JP2007207413A5 - - Google Patents
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- 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第5のトランジスタと、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線とを有し、
前記第1のトランジスタは、第1端子が前記第1の配線に電気的に接続され、第2端子が前記第2のトランジスタの第2端子に電気的に接続され、ゲート端子が前記第4のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、第1端子が前記第2の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第3のトランジスタの第2端子に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタは、第1端子が前記第3の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第4のトランジスタの第2端子、及び前記第5のトランジスタの第2端子に電気的に接続され、
前記第4のトランジスタは、第1端子が前記第2の配線に電気的に接続され、
前記第5のトランジスタは、第1端子が前記第4の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第4の配線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲート端子は、当該ゲート端子を浮遊状態にするためのトランジスタに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第5のトランジスタと、第6のトランジスタと、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第5の配線とを有し、
前記第1のトランジスタは、第1端子が前記第1の配線に電気的に接続され、第2端子が前記第2のトランジスタの第2端子に電気的に接続され、ゲート端子が前記第4のトランジスタのゲート端子、及び前記第6のトランジスタの第2端子に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、第1端子が前記第2の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第3のトランジスタの第2端子に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタは、第1端子が前記第3の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第4のトランジスタの第2端子、及び前記第5のトランジスタの第2端子に電気的に接続され、
前記第4のトランジスタは、第1端子が前記第2の配線に電気的に接続され、
前記第5のトランジスタは、第1端子が前記第4の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第4の配線に電気的に接続され、
前記第6のトランジスタは、第1端子が前記第4の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第5の配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第5のトランジスタと、第6のトランジスタと、第7のトランジスタと、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第5の配線とを有し、
前記第1のトランジスタは、第1端子が前記第1の配線に電気的に接続され、第2端子が前記第2のトランジスタの第2端子に電気的に接続され、ゲート端子が前記第4のトランジスタのゲート端子、前記第6のトランジスタの第2端子、及び前記第7のトランジスタの第2端子に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、第1端子が前記第2の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第3のトランジスタの第2端子、及び前記第7のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタは、第1端子が前記第3の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第4のトランジスタの第2端子、及び前記第5のトランジスタの第2端子に電気的に接続され、
前記第4のトランジスタは、第1端子が前記第2の配線に電気的に接続され、
前記第5のトランジスタは、第1端子が前記第4の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第4の配線に電気的に接続され、
前記第6のトランジスタは、第1端子が前記第4の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第5の配線に電気的に接続され、
前記第7のトランジスタは、第1端子が前記第2の配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第5のトランジスタと、第6のトランジスタと、第7のトランジスタと、第8のトランジスタと、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第5の配線と、第6の配線とを有し、
前記第1のトランジスタは、第1端子が前記第1の配線に電気的に接続され、第2端子が前記第2のトランジスタの第2端子に電気的に接続され、ゲート端子が前記第4のトランジスタのゲート端子、前記第6のトランジスタの第2端子、前記第7のトランジスタの第2端子、及び前記第8のトランジスタの第2端子に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、第1端子が前記第2の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第3のトランジスタの第2端子、及び前記第7のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタは、第1端子が前記第3の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第4のトランジスタの第2端子、及び前記第5のトランジスタの第2端子に電気的に接続され、
前記第4のトランジスタは、第1端子が前記第2の配線に電気的に接続され、
前記第5のトランジスタは、第1端子が前記第4の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第4の配線に電気的に接続され、
前記第6のトランジスタは、第1端子が前記第4の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第5の配線に電気的に接続され、
前記第7のトランジスタは、第1端子が前記第2の配線に電気的に接続され、
前記第8のトランジスタは、第1端子が前記第2の配線に電気的に接続され、ゲート端子が前記第6の配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第4のトランジスタのチャネル長Lとチャネル幅Wの比W/Lは、前記第5のトランジスタのチャネル長Lとチャネル幅Wの比W/Lの10倍以上であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記第1のトランジスタ及び前記第3のトランジスタは、同じ導電型であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第1のトランジスタ及び前記第3のトランジスタは、Nチャネル型であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記第1のトランジスタの第2端子と、前記第1のトランジスタのゲート端子との間に電気的に接続された容量素子が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項8において、
前記容量素子は、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極とに挟持された絶縁体とを有し、前記第1の電極が半導体層であり、前記第2の電極がゲート配線層であり、前記絶縁体がゲート絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、
前記第1の配線には、クロック信号が供給され、前記第3の配線には、反転クロック信号が供給されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項10に記載の半導体装置を具備する駆動回路と、複数の画素とを有し、
前記画素は、前記駆動回路により制御されることを特徴とする表示装置。 - 請求項11において、
前記画素はトランジスタを有し、
前記画素が有するトランジスタと、前記駆動回路が有するトランジスタとは、同じ導電型であることを特徴とする表示装置。 - 請求項11または請求項12において、
前記画素は、前記駆動回路と同一基板上に設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項11乃至請求項13のいずれか一項に記載の表示装置を具備する電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007000447A JP5164383B2 (ja) | 2006-01-07 | 2007-01-05 | 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006001941 | 2006-01-07 | ||
JP2006001941 | 2006-01-07 | ||
