JP2007256908A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＭＶＡ方式の液晶表示装置において、表示のざらつきを抑制しつつ透過率やコントラストなどの表示品位を向上させることを課題とする。
【解決手段】誘電体の突起物２０１を対向基板１０２の対向電極１７３上に断続的に設けると共に突起物２０１ａ、２０１ｂの分断部分に対向してアレイ基板１０１の画素電極１３１を一部除去したスリット２０２を設けたことで、電圧が印加された画素電極１３１及び対向電極１７３から電界が発生した液晶層１０４において、突起物２０１により垂直に配向された負の誘電率異方性を有する液晶分子の傾斜方向を制御すると共にスリット２０２により突起物２０１の分断部分に存在する液晶分子の傾斜方向を制御することができる。また、誘電体の突起物２０１の分断部分では、液晶層１０４を通過する光量が増加すると共に液晶分子がより垂直に配向され光漏れが少なくなる。
【選択図】図１１

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に垂直に配向された負の誘電率異方性を有する液晶を使用した液晶表示装置に関する。

近年、液晶層を挟んで対向配置されたアレイ基板及び対向基板を備えた液晶表示装置において、両基板上に形成される配向膜により垂直配向処理を行うことで負の誘電率異方性を有する液晶分子を基板に対して垂直に配向させ、液晶層の複屈折率を略ゼロにすることにより十分な黒表示を実現すると共により高いコントラストを得ることが可能なVertical Alignment方式の液晶表示装置が提案されている。中でも基板上の液晶層側に配置した構造物により、画素内部における液晶分子の傾斜方向を複数の領域に分割するMulti-domain Vertical Alignment方式（以下、ＭＶＡ方式と称する）の液晶表示装置は、コントラスト等の表示品位が良好であると共に広い視野角特性を有する。

最近では、ＭＶＡ方式の液晶表示装置において、構造物として液晶層側に突出して配置された突起物により液晶分子の傾斜方向を好適に制御し、電極配線近傍における電界ベクトルの影響を最小限に抑えることによって、残存やしみ状のむら等の表示不良を抑える技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

その他、液晶表示装置において、対称性の良い形状の画素電極の対称中心に柱状スペーサを配置して、対向電極を画素電極の形状よりも広く且つ画素電極を覆うようにすることで、液晶層において上下に斜め電界を対称性よく発生させ、画素内の液晶の配向分割を可能とする技術が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００５−２０２０３４号公報 特開２００２−２８７１５８号公報

しかしながら、上記のようなＭＶＡ方式の液晶表示装置では、基板上に配置した突起物が表示品位に影響する場合がある。例えば、突起物を少なくした場合には、突起物が存在しない領域では液晶分子の傾斜方向がばらついてしまうため、表示のざらつきが生じるという問題がある。

一方で、表示のざらつきを防ぐために突起物を多くした場合には、液晶層を通過する光量が低下するために透過率が低下すると共に、垂直に配向された液晶分子の垂直性が低下するために光漏れが生じコントラストが低下するという問題がある。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、ＭＶＡ方式の液晶表示装置において、液晶分子の傾斜方向のばらつきに起因した表示のざらつきを抑制しつつ透過率やコントラストなどの表示品位を向上させることを課題とする。

本発明に係る液晶表示装置は、間隙を置いて対向配置された第１基板及び第２基板と、第１基板上の前記第２基板側に配置された第１電極と、第１電極に対向して第２基板上の第１基板側に配置された第２電極と、間隙に保持され第１及び第２基板に対して負の誘電率異方性を有する液晶分子からなる液晶層と、第２電極に断続的に設けられ液晶層の液晶分子の傾斜方向を制御する第１の構造物と、断続的に設けられた第１の構造物の分断部分に対向して第１電極に設けられた第２の構造物と、を備えることを特徴とする。

本発明にあっては、第１の構造物を第２基板上の第２電極に断続的に設けると共に第１の構造物の分断部分に対向して第１基板上の第１電極に第２の構造物を設けたことで、電圧が印加された第１電極及び第２電極から電界が発生した液晶層において、第１の構造物により負の誘電率異方性を有する液晶分子の傾斜方向を制御すると共に第２の構造物により第１の構造物の分断部分に存在する液晶分子の傾斜方向を制御することができる。更に、第１の構造物の分断部分では、液晶層を通過する光量が増加すると共に液晶分子がより垂直に配向され光漏れが少なくなる。

また、上記液晶表示装置における第１電極は、第１又は第２基板のうちの少なくとも一方に設けられた段差により液晶層の厚さが薄い領域に対応して配置された反射電極と、液晶層の厚さが厚い領域に対応して配置された透過電極とを備え、第２の構造物は、反射電極及び透過電極の境界に沿って設けられることを特徴とする。

また、上記液晶表示装置における第１電極は、第１又は第２基板のうちの少なくとも一方に設けられた段差により液晶層の厚さが薄い領域に対応して配置された反射電極と、液晶層の厚さが厚い領域に対応して配置された透過電極とを備え、第２の構造物は、反射電極及び透過電極の境界をまたいで設けられることを特徴とする。

本発明にあっては、第２の構造物を、第１又は第２基板のうちの少なくとも一方に設けられた段差により液晶層の厚さが薄い領域に対応して配置された反射電極及び液晶層の厚さが厚い領域に対応して配置された透過電極の境界に沿って設けることで、電圧印加時に電界が発生した液晶層において反射電極及び透過電極の境界近傍に存在する液晶分子の傾斜方向を制御することができる。

また、上記液晶表示装置における第１基板及び第２基板は、それぞれアレイ基板及び対向基板であり、第１電極は、アレイ基板上に交差して配線された複数の走査線及び複数の信号線の各交差部に配置された画素電極であり、第２電極は、対向基板上に配置された対向電極であって、第１の構造物は、対向電極において画素電極に対応する領域に走査線方向と信号線方向の少なくとも一方向に断続的に設けられると共に、第２の構造物は、画素電極において、第１の構造物間の分断部分に対向して設けられることを特徴とする。

本発明にあっては、第１の構造物を、対向電極において画素電極に対応する領域に走査線方向と信号線方向の少なくとも一方向に断続的に設けるようにしたことで、第１及び第２の構造物を画素電極の面積に応じて信号線方向や走査線方向に対して調整して配置することができ、例えば、大きな画素電極を有する大型の液晶表示装置においても適用可能となる。

更に、上記液晶表示装置における第１の構造物は、対向電極において画素電極に対応する領域に走査線方向と信号線方向に複数設けられ、第２の構造物は、画素電極において、走査線方向の第１の構造物間の分断部分に対向して設けられると共に信号線方向で一体的に形成されたものであることを特徴とする。

また、上記液晶表示装置における第１の構造物は、対向電極において画素電極に対応する領域に走査線方向と信号線方向に複数設けられ、第２の構造物は、画素電極において、信号線方向の第１の構造物間の分断部分に対向して設けられると共に走査線方向で一体的に形成されたものであることを特徴とする。

上記液晶表示装置における第１の構造物は、対向電極上においてアレイ基板側に突出して設けられた誘電体の突起物であり、第２の構造物は、画素電極が一部除去されて設けられたスリットであることを特徴とする。

