JP2007208243A - Ｌｔｃｃモジュールおよびその製造方法 - Google Patents

Ｌｔｃｃモジュールおよびその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は外部基板との接着信頼性に優れたＬＴＣＣモジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるＬＴＣＣモジュール１００は、ＬＴＣＣ基板１０１と、上記ＬＴＣＣ基板１０１を外部基板に実装するために上記ＬＴＣＣ基板１０１の床面に形成されたパッド部１０９，１１０とを含み、上記パッド部１０９，１１０は上記ＬＴＣＣ基板１０１の床面に形成された金属パッド層１１０と、上記金属パッド層１１０の下面に形成されたソルダー層１０９とを含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ；低温同時焼成セラミック）モジュールに関し、特に外部基板に実装する際、優れた付着力と信頼性を現わすパッド部を有するＬＴＣＣモジュール及びその製造方法に関する。
現在、個人用携帯端末機などの移動通信機器は急速に小型化、軽量化及び高周波化されている。これにより、通信機器に用いられる回路モジュールは新たな小型軽量化及び高性能化が求められている。特に、近年ではＬＴＣＣ基板（低温同時焼成セラミック）基板を利用したＬＴＣＣモジュールが提案されている。ＬＴＣＣ基板を用いると、スルーホール（ｔｈｒｏｕｇｈ ｈｌｏｅ）またはバイアホール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）として配線を構成することができ、このようなスルーホール配線によって外部端子または表面実装部品（ＳＭＤ）用端子への電流経路を容易に形成させることが可能である。また、ＬＴＣＣモジュールはＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプのパッケージ方式を採用することで、多数の入出力電極をモジュールの床面に収容することができる。
ＬＧＡタイプのＬＴＣＣモジュールは、基板の下面にアレイ形態に配列されたパッド部を含む。このパッド部は、ＬＴＣＣ基板の下面に形成されたＣｕ系などの金属パッド層で形成される。金属パッド層はＡｕまたはＮｉ／Ａｕメッキなどの方法により金属仕上げ（ｍｅｔａｌ ｆｉｎｉｓｈ）処理される。
図１１は従来のＬＴＣＣモジュールを示す底面図及び断面図である。特に、図１１は個々のモジュールにダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）する前の状態（モジュール集合体）を示す。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）を参照すると、ＬＴＣＣモジュール２１０はＬＴＣＣ基板２１１とその床面に形成された金属パッド層２２０とを含む。ＬＴＣＣ基板２１１上には集積回路チップまたはその他の素子を含む表面実装部２１７が形成されている。上記表面実装部２１７は、例えば、適切なモールディング樹脂によって封止できる。
金属パッド層２２０は、ＬＴＣＣモジュール２１０を外部基板に連結するための電極パッド部を構成する。図示しているように、金属パッド層２２０はＣｕまたはＡｇ系の第１金属層２１３とその下面に形成されたＡｕメッキ層２１５とから成る。Ａｕメッキ層２１５の代りにＮｉ／Ａｕメッキ層（Ｎｉ層の下面にＡｕ層が位置する）を使用することもできる。このように電極パッド部の金属仕上げ材（ｍｅｔａｌ ｆｉｎｉｓｈ ｍａｔｅｒｉａｌ）はＡｕメッキ層またはＮｉ／Ａｕメッキ層で形成される。電極パッド部の形成後、ＬＴＣＣモジュール２１０は個別モジュールに切断（ｄｉｃｉｎｇ）されてマザーボード（ｍｏｔｈｅｒ−ｂｏａｒｄ）などの外部基板（図示せず）に実装される。ＬＴＣＣモジュールの実装時、外部基板の当該部位に加熱された半田付けが塗布され、この半田付けを利用してＬＴＣＣモジュール２１０の金属パッド層２２０は外部基板に取り付けられる。
ところで、上記のような従来のＬＴＣＣモジュール２１０の金属パッド層２２０は外部基板に半田付け（ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ）の際、安定的な付着力を提供することができない。即ち、ＬＴＣＣモジュールのセラミック材と外部基板（通常、有機 ＰＣＢから成る）との間の熱膨脹係数などの熱的特性の不整合によって優れた半田付け特性を期待し難い。ＬＴＣＣモジュールと外部基板との間の低い接着強度は、例えば、落下テストによって確認することができる。特に個別ＬＴＣＣモジュールの大きさが大きい場合、半田付けの不安定性はより大きくなってしまう。
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するために提案されたもので、その目的は、パッド部と外部基板との間の接着信頼性に優れたＬＴＣＣモジュールを提供することである。
