JP2007258211A5 - - Google Patents

Claims (21)

1. 以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
   （ａ）ダイパッド部の表面に搭載された半導体チップを封止する封止体から露出するリードの一部に形成されたメッキ層を有するリードフレームを準備する工程；
   （ｂ）前記封止体の上面側から、前記リードの前記一部における表面に向かって切断パンチを打ち下ろし、前記リードフレームから前記リードを分離する工程；
   ここで、
   前記封止体の前記上面は、前記ダイパッド部の前記表面、及び前記リードの前記表面と同じ側の面であり、
   前記（ｂ）工程により、前記切断パンチの接触面が接した前記メッキ層における第１部分の粗さが、前記切断パンチの前記接触面が接しない前記メッキ層における第２部分の粗さと異なる。
2. 請求項１において、
   前記第１部分の粗さは、前記第２部分の粗さよりも粗いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項２において、
   前記（ｂ）工程の後、さらに以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法；
   （ｃ）前記（ｂ）工程により取得した半導体装置を、キャリアテープの窪みに収納する工程；
   （ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記キャリアテープの上方から前記窪みに収納された前記半導体装置に向かって、前記半導体装置の表面の法線方向とは異なる方向から光を照射し、ＣＣＤカメラを用いて前記半導体装置の外観検査を行う工程。
4. 請求項３において、
   前記キャリアテープは炭素を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項３において、
   前記キャリアテープの色は黒であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項３において、
   前記キャリアテープに収納された前記半導体装置を覆うように、前記キャリアテープにカバーテープが貼られていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項３において、
   前記（ａ）工程の後、かつ前記（ｂ）工程の前に、前記封止体の前記上面にマークを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項４乃至７の何れかにおいて、
   前記切断パンチの接触面は、砥石で研磨されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項８において、
   前記（ｂ）工程により、前記リードの前記表面側に突出するバリを前記リードの前記一部における先端部に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
    （ａ）ダイパッド部を備えた第１リード、及び前記第１リードと対向する第２リードを有するリードフレームを準備する工程；
    （ｂ）表面、前記表面に形成された表面電極、前記表面とは反対側の裏面、及び前記裏面に形成された裏面電極を有する半導体チップを、前記裏面が前記ダイパッド部の表面と対向するように、前記ダイパッド部の前記表面に搭載し、前記半導体チップの前記裏面電極と前記ダイパッド部とを電気的に接続する工程；
    （ｃ）前記半導体チップの前記表面電極と前記第２リードの表面とをワイヤを介して電気的に接続する工程；
    （ｄ）前記第1リード及び前記第２リードのそれぞれの一部が露出するように、前記半導体チップ及び前記ワイヤを樹脂で封止し、封止体を形成する工程；
    （ｅ）前記第１リード及び前記第２リードのそれぞれの前記一部にメッキ層を形成する工程；
    （ｆ）前記封止体の上面側から、前記第１リード及び前記第２リードのそれぞれの前記一部における前記表面に向かって切断パンチを打ち下ろし、前記リードフレームから前記第１リード及び前記第２リードのそれぞれを分離する工程；
    ここで、
    前記封止体の前記上面は、前記ダイパッド部の前記表面、前記第１リードの前記表面、前記第２リードの前記表面、及び前記半導体チップの前記表面と同じ側の面であり、 前記（ｆ）工程により、前記切断パンチの接触面が接した前記メッキ層における第１部分の粗さが、前記切断パンチの前記接触面が接しない前記メッキ層における第２部分の粗さと異なる。
11. 請求項１０において、
    前記第１部分の粗さは、前記第２部分の粗さよりも粗いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
12. 請求項１１において、
    前記（ｆ）工程の後、さらに以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法；
    （ｇ）前記（ｆ）工程により取得した半導体装置を、キャリアテープの窪みに収納する工程；
    （ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記キャリアテープの上方から前記窪みに収納された前記半導体装置に向かって、前記半導体装置の表面の法線方向とは異なる方向から光を照射し、ＣＣＤカメラを用いて前記半導体装置の外観検査を行う工程。
13. 請求項１２において、
    前記キャリアテープは炭素を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
14. 請求項１２において、
    前記キャリアテープの色は黒であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
15. 請求項１２において、
    前記キャリアテープに収納された前記半導体装置を覆うように、前記キャリアテープにカバーテープが貼られていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
16. 請求項１２において、
    前記（ｅ）工程の後、かつ前記（ｆ）工程の前に、前記封止体の前記上面にマークを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
17. 請求項１３乃至１６の何れかにおいて、
    前記切断パンチの接触面は、砥石で研磨されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
18. 請求項１７において、
    前記（ｆ）工程により、前記リードの前記表面側に突出するバリを前記リードの前記一部における先端部に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
19. 第１表面、前記第１表面とは反対側の第１裏面を有するダイパッド部と、
    第２表面、前記第２表面とは反対側の第２裏面を有し、前記第２裏面が前記ダイパッド部の前記第１面と対向するように、前記ダイパッド部の前記第１表面に搭載された半導体チップと、
    第３表面、前記第３表面とは反対側の第３裏面を有し、前記ダイパッド部の周囲に配置されたリードと、
    上面、前記上面とは反対側の下面を有し、前記リードの一部が露出するように、前記半導体チップを封止する封止体と、
    前記リードの前記一部に形成されたメッキ層と、を含み、
    前記封止体の前記上面は、前記ダイパッドの前記第１表面、前記半導体チップの前記第２表面、及び前記リードの前記第３表面と同じ側の面であり、
    前記リードの前記一部における前記第３表面に形成された前記メッキ層は、第１の粗さを有する第１部分と、前記第１の粗さとは異なる第２の粗さを有する第２部分とを有していることを特徴とする半導体装置。
20. 請求項１９において、
    前記第１の粗さは、前記第２の粗さよりも粗いことを特徴とする半導体装置。
21. 請求項２０において、
    前記リードの前記一部における先端部には、前記リードの前記表面側に突出するバリが形成されていることを特徴とする半導体装置。