚は、電気配線３０１間の保護層最表面から、２．２μｍ（図３中の膜厚Ａ）である最大値の膜厚と、電気配線３０１上の保護層最表面から、０．８μｍ（図３中の膜厚Ｂ）である最小値の膜厚を含むものとなった。
次に、基板全面にダイコート法にて正孔輸送層材料を成膜した後、１８０℃で１５分焼成することにより正孔輸送層１０４を形成した。焼成後の発光画素内の膜厚は４０ｎｍとなった。膜厚調整層３０３上の膜厚は、電気配線３０１間に形成された膜厚調整層３０３の最表面からの膜厚は３１ｎｍ、電気配線３０１上に形成された膜厚調整層３０３の最表面からの膜厚は４８ｎｍとなった。 The film thickness adjusting layer 303 was formed together with the pixel partition 103 in the above-described pixel partition formation process (see FIG. 3). In the photomask used for forming the pixel partition wall 103, the film thickness on the electric wiring 301 was controlled by making the opening on the electric wiring 301 a halftone. The thickness of the film thickness adjusting layer 303 is 2.2 μm (film thickness A in FIG. 3) from the outermost surface of the protective layer between the electric wirings 301 and the uppermost protective layer on the electric wiring 301. From the surface, a minimum film thickness of 0.8 μm (film thickness B in FIG. 3) was included.
Next, after forming a hole transport layer material on the entire surface of the substrate by a die coating method, the hole transport layer 104 was formed by baking at 180 ° C. for 15 minutes. The film thickness in the luminescent pixel after firing was 40 nm. The film thickness on the film thickness adjusting layer 303 is 31 nm from the outermost surface of the film thickness adjusting layer 303 formed between the electric wires 301, and the outermost surface of the film thickness adjusting layer 303 formed on the electric wire 301. The film thickness from is 48 nm.

次に、基板全面にダイコート法にてインターレイヤ材料を成膜した後、２００℃で１時間焼成することにより、インターレイヤ層１０５を形成した。焼成後の発光画素内の膜厚は３３ｎｍとなった。
電気配線３０１間に形成された膜厚調整層３０３上の正孔輸送層１０４の最表面からの膜厚は２７ｎｍ、電気配線３０１上に形成された正孔輸送層１０４の最表面からの膜厚は４０ｎｍとなった。これによって、膜厚調整層３０３上に形成された発光補助層４００は、電気配線３０１間で４８ｎｍ（図６中に示す膜厚Ｄ）、電気配線３０１上で８８ｎｍ（図６中に示す膜厚Ｅ）となった。
さらに、表示領域外周部に成膜された発光補助層４００を、レーザーアブレーション法により除去することで、被印刷基板７０７を作製した。 Next, after an interlayer material was formed on the entire surface of the substrate by a die coating method, the interlayer layer 105 was formed by baking at 200 ° C. for 1 hour. The film thickness in the luminescent pixel after firing was 33 nm.
The film thickness from the outermost surface of the hole transport layer 104 on the film thickness adjusting layer 303 formed between the electric wirings 301 is 27 nm, and the film thickness from the outermost surface of the hole transport layer 104 formed on the electric wiring 301. Was 40 nm. Thus, the light emission auxiliary layer 400 formed on the film thickness adjusting layer 303 is 48 nm (the film thickness D shown in FIG. 6) between the electric wirings 301 and 88 nm (the film thickness shown in FIG. 6) on the electric wirings 301. E).
Further, the light emitting auxiliary layer 400 formed on the outer peripheral portion of the display region was removed by a laser ablation method, whereby a printed substrate 707 was manufactured.

