JP2005197380A - ウェーハ支持装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は、ウェーハを搬送する際に、ウェーハ裏面へのキズ発生を防止することができるウェーハ支持装置を提供する。
【解決手段】 ウェーハ裏面を複数の支持ピンで支持してウェーハの昇降搬送を行うウェーハ支持装置において、各ウェーハ支持ピンの下端部を接触支持して昇降行う各支持ピンアームの上面に、ウェーハ支持ピンの下端部と略嵌合する凹部形状の台座を設ける。これにより、ウェーハの昇降搬送を行う際に問題となるウェーハ支持ピン下端部の横滑りに起因したウェーハ裏面へのキズ発生を防止する。
【選択図】 図1
【解決手段】 ウェーハ裏面を複数の支持ピンで支持してウェーハの昇降搬送を行うウェーハ支持装置において、各ウェーハ支持ピンの下端部を接触支持して昇降行う各支持ピンアームの上面に、ウェーハ支持ピンの下端部と略嵌合する凹部形状の台座を設ける。これにより、ウェーハの昇降搬送を行う際に問題となるウェーハ支持ピン下端部の横滑りに起因したウェーハ裏面へのキズ発生を防止する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、エピタキシャル成長装置などの半導体製造装置の処理チャンバ内に設けられたウェーハ支持装置に関するものである。
近年、MOSデバイス用のシリコンウェーハとして、シリコンウェーハの表面に単結晶シリコン薄膜(エピタキシャル膜)を気相成長させたエピタキシャルウエーハが用いられている。このエピタキシャルウェーハは、MOSデバイスのゲート酸化膜の歩留まりが向上するとともに、寄生容量低減、ソフトエラーの防止、ゲッタリング能力の向上等の優れた特性を備えることができる。
このエピタキシャルウェーハの製造においては、従来から実施されている複数のシリコンウェーハに対して一度にエピタキシャル成長処理するバッチ方式ではシリコンウェーハの大口径化に対応し難くなってきたことから、枚葉式のエピタキシャル成長装置が主に使用されるようになった。近年では直径300mm以上のウェーハに対してエピタキシャル成長処理が行える大口径用のものも開発されている。この枚葉式のエピタキシャル成長装置等の半導体製造装置においては、ウェーハを水平に支持するためのウェーハ支持装置が処理チャンバ内に設けられている(例えば特許文献1)。
図3は、従来のウェーハ支持装置を模式的に示す図である。ウェーハ支持装置20は、ウェーハWを支持するための座ぐり部21aが設けられたサセプター21を備えており、サセタプー21はサセプター昇降回転機構23に連なる複数のサセプターアーム24によってその裏面外周部が嵌合支持され昇降回転するように構成されている。座ぐり部21a内には、厚み方向に貫通した複数の貫通孔21bが形成されており、各貫通孔21bにはウェーハ支持ピン22が吊り下げられている。これらのウェーハ支持ピン22は、サセプターアーム24の昇降により、各ウェーハ支持ピン22の下端面が各支持ピンアーム25の上端平面部25aで面接触支持され、サセプター21に対して昇降するように構成されている。
このウェーハ支持装置20により、サセプター21の座ぐり部21a内にウェーハWを載置する手順について説明する。まず、サセプターアーム24を降下させて、各ウェーハ支持ピン22を各支持ピンアーム25の上端平面部25aに接触させて各ウェーハ支持ピン22をサセプター21に対して上方に押し上げた状態にし、この状態でサセプターアーム24および支持ピンアーム25を一旦降下させる。次に、ウェーハWを搬送ロボットアーム(図示しない)によりサセプター21上方の所定位置に搬送した後、サセプターアーム24および支持ピンアーム25を上昇させて支持ピン22によりウェーハW下面を押し上げ支持する。その後、搬送ロボットアームを引き抜き、サセプターアーム24を上昇させて各ウェーハ支持ピン22を降下させることにより、ウェーハ支持ピン22の上面に支持されたウェーハWをサセプター21の座ぐり部21a内に載置する。座ぐり部21a内のウェーハWを搬出するときはこの逆の手順操作が行われる。