本発明の他の目的は、パッド部と外部基板との接着信頼性を高めることのできるＬＴＣＣモジュールの製造方法を提供することである。
上記目的を達成するために本発明によるＬＴＣＣモジュールは、ＬＴＣＣ基板と、上記ＬＴＣＣ基板を外部基板に実装するために上記ＬＴＣＣ基板の床面に形成されたパッド部とを含み、上記パッド部は上記ＬＴＣＣ基板の床面に形成された金属パッド層と、上記金属パッド層の下面に形成されたソルダー層とを含む。本発明の好ましき実施形態によれば、上記パッド部はＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプの電極パッドであることができ、上記ソルダー層は Ｐｂ−ＳｎまたはＡｇ−Ｓｎを含むことができる。本発明の好ましき実施形態によれば、上記金属パッド層は上記ＬＴＣＣ基板の床面に形成された第１金属層と、上記第１金属層の下面に形成された第２金属層としてＡｕメッキ層とを含む。上記第１金属層はＣｕまたはＡｇを含むことができる。上記金属パッド層は、上記第１金属層と上記Ａｕメッキ層の間に形成されたＮｉメッキ層をさらに含むことができる。上記ＬＴＣＣモジュールは、上記ＬＴＣＣ基板の上面に形成された表面実装部をさらに含むことができる。特に、上記表面実装部はモールディング樹脂によって封止された素子を含むことができる。
本発明の他の目的を達成するために、本発明によるＬＴＣＣモジュールの製造方法は、ＬＴＣＣ基板の床面に外部基板との接続のための金属パッド層を形成する段階と、上記金属パッド層の下面にソルダー層を形成する段階とを含む。本発明の好ましき実施形態によると、上記金属パッド層を形成する段階は上記ＬＴＣＣ基板の床面にＣｕまたはＡｇなどを含む第１金属層を形成する段階と、上記第１金属層の下面にＡｕメッキ層を形成する段階とを含む。また、上記金属パッド層を形成する段階は、上記第１金属層の形成段階と上記Ａｕメッキ層の形成段階の間に上記第１金属層の下面にＮｉメッキ層を形成する段階をさらに含むことができる。上記ＬＴＣＣモジュールの製造方法は、上記金属パッド層の形成段階と上記ソルダー層の形成段階の間に上記ＬＴＣＣ基板の上面に表面実装部を形成する段階をさらに含むことができる。上記表面実装部は、上記ＬＴＣＣ基板の上面に一つ以上の素子を搭載し上記素子をモールディング樹脂で封止することで形成できるようになる。
上記ＬＴＣＣモジュールの製造方法は、上記ソルダー層の形成段階後に、上記ソルダー層が形成された結果物を個別モジュールに切断（ｄｉｃｉｎｇ）する段階をさらに含むことができる。また、上記個別モジュールに切断する段階の後に、上記切断した個別モジュールをマザーボードなどの外部基板に実装する段階をさらに含むことができる。上記個別モジュールを外部基板に実装する段階は、上記外部基板の実装面に外部基板用ソルダーを形成する段階と、上記ＬＴＣＣモジュールの上記ソルダー層と上記外部基板用ソルダーを加熱して接着する段階とを含むことができる。上記ＬＴＣＣモジュールの上記ソルダー層と上記外部基板用ソルダーは同一物質で形成されることが好ましい。
本発明によると、ＬＴＣＣモジュールの床面にソルダー層が電極パッドの金属仕上げ材として予め形成されている。即ち、ＬＴＣＣパッド部自体がソルダー成分を有している。このようなソルダー層を有するパッド部を使用すると、ＬＴＣＣモジュールを外部基板の実装面に半田付けする場合優れた衝撃及び落下信頼性を有するようになる。即ち、ＬＴＣＣモジュールのパッド部に形成されたソルダー層と外部基板の実装面に塗布されたソルダーが加熱され互いに付着されることで優れた接着強度を有し、これにより製品の信頼性が大きく向上する。
本発明によれば、電極パッド部に予めソルダー層を形成することによって、ＬＴＣＣモジュールと外部基板、特に有機ＰＣＢ基板との間のソルダーリング特性が大きく改善される。これにより、ＬＴＣＣモジュールと外部基板間の接着強度が向上し、優れた落下信頼性または衝撃信頼性を得るようになる。さらに、１０ｍｍ×１０ｍｍ以上の大きい大きさを有するＬＴＣＣモジュールにも容易に適用されて優れた半田付けの信頼性を提供することが可能になる。
以下、添付された図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形可能であり、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されることではない。本発明の実施形態は当業界において平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供される。従って、図面における要素等の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張され得、図面上の同一な符号で表示される要素は同じ要素である。
図１及び図２は、本発明の一実施形態によるＬＴＣＣモジュールの底面図及び断面図を示す。特に、図１及び図２のＬＴＣＣモジュール１００は個別モジュールに切断（ｄｉｃｉｎｇ）する前の状態（モジュール集合体）を示す。