・有機発光層形成用インキの作製工程
赤色、緑色、青色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の三色からなる以下の高分子有機発光インキを、キシレンに溶解して調整した。
赤色発光インキ（Ｒ）は、ポリフルオレン系誘導体のキシレン１ｗｔ％溶液（住友化学社製赤色発光材料、商品名Ｒｅｄ１１００）である。
緑色発光インキ（Ｇ）は、ポリフルオレン系誘導体のキシレン１ｗｔ％溶液（住友化学社製緑色発光材料、商品名Ｇｒｅｅｎ１３００）である。
青色発光インキ（Ｂ）は、ポリフルオレン系誘導体のキシレン１ｗｔ％溶液（住友化学社製青色発光材料、商品名Ｂｌｕｅ１１００）である。 -Preparation process of the organic light emitting layer forming ink The following polymer organic light emitting inks consisting of three colors of red, green, and blue (R, G, B) were dissolved in xylene and adjusted.
The red light emitting ink (R) is a xylene 1 wt% solution of a polyfluorene derivative (red light emitting material manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name Red 1100).
The green light emitting ink (G) is a 1 wt% xylene solution of a polyfluorene derivative (green light emitting material, trade name Green 1300, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.).
The blue light-emitting ink (B) is a 1 wt% xylene solution of a polyfluorene derivative (blue light-emitting material manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name Blue 1100).

・樹脂凸版７０４の作製工程
厚さ２５０μｍの４２ニッケル材を、感光性樹脂を用いて形成した樹脂凸版７０４の基材とし、この基材の上に、黒色顔料を混錬したアクリルバインダー樹脂溶液を、乾燥膜厚が１０μｍとなるように塗布して乾燥して、反射防止層を形成した。
次に、水溶性ポリアミドを主成分とし、ラジカル重合性モノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサキスアクリレート、光重合開始剤として２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製）を混錬した感光性樹脂組成物が、上述した基材の表面に版材の総厚が３１０μｍとなるように溶融塗工したものを感光性樹脂層とし、さらに、ポリビニルアルコール溶液を乾燥膜厚が１μｍとなるように塗布したポリエチレンテレフタレートフィルム（フィルム厚み１２５μｍ：帝人デュポンフィルム社製）をラミネートした。これにより、感光性樹脂凸版を作製した。
そして、合成石英基材のクロムマスクを樹脂凸版７０４のパターンの原版とし、このマスクをプロキシミティ露光装置にセットして感光性樹脂凸版を露光することで、所望のパターンが形成された樹脂凸版７０４を作製した。 -Production process of resin relief plate 704 A 42-nickel material having a thickness of 250 μm is used as a base material of resin relief plate 704 formed using a photosensitive resin, and an acrylic binder resin solution kneaded with a black pigment is formed on the base material. The antireflection layer was formed by applying and drying so that the dry film thickness was 10 μm.
Next, the main component is water-soluble polyamide, dipentaerythritol hexakisacrylate as a radical polymerizable monomer, and 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one (Ciba Specialty Chemicals) as a photopolymerization initiator. A photosensitive resin composition obtained by kneading the photosensitive resin composition on the surface of the base material described above so that the total thickness of the plate material is 310 μm, and then drying the polyvinyl alcohol solution. A polyethylene terephthalate film (film thickness 125 μm, manufactured by Teijin DuPont Films) coated so as to have a film thickness of 1 μm was laminated. Thereby, a photosensitive resin relief printing plate was produced.
Then, the chromium mask of the synthetic quartz substrate is used as the original plate of the pattern of the resin relief plate 704, and this mask is set in a proximity exposure apparatus to expose the photosensitive resin relief plate, whereby the resin relief plate 704 on which a desired pattern is formed. Was made.

・有機発光層形成用インキの印刷工程
図５中に示す凸版印刷機１０を用い、枚葉式印刷装置の版胴７０５に、クッションテープ７０３を介して樹脂凸版７０４を固定し、高分子有機発光インキをインキチャンバー７０８に供給し、アニロックスロール７０１を回転させることで、全面にインキングした。ここで、アニロックスロール７０１としては、６００ライン／インチ、容積１１ｃｃのアニロックスロールを使用した。 ・ Printing process of organic light emitting layer forming ink Using the relief printing machine 10 shown in FIG. 5, the resin relief 704 is fixed to the plate cylinder 705 of the sheet-fed printing device via the cushion tape 703, and polymer organic light emission is performed. Ink was supplied to the ink chamber 708 and the anilox roll 701 was rotated to ink the entire surface. Here, as the anilox roll 701, an anilox roll having 600 lines / inch and a volume of 11 cc was used.