本発明にあっては、対向電極上においてアレイ基板側に突出して設けられた突起物により液晶分子の傾斜方向を制御すると共に、画素電極が一部除去されて設けられたスリットにより、突起物の分断部分に存在する液晶分子の傾斜方向を制御することができる。

上記液晶表示装置における第１の構造物は、対向電極が一部除去されて設けられたスリットであり、第２の構造物は、画素電極が一部除去されて設けられたスリットであることを特徴とする。

本発明にあっては、対向電極が一部除去されて設けられたスリットにより液晶分子の傾斜方向を制御すると共に、画素電極が一部除去されて設けられたスリットにより、胎教電極のスリットの分断部分に存在する液晶分子の傾斜方向を制御することができる。

上記液晶表示装置における第１の構造物は、対向電極上において前記アレイ基板側に突出して設けられた突起物であり、第２の構造物は、突起物の分断部分に対向して画素電極上において前記対向基板側に突出して設けられた突起物であることを特徴とする。

本発明にあっては、第２電極上に断続的に設けられた突起物により液晶分子の傾斜方向を制御すると共に、突起物の分断部分に対向して第１電極上に設けられた突起物により第２電極上における突起物の分断部分に存在する液晶分子の傾斜方向を制御することができる。

上記液晶表示装置における対向電極上の突起物は、一方向に伸びて設けられると共に、画素電極のスリットは、突起物が伸びた方向に対して垂直方向に伸びて設けられることが望ましい。

上記液晶表示装置における対向電極のスリットは、一方向に伸びて設けると共に、画素電極のスリットは、対向電極のスリットが伸びた方向に対して垂直方向に伸びて設けられることが望ましい。

本発明の液晶表示装置によれば、液晶分子の傾斜方向のばらつきに起因した表示のざらつきを抑制しつつ透過率やコントラストなどの表示品位を向上させることができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。

［第１の実施の形態］
図１は、本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の斜視図である。同図に示すように、液晶表示装置１は、第１基板としてのアレイ基板１０１と、アレイ基板１０１に対向して配置された第２基板としての対向基板１０２と、両基板の間隙に保持される液晶層１０４と、を備える。液晶層１０４は負の誘電率異方性を有する液晶分子から構成され、液晶分子は両基板に対して垂直に配向されている。アレイ基板１０１と対向基板１０２とは外縁シール部材１０３で貼り合わせられており、外縁シール部材１０３で規定される領域内には表示領域１１０が設けられている。更に、表示領域１１０の外周に沿って周辺領域１２０が設けられている。また、液晶表示装置１は、アレイ基板１０１の背面に配置された図示しないバックライトからの照明光を光源として画像表示を行う透過型の液晶表示装置とする。

次に、液晶表示装置１のアレイ基板１０１上に配置された回路について図２を用いて説明する。同図に示すように、アレイ基板１０１上の中央に位置する表示領域１１０の周囲の周辺領域１２０には走査線駆動回路１２１と、信号線駆動回路１２２と、対向電極駆動回路１２３とが配置される。

走査線駆動回路１２１は、平行に配線されたｍ本の走査線Ｙ１〜Ｙｍを駆動する。信号線駆動回路１２２は、平行に配線されたｎ本の信号線Ｘ１〜Ｘｎを駆動する。表示領域１１０には、ｍ本の走査線Ｙ１〜Ｙｍ及びｎ本の信号線Ｘ１〜Ｘｎの各交差部にスイッチング素子として薄膜トランジスタ１４０（以下、画素ＴＦＴと称する）と、第１電極としての画素電極１３１と、補助容量電極１５１及び補助容量線１５２で構成された補助容量１５０とが配置される。

具体的には、画素ＴＦＴ１４０のドレイン端子が信号線Ｘに接続され、ソース端子が補助容量電極１５１及び画素電極１３１に並列に接続され、ゲート端子が走査線Ｙに接続される。液晶層１０４を挟んだ対向基板１０２上においては、全ての画素電極１３１に対向するように第２電極としての対向電極１７３が配置される。ここで補助容量電極１５１は画素電極１３１と同電位に設定される。対向電極駆動回路１２３は、各補助容量線１５２及び対向電極１７３に接続され、各補助容量線１５２及び対向電極１７３に所定の電位を供給する。

次に、アレイ基板１０１の詳細について断面図を用いて説明する。図３は、図２で示した表示領域１１０における走査線Ｙと信号線Ｘの交差箇所近傍におけるアレイ基板１０１の断面図である。同図に示すように、アレイ基板１０１においては、背面に偏光板ＰＬ１が設けられたガラス基板などの透明な絶縁性基板１１１上にアンダーコート層１１２が形成されており、アンダーコート層１１２上にはポリシリコン膜により形成された半導体層１４１が画素ＴＦＴ１４０を構成する。ここで半導体層１４１は、チャネル領域１４１Ｃと、その両側にそれぞれ不純物をドープすることで形成されたドレイン領域１４１Ｄと、ソース領域１４１Ｓとを備えている。

更に、半導体層１４１及び補助容量電極１５１の上には、ゲート絶縁膜１４２が形成される。このゲート絶縁膜１４２上には、ゲート電極１４３に一体化した走査線Ｙと、補助容量線１５２とが形成される。補助容量線１５２は、走査線Ｙと同一の材料で形成され、走査線Ｙに対して略平行に形成される。ここでは補助容量線１５２の一部が補助容量電極１５１に対向して形成され補助容量１５０を構成している。

ゲート絶縁膜１４２、ゲート電極１４３、走査線Ｙ及び補助容量線１５２の上には、層間絶縁膜１１３が形成される。この層間絶縁膜１１３上には、ドレイン電極１４４に一体化した信号線Ｘと、ソース電極１４５と、コンタクト電極１５３が形成される。信号線Ｘは、走査線Ｙ及び補助容量線１５２に対して略直交するように形成される。ここで信号線Ｘ、走査線Ｙ及び補助容量線１５２には遮光性を有する低抵抗材料が適しており、ここでは例えば、走査線Ｙ及び補助容量線１５２にはモリブデン−タングステンを使用し、信号線Ｘにはアルミニウムを使用する。

また、ドレイン電極１４４およびソース電極１４５は、ゲート絶縁膜１４２及び層間絶縁膜１１３を貫通するコンタクトホール１１４Ａおよび１１４Ｂをそれぞれ介して画素ＴＦＴ１４０を構成する半導体層１４１のドレイン領域１４１Ｄおよびソース領域１４１Ｓにそれぞれ接続される。また、コンタクト電極１５３は、ゲート絶縁膜１４２及び層間絶縁膜１１３を貫通するコンタクトホール１５４を介して補助容量電極１５１に接続される。

コンタクト電極１５３が同一材料で形成された信号線Ｘに接続されているので、画素ＴＦＴ１４０のソース電極１４５、画素電極１３１及び補助容量電極１５１は常に同電位になる。

