JP2007242895A - 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
薄膜トランジスタの性能のばらつきの低減を図ることができる薄膜トランジスタ装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる薄膜トランジスタ装置は、絶縁基板上1にソース領域2a、ドレイン領域2b及びチャネル領域2cを含むシリコン層2と、ゲート絶縁層3と、ゲート電極4とを有する薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを覆う層間絶縁層5と、層間絶縁層5に設けられたコンタクトホール6を介して、ソース領域2a、ドレイン領域2b及びゲート電極4に電気的に接続された配線7とを備えた薄膜トランジスタ装置である。配線7及び層間絶縁層5を覆い、配線7及び層間絶縁層5の表面凹凸を緩和する第一の上部絶縁層8aと、第一の上部絶縁層8aを覆う第二の上部絶縁層8bとを備え、第二の上部絶縁層8bの水素拡散係数が第一の上部絶縁層8aの水素拡散係数より小さいことを特徴とするものである。
【選択図】 図1
Description
図1を用いて、本発明の実施の形態1にかかる薄膜トランジスタ装置及びその製造方法について説明する。図1(c)は実施の形態1にかかる薄膜トランジスタ装置の断面図である。実施の形態1にかかる薄膜トランジスタは、液晶表示装置、有機EL表示装置等のアクティブマトリクス型表示装置に用いることができる。
図2を用いて、本発明の実施の形態2にかかる薄膜トランジスタ装置及びその製造方法について説明する。図2(c)は実施の形態2にかかる薄膜トランジスタ装置の断面図である。図2においては、図1と同一の構成要素には同一の符号を付している。図2は図1と同一の構成要素のみからなるため、構成についての説明は省略する。実施の形態1との相違点は、第一の上部絶縁層8a及び第二の上部絶縁層8bの表面全体が、絶縁基板1と並行となるように、平坦かつ平滑である点である。実施の形態2にかかる薄膜トランジスタも、液晶表示装置、有機EL表示装置等のアクティブマトリクス型表示装置に用いることができる。
図3を用いて、本発明の実施の形態3にかかる薄膜トランジスタ装置及びその製造方法について説明する。図3(c)は本発明の形態にかかる薄膜トランジスタ装置の断面図である。図3においては、図1と同一の構成要素には同一の符号を付しているため、説明を省略する。実施の形態1及び2との相違点は、実施の形態1及び2では、配線上の上部絶縁層が担っている機能を、この発明の実施の形態3では、層間絶縁層が担っている点である。すなわち、実施の形態3にかかる薄膜トランジスタ装置は、図3(c)に示すように、図1及び2に示す層間絶縁層5に代わり、第一の層間絶縁層5a及び第二の層間絶縁層5b有す。実施の形態3にかかる薄膜トランジスタも、液晶表示装置、有機EL表示装置等のアクティブマトリクス型表示装置に用いることができる。
2 シリコン層
2a ソース領域
2b ドレイン領域
2c チャンネル領域
3 ゲート絶縁層
4 ゲート電極
5 層間絶縁層
5a 第一の層間絶縁層
5b 第二の層間絶縁層
6 コンタクトホール
7 配線
8a 第一の上部絶縁層
8b 第二の上部絶縁層
Claims (16)
- 絶縁基板上にソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含むシリコン層と、ゲート絶縁層と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆う層間絶縁層と、
前記層間絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、前記ソース領域、ドレイン領域及び前記ゲート電極に電気的に接続された配線とを備えた薄膜トランジスタ装置であって、
前記配線及び層間絶縁層を覆い、前記配線の段差及び層間絶縁層の表面凹凸を緩和する第一の上部絶縁層と、
前記第一の上部絶縁層を覆う第二の上部絶縁層とを備え、第二の上部絶縁層の水素拡散係数が第一の上部絶縁層の水素拡散係数より小さいことを特徴とする薄膜トランジスタ装置。 - 前記第一の上部絶縁層が、有機SOD(Spin on Dielectrics)膜、有機SOG(Spin on Grass)膜、無機SOD(Spin on Dielectrics)膜、無機SOG(Spin on Grass)膜、400℃以上の高耐熱性の有機ポリマー膜のうち、いずれか一つ以上を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ装置。
- 前記第一の上部絶縁層の表面粗さが100μm2領域のRMS値で50nm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタ装置。
- 前記第二の上部絶縁層が、シリコン窒化膜層又はシリコン酸化窒化膜層を含んでいることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ装置。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ装置を備えたアクティブマトリクス型表示装置。
- 絶縁基板上にソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含むシリコン層と、ゲート絶縁層と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ上に層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層にコンタクトホールを開口して、前記ソース領域、ドレイン領域及び前記ゲート電極に接続する配線を形成する工程と、
前記配線及び層間絶縁層上に第一の上部絶縁層を形成し、前記配線の段差及び層間絶縁層の表面凹凸を緩和するように平坦化処理する工程と、
前記第一の上部絶縁層上に前記第一の上部絶縁層より水素拡散係数が小さい第二の上部絶縁層を形成する工程とを備えた製造方法。 - 前記第二の上部絶縁層を形成する工程の後、熱処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 前記第一の上部絶縁層の平坦化処理として、コーティング処理を含んでいることを特徴とする請求項6又は7に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 前記第一の上部絶縁層の平坦化処理として、化学的機械研磨を含むことを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 絶縁基板上にソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含むシリコン層と、ゲート絶縁層と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを備える薄膜トランジスタ装置であって、
前記薄膜トランジスタを覆い、前記薄膜トランジスタの表面凹凸を緩和する第一の層間絶縁層と、
前記第一の層間絶縁層を覆う第二の層間絶縁層とを備え、第二の層間絶縁層の水素拡散係数が第一の層間絶縁層の水素拡散係数より小さいことを特徴とする薄膜トランジスタ装置。 - 前記第一の層間絶縁層が、有機SOD(Spin on Dielectrics)膜、有機SOG(Spin on Grass)膜、無機SOD(Spin on Dielectrics)膜、無機SOG(Spin on Grass)膜、400℃以上の高耐熱性の有機ポリマー膜のうち、いずれか一つ以上を含んでいることを特徴とする請求項10に記載の薄膜トランジスタ装置。