図１及び図２を参照すると、ＬＴＣＣモジュール１００はＬＴＣＣ基板１０１とその基板１０１の床面に形成されたパッド部１０９、１１０を含む。ＬＴＣＣ基板１０１の上面には表面実装部（ＳＭＤ）１０７が配置されている。この表面実装部１０７はＬＴＣＣ基板１０１上面に搭載された一つ以上の素子（集積回路チップ、抵抗、キャパシタ、チップインダクターなど表面実装型能動または受動素子）を含む。この素子は外部環境や衝撃から保護することが可能になるようにモールディング樹脂で封止できるようになる。
上記パッド部１０９、１１０はＬＴＣＣモジュール１００を外部基板（例えば、有機ＰＣＢから成るマザーボードなど）に実装するための電極端子の役目を果たすことができる。特にパッド部１０９、１１０は、電極端子が基板の床面にアレイ形態に配置されているＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプの電極端子を形成する。このようなＬＧＡタイプのパッド部は、多数の電極端子を小さな面積に収容するのに好適であり、より小さいインダクタンスを有する。
上記パッド部１０９、１１０は、ＬＴＣＣ基板１０１の床面に形成された金属パッド層１１０と、金属パッド層１１０の下面に形成されたソルダー層１０９とを含む。上記金属パッド層１１０はＣｕまたはＡｇ系の第１金属層１０３と、この第１金属層１０３の下面に形成された第２金属層としてＡｕ層１０５とを含む。従来はソルダー層１０９が実装されない状態で、上記Ａｕ層１０５が直接外部基板の実装面に塗布されたソルダーと接触されるが、本発明ではＡｕメッキ層１０５の下面に別途の金属仕上げ材としてソルダー層１０９が形成される。該Ａｕ層１０５は第１金属層１０３の形成後、無電解メッキなどのメッキ工程によって第１金属層１０３の下面に形成できるようになる。
上記ソルダー層１０９は、例えば、Ｐｂ−ＳｎまたはＡｇ−Ｓｎなどから成ることができる。ソルダー層１０９はＬＴＣＣ基板１０１のパッド部の一要素として存在する。後で個別ＬＴＣＣモジュールをマザーボードなどの外部基板に実装する際上記ソルダー層１０９は加熱され、加熱されたソルダー層１０９は外部基板の実装面に備えられたソルダー（好ましくは、上記ソルダー層１０９とは同一物質である）と融着または接着される。これにより、ＬＴＣＣモジュールと外部基板との間に安定的な接着信頼性または接着強度を得るようになる。
図３は本発明の他の実施形態によるＬＴＣＣモジュール２００の断面図を示す。図３を参照すると、この実施形態は、金属パッド層１１０'が第１金属層１０３と Ａｕメッキ層１０５の間にＮｉメッキ層１０４をさらに含むという点を除けば、上記した図２の実施形態と同様である。このようなＮｉメッキ層１０４及びＡｕメッキ層１０５は第１金属層１０３の下面に形成された第２金属層であって、第１金属層１０３を保護するのにより効果的であり得る。図示のように、この実施形態でもＬＴＣＣモジュール２００のパッド部は一要素として最下部にソルダー層１０９を備えている。
以下、外部基板への実装段階を含むＬＴＣＣモジュールの製造工程を説明する。
図４乃至図９は本発明の一実施形態によるＬＴＣＣモジュールの製造方法を説明するための断面図である。先ず、図４を参照すると、ＬＴＣＣ基板１０１の下面に電極パッド用第１金属層１０３を形成する。該第１金属層１０３は、例えば、セラミック基板（焼成する前の基板）の下面にＡｇまたはＣｕを含む金属ペーストを塗布し、その後これを焼成処理することにより形成できるようになる。
その後、図５に示すように、第１金属層１０３の下面にＡｕ無電解メッキ工程を実施する。これにより、第１金属層１０３の下面には第２金属層としてＡｕメッキ層１０５が形成される。他の方案として、Ａｕ無電解メッキの代りにＮｉ／Ａｕ無電解メッキを行うことが可能であり、これによると第１金属層１０３の下面に第２金属層としてＮｉ／Ａｕメッキ層が順次に形成される（図３参照）。
その後、図６に示すように、ＬＴＣＣ基板１０１上面に必要な電子素子を実装するためのパッケージング工程を実施する。このパッケージング工程によって、ＬＴＣＣ基板１０１上面には表面実装部１０７が配置される。このパッケージング工程で、上記ＬＴＣＣ基板１０１上面には一つ以上の素子（集積回路チップ、抵抗、チップインダクターなど）が搭載され、該素子はモールディング樹脂で封止できる。図示しないが、ＬＴＣＣ基板１０１内部には端子電極と素子を連結するためのバイアホール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）が形成されることができ、必要な電子素子は基板１０１の内部に内蔵することも可能である。
