JP2007221663A - 放送信号受信装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】トランスを用いることなくICチップへの集積化が容易で、目的周波数の選択度も良好な放送信号受信装置を提供する。
【解決手段】ループアンテナ1に対してLNA2を直接接続し、LNA2の後段に、通過周波数帯域を可変に構成された可変BPF3を接続することにより、ループアンテナ1とLNA2との間にインピーダンス変換用のトランスを用いることなく、可変BPF3によってQ値の高い可変同調回路を構成することができるようにして、チューナ部の構成要素の殆ど全てをICチップ10に集積化することができるようにするとともに、可変同調によって目的周波数の選択度も良好に保つことができるようにする。
【選択図】 図1
【解決手段】ループアンテナ1に対してLNA2を直接接続し、LNA2の後段に、通過周波数帯域を可変に構成された可変BPF3を接続することにより、ループアンテナ1とLNA2との間にインピーダンス変換用のトランスを用いることなく、可変BPF3によってQ値の高い可変同調回路を構成することができるようにして、チューナ部の構成要素の殆ど全てをICチップ10に集積化することができるようにするとともに、可変同調によって目的周波数の選択度も良好に保つことができるようにする。
【選択図】 図1
Description
本発明は放送信号受信装置に関し、特に、ループアンテナを使用して放送信号を受信する装置に用いて好適なものである。
ラジオ受信機などの放送信号受信装置で使用されるアンテナとして、バーアンテナやループアンテナなどがある。バーアンテナは、受信する電波の波長とは直接関係なく、形状を小型にできるため、長波から中波の受信用、例えばAMラジオや電波時計に広く用いられる。バーアンテナの共振インピーダンスは大きいので(数百KΩ)、可変容量デバイスと組み合わせて同調回路が構成される。
一方、ループアンテナは、導線を何回か巻いて形成したコイル内部の磁場の変化により誘導起電力を取り出す原理のものであり、多くはコンデンサを接続して共振回路として用いる。例えば、ホームオーディオ用のラジオ受信機では、共振回路に可変容量コンデンサ(バラクタダイオード)を用いることにより、バラクタダイオードの容量値を変えることによって可変同調回路が構成されている。
図4は、ループアンテナを用いた従来の放送信号受信装置の構成の一部を示す図である。図4において、101はループアンテナ、102はコイルを使用したトランス、103はバラクタダイオード、104はコンデンサ、105はLNA(Low Noise Amplifier:低雑音増幅器)、106はミキサ、107はローカル発振器、108はバラクタダイオード103に対する制御電圧の入力端子である。
ループアンテナ101で受信された高周波信号(RF信号)のうち、バラクタダイオード103と共に形成される共振回路により共振した同調周波数のRF信号が、トランス102によってインピーダンス変換されてLNA105に供給される。LNA105においてRF信号は低雑音で増幅され、ミキサ106に供給される。そして、ミキサ106においてRF信号がローカル発振器107からのローカル信号と混合され、中間周波信号(IF信号)として取り出される。
このように、ループアンテナ101を用いた従来の放送信号受信装置では、インピーダンス変換用にトランス102やバラクタダイオード103を使用していた。インピーダンス変換を行うのは、ループアンテナ101はインピーダンスが低く(数百Ω)、そのままでは同調の効果が小さい(Q値が高くとれない)ため、可変容量デバイスとのインピーダンスマッチングをとることが必要となるからである。
ところが、トランス102やバラクタダイオード103は、これをICチップに内蔵することが難しく、ICチップの外付け部品として構成しなければならなかった。そのため、トランス102やバラクタダイオード103の存在は、放送信号受信装置の小型化を図る際の1つの阻害要因となっていた。