更に、層間絶縁膜１１３、ドレイン電極１４４，ソース電極１４５，走査線Ｙ、信号線Ｘおよびコンタクト電極１５３の上には、透明樹脂層１１５が形成される。この透明樹脂層１１５の上には、酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide、以下ＩＴＯと称する）などの光透過性導電部材によって画素電極１３１が形成される。画素電極１３１は、透過型の液晶表示装置１における透過電極として機能する。このようにして、画素電極１３１が、第１電極としてアレイ基板上の対向基板側に配置される。

更に、画素電極１３１は、透明樹脂層１１５を貫通するコンタクトホール１１７を介して、画素ＴＦＴ１４０のソース電極１４５に接続される。透明樹脂層１１５及び画素ＴＦＴ１４０の上には、配向膜１１９が形成される。

次に、図４の断面図を用いて更に具体的に説明する。図４は、表示領域１１０と周辺領域１２０の境界近傍における液晶表示装置の断面図である。同図に示すように、表示領域１１０では、アレイ基板１０１の絶縁性基板１１１上に形成された透明樹脂層１１５の上に、柱状スペーサ１１８が形成される。ここで柱状スペーサの高さは例えば２．０μｍとする。更に、柱状スペーサ１１８までも覆うように透明樹脂層１１５及び画素電極１３１の上に配向膜１１９が形成される。配向膜１１９は、液晶層１０４を構成する液晶分子をアレイ基板１０１に対してほぼ垂直に配向させる。ここで周辺領域１２０では、光漏れを防止するためにアレイ基板１０１の絶縁性基板１１１上には遮光膜１１６を形成する。

一方で、アレイ基板１０１に外縁シール部材１０３で貼り合わせられた対向基板１０２は、背面に偏光板ＰＬ２が設けられたガラス基板などの透明な絶縁性基板１７１を備えている。表示領域１１０では、絶縁性基板１７１上の液晶層１０４側に赤色のカラーフィルタ層１７２Ｒ、緑色のカラーフィルタ層１７２Ｇ、青色のカラーフィルタ層１７２Ｂが形成され、更にその上には、全ての画素電極１３１に対向するように対向電極１７３が形成される。このようにして対向電極１７３が、第２電極として第１電極である画素電極１３１に対向して対向基板１０２上のアレイ基板側に配置される。

ここで対向電極１７３には、光透過性の高い導電性材料としてＩＴＯを使用する。更に、対向電極１７３上には配向膜１７４が形成される。配向膜１７４は、液晶層１０４を構成する液晶分子を対向基板１０２に対してほぼ垂直に配向させる。

このような構成により、液晶表示装置１において画像を表示する際には、走査線駆動回路１２１により走査線Ｙ１〜Ｙｍを順次駆動して各画素ＴＦＴ１４０をオンすると共に、信号線駆動回路１２２により信号線Ｘ１〜Ｘｎを駆動して、各画素ＴＦＴ１４０の画素電極１３１及び補助容量電極１５１に映像信号が供給される。このとき液晶層１０４を挟んで画素電極１３１に対向した対向電極１７３及び各補助容量線１５２には対向電極駆動回路１２３から所定の電位が供給されるので、画素電極１３１及び補助容量１５０では映像信号に相当する電圧が保持される。このようにして画素ＴＦＴ１４０に映像信号が書き込まれる。

更に、各画素ＴＦＴ１４０の画素電極１３１と対向電極１７３との間で映像信号の値に応じた電位差により液晶層１０４中に電界が発生し、発生した電界により負の誘電率異方性を有する液晶分子が配向する。液晶分子は、電極間に電圧を印加していない状態又は閾値未満の電圧を印加した状態では基板に対して概略垂直に配向しており、閾値以上の電圧を印加した状態では基板に対して傾斜する又は概略平行に配向する。ここで液晶分子の傾斜する方位は発生する電界によって概略規定される。そして、アレイ基板１０１の背面に位置するバックライトからの照射光が、液晶層１０４を通過すると共に各色のカラーフィルタ１７２を透過する。これにより、表示領域１１０において画像が表示される。

本実施の形態では、間隙を置いて対向配置された第１基板としてのアレイ基板１０１及び第２基板としての対向基板１０２と、アレイ基板１０１上の対向基板側に配置された第１電極としての画素電極１３１と、画素電極１３１と対向して対向基板１０２上のアレイ基板側に配置された第２電極としての対向電極１７３と、間隙に保持され両基板に対して垂直に配向された負の誘電率異方性を有する液晶分子からなる液晶層１０４とを備えた液晶表示装置１において、液晶分子の傾斜方向を制御する第１の構造物を対向電極１７３に断続的に設けると共に、第２の構造物を断続的に設けられた第１の構造物の分断部分に対向して画素電極１３１に設ける。

以下、図を用いて具体的に説明する。図５は、液晶表示装置に設けられた第１の構造物と第２の構造物とを説明するためにアレイ基板上を概略的に示した平面図である。図６は図５のＡ−Ａ部の断面図、図７は、図５のＢ−Ｂ部の断面図、図８は、図５のＣ−Ｃ部の断面図をそれぞれ概略的に示している。図６〜図８の断面図では、第１基板としてのアレイ基板１０１、第１電極としての画素電極１３１、第２基板としての対向基板１０２、第２電極としての対向電極１７３をそれぞれ概略的に示し、それ以外の構成部材については省略した。

図５に示すように、アレイ基板上に交差して配線された走査線Ｙと信号線Ｘとの交差部に画素ＴＦＴ１４０と、画素電極１３１とが配置されている。対向基板１０２には、第１の構造物として点線で示した突起物２０１ａ、２０１ｂが対向電極１７３上に断続的に設けられている。ここで突起物２０１ａ、２０１ｂは、対向電極１７３において画素電極１３１に対応する領域に信号線方向に断続的に設けられる。突起物２０１ａ、２０１ｂは、高さ１μｍ、幅６ｕｍのサイズでアレイ基板側に突出しており、画素電極１３１の中心付近で分断されている。この分断は画素電極１３１毎に繰り返される。また、突起物２０１ａ、２０１ｂは、信号線Ｘと平行な信号線方向に伸びて設けられる。ここで突起物２０１ａ、２０１ｂには誘電体を使用し、液晶中に発生した電界がこの突起物を避けるように誘電率の値を定めている。このように誘電体の突起物２０１ａ、２０１ｂを断続的に設けることで、分断部分では、液晶層１０４を通過する光量を増加させることができる。これにより、光の透過率が向上する。

一方で、画素電極１３１において、断続的に設けられた突起物２０１ａと２０１ｂとの間の分断部分に対向して、第２の構造物として画素電極１３１が一部除去されてスリット２０２が設けられている。スリット２０２は、突起物２０１ａ、２０１ｂが伸びた信号線方向に対して垂直な走査線方向に伸びて設けられている。ここでは走査線方向の長さが１０μｍ、信号線方向の幅が４μｍとする。

次に、このような構成の液晶表示装置１において画像表示を行う場合の液晶分子の配向状態の変化について引き続いて図を用いて説明する。図６〜８の断面図では、電圧を印加していない状態において、アレイ基板１０１上の画素電極１３１、対向基板１０２上の対向電極１７３それぞれの表面付近における液晶分子の状態を概略的に示している。