その後、アニロックスロール７０１上の余剰インキをドクターブレード７０２でかき取り、樹脂凸版７０４の凸パターン部にインキングした。
上記のようにインキングされた樹脂凸版７０４上の有機発光層インキを、被印刷基板７０７に、凸版印刷装置１０にて、基板上の画素長辺方向に画素内を埋めるように１ラインずつ、計３ライン形成した。成膜後に１３０℃で１時間焼成した結果、各ラインの有機発光層１０６の膜厚は、平均で７０ｎｍとなった。 Thereafter, excess ink on the anilox roll 701 was scraped off with a doctor blade 702 and inked into the convex pattern portion of the resin relief plate 704.
The organic light emitting layer ink on the resin relief printing plate 704 inked as described above is printed on the printed substrate 707 line by line so that the inside of the pixel is filled in the pixel long side direction on the substrate by the relief printing apparatus 10. A total of 3 lines were formed. As a result of baking at 130 ° C. for 1 hour after film formation, the film thickness of the organic light emitting layer 106 in each line was 70 nm on average.

次に、印刷膜上へ、Ｃａ及びＡｌからなる陰極材料を、画素部のみに蒸着されるようにマスク蒸着することで、膜厚５００ｎｍの第二電極１０７を形成した。最後に、これらの有機ＥＬ構成体を、外部の酸素や水分から保護するために、ガラスキャップとエポキシ系の接着剤を用いて形成した封止体１０８を用いて密閉封止し、有機ＥＬ素子１を作製した。
上記のように作製した有機ＥＬ素子１の表示領域の周辺部には、各画素電極に接続される陽極側の取り出し電極と、陰極側の取り出し電極があり、これらを電源に接続することにより有機ＥＬディスプレイパネルを得た。 Next, the second electrode 107 having a film thickness of 500 nm was formed on the printed film by mask vapor deposition of a cathode material made of Ca and Al so as to be deposited only on the pixel portion. Finally, in order to protect these organic EL components from external oxygen and moisture, the organic EL element is hermetically sealed using a sealing body 108 formed using a glass cap and an epoxy adhesive. 1 was produced.
In the peripheral part of the display area of the organic EL element 1 produced as described above, there are an anode-side extraction electrode and a cathode-side extraction electrode connected to each pixel electrode. An EL display panel was obtained.

（実施例２）
実施例２では、膜厚調整層３０３を、有機膜除去領域の電気配線３０１間に、実施例１に記載した画素隔壁形成工程と同様に一括形成した（図４参照）。ここで、スピンコート成膜後の感光性材料の膜厚は、画素隔壁部において２．５μｍとなる条件を選定した。そして、成膜後に１２０℃で５分間のプレベークを行った。
そして、プレベーク後の基板に対し、フォトマスクを介し、ｉ線ステッパーを用いて１００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光した後、現像処理を行った。その後、２３０℃で６０分間焼成することで、膜厚２．３μｍの画素隔壁１０３を形成した。一括形成した膜厚調整層３０３の膜厚は、電気配線３０１間に形成した保護層の最表面から、２．４μｍ（図４中の膜厚Ｃ）となった。なお、電気配線３０１上には膜厚調整層３０３は形成されない。 (Example 2)
In Example 2, the film thickness adjusting layer 303 was collectively formed between the electrical wirings 301 in the organic film removal region in the same manner as the pixel partition wall forming process described in Example 1 (see FIG. 4). Here, the film thickness of the photosensitive material after the spin coat film formation was selected to be 2.5 μm at the pixel partition wall. And after film-forming, the prebaking for 5 minutes was performed at 120 degreeC.
Then, the pre-baked substrate was exposed at an exposure amount of 100 mJ / cm 2 using an i-line stepper through a photomask, and then developed. Thereafter, the pixel partition wall 103 having a film thickness of 2.3 μm was formed by baking at 230 ° C. for 60 minutes. The film thickness adjustment layer 303 formed in a lump was 2.4 μm (film thickness C in FIG. 4) from the outermost surface of the protective layer formed between the electrical wirings 301. Note that the film thickness adjusting layer 303 is not formed on the electric wiring 301.