これに対して、受信アンテナの最も近くにLNAを配設し、その後段にバンドパスフィルタ(BPF)を接続するように構成した通信装置が提供されている(例えば、特許文献1参照)。この種の通信装置では、受信アンテナで受信されLNAで増幅された信号は、BPFに供給される。BPFは、受信周波数を中心周波数とした所定の周波数帯域の信号のみを通過させる。
特開平11−8564号公報
しかしながら、上記特許文献1のような従来技術では、バラクタダイオードを用いた可変同調回路が存在しないので、BPFの通過周波数帯域をAM放送の受信周波数帯域の全体に設定する必要がある。そのため、目的周波数の選択度(目的周波数の信号を受信している最中に他の周波数の妨害信号が加えられたときにそれを排除する能力)が低く、妨害に弱いという問題があった。また、受信アンテナの最も近くにLNAを配設してトランスを省いた場合、トランスによるインピーダンス変換ができなくなるので、インピーダンスマッチングをとるのが困難になるという問題もあった。
本発明は、このような問題を解決するために成されたものであり、トランスやバラクタダイオードを用いることなく、ICチップへの集積化が容易で、目的周波数の選択度も良好な放送信号受信装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、インピーダンスマッチングも容易に行うことができるようにすることを目的としている。
また、本発明は、インピーダンスマッチングも容易に行うことができるようにすることを目的としている。
上記した課題を解決するために、本発明の放送信号受信装置では、ループアンテナの最も近くにLNAを配設し、LNAの後段に、通過周波数帯域を可変に構成された可変バンドパスフィルタを接続している。
本発明の他の態様では、LNAの増幅用デバイスであるMOSトランジスタのゲートを接地端子に接続している。
本発明の他の態様では、LNAの増幅用デバイスであるMOSトランジスタのゲートを接地端子に接続している。
上記のように構成した本発明によれば、トランスやバラクタダイオードを用いることなく、可変バンドパスフィルタによってQ値の高い可変同調回路を構成することができるので、ICチップへの集積化を容易にすることができるとともに、目的周波数の選択度も良好にすることができる。
また、本発明の他の特徴によれば、ループアンテナ側からICチップ側をみたインピーダンスが、MOSトランジスタのコンダクタンスの逆数に等しくなって単純化できるので、インピーダンスマッチングを容易にとることができる。
また、本発明の他の特徴によれば、ループアンテナ側からICチップ側をみたインピーダンスが、MOSトランジスタのコンダクタンスの逆数に等しくなって単純化できるので、インピーダンスマッチングを容易にとることができる。
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。図1は、本実施形態による放送信号受信装置の要部構成例を示す図である。図1に示すように、本実施形態による放送信号受信装置は、ループアンテナ1、ループアンテナ1に直接接続されたLNA(低雑音増幅器)2、可変BPF3、ミキサ4およびローカル発振器5を備えて構成されている。このうちLNA2、可変BPF3、ミキサ4およびローカル発振器5は、例えばCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)プロセスまたはBi−CMOS(Bipolar-CMOS)プロセスによって1つのICチップ10に集積化されている。
可変BPF3は、LNA2の後段に接続され、その通過周波数帯域が可変となるように構成されている。本実施形態において、可変BPF3は、抵抗値と容量値とで通過周波数帯域を制御可能なアクティブフィルタとする。一般に、アクティブフィルタでは発生するノイズが大きいため、入力される信号レベルが小さいと、S/N比を高くとることができない。一方、LNA2では発生するノイズが小さくS/Nが良いため、最初にLNA2により信号レベルを低雑音で大きくしておき、それを可変BPF3に入力することにより、可変BPF3でのS/N比を向上させることができる。