図６、８の断面図に示すように、対向基板１０２側の矩形で示した液晶分子は、対向電極１７３及び突起物２０１ａ、２０１ｂの表面に対して垂直に配向されている。同図に示すように突起物の表面付近に存在する液晶分子の配向は対向基板に対して垂直になりにくくなるが、ここでは突起物２０１ａ、２０１ｂを断続的に設けることで突起物２０１ａ、２０１ｂが存在しない分断部分の液晶分子をより垂直に配向することができ、電圧を印加していない状態において光漏れが少なくなるので、良好な黒表示が可能になりコントラストが向上する。一方で、図７、８の断面図に示すように、アレイ基板１０１側の液晶分子は、画素電極１３１及びスリット２０２の表面に対して垂直に配向されている。

次に、このような構成の液晶表示装置１において画像を表示する際に、画素電極１３１及び対向電極１７３に電圧が印加された場合の液晶分子の配向状態について引き続いて図９〜１２を用いて説明する。図９〜１１の断面図は、図６〜８の液晶分子の電圧を印加していない状態から電圧を印加した場合のアレイ基板１０１上の画素電極１３１、対向基板１０２上の対向電極１７３それぞれの表面付近における液晶分子の状態を概略的に示している。同図に示すように、画素電極１３１と対向電極１７３との間で印加された映像信号の値に応じて電位差が生じ、液晶層１０４中に発生した電界により液晶分子が配向する。ここでは発生した電界の分布を電気力線で示している。

図９、１１の断面図に示すように対向電極１７３付近で発生した電界は、突起物２０１ａ、２０１ｂを避けるように分布する。これにより、電圧を印加していない状態において対向基板１０２側で対向電極１７３及び突起物２０１ａ、２０１ｂの表面に対して垂直に配向されていた液晶分子は、突起物２０１ａ、２０１ｂの内側に向かって傾斜する。

一方で、図１０、１１の断面図に示すように、画素電極１３１付近で発生した電界は、スリット２０２を避けるように分布する。これにより、電圧を印加していない状態においてアレイ基板１０１側で画素電極１３１及びスリット２０２の表面に対して垂直に配向されていた液晶分子は、スリット２０２の外側に向かって傾斜する。

図１２は、液晶表示装置において画像表示時の液晶分子の傾斜方向の向きを説明するための平面図である。図中の矢印は液晶分子の傾斜方向を示している。同図に示すように、断続的に設けられた突起物２０１ａ、２０１ｂにより、液晶分子の傾斜方向が突起物２０１ａ、２０１ｂの内側方向に制御される。一方で、断続的に設けられた突起物２０１ａ、２０１ｂの分断部分に対向して設けられたスリット２０２により、突起物２０１ａ、２０１ｂの分断部分に存在する液晶分子の傾斜方向がスリット２０２の外側方向に制御される。これにより、液晶表示装置１において各画素における液晶分子の傾斜方向のばらつきが抑制されるので、表示のざらつきを抑制することができる。

したがって、本実施の形態によれば、液晶表示装置１において突起物２０１ａ、２０１ｂを対向基板１０２上の対向電極１７３上に断続的に設けると共に突起物２０１ａ、２０１ｂの分断部分に対向してアレイ基板１０１上の画素電極１３１を一部除去してスリット２０２を設けたことで、電圧が印加された画素電極１３１及び対向電極１７３から電界が発生した液晶層１０４において、突起物２０１ａ、２０１ｂにより垂直に配向された負の誘電率異方性を有する液晶分子の傾斜方向を制御すると共にスリット２０２により突起物２０１ａ、２０１ｂの分断部分に存在する液晶分子の傾斜方向を制御することができる。更に、突起物２０１ａ、２０１ｂの分断部分では、液晶層１０４を通過する光量が増加すると共に液晶分子がより垂直に配向され光漏れが少なくなるので、良好な黒表示が可能になる。よって、液晶分子の傾斜方向のばらつきに起因した表示のざらつきを抑制しつつ透過率やコントラストなどの表示品位を向上させることができる。

また、突起物２０１ａ、２０１ｂは、一方向に伸びて断続的に設けると共に、スリット２０２は、突起物２０１ａ、２０１ｂが伸びた方向に対して垂直方向に伸びて設けることが望ましい。

［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る液晶表示装置の構成は、第１の実施の形態で説明したものと基本的な構成は同様である。以下では、第１の実施の形態と異なる点を中心に説明する。

第１の実施の形態と異なる点は、図１３の平面図に示すように、第１の構造物として対向基板１０２上の対向電極１７３に突起物２０１ａ、２０１ｂではなく、対向電極１７３を一部除去したスリット２０３ａ、２０３ｂを断続的に設ける点である。アレイ基板１０１には断続的に設けられたスリット２０３ａ、２０３ｂの分断部分に対向して、第２の構造物として画素電極１３１を一部除去したスリット２０２を設ける。

スリット２０３ａ、２０３ｂは、対向電極１７３において画素電極１３１に対応する領域に信号線方向に断続的に設けられる。ここでは信号線Ｘと平行な信号線方向に伸びて断続的に設けられ、この分断は画素電極１３１毎に繰り返される。スリット２０３ａ、２０３ｂの幅は、４μｍとする。

スリット２０２は、画素電極１３１において、スリット２０３ａと２０３ｂとの間の分断部分に対向して設けられ、スリット２０３ａ、２０３ｂが伸びた信号線方向に対して垂直方向に伸びて設けられている。ここでは第１の実施の形態と同様に、走査線Ｙ方向の長さが１０μｍ、信号線Ｘ方向の幅が４μｍとする。

図１４〜１６の断面図は、図１３の液晶表示装置１において画像を表示する際に、画素電極１３１及び対向電極１７３に電圧が印加された場合の液晶分子の配向状態を説明するための図である。同図に示すように、画素電極１３１と対向電極１７３との間で映像信号の値に応じた電位差が生じ、液晶層１０４中に発生した電界により液晶分子が配向する。ここでも発生した電界の分布を電気力線で示している。

図１４、１６の断面図に示すように対向電極１７３付近で発生した電界は、対向電極１７３のスリット２０３ａ、２０３ｂを避けるように分布する。これにより、電圧を印加していない状態において対向基板１０２側で対向電極１７３及びスリット２０３ａ、２０３ｂの表面に対して垂直に配向されていた液晶分子は、対向電極１７３のスリット２０３ａ、２０３ｂの内側に向かって傾斜する。

一方で、図１５、１６の断面図に示すように、画素電極１３１付近で発生した電界は、スリット２０２を避けるように分布する。これにより、電圧を印加していない状態においてアレイ基板１０１側で画素電極１３１及びスリット２０２の表面に対して垂直に配向されていた液晶分子は、画素電極１３１のスリット２０２の外側に向かって傾斜する。このように液晶表示装置１において各画素における液晶分子の傾斜方向のばらつきが抑制されるので、表示のざらつきを抑制することができる。