ところが、上記のウェーハ支持装置20では、ウェーハ支持ピン22の下端面のみを支持ピン25の上端平面部25aにて面支持する構成であることから、ウェーハ支持ピン22がウェーハWを支持した状態で上下動する際に、ウェーハ支持ピン22の下端が横滑りし、ウェーハ支持ピン22の上端部とウェーハWの裏面とが擦れてしまい、ウェーハWの裏面にキズを発生させる問題がある。このウェーハ裏面へのキズ発生は単なる裏面の外観不良の問題に留まらず、デバイス工程で実施される各種の膜付け、剥離プロセスにおける各種膜がキズ内部に残留堆積してしまい、その後のパーティクル発塵などの要因となり、デバイス特性を劣化させるなどの問題がある。
本発明は、このような上記問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ウェーハ裏面へのキズ発生を防止することができるウェーハ支持装置を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明は、処理チャンバ内に配置され、ウェーハ載置領域の周辺部に複数の貫通孔を有するサセプターと、前記各貫通孔に嵌入され前記ウェーハの外周部を支持するための複数のウェーハ支持ピンと、前記サセプターの昇降および回転を行う昇降回転機構と、前記昇降回転機構から延設し前記サセプターを支持する複数のサセプターアームと、前記各ウェーハ支持ピンの下端面を支持する複数の支持ピンアームとを備えたウェーハ支持装置において、前記支持ピンアームの各上面に前記ウェーハ支持ピンの下部と略嵌合する凹部形状の台座が設けられたウェーハ支持装置を提供するものである。
本発明のウェーハ支持装置は、支持ピンアームの各上面に各ウェーハ支持ピンの下部と略嵌合する凹部形状の台座が設けられていることから、ウェーハ支持ピンでウェーハを支持した状態で上下動する際に、支持ピンアーム上面に対してウェーハ支持ピン下端が横滑りすることがなく、ウェーハ裏面へのキズ発生を防止することができる。
本発明によれば、ウェーハ裏面を複数の支持ピンで支持してウェーハの昇降搬送を行う際に、各ウェーハ支持ピンの下端部が横滑りしないように、支持ピンアームの上面に、ウェーハ支持ピンの下端部と略嵌合する凹部形状の台座を設けているので、ウェーハ支持ピン下端部の横滑りに起因したウェーハ裏面へのキズ発生を防止することができる。その結果、デバイス工程において、ウェーハ裏面キズに起因したパーティクル発塵を抑制することができ、デバイス特性の向上を図ることができる。
以下、本発明の好適な実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、本発明に係るウェーハ支持装置を備えたエピタキシャル成長装置を概略的に示したものである。エピタキシャル成長装置1は、シリコンウェーハWを1枚ずつ成膜処理する枚葉式のものであり、エピタキシャル膜の形成を行う処理チャンバ2を有し、処理チャンバ2は上側ドーム3と下側ドーム4とドーム取付体5を有して形成されている。上側ドーム3および下側ドーム4は石英等の透明な材料から成り、処理チャンバ2の上方および下方に複数配置されたハロゲンランプ6によりウェーハWが加熱される。処理チャンバ2の側部には、ガス供給口7とガス排気口8とが対向して設けられている。また、処理チャンバ2内には、ウェーハWを水平に支持するための、本発明に係るウェーハ支持装置10が配設されている。
このようなエピタキシャル成長装置1において、減圧又は常圧となっている処理チャンバ2内に搬送ロボット(図示せず)によりウェーハWを搬送し、ウェーハ支持装置10によりウェーハWを支持した後、ハロゲンランプ6によりウェーハWを加熱した状態で、SiHCl3等のSiソースを水素ガスで希釈しそれにドーパントを微量混合してなる反応ガスをガス供給口7から処理チャンバ2内に供給する。これにより、供給された反応ガスはウェーハWの表面を通過してウェーハWの表面上にエピタキシャル膜を成膜後、ガス排出口8より処理チャンバ2外に排出される。