その後、図７中に成膜形状を示すように、ダイコート法にて、正孔輸送層１０４及びインターレイヤ層１０５を、実施例１と同様の工程で形成した。
正孔輸送層１０４の膜厚は、焼成後の発光画素内では４０ｎｍ、電気配線３０１間に形成された膜厚調整層３０３の最表面から２８ｎｍ、電気配線３０１上に形成された膜厚調整層３０３の最表面から６２ｎｍとなった。
インターレイヤ層１０５の膜厚は、焼成後の発光画素内では３３ｎｍ、電気配線３０１間に形成された膜厚調整層３０３上の正孔輸送層１０４の最表面から２４ｎｍ、電気配線３０１上に形成された正孔輸送層１０４の最表面から５２ｎｍとなった。これによって、膜厚調整層３０３上に形成された発光補助層４００は、電気配線３０１間で５２ｎｍ（図７中に示す膜厚Ｆ）、電気配線３０１上で１１４ｎｍ（図７中に示す膜厚Ｇ）となった。そして、インターレイヤ層１０５の形成後は、実施例１に記載の工程を実施することで、有機ＥＬディスプレイを得た。 Thereafter, as shown in FIG. 7, the hole transport layer 104 and the interlayer layer 105 were formed by the same process as in Example 1 by a die coating method.
The film thickness of the hole transport layer 104 is 40 nm in the luminescent pixel after firing, 28 nm from the outermost surface of the film thickness adjustment layer 303 formed between the electric wirings 301, and the film thickness adjustment layer formed on the electric wirings 301. It was 62 nm from the outermost surface of 303.
The film thickness of the interlayer layer 105 is 33 nm in the light-emitting pixel after firing, and is formed on the electric wiring 301 by 24 nm from the outermost surface of the hole transport layer 104 on the film thickness adjusting layer 303 formed between the electric wirings 301. The thickness was 52 nm from the outermost surface of the hole transport layer 104 formed. Thus, the light emission auxiliary layer 400 formed on the film thickness adjusting layer 303 is 52 nm (the film thickness F shown in FIG. 7) between the electric wirings 301 and 114 nm (the film thickness shown in FIG. 7) on the electric wirings 301. G). And after formation of the interlayer layer 105, the process as described in Example 1 was implemented, and the organic EL display was obtained.

（実施例の評価）
実施例１及び実施例２で得た有機ＥＬディスプレイパネルについて、点灯表示観察を行ったところ、膜厚の均一性が高いことで、発光輝度ムラが抑制されたムラの無い表示品位が得られたことを確認した。また、発光経時観察において、密閉封止の不具合による表示品位の低下は見られなかったことから、除去必要領域の有機膜が、適正に除去されていることを確認した。 (Evaluation of Examples)
When the organic EL display panels obtained in Example 1 and Example 2 were lit and observed, high uniformity of the film thickness resulted in a display quality with no unevenness in which unevenness in emission luminance was suppressed. It was confirmed. In addition, since the display quality was not deteriorated due to the hermetic sealing failure in the observation over time with light emission, it was confirmed that the organic film in the region requiring removal was properly removed.

（比較例１）
比較例１においては、実施例１と同様の手順で有機ＥＬディスプレイパネルを得たが、インターレイヤ層１０５を凸版印刷法により形成した。そのため、表示領域外周部での有機膜除去は、正孔輸送層１０４のみ実施した。
（比較例１の評価）
比較例１で得た有機ＥＬディスプレイパネルについて、点灯表示観察を行ったところ、実施例１及び実施例２で得た有機ＥＬディスプレイパネルと比較して、表示領域におけるインターレイヤ層１０５の膜厚の均一性が低下することにより、パネル表示品位が低下することを確認した。 (Comparative Example 1)
In Comparative Example 1, an organic EL display panel was obtained in the same procedure as in Example 1, but the interlayer layer 105 was formed by a relief printing method. Therefore, only the hole transport layer 104 was removed from the outer periphery of the display region.
(Evaluation of Comparative Example 1)
When the organic EL display panel obtained in Comparative Example 1 was subjected to lighting display observation, the film thickness of the interlayer layer 105 in the display region was compared with the organic EL display panels obtained in Example 1 and Example 2. It was confirmed that the panel display quality deteriorated due to the decrease in uniformity.