したがって、第２の実施の形態によれば、断続的に設けられた対向電極１７３のスリット２０３ａ、２０３ｂにより、液晶分子の傾斜方向がスリット２０３ａ、２０３ｂの内側方向に制御されると共に、断続的に設けられたスリット２０３ａ、２０３ｂの分断部分に対向して設けられたスリット２０２により、スリット２０３ａ、２０３ｂの分断部分に存在する液晶分子の傾斜方向がスリット２０２の外側方向に制御される。更に、第２の実施の形態では、対向電極１７３上には誘電体の突起物が存在しないので、第１の実施の形態と比べて、液晶層１０４を通過する光量がより増加すると共に垂直に配向された液晶分子による光漏れもより少なくなる。よって、液晶分子の傾斜方向のばらつきに起因した表示のざらつきを抑制しつつ透過率やコントラストなどの表示品位を向上させることができる。

次に、上記各実施の形態の効果に関する理解を容易にするために、第１及び第２の比較例としての液晶表示装置について図１７，１８を用いて詳細に説明する。図１７は、第１の比較例（比較例１）としての液晶表示装置において設けられた構造物の配置を概略的に示した平面図及び断面図である。同図に示すように、第１の比較例では、構造物として誘電体の突起物２０４が対向基板１０２の対向電極１７３上に設けられている。誘電体の突起物２０４は、ここでは信号線Ｘと平行な方向に途切れることなく伸びている。突起物２０４は、高さ１μｍ、幅６ｕｍのサイズでアレイ基板側に突出している。

図１８は、第２の比較例（比較例２）としての液晶表示装置において設けられた構造物の配置を概略的に示した平面図及び断面図である。同図に示すように、対向基板１０２には、構造物として誘電体の突起物２０１ａ、２０１ｂが対向電極１７３上に断続的に設けられており、画素電極１３１の中心付近で分断されている。また、突起物２０１ａ、２０１ｂは、信号線Ｘと平行な方向に伸びて断続的に設けられており、この分断は画素電極１３１毎に繰り返される。また、突起物２０１ａ、２０１ｂは、高さ１μｍ、幅６ｕｍのサイズでアレイ基板側に突出している。尚、比較例２では第１の実施の形態とは異なり、断続的に設けられた突起物２０１ａ、２０１ｂの分断部分に対向して、画素電極１３１にスリット２０２は設けられていない。

図１９は、比較例１及び比較例２と上記第１の実施の形態（実施例１）及び上記第２の実施の形態（実施例２）とそれぞれにおいて画像を表示した際のざらつき感の有無について比較した結果を示している。同図の結果から、比較例２のように、突起を２０１ａと２０１ｂとに分断させるだけでは、分断部分に存在する液晶分子の傾斜方向が統一されないために、結果として表示にざらつき感が生じることになる。一方で、実施例１のように、突起を２０１ａと２０１ｂとに分断し、この分断部分に対向してアレイ基板１０１上の画素電極１３１にスリット２０２を設けることにより、分断部分に存在する液晶分子の傾斜方向が統一され、結果として、表示のざらつき感を無くすことができることを示している。

図２０は、比較例１及び比較例２と上記実施例１及び実施例２とそれぞれにおいて画像を表示した際の透過率比と正面コントラスト比について比較した結果を示している。ここでは、比較例１の透過率、正面コントラストの値を１．００として規格化して示している。同図の結果から、比較例１と比べると実施例１、実施例２及び比較例２は、透過率比及びコントラスト比が向上している。これは、誘電体の突起物が分断して設けられた実施例１及び比較例２では、比較例１と比べると画素電極に対して誘電体の突起物が占める割合が小さくなるので、透過光を遮るものが無くなり透過率が向上する。また実施例２では誘電体の突起物が存在しないので、実施例２は実施例１よりも透過率が高くなっている。

一方、正面コントラストは、一般に液晶分子が基板に対して垂直の状態で光を遮蔽することによって向上するが、基板上に誘電体の突起物がある場合には、突起物付近では液晶分子が斜め方向に配向するために完全に光が遮蔽されず、正面コントラストが低下する。このことから誘電体の突起物の面積が大きい比較例１に比べて、突起物を分断した実施例１及び比較例２では正面コントラストが向上している。また、実施例２においては誘電体の突起物が存在しないので、実施例１よりも正面コントラストが高くなっている。

尚、上記の各実施の形態においては、第１の構造物として対向電極上に誘電体の突起物を断続的に設けると共に第２の構造物として誘電体の突起物の分断部分に対向して画素電極を一部除去してスリットを設ける構成や、第１の構造物として対向電極を一部除去してスリットを断続的に設けると共に第２の構造物としてスリットの分断部分に対向して画素電極を一部除去してスリットを設ける構成としたがこれに限られるものではない。

例えば、第１の構造物として対向電極上に誘電体の突起物を断続的に設けると共に、第２の構造物として突起物の分断部分に対向して画素電極上に誘電体の突起物を設けるようにしてもよいし、第１の構造物として対向電極を一部除去したスリットを断続的に設けると共に、第２の構造物として対向電極のスリットの分断部分に対向して画素電極上に誘電体の突起物を設けるようにしてもよい。このような構成においても、上記各実施の形態とほぼ同様な効果を奏することができる。

［第３の実施の形態］
次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る液晶表示装置は、マルチギャップ型の半透過液晶表示装置である。基本的な構成は第１の実施の形態と同様であるが、以下では、第１の実施の形態と異なる点を中心に説明する。

第１の実施の形態と異なる点は、図２１の平面図に示すように、画素電極が、対向基板に設けられた段差３００により液晶層の厚さが薄い反射領域に対応して配置された反射電極２と、液晶層の厚さが厚い透過領域に対応して配置された透過電極３とから構成される点である。また、第２の構造物としてのスリット２０２ａを、反射電極２及び透過電極３の境界に沿って設ける点である。

ここで第２の構造物としてのスリット２０２ａは、対向基板の対向電極１７３上に断続的に設けられた突起物２０１ａ、２０１ｂの分断部分に対向して、透過電極３を一部除去して設けている。スリット２０２ｂも、同様にして、対向電極１７３上に断続的に設けられた突起物２０１ｂ、２０１ｃの分断部分に対向して透過電極３を一部除去して設けている。突起物２０１ａ〜２０１ｃは、高さ１μｍ、幅６μｍとし、透過電極３のスリット２０２ａ、２０２ｂは、長さ１０μｍ、幅４μｍとする。ここでも突起物２０１ａ〜２０１ｃには誘電体を使用し、液晶中に発生した電界がこの突起物を避けるように誘電率の値を定めている。また、反射電極２には、アルミニウム（以下、Ａｌと称する）を使用し、透過電極３には、第１の実施の形態で使用した光透過性の導電部材であるＩＴＯを使用する。

図２２は、図２１のＡ−Ａ部の断面図である。同図に示すように、アレイ基板及び対向基板を貼りあわせると共に、対向基板に段差３００を設けてマルチギャップ構造としている。ここではセルギャップを３．８μｍとし、段差３００の膜厚を２μｍとしている。反射電極２であるＡｌは、表面が凹凸の有機絶縁膜３０４上に形成し、入射した光を散乱しやすくしている。アレイ基板側及び対向基板側の液晶層１０４に接する面には図示しない厚さ７０ｎｍの配向膜がそれぞれ形成されている。配向膜により、電圧を印加していない状態では、液晶層１０４において透過領域に存在する液晶分子ＬＣ１、反射領域と透過領域の境界近傍に存在する液晶分子ＬＣ２は、それぞれプレチルト角で傾斜して垂直に配向されている。