本発明に係るウェーハ支持装置10を図2に示す。ウェーハ支持装置10は、ウェーハWを支持する円盤状のサセプター11を備えている。このサセタプー11はサセプター昇降回転機構13に連なるサセプターアーム14によってその下面の外周部(3カ所)が嵌合支持され水平に回転するように構成されている。サセプター11の上面部には、ウェーハWが載置される座ぐり部11aが形成され、ウェーハWの裏面全面を面支持するように構成されている。なお、この座ぐり部11aの内径はウェーハWの外径よりもわずかに大きな寸法を有している。また、サセプター11の座ぐり部11a面内には、周方向に等間隔で上下方向に貫通した複数(3つ以上)の貫通孔11bが設けられている。
上記貫通孔11bには、ウェーハWを昇降支持するためのウェーハ支持ピン12が嵌入される。ここで、ウェーハWの裏面と接触するウェーハ支持ピン12の先端部は、ウェーハW裏面との接触衝撃を和らげるため、その先端がランウンド形状に加工され、その先端部が貫通孔11bの上端縁で吊り下げられるように嵌入されている。
この貫通孔11b内に嵌入、吊り下げられたウェーハ支持ピン12は、支持ピンアーム15によりその下端が接触支持される。支持ピンアーム15の各上面にはウェーハ支持ピン12の下端部と略嵌合する凹部形状の台座15a設けられている。これによりウェーハ支持ピン12は台座15aによりその下端部が確実に保持され、下端部の横滑りを防止することができる。なお、本発明例では凹部形状の台座15aとして、円柱溝とこれに続くテーパ拡大部からなる台座形状を示したが、この形状に限定されるものではなく、少なくともウェーハ支持ピン12の外周面と部分的あるいは全周において接触し、横滑りを防止できる形状のものであればどのようなものでも採用することができる。
以上のように構成したウェーハ支持装置10を用いて、ウェーハWをサセプタ11の座ぐり部11a内に載置する手順について説明する。
まず、サセプターアーム14を降下させて、各ウェーハ支持ピン12の下端部を各支持ピンアーム15の上端部に設けた凹部形状の台座15a内に嵌入させてウェーハ支持ピン12を押し上げた状態とする。この状態で、一旦、サセプターアーム14および支持ピンアーム15を降下させて、搬送ロボットアーム(図示しない)と干渉しない位置に待機させる。
次に、ウェーハWを搬送ロボットアームによりサセプター11上方の所定位置に搬送した後、サセプターアーム14および支持ピンアーム15を上昇させる。これにより、支持ピン12によりウェーハWの外周裏面部を押し上げられ、搬送ロボットアームからウェーハ支持ピン12に載り移る。その後、搬送ロボットアームをサセプタ11の上方から待避させた後、サセプターアーム14を上昇させることにより、ウェーハWはサセプタ11の座ぐり部11a内に静かに載置され、ウェーハ支持ピン12の下端部と台座15aとの接触支持が解除される。座ぐり部11a内のウェーハWを搬出するときはこの逆の手順操作が行われる。
なお、サセプターアーム14の昇降によりウェーハ支持ピン15を昇降させる実施形態を説明したが、支持ピンアーム15そのものに独立昇降機構を付加してウェーハ支持ピン15の昇降を行ってもよい。
以上のように、本実施形態にあっては、支持ピンアーム15の各上端部にウェーハ支持ピン12の下端部と略嵌合する凹部形状の台座15aが設けられているので、ウェーハ支持ピン12でウェーハWを搬送するときに、ウェーハ支持ピン12が横揺れすることがなく、ウェーハ裏面へのキズ発生を防止することができる。
なお、上記実施形態では、半導体製造装置の1つであるエピタキシャル成長装置について説明したが、本発明は、特にエピタキシャル成長装置に限らず、ウェーハの搬送時に、ウェーハを押し上げて支持する全ての装置に適用可能であることは言うまでもない。
本発明の効果を確認するため、以下の実験を行った。
本発明例として図2に示すウェーハ支持装置を配置した枚葉式のエピタキシャル成長装置(図1)を用い、実際にウェーハの移載実験を行い、ウェーハ裏面へのキズ発生を調査した。本発明の比較例として図3に示すウェーハ支持装置を配置した枚葉式のエピタキシャル成長装置(エピタキシャル成長装置構成は図1と同じ)を用い、ウェーハの移載実験を行った。両実験とも、直径200mmの両面研磨シリコンウェーハを用い、ウェーハの搬入・搬出温度を765℃として実験した。