次に、図７に示すように、Ａｕメッキ層１０５の下面にソルダー層１０９を形成する。ソルダー層１０９はＰｂ−Ｓｎなどの柔軟ソルダー材またはＡｇ−Ｓｎなどの無鉛（Ｐｂ−ｆｒｅｅ）ソルダー材で形成することができる。該ソルダー層１０９はＬＴＣＣモジュールパッド部の一要素を成し、その後外部基板に実装される際に加熱できるようになる。その後、集合状態のＬＴＣＣモジュール(請求項１４に記載の「ソルダー層が形成された結果物」）を個別モジュールに切断、即ちダイシングされる。図７に示すＡラインは切断線を示す。これにより、各々の個別的な単位ＬＴＣＣモジュールを得るようになる。個別ＬＴＣＣモジュールのパッド部は、多数の電極端子がモジュールの床面にアレイ形態に配列されたＬＧＡタイプの電極パッドを形成する。
その後、図８に示すように個別ＬＴＣＣモジュール１００'をマザーボードなどの外部基板１５０に取り付けて実装する。例えば、個別ＬＴＣＣモジュール１００'の床面に形成されたソルダー層１０９と同じ物質から成るソルダー１２０を外部基板１５０の実装面に塗布し、該外部基板用ソルダー１２０と上記ソルダー層１０９を互いに接触及び加熱することが可能である。これにより、個別ＬＴＣＣモジュール１００'は外部基板１５０の実装面に安定的かつ堅固に付着される。即ち、個別ＬＴＣＣモジュール１００'の床面に形成されたソルダー層１０９と外部基板１５０の実装面に塗布されたソルダー１２０は互いに類似した（または同一）熱的特性を現わすことで、個別ＬＴＣＣモジュール１００'と外部基板１５０との接着強度及び信頼性が大きく向上する。
本発明者は、本発明によるＬＴＣＣモジュール及びその製造方法が従来に比べて著しく向上した接着信頼性を確認するために、落下信頼性テスト（簡単に、落下テストともいう）を行った。この信頼性テストに用いられるＬＴＣＣモジュールサンプルは、図９に示している。図９（ａ）に示したサンプルは比較例のサンプルに該当するもので、従来のように、電極パッドは順次に形成されたＣｕ金属層とＮｉ／Ａｕメッキ層を含む（図１１（ｂ）参照）。図９（ｂ）に示したサンプルは実施例のサンプルに該当するので、電極パッドは順次に形成されたＣｕ金属層と、Ｎｉ／Ａｕメッキ層と、ソルダー層とを含む（図２参照）。即ち、比較例の電極パッドは金属仕上げ材（ｍｅｔａｌ ｆｉｎｉｓｈ）としてＮｉ／Ａｕメッキ層を使用したが、実施例の電極パッドは金属仕上げ材としてソルダー層を使用した。このように互いに異なる金属仕上げ材を有する比較例及び実施例のサンプルは有機ＰＣＢ基板に接着実装された後、落下テストを受けた。
全てのサンプルは、ＬＧＡタイプのＬＴＣＣモジュールであり、その大きさは５ｍｍ×５ｍｍである。実施例及び比較例のＮｉ／Ａｕメッキ層は無電解メッキにより形成した。実施例のサンプルに形成されたソルダー層はＰｂ−Ｓｎを主成分として有している。上記落下テストでは総４５回の落下実験を行った。この落下テスト結果は、表１及び図１０のグラフに表す通りである。図１０のグラフにおける横軸は落下回数（ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ｄｒｏｐ ｃｏｕｎｔ）を示し、縦軸は合格したサンプル、即ち破損されなかったサンプルの収率（ｐａｓｓｅｄ ｓａｍｐｌｅ ｙｉｅｌｄ）を示す。また、表１において破損時の落下回数（ｆｒａｃｔｕｒｅ ｃｏｕｎｔ）は破損されるまで行った落下実施回数を示す。
表１及び図１０に示すように、本発明による実施例のサンプルは外部基板との優れた接着信頼性を示すのに対し、比較例のサンプルは低い接着信頼性を現す。即ち、大部分の比較例サンプルは５回まで落下させると全て破損される。しかし、実施例のサンプルは４５回までも合格収率１００％を現わしながら一つも破損されなかった、つまり、外部基板から離れなかった。
このように、電極パッドの金属仕上げ材としてソルダー層を無電解Ｎｉ／Ａｕメッキ層上に予め形成することによって、顕著に向上した接着信頼性を得ることが可能であることを確認できる。このようにパッド部の接着強度の優秀性により、本発明のＬＴＣＣモジュール及びその製造方法は１０ｍｍ×１０ｍｍ以上の大きさを有するＬＴＣＣモジュールに対しても高い半田付け信頼性を提供することが可能となる。
本発明は、上述した実施形態及び添付された図面によって限定されるものではなく、添付された請求範囲により限定しようとする。従って、請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内において多様な形態の置換、変形及び変更が可能であることは当該技術分野の通常の知識を有する者にとっては自明である。