JP2007000447A JP5164383B2 (ja) | 2006-01-07 | 2007-01-05 | 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012083448A Division JP5371158B2 (ja) | 2006-01-07 | 2012-04-02 | 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP2012188696A Division JP5634457B2 (ja) | 2006-01-07 | 2012-08-29 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007207413A JP2007207413A (ja) | 2007-08-16 |
JP2007207413A5 true JP2007207413A5 (ja) | 2010-02-12 |
JP5164383B2 JP5164383B2 (ja) | 2013-03-21 |
Family
ID=38486714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007000447A Active JP5164383B2 (ja) | 2006-01-07 | 2007-01-05 | 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5164383B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7174182B2 (ja) | 2008-11-28 | 2022-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101437086B1 (ko) | 2006-01-07 | 2014-09-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치와, 이 반도체장치를 구비한 표시장치 및 전자기기 |
WO2009104307A1 (ja) * | 2008-02-19 | 2009-08-27 | シャープ株式会社 | シフトレジスタ回路および表示装置ならびにシフトレジスタ回路の駆動方法 |
JP5527647B2 (ja) * | 2008-05-26 | 2014-06-18 | Nltテクノロジー株式会社 | シフトレジスタ |
KR101539667B1 (ko) * | 2008-06-18 | 2015-07-28 | 삼성전자주식회사 | 인버터 소자 및 그 동작 방법 |
US8106400B2 (en) * | 2008-10-24 | 2012-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN102197490B (zh) | 2008-10-24 | 2013-11-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 |
KR101511126B1 (ko) * | 2008-10-30 | 2015-04-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동회로 및 이를 구비한 표시 장치 |
KR101432764B1 (ko) * | 2008-11-13 | 2014-08-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
US8232947B2 (en) | 2008-11-14 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
TWI666626B (zh) * | 2009-01-16 | 2019-07-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置及其電子裝置 |
US9741309B2 (en) | 2009-01-22 | 2017-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving display device including first to fourth switches |
US8330702B2 (en) | 2009-02-12 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse output circuit, display device, and electronic device |
KR101543281B1 (ko) | 2009-02-19 | 2015-08-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동회로 및 이를 구비한 표시 장치 |
KR101476817B1 (ko) * | 2009-07-03 | 2014-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법 |
WO2011070929A1 (en) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
KR102528702B1 (ko) | 2010-02-18 | 2023-05-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 장치 |
KR102647090B1 (ko) | 2010-02-23 | 2024-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101828960B1 (ko) | 2010-03-02 | 2018-02-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터 |
US8779809B2 (en) * | 2010-09-02 | 2014-07-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Signal processing circuit, inverter circuit, buffer circuit, level shifter, flip-flop, driver circuit, and display device |
US9024681B2 (en) * | 2010-09-02 | 2015-05-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Signal processing circuit, inverter circuit, buffer circuit, driver circuit, level shifter, and display device |
TWI562156B (en) | 2011-05-13 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
JP6099372B2 (ja) * | 2011-12-05 | 2017-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
JP6110177B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-04-05 | 京セラ株式会社 | シフトレジスタ回路および画像表示装置 |
KR102397388B1 (ko) | 2014-07-24 | 2022-05-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 표시 모듈 및 전자 기기 |
JP6521794B2 (ja) | 2014-09-03 | 2019-05-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
US9450581B2 (en) | 2014-09-30 | 2016-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device |
CN208141792U (zh) | 2018-05-28 | 2018-11-23 | 北京京东方技术开发有限公司 | 移位寄存器单元、电路结构、驱动电路及显示装置 |
CN110233603A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-09-13 | 宁波大学 | 一种带谐波抑制的cmos d类放大器电路 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006054499A (ja) * | 2002-07-09 | 2006-02-23 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置及びそれを用いた半導体システム |
US8605027B2 (en) * | 2004-06-30 | 2013-12-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Shift register, display device having the same and method of driving the same |
-
2007
- 2007-01-05 JP JP2007000447A patent/JP5164383B2/ja active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7174182B2 (ja) | 2008-11-28 | 2022-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP7228744B1 (ja) | 2008-11-28 | 2023-02-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP7296529B1 (ja) | 2008-11-28 | 2023-06-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
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