移載実験後の本発明例のウェーハおよび比較例のウェーハそれぞれについて、ウェーハ裏面を光学顕微鏡で観察したところ、比較例のウェーハ裏面において、ウェーハ支持ピンが接触する位置に対応したウェーハ裏面3カ所全てにおいて、かなり大きなキズ発生していることが確認された。一方、本発明例のウェーハ裏面には、一部の箇所において若干のキズ発生が確認された。両ウェーハの上記裏面キズの大きさを原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)を用いて詳細に調査したところ、比較例のウェーハでは、幅629nm、深さ684nmの裏面キズが点在しているのが確認され、本発明例のウェーハでは、幅53nm、深さ74nm程度の裏面キズが確認されるに留まった。
これから明らかなように、本発明のウェーハ支持装置を使用した場合には、ウェーハ裏面とウェーハ支持ピンとの接触により発生するウェーハ裏面のキズを抑制あるいは防止できることが分かる。
本発明のウェーハ支持装置は、ウェーハ裏面を複数の支持ピンで支持してウェーハの昇降搬送を行う際に、ウェーハ支持ピン下端部の横滑りに起因したウェーハ裏面へのキズ発生を防止することができるウェーハ支持装置であることから、エピタキシャル成長装置の支持装置として有効である。また、ウェーハ裏面の高品質化が要求される両面研磨ウェーハを支持する装置として有効である。これによりデバイス工程において、ウェーハ裏面キズに起因したパーティクル発塵が抑制され、デバイス特性の向上を図ることができる。
10 ウェーハ支持装置、
11 サセプター、
11a 座ぐり部
11b 貫通孔
12 ウェーハ支持ピン、
13 サセプター昇降回転機構
14 サセプターアーム、
15 支持ピンアーム、
15a 台座
W ウェーハ
11 サセプター、
11a 座ぐり部
11b 貫通孔
12 ウェーハ支持ピン、
13 サセプター昇降回転機構
14 サセプターアーム、
15 支持ピンアーム、
15a 台座
W ウェーハ
Claims (1)
- 処理チャンバ内に配置され、ウェーハ載置領域の周辺部に複数の貫通孔を有するサセプターと、前記各貫通孔に嵌入され前記ウェーハの外周部を支持するための複数のウェーハ支持ピンと、前記サセプターの昇降および回転を行う昇降回転機構と、前記昇降回転機構から延設し前記サセプターを支持する複数のサセプターアームと、前記各ウェーハ支持ピンの下端面を支持する複数の支持ピンアームとを備えたウェーハ支持装置において、前記支持ピンアームの各上面に前記ウェーハ支持ピンの下部と略嵌合する凹部形状の台座が設けられていることを特徴とするウェーハ支持装置。
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JP2004000776A JP2005197380A (ja) | 2004-01-06 | 2004-01-06 | ウェーハ支持装置 |
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JP2004000776A JP2005197380A (ja) | 2004-01-06 | 2004-01-06 | ウェーハ支持装置 |
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JP2005197380A true JP2005197380A (ja) | 2005-07-21 |
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-
2004
- 2004-01-06 JP JP2004000776A patent/JP2005197380A/ja active Pending
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