- 前記第二の上部絶縁層が、シリコン窒化膜層又はシリコン酸化窒化膜層を含んでいることを特徴とする請求項10又は11のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ装置。
- 請求項10〜12のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ装置を備えたアクティブマトリクス表示装置。
- 絶縁基板上にソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含むシリコン層と、ゲート絶縁層と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ上に第一の層間絶縁層を形成し、前記薄膜トランジスタの表面凹凸を緩和するように平坦化処理する工程と、
前記第一の層間絶縁層上に前記第一の層間絶縁層より水素拡散係数が小さい第二の層間絶縁層を形成する工程とを備えた製造方法。 - 前記第二の層間絶縁層を形成する工程の後、熱処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項14に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 前記第一の層間絶縁層の平坦化処理として、コーティング処理を含んでいることを特徴とする請求項14又は15に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2019198181A1 (ja) * | 2018-04-11 | 2019-10-17 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101041145B1 (ko) * | 2008-07-09 | 2011-06-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 폴리실세스퀴옥산 공중합체, 그의 제조방법, 이를 이용하는폴리실세스퀴옥산 공중합체 박막, 및 이를 이용하는유기전계발광표시장치 |
WO2011048959A1 (en) | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101776655B1 (ko) * | 2010-07-01 | 2017-09-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판, 그 제조 방법, 및 상기 어레이 기판을 포함하는 표시 장치 |
CN102631957B (zh) * | 2012-04-13 | 2014-06-25 | 北京大学 | 带有栅压调制功能的超薄封装微流体***及其制备方法 |
JP6230253B2 (ja) * | 2013-04-03 | 2017-11-15 | 三菱電機株式会社 | Tftアレイ基板およびその製造方法 |
KR102135275B1 (ko) * | 2013-07-29 | 2020-07-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 |
CN104091783A (zh) * | 2014-06-26 | 2014-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Tft阵列基板的制作方法、tft阵列基板和显示面板 |
KR102304724B1 (ko) * | 2014-12-19 | 2021-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판, 이를 포함하는 디스플레이 장치, 박막트랜지스터 기판 제조방법 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법 |
US10263107B2 (en) * | 2017-05-01 | 2019-04-16 | The Regents Of The University Of California | Strain gated transistors and method |
CN109285774B (zh) * | 2018-09-12 | 2023-03-24 | 江苏能华微电子科技发展有限公司 | 一种基于氮化镓的结势垒肖特基二极管及其形成方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06196702A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-07-15 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH1041518A (ja) * | 1996-04-09 | 1998-02-13 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法 |
JPH11194360A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-07-21 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器並びに投射型表示装置 |
JP2000036601A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Sony Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2001284342A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-10-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
JP2003302916A (ja) * | 1997-06-17 | 2003-10-24 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び投写型表示装置 |
JP2005115362A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び表示装置の作製方法 |
JP2006032937A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射方法及びレーザ照射装置、並びに非単結晶を結晶化する方法及び半導体装置を作製する方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60136259A (ja) | 1983-12-24 | 1985-07-19 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
US5162892A (en) | 1983-12-24 | 1992-11-10 | Sony Corporation | Semiconductor device with polycrystalline silicon active region and hydrogenated passivation layer |