図2は、本実施形態による可変BPF3の構成例を示す図である。図2に示すように、本実施形態の可変BPF3は、2個のオペアンプOA1,OA2を用いて構成した2段増幅器型のフィルタ回路(DABP:Dual-Amplifier Bandpass Filter)であり、Q値を大きくすることができる。本実施形態では、このDABPの構成要素である抵抗を複数の抵抗素子で構成し、その接続状態をスイッチにより切り替えられるようにしている。
すなわち、図2に示すように、抵抗R1は、N個(Nは2以上の整数)の抵抗素子R11,R12,・・・,R1Nを直列に接続した構成となっている。抵抗素子R11,R12,・・・,R1Nの抵抗値は同じであっても良いし、異なっていても良い。同様に、抵抗R2は、N個の抵抗素子R21,R22,・・・,R2Nを直列に接続した構成となっている。抵抗素子R21,R22,・・・,R2Nの抵抗値は同じであっても良いし、異なっていても良い。
抵抗R3も、N個の抵抗素子R31,R32,・・・,R3Nを直列に接続した構成となっている。抵抗素子R31,R32,・・・,R3Nの抵抗値は同じであっても良いし、異なっていても良い。ただし、R21=R31,R22=R32,・・・,R2N=R3Nとする。
S11,S12,・・・,S1N−1はN個の抵抗素子R11,R12,・・・,R1Nの中から何れかを選択するための(N−1)個のスイッチであり、S21,S22,・・・,S2N−1はN個の抵抗素子R21,R22,・・・,R2Nの中から何れかを選択するための(N−1)個のスイッチである。また、S31,S32,・・・,S3N−1はN個の抵抗素子R31,R32,・・・,R3Nの中から何れかを選択するための(N−1)個のスイッチである。
複数の抵抗素子R11,R12,・・・,R1Nと複数のスイッチS11,S12,・・・,S1N−1はラダー接続されており、何れか1つのスイッチをオンとすることにより、直列接続する抵抗素子を選択するようになっている。例えば、1番目のスイッチS11をオンにすると、1番目の抵抗素子R11は短絡され、2番目以降の抵抗素子R12,・・・,R1Nが直列接続されることになる。
同様に、複数の抵抗素子R21,R22,・・・,R2Nと複数のスイッチS21,S22,・・・,S2N−1はラダー接続されており、何れか1つのスイッチをオンとすることにより、直列接続する抵抗素子を選択するようになっている。例えば、1番目のスイッチS21をオンにすると、1番目の抵抗素子R21は短絡され、2番目以降の抵抗素子R22,・・・,R2Nが直列接続されることになる。
同様に、複数の抵抗素子R31,R32,・・・,R3Nと複数のスイッチS31,S32,・・・,S3N−1はラダー接続されており、何れか1つのスイッチをオンとすることにより、直列接続する抵抗素子を選択するようになっている。例えば、1番目のスイッチS31をオンにすると、1番目の抵抗素子R31は短絡され、2番目以降の抵抗素子R32,・・・,R3Nが直列接続されることになる。
ここで、抵抗R2における複数のスイッチS21,S22,・・・,S2N−1と、抵抗R3における複数のスイッチS31,S32,・・・,S3N−1のうち、i番目(i=1〜N−1)のスイッチどうしは同期してオンとなる。すなわち、抵抗R2,R3の抵抗値は常に等しくなるようにする。一方、抵抗R1における複数のスイッチS11,S12,・・・,S1N−1に関しては、抵抗R2のスイッチS21,S22,・・・,S2N−1および抵抗R3のスイッチS31,S32,・・・,S3N−1との関係で、i番目(i=1〜N−1)のスイッチどうしを同期してオンとする必要は必ずしもない。
このように構成した可変BPF3では、何れか1組のスイッチS1j,S2i,S3iをオンとすることにより(i≠jであっても良いし、i=jであっても良い)、オペアンプOA1,OA2に接続される抵抗R1,R2,R3の抵抗値を可変とすることができる。
