JP2007214386A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1のコンタクト孔24及び第2のコンタクト孔34の開口に用いたレジストマスク101を除去せず、N型のイオン注入用のマスクとしても利用する。
【選択図】 図3
Description
2 素子分離膜
3 層間絶縁膜
4 バリアメタル層
5 引き出し配線
21 N型MOSトランジスタ領域
22 Pウェル
23 N型不純物拡散層
24 第1のコンタクト孔
25 高濃度のN型不純物層
31 P型MOSトランジスタ領域
32 Nウェル
33 P型不純物拡散層
34 第2のコンタクト孔
35 高濃度のP型不純物拡散層
101 レジスト膜A
102 レジスト膜B
103 レジスト膜C
104 レジスト膜D
105 レジスト膜E
201 開口部A
202 開口部B
203 開口部C
204 開口部D
205 開口部E
Claims (4)
- 一導電型不純物拡散層及び逆導電型不純物拡散層を備えた半導体装置の製造方法において、
半導体基板上に層間絶縁膜を堆積する工程と、
該層間絶縁膜上に第1のレジスト膜を塗布する工程と、
該第1のレジスト膜にリソグラフィ技術を施し前記一導電型不純物拡散層上及び前記逆導電型不純物拡散層上の所望の位置に開口部を有する第1のレジストパターンを形成する工程と、
該第1のレジスト膜をマスクとして前記層間絶縁膜のエッチングを行い前記一導電型不純物拡散層に到達する第1のコンタクト孔と前記逆導電型不純物拡散層前記に到達する第2のコンタクト孔とを形成する工程と、
前記第1のレジスト膜をマスクとして前記第1のコンタクト孔内及び前記第2のコンタクト孔内に一導電型不純物のイオン注入を行い前記一導電型不純物拡散層の表面及び前記逆導電型不純物拡散層の表面に一導電型高濃度不純物拡散層を形成する工程と、
前記第1のレジスト膜を除去する工程と、
前記層間絶縁膜上及び前記一導電型高濃度不純物拡散層上に第2のレジスト膜を塗布する工程と、
該第2のレジスト膜にリソグラフィ技術を施し前記第1のコンタクト孔を塞ぎ、かつ前記第2のコンタクト孔上開口部を有する第2のレジストパターンを形成する工程と、
該第2のレジスト膜をマスクとして逆導電型不純物のイオン注入を行い前記逆導電型不純物拡散層表面に逆導電型高濃度不純物拡散層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2のレジストパターンは前記層間絶縁膜上に開口部を有しないことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のレジスト膜を除去した後に熱処理を施す工程を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記層間絶縁膜はBPSG膜であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2006033005A JP2007214386A (ja) | 2006-02-09 | 2006-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2014170966A (ja) * | 2009-06-26 | 2014-09-18 | Canon Inc | 光電変換装置の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6281051A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JPH065798A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-02-09 JP JP2006033005A patent/JP2007214386A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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