JPH0656856B2 (ja) | 1984-08-10 | 1994-07-27 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2806999B2 (ja) | 1989-11-22 | 1998-09-30 | ティーディーケイ株式会社 | 多結晶シリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JPH03280435A (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-11 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JPH06260649A (ja) | 1993-03-02 | 1994-09-16 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US6150692A (en) | 1993-07-13 | 2000-11-21 | Sony Corporation | Thin film semiconductor device for active matrix panel |
JP3287107B2 (ja) | 1993-07-13 | 2002-05-27 | ソニー株式会社 | 表示素子用基板の製造方法 |
JP2508601B2 (ja) | 1993-09-13 | 1996-06-19 | ソニー株式会社 | 電界効果型薄膜トランジスタ |
JP3382130B2 (ja) | 1997-07-25 | 2003-03-04 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP4493778B2 (ja) | 1999-01-26 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2000332258A (ja) | 1999-03-16 | 2000-11-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
KR100653298B1 (ko) | 1999-03-16 | 2006-12-04 | 산요덴키가부시키가이샤 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
KR20010004285A (ko) * | 1999-06-28 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 제조 방법 |
TW200304227A (en) | 2002-03-11 | 2003-09-16 | Sanyo Electric Co | Top gate type thin film transistor |
CN100364110C (zh) | 2003-06-07 | 2008-01-23 | 统宝光电股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板结构 |
KR101032603B1 (ko) * | 2004-06-23 | 2011-05-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
-
2006
- 2006-03-08 JP JP2006063368A patent/JP2007242895A/ja active Pending
-
2007
- 2007-02-09 TW TW096104775A patent/TW200735374A/zh unknown
- 2007-02-12 US US11/673,773 patent/US7541646B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-06 KR KR1020070021809A patent/KR100879039B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-03-08 CN CNA2007100857289A patent/CN101034718A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06196702A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-07-15 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH1041518A (ja) * | 1996-04-09 | 1998-02-13 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法 |
JP2003302916A (ja) * | 1997-06-17 | 2003-10-24 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び投写型表示装置 |
JPH11194360A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-07-21 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器並びに投射型表示装置 |
JP2000036601A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Sony Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2001284342A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-10-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
JP2005115362A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び表示装置の作製方法 |
JP2006032937A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射方法及びレーザ照射装置、並びに非単結晶を結晶化する方法及び半導体装置を作製する方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019198181A1 (ja) * | 2018-04-11 | 2019-10-17 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 |
JP6603831B1 (ja) * | 2018-04-11 | 2019-11-06 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 |
US10964767B2 (en) | 2018-04-11 | 2021-03-30 | Sakai Display Products Corporation | Organic EL display device and manufacturing method for organic EL display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070210353A1 (en) | 2007-09-13 |
TW200735374A (en) | 2007-09-16 |
CN101034718A (zh) | 2007-09-12 |
KR100879039B1 (ko) | 2009-01-15 |
US7541646B2 (en) | 2009-06-02 |
KR20070092122A (ko) | 2007-09-12 |
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