抵抗R1はQ値の調整用で、抵抗R2,R3は同調周波数の調整用である。可変BPF3のQ値は、複数の抵抗素子R11,R12,・・・,R1Nの中からスイッチS11,S12,・・・,S1N−1により選択された抵抗素子の直列接続に係る合成抵抗値とコンデンサC1の容量値とに基づいて決定される。また、可変BPF3の同調周波数(共振周波数)は、複数の抵抗素子R21,R22,・・・,R2N,R31,R32,・・・,R3Nの中からスイッチS21,S22,・・・,S2N−1,S31,S32,・・・,S3N−1により選択された抵抗素子の直列接続に係る合成抵抗値とコンデンサC2の容量値とに基づいて決定される。
スイッチS11,S12,・・・,S1N−1,S21,S22,・・・,S2N−1,S31,S32,・・・,S3N−1の制御は、例えば図示しないDSP(Digital Signal Processor)によって行われる。すなわち、DSPは、ユーザにより設定された目的周波数(放送信号の受信チャンネルとして設定された周波数)に応じて、スイッチS11,S12,・・・,S1N−1,S21,S22,・・・,S2N−1,S31,S32,・・・,S3N−1のうちどれをオンとするかを制御する。
図3は、本実施形態によるLNA2の構成例を示す図である。図3に示すように、本実施形態のLNA2は、増幅用デバイスである2つのMOSトランジスタ(例えば、nチャネルMOSFET:電界効果トランジスタ)Tr1,Tr2と、当該MOSトランジスタTr1,Tr2と電源ラインVccとの間に接続された2つの抵抗R6,R7と、当該MOSトランジスタTr1,Tr2と接地端子との間に接続された2つの定電流源I1,I2と、バイアス抵抗RBとを備えて構成されている。MOSトランジスタTr1,Tr2のゲートは共にバイアス抵抗RBを介して接地端子に接続されている。
このように、LNA2のMOSトランジスタTr1,Tr2をゲート接地により構成した場合には、ICチップ10の入力インピーダンスZin(ループアンテナ1側からICチップ10側をみたインピーダンス)が、MOSトランジスタTr1,Tr2のコンダクタンスgmの逆数に等しくなって単純化できる(Zin=1/gm)。本実施形態では、MOSトランジスタTr1,Tr2を例えばCMOSプロセスのFETで構成しているため、コンダクタンスgmは小さくなり、入力インピーダンスZinは大きくなる。そのため、バイアス抵抗RBを調整してコンダクタンスgmを適切な値とすることにより、ループアンテナ1とのインピーダンスマッチング(ループアンテナ1が持つ低インピーダンスの適切な高インピーダンスへの変換)を容易に行うことができる。
以上詳しく説明したように、本実施形態によれば、ループアンテナ1とLNA2との間にインピーダンス変換用のトランスや同調用のバラクタダイオードを用いることなく、インピーダンスマッチングを適切に行い、可変BPF3によってQ値の高い可変同調回路を構成することができる。これにより、信号受信部においてICチップ10の外付け部品をほぼループアンテナ1のみにすることができるとともに、目的周波数の選択度も良好にすることができる。なお、上述した図示しないDSPも同じICチップ10に集積化することが可能である。
なお、上記実施形態では、複数の抵抗素子R11,R12,・・・,R1N,R21,R22,・・・,R2N,R31,R32,・・・,R3Nの中から何れかを選択することによって抵抗値を可変とし、これによって可変BPF3の同調周波数やQ値を調整する例について説明したが、これに限定されない。例えば、コンデンサC1,C2をそれぞれ複数の容量素子で構成し、その中からスイッチにより何れかを選択することにより容量値を可変とし、これによって可変BPF3の同調周波数やQ値を調整するようにしても良い。
また、上記実施形態では、可変BPF3の構成として2段増幅器型のバンドパスフィルタ(DABP)を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、サレン・キー型、多重帰還型、状態変数型、バイクワッド型、差動入力型、あるいはその他のバンドパスフィルタにおいて、その構成要素である抵抗を複数の抵抗素子で構成してスイッチにより何れかを選択できるようにしたり、コンデンサを複数の容量素子で構成してスイッチにより何れかを選択できるようにしたりしても良い。