（比較例２）
比較例２においては、図８中に示すように、表示領域の外周部に膜厚調整層を形成せずに、実施例１と同様の製造工程を実施した。
また、比較例２では、正孔輸送層１０４の膜厚は、焼成後の発光画素内では４０ｎｍ、電気配線３０１間に形成された膜厚調整層３０３の最表面から４３ｎｍ、電気配線３０１上に形成された膜厚調整層３０３の最表面から３４ｎｍとなった。また、インターレイヤ層１０５の膜厚は、焼成後の発光画素内では３３ｎｍ、電気配線３０１間に形成された膜厚調整層３０３上の正孔輸送層１０４の最表面から３７ｎｍ、電気配線３０１上に形成された正孔輸送層１０４の最表面から２９ｎｍとなった。これによって、膜厚調整層３０３上に形成された発光補助層４００は、電気配線３０１間で８０ｎｍ（図９中に示す膜厚Ｈ）、電気配線３０１上で６３ｎｍ（図９中に示す膜厚Ｉ）となった。 (Comparative Example 2)
In Comparative Example 2, as shown in FIG. 8, the same manufacturing process as in Example 1 was performed without forming a film thickness adjusting layer on the outer periphery of the display region.
In Comparative Example 2, the thickness of the hole transport layer 104 is 40 nm in the luminescent pixel after firing, 43 nm from the outermost surface of the film thickness adjusting layer 303 formed between the electrical wirings 301, and on the electrical wirings 301. The thickness was 34 nm from the outermost surface of the formed film thickness adjusting layer 303. The thickness of the interlayer layer 105 is 33 nm in the luminescent pixel after firing, 37 nm from the outermost surface of the hole transport layer 104 on the film thickness adjusting layer 303 formed between the electrical wirings 301, and on the electrical wirings 301. The thickness was 29 nm from the outermost surface of the hole transport layer 104 formed in. Thus, the light emission auxiliary layer 400 formed on the film thickness adjusting layer 303 has a thickness of 80 nm between the electric wirings 301 (film thickness H shown in FIG. 9) and 63 nm (the film thickness shown in FIG. 9) on the electric wiring 301. I).

（比較例２の評価）
比較例２では、表示領域外周部において、レーザーアブレーション法による有機膜除去条件を見出すことができなかった。
また、比較例２では、電気配線３０１上に成膜した発光補助層と比較して厚膜となる、電気配線３０１間に成膜した発光補助層４００の除去可能条件で処理すると、電気配線３０１上に成膜した発光補助層４００に対して過処理条件となるため、下層の電気配線、保護層が焼損することを確認した。また、電気配線３０１上に成膜した発光補助層４００除去条件で処理すると、電気配線３０１間に成膜した発光補助層４００が除去しきれずに、封止工程において接着不良が発生することを確認した。なお、有機膜を除去するために酸素プラズマ洗浄法を用いても、同様の結果となった。
以上により、比較例２では、有機ＥＬディスプレイパネルを作製できない結果となることが確認された。 (Evaluation of Comparative Example 2)
In Comparative Example 2, the organic film removal condition by the laser ablation method could not be found in the outer periphery of the display area.
Further, in Comparative Example 2, when the processing is performed under the condition that the light emission auxiliary layer 400 formed between the electric wirings 301 is thicker than the light emission auxiliary layer formed on the electric wirings 301, the electric wiring 301 is processed. Since it became over-processing conditions with respect to the light emission auxiliary layer 400 formed on the upper layer, it was confirmed that the underlying electrical wiring and protective layer were burned out. In addition, when processing is performed under the conditions for removing the light emission auxiliary layer 400 formed on the electric wiring 301, it is confirmed that the light emission auxiliary layer 400 formed between the electric wirings 301 cannot be completely removed and adhesion failure occurs in the sealing process. did. Even when an oxygen plasma cleaning method was used to remove the organic film, the same result was obtained.
From the above, it was confirmed that in Comparative Example 2, an organic EL display panel could not be produced.