本発明の一実施形態によるＬＴＣＣモジュールの底面図である。 本発明の一実施形態によるＬＴＣＣモジュールの断面図である。 本発明の他の実施形態によるＬＴＣＣモジュールの断面図である。 本発明の一実施形態によるＬＴＣＣモジュールの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態によるＬＴＣＣモジュールの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態によるＬＴＣＣモジュールの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態によるＬＴＣＣモジュールの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態によるＬＴＣＣモジュールの製造方法を説明するための断面図である。 （ａ）は比較例によるＬＴＣＣモジュールの床面を表す写真であり、（ｂ）は実施例によるＬＴＣＣモジュールの床面を表す写真である。 比較例及び実施例によるＬＴＣＣモジュールに対する落下テスト結果を表すグラフである。 従来のＬＴＣＣモジュールの底面図及び断面図である。
符号の説明
１００、２００ ＬＴＣＣモジュール
１０１ ＬＴＣＣ基板
１０３ 第１金属層
１０４ Ｎｉメッキ層
１０５ Ａｕメッキ層
１０７ 表面実装部
１０９ ソルダー層
１１０ 金属パッド層

Claims (17)

  1. ＬＴＣＣ基板と、
    前記ＬＴＣＣ基板を外部基板に実装するために前記ＬＴＣＣ基板の床面に形成されたパッド部とを含み、
    前記パッド部は前記ＬＴＣＣ基板の床面に形成された金属パッド層と、前記金属パッド層の下面に形成されたソルダー層とを含むことを特徴とするＬＴＣＣモジュール。
  2. 前記パッド部はＬＧＡタイプの電極パッドであることを特徴とする、請求項１記載のＬＴＣＣモジュール。
  3. 前記ソルダー層はＰｂ−ＳｎまたはＡｇ−Ｓｎを含むことを特徴とする、請求項１記載のＬＴＣＣモジュール。
  4. 前記金属パッド層は、前記ＬＴＣＣ基板の床面に形成された第１金属層と、
    前記第１金属層の下面に形成されたＡｕメッキ層と、
    を含むことを特徴とする、請求項１記載のＬＴＣＣモジュール。
  5. 前記第１金属層はＣｕまたはＡｇを含むことを特徴とする、請求項４記載のＬＴＣＣモジュール。
  6. 前記金属パッド層は、前記第１金属層と前記Ａｕメッキ層との間に形成された Ｎｉメッキ層をさらに含むことを特徴とする、請求項４記載のＬＴＣＣモジュール。
  7. 前記ＬＴＣＣ基板の上面に形成された表面実装部をさらに含むことを特徴とする、請求項１記載のＬＴＣＣモジュール。
  8. 前記表面実装部は、モールディング樹脂によって封止された素子を含むことを特徴とする、請求項７記載のＬＴＣＣモジュール。
  9. ＬＴＣＣ基板の床面に外部基板との接続のための金属パッド層を形成する段階と、
    前記金属パッド層の下面にソルダー層を形成する段階と、
    を含むことを特徴とする、ＬＴＣＣモジュールの製造方法。
  10. 前記金属パッド層を形成する段階は、前記ＬＴＣＣ基板の床面に第１金属層を形成する段階と、
    前記第１金属層の下面にＡｕメッキ層を形成する段階と、
    を含むことを特徴とする、請求項９記載のＬＴＣＣモジュールの製造方法。
  11. 前記第１金属層は、ＣｕまたはＡｇを含む金属で形成されることを特徴とする、請求項１０記載のＬＴＣＣモジュールの製造方法。
  12. 前記金属パッド層を形成する段階は、前記第１金属層の形成段階と前記Ａｕメッキ層の形成段階の間に、前記第１金属層の下面にＮｉメッキ層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１０記載のＬＴＣＣモジュールの製造方法。
  13. 前記金属パッド層の形成段階と前記ソルダー層の形成段階の間に前記ＬＴＣＣ基板の上面に表面実装部を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項９記載のＬＴＣＣモジュールの製造方法。
  14. 前記ソルダー層の形成段階後に、前記ソルダー層が形成された結果物を個別モジュールに切断する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項９記載のＬＴＣＣモジュールの製造方法。
  15. 前記個別モジュールに切断する段階後に、前記切断した個別モジュールを外部基板に実装する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１４記載のＬＴＣＣモジュールの製造方法。
  16. 前記個別モジュールを外部基板に実装する段階は、前記外部基板の実装面に外部基板用ソルダーを形成する段階と、
    前記ＬＴＣＣモジュールの前記ソルダー層と前記外部基板用ソルダーを加熱して接着する段階と、
    を含むことを特徴とする、請求項１５記載のＬＴＣＣモジュールの製造方法。
  17. 前記ＬＴＣＣモジュールの前記ソルダー層と前記外部基板用ソルダーは同一物質で形成されることを特徴とする、請求項１６記載のＬＴＣＣモジュールの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012014743A1 (ja) 2010-07-30 2012-02-02 日立オートモティブシステムズ株式会社 車載用電子機器に用いる基板構造