図２３は、図２２で示した電圧を印加していない状態から電圧を印加した場合の液晶分子の状態を示している。同図に示すように、透過電極３及び反射電極２と対向電極１７３との間で印加された映像信号の電圧に応じた電位差が生じ、液晶層１０４中に発生した電界により液晶分子ＬＣ１、ＬＣ２が配向する。ここでは発生した電界の分布を電気力線（図中の点線）で示している。

対向電極１７３表面から発生した電界は、スリット２０２ａを避けるように分布する。これにより、透過領域に存在する液晶分子ＬＣ１は右側に傾斜する。一方で、反射領域と透過領域の境界近傍に存在する液晶分子ＬＣ２は左側に傾斜する。このように電圧を印加していない状態においてプレチルト角で傾斜して垂直に配向されていた液晶層１０４中の液晶分子は、プレチルト角と同一方向に傾斜する。よって、液晶分子が有するプレチルト方向と電圧印加時のチルト方向が同一になり、液晶の動作が速くなるので、残像感の無い良好な表示を得ることができる。

したがって、第３の実施の形態によれば、第２の構造物としてのスリット２０２ａを、対向基板の対向電極１７３上に断続的に設けられた誘電体の突起物２０１ａ、２０１ｂの分断部分に対向して、反射電極２及び透過電極３の境界に沿って設けることで、電圧印加時に電界が発生した液晶層１０４において反射電極２及び透過電極３の境界近傍に存在する液晶分子の傾斜方向を制御することができる。これにより、第１の実施の形態の効果に加えて、液晶分子が有するプレチルト方向と電圧印加時のチルト方向が同一になり、液晶の動作が速くなるので、残像感の無い良好な表示を得ることができる。

また、第２の構造物としてのスリット２０２ａを、反射電極２及び透過電極３の境界をまたいで設けるようにしてもよい。このような構成においても、上記各実施の形態とほぼ同様な効果を奏することができる。

［比較例］
ここで第３の実施の形態の理解を容易にするために、比較例として第２の構造物としてのスリット２０２ａを、反射電極２及び透過電極３の境界に沿って設けない場合の半透過型液晶表示装置について図２４〜２６を用いて説明する。

図２４の平面図に示すように、比較例では、基本的な構成は図２１の構成と同様であり、異なる点は、スリット２０２ａが存在しない点である。スリット２０２ｂは、対向電極１７３上に断続的に設けられた誘電体の突起物２０１ｂ、２０１ｃの分断部分に対向して透過電極３を一部除去して設けている。

図２５は、図２４のＡ−Ａ部の断面図を示している。同図に示すように、ここでも電圧を印加していない状態では、液晶層１０４において透過領域に存在する液晶分子ＬＣ１、反射領域と透過領域の境界近傍に存在する液晶分子ＬＣ２は、それぞれプレチルト角で傾斜して垂直に配向されている。

図２６は、図２５で示した電圧を印加していない状態から電圧を印加した場合の液晶分子の状態を示している。同図に示すように、透過電極３及び反射電極２と対向電極１７３との間で印加された映像信号の電圧に応じた電位差が生じ、液晶層１０４中に発生した電界により液晶分子ＬＣ１，ＬＣ２が配向する。ここでも発生した電界の分布を電気力線（図中の点線）で示している。対向基板の対向電極１７３表面から発生した電界により、透過領域に存在する液晶分子ＬＣ１は、プレチルト角と同一方向（図中では右側）に傾斜するので動作が速い。一方で、反射領域と透過領域の境界近傍に存在する液晶分子ＬＣ２は、プレチルト角と逆方向（図中では右側）に傾斜するため、動作が遅くなる。

このような構成において、黒表示、灰色表示、黒と白のチェッカーパターン表示、白色表示と順に切り換えて表示した場合、チェッカーパターンが数秒間残像として残るという不具合が観察された。

このように、比較例では、段差３００を有する対向基板の対向電極１７３表面から発生した電界により、反射領域と透過領域の境界近傍に存在する液晶分子が有するプレチルト方向と電圧印加時のチルト方向が逆方向になり、液晶の動作が非常に遅くなるために表示の際に残像不良が発生してしまう。

そこで、上記のように第３の実施の形態では、スリット２０２ａを、対向基板の対向電極１７３上に断続的に設けられた誘電体の突起物２０１ａ、２０１ｂの分断部分に対向して、反射電極２及び透過電極３の境界に沿って設けることで、電圧印加時に電界が発生した液晶層１０４において反射電極２及び透過電極３の境界近傍に存在する液晶分子の傾斜方向を制御することができる。これにより、液晶分子が有するプレチルト方向と電圧印加時のチルト方向が同一になり、液晶の動作が速くなるので、残像感の無い良好な表示を得ることができる。

尚、第３の実施の形態のマルチギャップ型の半透過液晶表示装置においては、反射電極２及び透過電極３の境界に、第２の構造物として透過電極３を一部除去したスリット２０２ａを設けたが、これに限られるものではなく、誘電体の突起物を設けてもよい。このような場合においても本実施の形態と同様な効果を奏することができる。

また、第３の実施の形態の半透過液晶表示装置においては、段差を対向基板に設けることで、液晶層の厚さが異なるマルチギャップ構造としたが、これに限られるものではなく、段差をアレイ基板に設ける又はアレイ基板及び対向基板の両方に設けるような構造にしてもよい。このような場合においても本実施の形態と同様な効果を奏することができる。

次に、第３の実施の形態において反射領域と透過領域との境界に設けたスリットの構成について図２７、２８を用いて説明する。図２７は、半透過型の液晶表示装置のアレイ基板の断面図を概略的に示している。同図に示すように、アレイ基板においてポリシリコン膜３０２と、酸化膜３０１と、補助容量線（ＣＳ線）３０５と、パシベーション膜３０３とが順に積層された絶縁性基板１１１上に有機絶縁膜３０４が形成される。更にその上に形成された反射電極２であるＡｌが、コンタクトホールを介してＣＳ線に接続されている。反射電極２の上に、透過電極３としてＩＴＯが形成されている。ここでは反射電極２、透過電極３の順で積層した場合について示しており、この場合には透過電極３が反射電極２の段差を乗り越える構造になる。

図２８は、アレイ基板上を概略的に示した平面図である。反射電極２の中央はＣＳ線３０５と接続するためのコンタクト部３０６が設けられている。同図に示すように反射領域と透過領域との境界において、透過電極３のスリット２０２ａを反射電極２から離して設ける。ここではスリット２０２ａを、境界となる反射電極２の端から１μｍ離して配置している。このように反射電極２による段差部から透過電極３のスリット２０２ａを離して設けることで、段差部で透過電極３が断線するのを防止できるので、点欠陥に起因した歩留まりが向上する。