また、上記実施形態では、抵抗R1を複数の抵抗素子R11,R12,・・・,R1Nで構成してその中からスイッチS11,S12,・・・,S1N−1により何れかを選択するとともに、抵抗R2,R3を複数の抵抗素子R21,R22,・・・,R2N,R31,R32,・・・,R3Nで構成してその中からスイッチS21,S22,・・・,S2N−1,S31,S32,・・・,S3N−1により何れかを選択するようにしているが、必ずしも抵抗R1,R2,R3の全てを複数の抵抗素子で構成する必要はない。例えば、Q値調整用の抵抗R1は固定値とするようにしても良い。
また、上記実施形態では、LNA2の増幅用トランジスタとしてnチャネルのMOSFETを用いる例について説明したが、pチャネルのMOSFETであっても良い。pチャネルのMOSFETを用いた場合には、フリッカノイズをより効果的に低減することができるというメリットがある。
その他、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の一例を示したものに過ぎず、これによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその精神、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
本発明は、ループアンテナを使用して放送信号を受信する放送信号受信装置、例えばAMラジオ受信機に有用である。
1 ループアンテナ
2 LNA
3 可変BPF
4 ミキサ
5 ローカル発振器
R1,R2 抵抗
R11,R12,・・・,R1N 抵抗素子
R21,R22,・・・,R2N 抵抗素子
R31,R32,・・・,R3N 抵抗素子
S11,S12,・・・,S1N−1 スイッチ
S21,S22,・・・,S2N−1 スイッチ
S31,S32,・・・,S3N−1 スイッチ
OA1,OA2 オペアンプ
Tr1,Tr2 ゲート接地のMOSトランジスタ
2 LNA
3 可変BPF
4 ミキサ
5 ローカル発振器
R1,R2 抵抗
R11,R12,・・・,R1N 抵抗素子
R21,R22,・・・,R2N 抵抗素子
R31,R32,・・・,R3N 抵抗素子
S11,S12,・・・,S1N−1 スイッチ
S21,S22,・・・,S2N−1 スイッチ
S31,S32,・・・,S3N−1 スイッチ
OA1,OA2 オペアンプ
Tr1,Tr2 ゲート接地のMOSトランジスタ
Claims (6)
- ループアンテナと、
上記ループアンテナに接続された低雑音増幅器と、
上記低雑音増幅器に接続され、通過周波数帯域を可変に構成された可変バンドパスフィルタとを備え、
上記低雑音増幅器と上記可変バンドパスフィルタとを同一の半導体チップ内に集積化したことを特徴とする放送信号受信装置。 - 上記可変バンドパスフィルタはアクティブフィルタであることを特徴とする請求項1に記載の放送信号受信装置。
- 上記可変バンドパスフィルタは、その構成要素である抵抗を複数の抵抗素子で構成し、
上記複数の抵抗素子の中から何れかを選択するためのスイッチを備え、上記複数の抵抗素子の中から上記スイッチにより選択された抵抗素子の抵抗値とコンデンサの容量値とに基づいて同調周波数が決定されるように成されたフィルタ回路であることを特徴とする請求項2に記載の放送信号受信装置。 - 上記可変バンドパスフィルタは、その構成要素であるコンデンサを複数の容量素子で構成し、
上記複数の容量素子の中から何れかを選択するためのスイッチを備え、上記複数の容量素子の中から上記スイッチにより選択された容量素子の容量値と抵抗の抵抗値とに基づいて同調周波数が決定されるように成されたフィルタ回路であることを特徴とする請求項2に記載の放送信号受信装置。 - 上記低雑音増幅器は、増幅用デバイスであるMOSトランジスタのゲートを接地端子に接続して成ることを特徴とする請求項1に記載の放送信号受信装置。
- 上記低雑音増幅器および上記可変バンドパスフィルタがCMOSプロセスで構成されていることを特徴とする請求項1に記載の放送信号受信装置。
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