JP2007281030A - シリコンウェーハの保持方法 - Google Patents
シリコンウェーハの保持方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007281030A JP2007281030A JP2006102330A JP2006102330A JP2007281030A JP 2007281030 A JP2007281030 A JP 2007281030A JP 2006102330 A JP2006102330 A JP 2006102330A JP 2006102330 A JP2006102330 A JP 2006102330A JP 2007281030 A JP2007281030 A JP 2007281030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- silicon wafer
- held
- holding
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】 直径300mm以上、かつその厚みが700μm〜1000μmのシリコンウェーハの裏面部を支持部材あるいは吸着部材で接触保持し、シリコンウェーハの中心から、シリコンウェーハの半径×0.50〜0.80の領域内でシリコンウェーハ裏面部を接触保持する。ウェーハ面内の最大変位量が300μm以下の状態で保持する。シリコンウェーハの裏面部を支持部材あるいは吸着部材で接触保持する全ての工程において、前記保持領域内でシリコンウェーハ裏面部を接触保持する。
【選択図】 図1
Description
直径450mmのシリコンウェーハの保持位置およびウェーハ厚みによって、どの程度ウェーハ面内の最大変化量が変化するのか、図3(a)〜(e)に示す支持部材形状それぞれについて、有限要素法を用いて調査した。その結果を図4に示す。
2 ウェーハ裏面保持領域
3 ウェーハ吸着部材
3a ウェーハ裏面と接触するウェーハ吸着部
Claims (3)
- 直径300mm以上、かつその厚みが700μm〜1000μmのシリコンウェーハの裏面部を支持部材あるいは吸着部材で接触保持し、シリコンウェーハの中心から、シリコンウェーハの半径×0.50〜0.80の領域内でシリコンウェーハ裏面部を接触保持することを特徴とするシリコンウェーハの保持方法。
- 前記シリコンウェーハは、ウェーハ面内の最大変位量が300μm以下の状態で保持されることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの保持方法。
- シリコンウェーハの裏面部を支持部材あるいは吸着部材で接触保持する全ての工程において、前記保持領域内でシリコンウェーハ裏面部を接触保持することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシリコンウェーハの保持方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006102330A JP2007281030A (ja) | 2006-04-03 | 2006-04-03 | シリコンウェーハの保持方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006102330A JP2007281030A (ja) | 2006-04-03 | 2006-04-03 | シリコンウェーハの保持方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007281030A true JP2007281030A (ja) | 2007-10-25 |
Family
ID=38682204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006102330A Pending JP2007281030A (ja) | 2006-04-03 | 2006-04-03 | シリコンウェーハの保持方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007281030A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010027893A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体ウェーハの支持具 |
JP2016062942A (ja) * | 2014-09-16 | 2016-04-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハ搬送機構 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1126549A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Nidek Co Ltd | 半導体ウェハ搬送装置 |
JP2001185601A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Nsk Ltd | 円板支持装置 |
WO2004090967A1 (ja) * | 2003-04-02 | 2004-10-21 | Sumco Corporation | 半導体ウェーハ用熱処理治具 |
WO2005104204A1 (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 熱処理装置 |
JP2005328008A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの熱処理用縦型ボート及び熱処理方法 |
-
2006
- 2006-04-03 JP JP2006102330A patent/JP2007281030A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1126549A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Nidek Co Ltd | 半導体ウェハ搬送装置 |
JP2001185601A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Nsk Ltd | 円板支持装置 |
WO2004090967A1 (ja) * | 2003-04-02 | 2004-10-21 | Sumco Corporation | 半導体ウェーハ用熱処理治具 |
WO2005104204A1 (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 熱処理装置 |
JP2005328008A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの熱処理用縦型ボート及び熱処理方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010027893A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体ウェーハの支持具 |
JP2016062942A (ja) * | 2014-09-16 | 2016-04-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハ搬送機構 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4622859B2 (ja) | 半導体基板用熱処理治具および半導体基板の熱処理方法 | |
TWI470722B (zh) | 基板搬送機構、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 | |
JP2010040804A (ja) | 試料搬送機構 | |
TWI730044B (zh) | 基板研磨方法、頂環及基板研磨裝置 | |
JPWO2007004550A1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法および製造装置 | |
JP2009253115A (ja) | ウェーハステージ | |
US11996307B2 (en) | Semiconductor processing tool platform configuration with reduced footprint | |
JP4168452B2 (ja) | 水蒸気アニール用治具、水蒸気アニール方法及び基板移載装置 | |
JP2007281030A (ja) | シリコンウェーハの保持方法 | |
JP2005197380A (ja) | ウェーハ支持装置 | |
JP2009152283A (ja) | 半導体基板支持治具及びその製造方法。 | |
WO2005124848A1 (ja) | 熱処理用治具及び半導体ウエーハの熱処理方法 | |
JP4123861B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JP5205737B2 (ja) | シリコンウェーハの保持方法および保持治具 | |
JP6290585B2 (ja) | バッチ式基板処理装置 | |
JP2007184476A (ja) | 基板処理装置 | |
US20090304490A1 (en) | Method for holding silicon wafer | |
JP2008021686A (ja) | 基板保持トレー | |
TW201422501A (zh) | 晶圓承載裝置及其應用 | |
JP5517354B2 (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
JP2005101161A (ja) | 熱処理用支持具、熱処理装置、熱処理方法、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2001007087A (ja) | 枚葉式プラズマアッシング装置 | |
JP7525985B2 (ja) | 半導体ウェーハ搬送治具およびそれを用いた搬送方法 | |
JP3063116B2 (ja) | 化学的気相成長方法 | |
JPH10107117A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Effective date: 20080311 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090305 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101019 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110301 |