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8609256B2 (en) * 2008-10-02 2013-12-17 E I Du Pont De Nemours And Company Nickel-gold plateable thick film silver paste
WO2015048808A1 (en) * 2013-09-30 2015-04-02 Wolf Joseph Ambrose Silver thick film paste hermetically sealed by surface thin film multilayer
TWI793040B (zh) * 2022-07-05 2023-02-11 中華精測科技股份有限公司 可拆式測試裝置及其固持座

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002076193A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Kyocera Corp 半導体素子収納用パッケージおよびパッケージ実装基板
JP2004300570A (ja) * 2003-03-18 2004-10-28 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板
JP2004319792A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Sharp Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4940181A (en) * 1989-04-06 1990-07-10 Motorola, Inc. Pad grid array for receiving a solder bumped chip carrier
JP3081559B2 (ja) * 1997-06-04 2000-08-28 ニッコー株式会社 ボールグリッドアレイ型半導体装置およびその製造方法ならびに電子装置
JP3444245B2 (ja) * 1999-09-03 2003-09-08 日本電気株式会社 無電解ニッケル／金メッキへのはんだ付け方法、配線構造体、回路装置及びその製造方法
KR100661639B1 (ko) * 1999-12-16 2006-12-27 고등기술연구원연구조합 표면실장 가능한 저온 동시소성 세라믹모듈 패키지 및 그제작방법
US6781065B1 (en) * 2000-06-08 2004-08-24 The Whitaker Corporation Solder-coated articles useful for substrate attachment
US20020079572A1 (en) * 2000-12-22 2002-06-27 Khan Reza-Ur Rahman Enhanced die-up ball grid array and method for making the same
JP3948925B2 (ja) * 2001-10-15 2007-07-25 Ｔｄｋ株式会社 高周波モジュール部品
JP2003197813A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Mitsubishi Electric Corp 電子装置
CN100405881C (zh) * 2003-03-18 2008-07-23 日本特殊陶业株式会社 接线板
KR100593897B1 (ko) * 2004-02-27 2006-06-28 삼성전기주식회사 다층구조의 외부전극을 갖는 저온 동시 소성세라믹(ｌｔｃｃ) 패키지

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002076193A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Kyocera Corp 半導体素子収納用パッケージおよびパッケージ実装基板
JP2004300570A (ja) * 2003-03-18 2004-10-28 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板
JP2004319792A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Sharp Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012014743A1 (ja) 2010-07-30 2012-02-02 日立オートモティブシステムズ株式会社 車載用電子機器に用いる基板構造

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