JP2007207413A5

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Publication number: JP2007207413A5
Application number: JP2007000447A
Authority: JP
Filing date: 2007-01-05
Publication date: 2010-02-12
Anticipated expiration: 2027-01-05

Claims

第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線とを有し、
前記第１のトランジスタは、第１端子が前記第１の配線に電気的に接続され、第２端子が前記第２のトランジスタの第２端子に電気的に接続され、ゲート端子が前記第４のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、第１端子が前記第２の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第３のトランジスタの第２端子に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタは、第１端子が前記第３の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第４のトランジスタの第２端子、及び前記第５のトランジスタの第２端子に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタは、第１端子が前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタは、第１端子が前記第４の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第４の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート端子は、当該ゲート端子を浮遊状態にするためのトランジスタに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第５の配線とを有し、
前記第１のトランジスタは、第１端子が前記第１の配線に電気的に接続され、第２端子が前記第２のトランジスタの第２端子に電気的に接続され、ゲート端子が前記第４のトランジスタのゲート端子、及び前記第６のトランジスタの第２端子に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、第１端子が前記第２の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第３のトランジスタの第２端子に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタは、第１端子が前記第３の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第４のトランジスタの第２端子、及び前記第５のトランジスタの第２端子に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタは、第１端子が前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタは、第１端子が前記第４の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第４の配線に電気的に接続され、
前記第６のトランジスタは、第１端子が前記第４の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第５の配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、第７のトランジスタと、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第５の配線とを有し、
前記第１のトランジスタは、第１端子が前記第１の配線に電気的に接続され、第２端子が前記第２のトランジスタの第２端子に電気的に接続され、ゲート端子が前記第４のトランジスタのゲート端子、前記第６のトランジスタの第２端子、及び前記第７のトランジスタの第２端子に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、第１端子が前記第２の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第３のトランジスタの第２端子、及び前記第７のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタは、第１端子が前記第３の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第４のトランジスタの第２端子、及び前記第５のトランジスタの第２端子に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタは、第１端子が前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタは、第１端子が前記第４の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第４の配線に電気的に接続され、
前記第６のトランジスタは、第１端子が前記第４の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第５の配線に電気的に接続され、
前記第７のトランジスタは、第１端子が前記第２の配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、第７のトランジスタと、第８のトランジスタと、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第５の配線と、第６の配線とを有し、
前記第１のトランジスタは、第１端子が前記第１の配線に電気的に接続され、第２端子が前記第２のトランジスタの第２端子に電気的に接続され、ゲート端子が前記第４のトランジスタのゲート端子、前記第６のトランジスタの第２端子、前記第７のトランジスタの第２端子、及び前記第８のトランジスタの第２端子に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、第１端子が前記第２の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第３のトランジスタの第２端子、及び前記第７のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタは、第１端子が前記第３の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第４のトランジスタの第２端子、及び前記第５のトランジスタの第２端子に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタは、第１端子が前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタは、第１端子が前記第４の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第４の配線に電気的に接続され、
前記第６のトランジスタは、第１端子が前記第４の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第５の配線に電気的に接続され、
前記第７のトランジスタは、第１端子が前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第８のトランジスタは、第１端子が前記第２の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第６の配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第４のトランジスタのチャネル長Ｌとチャネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌは、前記第５のトランジスタのチャネル長Ｌとチャネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌの１０倍以上であることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタ及び前記第３のトランジスタは、同じ導電型であることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタ及び前記第３のトランジスタは、Ｎチャネル型であることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタの第２端子と、前記第１のトランジスタのゲート端子との間に電気的に接続された容量素子が設けられていることを特徴とする半導体装置。
請求項８において、
前記容量素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟持された絶縁体とを有し、前記第１の電極が半導体層であり、前記第２の電極がゲート配線層であり、前記絶縁体がゲート絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の配線には、クロック信号が供給され、前記第３の配線には、反転クロック信号が供給されていることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項１０に記載の半導体装置を具備する駆動回路と、複数の画素とを有し、
前記画素は、前記駆動回路により制御されることを特徴とする表示装置。
請求項１１において、
前記画素はトランジスタを有し、
前記画素が有するトランジスタと、前記駆動回路が有するトランジスタとは、同じ導電型であることを特徴とする表示装置。
請求項１１または請求項１２において、
前記画素は、前記駆動回路と同一基板上に設けられていることを特徴とする表示装置。
請求項１１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の表示装置を具備する電子機器。