１…有機ＥＬ素子、１０…凸版印刷機、１０１…基板、１０２…第一電極（陽極）、１０３…画素隔壁、１０４…正孔輸送層、１０５…インターレイヤ層、１０６…有機発光層、１０７…第二電極（陰極）、１０８…封止体、１０８ａ…封止キャップ、１０８ｂ…乾燥剤、１０８ｃ…接着剤、２０１…有機ＥＬ素子表示領域、２０２…表示領域外周部（除去領域）、３０１…電気配線、３０２…電気配線保護層、３０３…膜厚調整層（画素隔壁材料）、４００…発光補助層、４０１…有機発光媒体層、７０１…アニロックスロール、７０２…ドクターブレード、７０３…クッションテープ、７０４…樹脂凸版、７０５…版胴、７０６…基板固定台、７０７…被印刷基板、７０８…インキチャンバー   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL element, 10 ... Letterpress, 101 ... Board | substrate, 102 ... 1st electrode (anode), 103 ... Pixel partition, 104 ... Hole transport layer, 105 ... Interlayer layer, 106 ... Organic light emitting layer, 107 ... second electrode (cathode), 108 ... sealed body, 108a ... sealing cap, 108b ... desiccant, 108c ... adhesive, 201 ... organic EL element display area, 202 ... display area outer periphery (removal area), 301 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Electric wiring, 302 ... Electric wiring protective layer, 303 ... Film thickness adjustment layer (pixel partition wall material), 400 ... Light emission auxiliary layer, 401 ... Organic light emitting medium layer, 701 ... Anilox roll, 702 ... Doctor blade, 703 ... Cushion tape 704 ... Resin relief printing plate, 705 ... Plate cylinder, 706 ... Substrate fixing base, 707 ... Substrate to be printed, 708 ... Ink chamber

Claims (9)