また、第３の実施の形態において、反射電極と透過電極との境界に設けるスリットは、反射電極から離して設けることで、反射電極２による段差部で透過電極３が断線するのを防止するようにしたが、これに限られるものでない。第１の応用例としては、図２９に示すように、反射電極２を、スリット２０２ａの両端を避けるように切り欠いた構成にする。これにより、スリット２０２ａの両端で透過電極３が細くなった部分を、切り欠かかれた反射電極２による段差部から離すことができ、段差部で透過電極３が断線するのを防止できる。第２の応用例としては、図３０に示すように、スリット２０２ａ付近の反射電極２の形状を左右非対称で、スリット２０２ａの左右でスリットからの距離が異なるような構成にする。ここでは反射電極の左端を切り欠いた場合を示している。これにより、スリット２０２ａの左端で透過電極３が細くなった部分を、反射電極２による段差部から離すことができ、反射電極の面積を維持しつつ段差部で透過電極３が断線するのを防止できる。その他の例としては、反射電極の端部が順テーパーとなるように形成することで、段差部の角度を滑らかにして透過電極３が断線するのを防止するようにしてもよい。

［第４の実施の形態］
次に、第４の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る液晶表示装置は、基本的な構成は第１の実施の形態と同様であるが、以下では、第１の実施の形態と異なる点を中心に説明する。

第１の実施の形態と異なる点は、図３１の平面図に示すように、第１の構造物としての誘電体の突起物２０１ａ〜２０１ｄを、対向電極１７３において画素電極１３１に対応する領域に信号線方向だけでなく、走査線方向にも断続的に設けると共に、第２の構造物としてのスリット２０２ａ〜２０２ｄを、画素電極１３１において、突起物２０１ａ〜２０１ｄ間の分断部分に対向して設ける点である。ここではスリット２０２ａを突起物２０１ａと２０１ｂとの間の分断部分に、スリット２０２ｂを突起物２０１ｃ及び２０１ｄの間の分断部分に、スリット２０２ｃを突起物２０１ａ及び２０１ｃの間の分断部分に、スリット２０２ｄを突起物２０１ｂ及び２０１ｄの間の分断部分にそれぞれ設ける。尚、ここで画素電極１３１は、走査線方向の画素ピッチは１２０マイクロメートル、信号線方向の画素ピッチは３６０マイクロメートルとし、第１の実施の形態と比べて大きなサイズの電極を使用するものとする。

このように突起物２０１ａ〜２０１ｄを、信号線方向だけでなく走査線方向にも拡張して配置することで、面積の大きな画素電極を有する大型の液晶表示装置においても適用可能となる。

したがって、本実施の形態によれば、上記実施の形態の効果に加えて、第１の構造物を、対向電極において画素電極に対応する領域に走査線方向と信号線方向とに断続的に設けるようにしたことで、第１及び第２の構造物を画素電極の面積に応じて信号線方向や走査線方向に対して拡張して配置することができるので、例えば、大型の画素電極を有する液晶表示装置においても適用することが可能になり、第１の実施の形態と同様な効果を奏することができる。

また、図３２の平面図に示すように、第２の構造物としてのスリット２０２ｃを、走査線方向の突起物２０１ａ及び２０１ｃの間の分断部分に対向して設けると共に、突起物２０１ｂ及び２０１ｄの間の分断部分に対向して設けて信号線方向で一体的に形成することで、図３１の構成と比較して製造が容易となる。

更に、図３３の平面図に示すように、走査線方向の突起物２０１ａ及び２０１ｃの間の分断部分と、突起物２０１ｂ及び２０１ｄの間の分断部分とのそれぞれに対向して信号線方向で一体的に形成した設けスリット２０２を、信号線方向の突起物２０１ａ及び２０１ｂの間の分断部分と、突起物２０１ｃ及び２０１ｄの間の分断部分とのそれぞれに対向するように走査線方向で一体的に形成することで、より製造が容易となる。

また、上記各実施の形態においては、対向電極１７３上において、画素電極１３１に対応する領域に断続的に設ける第１の構造物の形状は、信号線方向に伸びた長方形としたが、これに限られるものではない。例えば、第１の実施の形態において図５の平面図で示した第１の構造物としての突起物２０１ａと２０１ｂの形状を、図３４の平面図に示すように、突起物２０１ａと２０１ｂが互いに異なる面積の矩形、図３５の平面図に示すように突起物２０１ａ、２０１ｂの形状が六角形、図３６の平面図に示すように突起物２０１ａ、２０１ｂの形状が楕円形としても、第１の構造物の分断部分に対向して第２の構造物を設けることで、上記各実施の形態と同様な効果を奏することができる。

第１の実施の形態に係る液晶表示装置の斜視図である。 上記液晶表示装置のアレイ基板上に配置された回路を示す図である。 上記液晶表示装置の表示領域に配線された走査線と信号線との交差部近傍におけるアレイ基板の断面図である。 上記液晶表示装置において表示領域と周辺領域との境界近傍における断面図である。 上記液晶表示装置に設けられた第１及び第２の構造物の配置を概略的に示した平面図である。 上記平面図におけるＡ−Ａ部の断面図である。 上記平面図におけるＢ−Ｂ部の断面図である。 上記平面図におけるＣ−Ｃ部の断面図である。 上記液晶表示装置において画像表示時の液晶分子の配向状態を示したＡ−Ａ部の断面図である。 上記液晶表示装置において画像表示時の液晶分子の配向状態を示したＢ−Ｂ部の断面図である。 上記液晶表示装置において画像表示時の液晶分子の配向状態を示したＣ−Ｃ部の断面図である。 上記液晶表示装置において画像表示時の液晶分子の傾斜方向を示した平面図である。 第２の実施の形態に係る液晶表示装置に設けられた第１及び第２の構造物の配置を概略的に示した平面図である。 上記液晶表示装置において画像表示時の液晶分子の配向状態を示したＡ−Ａ部の断面図である。 上記液晶表示装置において画像表示時の液晶分子の配向状態を示したＢ−Ｂ部の断面図である。 上記液晶表示装置において画像表示時の液晶分子の配向状態を示したＣ−Ｃ部の断面図である。 第１の比較例としての液晶表示装置において設けられた構造物の配置を概略的に示した図である。 第２の比較例としての液晶表示装置において設けられた構造物の配置を概略的に示した図である。 画像表示のざらつきについて第１及び第２の実施の形態と第１及び第２の比較例とを比較した結果を示す図である。 透過率比と正面コントラスト比について第１及び第２の実施の形態と第１及び第２の比較例とを比較した結果を示す図である。 第３の実施の形態に係る半透過型の液晶表示装置に設けられた第１及び第２の構造物の配置を概略的に示した平面図である。 上記液晶表示装置におけるＡ−Ａ部の断面図である。 上記液晶表示装置において画像表示時の液晶分子の配向状態を示したＡ−Ａ部の断面図である。 比較例としての半透過型の液晶表示装置に設けられた第１及び第２の構造物の配置を概略的に示した平面図である。 上記液晶表示装置におけるＡ−Ａ部の断面図である。 上記液晶表示装置において画像表示時の液晶分子の配向状態を示したＡ−Ａ部の断面図である。 上記液晶表示装置のアレイ基板の断面図である。 上記アレイ基板上において反射領域と透過領域との境界に設ける第２の構造物の配置を概略的に示した平面図である。 上記アレイ基板上において反射領域と透過領域との境界に設ける第２の構造物の配置の第１の応用例を概略的に示した平面図である。 上記アレイ基板上において反射領域と透過領域との境界に設ける第２の構造物の配置の第２の応用例を概略的に示した平面図である。 第４の実施の形態に係る液晶表示装置に設けられた第１及び第２の構造物の配置を概略的に示した平面図である。 上記液晶表示装置において第２の構造物のレイアウトを変形させた場合の第１の変形例を示した平面図である。 上記液晶表示装置において第２の構造物のレイアウトを変形させた場合の第２の変形例を示した平面図である。 第１の実施の形態に係る液晶表示装置において第１の構造物の形状を変形させた場合の第１の変形例を示した平面図である。 上記液晶表示装置において第１の構造物の形状を変形させた場合の第２の変形例を示した平面図である。 上記液晶表示装置において第１の構造物の形状を変形させた場合の第３の変形例を示した平面図である。

