JP2007258599A - 半導体素子及び半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光素子は、基板10と、基板10上に形成された、酸化亜鉛系材料からなる中間層30と、中間層30上に形成された、酸化亜鉛系材料からなる半導体層20とを備える。半導体層20の熱膨張係数は、基板10の熱膨張係数より大きい。又、中間層30の酸化亜鉛結晶構造におけるc軸長は、半導体層20の酸化亜鉛結晶構造におけるc軸長よりも長い。
【選択図】図3
Description
まず、本実施形態において前提となる、ZnOの結晶構造について説明する。
次に、本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法について、図3を用いて説明する。
次に、図3(b)に示すように、RFマグネトロンスパッタ法を用い、600℃で、中間層30上に、Znを含むターゲットを用い、第1の酸素流量比よりも大きい第2の酸素流量比(例えば、30%以上の酸素流量比)で混合ガスを導入することにより、膜厚0.5μmを有し、ZnOからなる半導体層20を形成する。
ここで、酸素流量比とc軸長の関係を説明する。
ここで、dは周期性を示す距離(通常:面間隔)である。物質の周期性は0.1nm程度であるので、用いる光もこれと同程度の波長となり、光の分類としてはX線となる。
…式(2)
特に、(000l)面の場合、式(2)は簡単となり、式(3)のようになる。
式(1)及び式(3)から、(000l)面の面間隔は、c軸長を用いて式(4)で与えられる。逆に、c軸長は、式(4)を式(5)に変形し、回折角度(θ)と波長(λ)を用いて求めることができる。
c=2・(l/λ)・sin(θ) …式(5)
ZnO薄膜の場合、(0002)面がX線回折で得られるため、式(5)を用いてc軸長を導出することができる。尚、通常のX線回折で得られる角度は2θで表されるため、得られた角度の半分がθに対応する。
従来の半導体素子では、図6(a)に示すように、高温で、熱膨張係数が小さい基板10上に、熱膨張係数が大きいZnO層20を形成している。このため、図6(b)に示すように、冷却過程において、熱膨張係数の差によって、縮小量の差が発生し、ZnO層20に横方向の引っ張り応力が発生していた。そして、基板を取り出す室温状態では、横方向の引っ張り応力に耐えきれず、図6(c)に示すように、ZnO層20にクラックが発生していた。
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
まず、ZnO系半導体としてZnO半導体を選択し、基板としてZnO半導体よりも熱膨張係数の小さな石英基板を用いてクラックの発生する原因について検討を行った。
上記の原因を明らかにするために、膜厚を約200nmと設定してZnO半導体膜を形成し、X線回折法によって結晶状態を評価した。クラックが形成される原因としては、熱膨張係数の差によって、ZnO系半導体膜に大きな力が加わって結晶格子に歪が観察されることが予想されたためである。
一方、図4から、酸素流量比が約20〜30%よりも大きい場合、結晶はc軸方向に圧縮されていること、また、この流量比よりも小さい場合は、結晶はc軸方向に伸張されていることが判った。また更に、同図にはクラックの入ったZnO半導体薄膜のc軸長の値も示す。クラックが入ることで酸素流量比が最も高い100%であるにもかかわらず、c軸長が単結晶の値に極めて近いことがわかった。この結果については、この信頼性を評価することを目的として、透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて酸素流量比67%の試料について断面方向からの評価を行った。この結果はX線回折の結果と重なるものであった。「表面分析技術選書 透過電子顕微鏡(pp133、丸善株式会社、平成11年3月30日発行)」によると、本手法を用いることで0.1%以下の精度で格子定数を決定できることであるから、今回の結果は妥当なものと判断した。
この原因の考察から、c軸が縮み、a軸が伸びた状態を緩和する中間層として、c軸が伸びa軸が縮んだZnO半導体の中間層を、石英基板と目的とするZnO半導体の間に形成する実験を行った。
(http://www.mmc.co.jp/alloy/products/teiboutyou/hikaku.html)であることから、ZnO半導体の熱膨張係数よりも大きくなる可能性が高い。実際、上記ZnO半導体において、クラックの発生する条件を用いて、スパッタ法によって石英基板上にZnMgOを形成したところ、多数のクラックが発生した。このため、ZnO半導体と同様の条件を用いて、クラックの抑制実験を行ったところ、クラック発生を抑制できることがわかった。用いた条件で変更した点は、スパッタのターゲットであり、ZnターゲットからZnとMgのブロックターゲット(スパッタ面積比でZn:Mg=9:1)に変更した。このことから、ZnO半導体でもZnO半導体と同様の効果が得られた。
実施例1として、図3に示すように、基板としてZnO半導体よりも熱膨張係数の小さい石英基板を用いた場合のZnO半導体を作製した。
実施例2として、図3に示すように、基板としてZnMgO半導体よりも熱膨張係数の小さい石英基板を用いた場合のZnMgO半導体を作製した。
実施例3として、図10〜12に示すように、スパッタ法と分子線エピタキシー(MBE)法を組み合わせた発光ダイオード(LED)を作製した。
20…半導体層
30…中間層
101…基板
102…中間層
103…半導体層
104…n型半導体層
105…i型半導体層
106…p型半導体層
107…フォトレジスト
108…Al電極
109…Au電極
Claims (4)
- 基板と、該基板上に形成された、酸化亜鉛系材料からなる中間層と、該中間層上に形成された、酸化亜鉛系材料からなる半導体層とを備える半導体素子であって、
前記半導体層の熱膨張係数は、前記基板の熱膨張係数より大きく、
前記中間層の酸化亜鉛結晶構造におけるc軸長は、前記半導体層の酸化亜鉛結晶構造におけるc軸長よりも長いことを特徴とする半導体素子。 - 前記中間層と前記半導体層とは、同一の組成であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 基板と、前記基板よりも大きい熱膨張係数を有する半導体層とを備える半導体素子の製造方法であって、
混合ガスの中で酸素ガスの占める割合を酸素流量比とし、
前記基板上に、少なくとも亜鉛を含むターゲットを用い、第1の酸素流量比で混合ガスを導入することにより、酸化亜鉛系材料からなる中間層を形成する工程と、
前記中間層上に、少なくとも亜鉛を含むターゲットを用い、前記第1の酸素流量比よりも大きい第2の酸素流量比で混合ガスを導入することにより、酸化亜鉛系材料からなる前記半導体層を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記第1の酸素流量比は、20%以下であり、
前記第2の酸素流量比は、30%以上であることを特徴とする請求項3に記載の半導体素子の製造方法。
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