基板と、当該基板上にパターン化して形成された第一電極と、当該第一電極上に有機発光層及び発光補助層で形成された有機発光媒体層と、当該有機発光媒体層を挟んで前記第一電極と対向させて形成された第二電極と、を備える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光補助層は、複数の層で形成され、
前記有機発光媒体層を形成する材料を溶媒に溶解または分散させてインク化し、前記インク化した材料を用いて、湿式成膜法により前記発光補助層を形成する複数の層のうち少なくとも二つの層を形成し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の表示領域の外周部に配置された電気配線上に、前記発光補助層の膜厚を調整する膜厚調整層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 A substrate, a first electrode formed by patterning on the substrate, an organic light emitting medium layer formed of an organic light emitting layer and a light emission auxiliary layer on the first electrode, and the organic light emitting medium layer sandwiched between An organic electroluminescence device comprising a second electrode formed opposite to the first electrode,
The light emission auxiliary layer is formed of a plurality of layers,
The material for forming the organic light emitting medium layer is dissolved or dispersed in a solvent to form an ink, and the ink converted material is used to form at least two layers of the plurality of layers for forming the light emitting auxiliary layer by a wet film forming method. Form the
An organic electroluminescence element comprising: a film thickness adjusting layer for adjusting a film thickness of the light emission auxiliary layer on an electric wiring arranged in an outer peripheral portion of a display region of the organic electroluminescence element. 基板と、当該基板上にパターン化して形成された第一電極と、当該第一電極上に有機発光層及び発光補助層で形成された有機発光媒体層と、当該有機発光媒体層を挟んで前記第一電極と対向させて形成された第二電極と、を備える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光補助層は、複数の層で形成され、
前記有機発光媒体層を形成する材料を溶媒に溶解または分散させてインク化し、前記インク化した材料を用いて、湿式成膜法により前記発光補助層を形成する複数の層のうち少なくとも二つの層を形成し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の表示領域の外周部に配置された電気配線間に、前記発光補助層の膜厚を調整する膜厚調整層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 A substrate, a first electrode formed by patterning on the substrate, an organic light emitting medium layer formed of an organic light emitting layer and a light emission auxiliary layer on the first electrode, and the organic light emitting medium layer sandwiched between An organic electroluminescence device comprising a second electrode formed opposite to the first electrode,
The light emission auxiliary layer is formed of a plurality of layers,
The material for forming the organic light emitting medium layer is dissolved or dispersed in a solvent to form an ink, and the ink converted material is used to form at least two layers of the plurality of layers for forming the light emitting auxiliary layer by a wet film forming method. Form the
An organic electroluminescence element comprising a film thickness adjusting layer for adjusting the film thickness of the light emission auxiliary layer between electrical wirings arranged on an outer peripheral portion of a display region of the organic electroluminescence element. 前記膜厚調整層は、感光性樹脂からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載した有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence element according to claim 1, wherein the film thickness adjusting layer is made of a photosensitive resin. 前記膜厚調整層は、半導体材料からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載した有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence element according to claim 1, wherein the film thickness adjusting layer is made of a semiconductor material. 基板と、当該基板上にパターン化して形成された第一電極と、当該第一電極上に有機発光層及び発光補助層で形成された有機発光媒体層と、当該有機発光媒体層を挟んで前記第一電極と対向させて形成された第二電極と、を備える有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記発光補助層を、複数の層で形成し、
前記有機発光媒体層を形成する材料を溶媒に溶解または分散させてインク化し、前記インク化した材料を用いて、湿式成膜法により前記発光補助層を形成する複数の層のうち少なくとも二つの層を形成し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の表示領域の外周部に配置された電気配線上及び前記電気配線間に、前記有機発光媒体層を形成する工程の前工程において前記発光補助層の膜厚を調整する膜厚調整層を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 A substrate, a first electrode formed by patterning on the substrate, an organic light emitting medium layer formed of an organic light emitting layer and a light emission auxiliary layer on the first electrode, and the organic light emitting medium layer sandwiched between A second electrode formed opposite to the first electrode, and a manufacturing method of an organic electroluminescence element comprising:
The light emitting auxiliary layer is formed of a plurality of layers,
The material for forming the organic light emitting medium layer is dissolved or dispersed in a solvent to form an ink, and the ink converted material is used to form at least two layers of the plurality of layers for forming the light emitting auxiliary layer by a wet film forming method. Form the
A film thickness for adjusting the film thickness of the light emission auxiliary layer in the pre-process of the step of forming the organic light emitting medium layer on and between the electric wirings arranged on the outer peripheral portion of the display area of the organic electroluminescence element An adjustment layer is formed. A method for manufacturing an organic electroluminescence element. 前記膜厚調整層を、前記表示領域内に形成する画素隔壁と同時に形成することを特徴とする請求項５に記載した有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   6. The method of manufacturing an organic electroluminescence element according to claim 5, wherein the film thickness adjusting layer is formed simultaneously with a pixel partition wall formed in the display region. 前記膜厚調整層を有する前記表示領域の外周部を含む前記基板の全面に前記有機発光媒体層を成膜する工程と、前記表示領域の外周部に成膜された前記有機発光媒体層を除去する工程と、を有することを特徴とする請求項５または請求項６に記載した有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   Forming the organic light emitting medium layer on the entire surface of the substrate including the outer peripheral portion of the display region having the film thickness adjusting layer; and removing the organic light emitting medium layer formed on the outer peripheral portion of the display region The method for producing an organic electroluminescent element according to claim 5, wherein the method comprises the steps of: 前記インク化した材料を用いて形成した発光補助層を形成する複数の層のうち少なくとも一つの層を、前記表示領域の外周部上に成膜された有機発光媒体層を除去する工程後に形成することを特徴とする請求項７に記載した有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   At least one of a plurality of layers forming a light emission auxiliary layer formed using the ink material is formed after the step of removing the organic light emitting medium layer formed on the outer peripheral portion of the display region. The manufacturing method of the organic electroluminescent element of Claim 7 characterized by the above-mentioned. 前記インク化した材料を用いて形成した発光補助層を形成する複数の層のうち少なくとも一つの層を、凸版印刷方式により形成することを特徴とする請求項５から請求項８のうちいずれか１項に記載した有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   9. The method according to claim 5, wherein at least one of a plurality of layers forming a light emission auxiliary layer formed using the ink material is formed by a relief printing method. The manufacturing method of the organic electroluminescent element described in claim | item.
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