符号の説明

１…液晶表示装置
２…反射電極
３…透過電極
１０１…アレイ基板（第１基板）
１０２…対向基板（第２基板）
１０３…外縁シール部材
１０４…液晶層
１１０…表示領域
１１１…絶縁性基板（アレイ基板側）
１１２…アンダーコート層
１１３…層間絶縁膜
１１４Ａ、１１４Ｂ…コンタクトホール
１１５…透明樹脂層
１１６…遮光膜
１１７…コンタクトホール
１１８…柱状スペーサ
１１９…配向膜（アレイ基板側）
１２０…周辺領域
１２１…走査線駆動回路
１２２…信号線駆動回路
１２３…対向電極駆動回路
１３１…画素電極
１４０…薄膜トランジスタ（画素ＴＦＴ）
１４１…半導体層
１４１Ｃ…チャネル領域
１４１Ｄ…ドレイン領域
１４１Ｓ…ソース領域
１４２…ゲート絶縁膜
１４３…ゲート電極（走査線Ｙ）
１４４…ドレイン電極（信号線Ｘ）
１４５…ソース電極
１５０…補助容量
１５１…補助容量電極
１５２…補助容量線
１５３…コンタクト電極
１５４…コンタクトホール
１７１…絶縁性基板（対向基板側）
１７２Ｒ…赤色のカラーフィルタ層
１７２Ｇ…緑色のカラーフィルタ層
１７２Ｂ…青色のカラーフィルタ層
１７３…対向電極（第２電極）
１７４…配向膜（対向基板側）
２０１、２０１ａ、２０１ｂ、２０１ｃ…誘電体の突起物（第１の構造物）
２０２…画素電極のスリット（第２の構造物）
２０３ａ、２０３ｂ…対向電極のスリット（第１の構造物）
２０４…誘電体の突起物（構造物）
３００…段差
３０１…酸化膜
３０２…ポリシリコン膜
３０３…パシベーション膜
３０４…有機絶縁膜
３０５…補助容量線（ＣＳ線）
３０６…コンタクト部
Ｙ１〜Ｙｍ…走査線
Ｘ１〜Ｘｎ…信号線
ＰＬ１…偏光板（アレイ基板側）
ＰＬ２…偏光板（対向基板側）
ＬＣ１…透過領域に存在する液晶分子
ＬＣ２…反射領域と透過領域の境界近傍に存在する液晶分子

Claims (11)

1. 間隙を置いて対向配置された第１基板及び第２基板と、
   前記第１基板上の前記第２基板側に配置された第１電極と、
   前記第１電極に対向して前記第２基板上の前記第１基板側に配置された第２電極と、
   前記間隙に保持され前記第１及び第２基板に対して負の誘電率異方性を有する液晶分子からなる液晶層と、
   前記第２電極に断続的に設けられ前記液晶層の液晶分子の傾斜方向を制御する第１の構造物と、
   断続的に設けられた前記第１の構造物の分断部分に対向して前記第１電極に設けられた第２の構造物と、
   を備えることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記第１電極は、前記第１又は第２基板のうちの少なくとも一方に設けられた段差により前記液晶層の厚さが薄い領域に対応して配置された反射電極と、前記液晶層の厚さが厚い領域に対応して配置された透過電極とを備え、
   前記第２の構造物は、前記反射電極及び前記透過電極の境界に沿って設けられることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第１電極は、前記第１又は前記第２基板のうちの少なくとも一方に設けられた段差により前記液晶層の厚さが薄い領域に対応して配置された反射電極と、前記液晶層の厚さが厚い領域に対応して配置された透過電極とを備え、
   前記第２の構造物は、前記反射電極及び前記透過電極の境界をまたいで設けられることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記第１基板及び第２基板は、それぞれアレイ基板及び対向基板であり、
   前記第１電極は、前記アレイ基板上に交差して配線された複数の走査線及び複数の信号線の各交差部に配置された画素電極であり、
   前記第２電極は、前記対向基板上に配置された対向電極であって、
   前記第１の構造物は、前記対向電極において画素電極に対応する領域に走査線方向と信号線方向の少なくとも一方向に断続的に設けられると共に、
   前記第２の構造物は、前記画素電極において、前記第１の構造物間の分断部分に対向して設けられることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表示装置。
5. 前記第１の構造物は、前記対向電極において画素電極に対応する領域に走査線方向と信号線方向に複数設けられ、
   前記第２の構造物は、前記画素電極において、走査線方向の第１の構造物間の分断部分に対向して設けられると共に信号線方向で一体的に形成されたものであることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記第１の構造物は、前記対向電極において画素電極に対応する領域に走査線方向と信号線方向に複数設けられ、
   前記第２の構造物は、前記画素電極において、信号線方向の第１の構造物間の分断部分に対向して設けられると共に走査線方向で一体的に形成されたものであることを特徴とする請求項４又は５に記載の液晶表示装置。
7. 前記第１の構造物は、前記対向電極上において前記アレイ基板側に突出して設けられた誘電体の突起物であり、
   前記第２の構造物は、前記画素電極が一部除去されて設けられたスリットであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の液晶表示装置。
8. 前記第１の構造物は、前記対向電極が一部除去されて設けられたスリットであり、
   前記第２の構造物は、前記画素電極が一部除去されて設けられたスリットであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の液晶表示装置。
9. 前記第１の構造物は、前記対向電極上において前記アレイ基板側に突出して設けられた誘電体の突起物であり、
   前記第２の構造物は、前記画素電極上において前記対向基板側に突出して設けられた誘電体の突起物であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の液晶表示装置。
10. 前記対向電極上の突起物は、一方向に伸びて設けられると共に、
    前記画素電極のスリットは、前記突起物が伸びた方向に対して垂直方向に伸びて設けられることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
11. 前記対向電極のスリットは、一方向に伸びて設けられると共に、
    前記画素電極のスリットは、前記対向電極のスリットが伸びた方向に対して垂直方向に伸びて設けられることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。

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