JP2007199436A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】配向安定性に優れ、表示品位の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る液晶表示装置は、画素１毎に画素電極１２が形成された第１の基板１０と、第１の基板１０に対向配置され、共通電極２２が形成された第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板２０との間に形成され、基板１０，２０に略垂直に液晶分子３１が配向した液晶層３０とを有する。画素電極１２には、画素１を複数の副画素２に分割する切り欠き部１３が設けられ、分割された電極同士が副画素２の両端において接続されている。共通電極２２には、放射状に液晶分子３１を配向させる中心軸となる配向規制手段２３ａが副画素２毎に設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特にＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モードの液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は薄型、軽量、低消費電力の利点から、様々な用途の表示装置として利用されてきている。近年では、家庭用大型テレビから小型の携帯端末まで幅広く利用されてきており、表示装置に要求される特性もより厳しくなっている。とりわけ視野角に関する要求が強くなっている。

そこで、従来のＴＮモードから、横電界方式のＩＰＳ（インプレーンスイッチング）モード（特許文献１参照）や、マルチドメイン配向するＶＡ（バーティカルアライン）モード（ＭＶＡ）（特許文献２参照）などが提案されている。

ＭＶＡに代表されるＶＡモードは、基板に垂直に液晶分子が配向しているので、容易に高いコントラスト比を得ることができる。また、ＶＡモードは、セルギャップの制御マージンが広いため、生産性の高いモードである。ＶＡモードでは、配向規制手段として画素部に誘電体の構造物や切り欠きあるいはスリットを設けて、斜め電界を利用して液晶分子の配向が制御される（特許文献３および非特許文献１参照）。

ＭＶＡモードでは、画素電極に切り欠きを設けることで１つの画素を複数の副画素に分割する。そして、各々分割された副画素の中心であって、画素電極の反対側の共通電極上に、誘電体構造物などの配向規制手段を配置することにより、配向規制手段を中心に放射状に液晶分子を配向させることができる。液晶分子が放射状に配向するので、方位角方向からの見た目の輝度変化が小さくなり、広視野角性能が得られる。

特公昭６３−２１９０７号公報 特開平１０−１８６３３０号公報 特開２００５−２６６７７８号公報 Yoshida et."3.1:MVA LCD for Notebook or Mobile PCs with High Transmittance, High Contrast Ratio, and Wide Angle Viewing" SID 04 DIGEST

一画素内を複数に分割する場合、その副画素同士を電気的に接続する必要がある。特許文献３および非特許文献１では、副画素の中央部にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を残している。

副画素同士を中央のＩＴＯで接続する方法では、開口率確保のために切り欠きサイズを細くした場合、中間調電位を与えたときに、液晶分子の配向が乱れるという不利益があった。この結果、視野角方向の透過率が変化し、液晶表示装置の画面全体では輝度ムラのざらつきとして見えるという不利益があった。

本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、配向安定性に優れ、表示品位の高い液晶表示装置を提供することにある。

上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、画素毎に画素電極が形成された第１の基板と、前記第１の基板に対向配置され、共通電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に形成され、前記基板に略垂直に液晶分子が配向した液晶層と、を有し、前記画素電極には、前記画素を複数の副画素に分割する切り欠き部が設けられ、分割された電極同士が前記副画素の両端において接続されており、前記共通電極には、放射状に前記液晶分子を配向させる中心軸となる配向規制手段が前記副画素毎に設けられている。

上記の本発明の液晶表示装置では、画素電極には、画素を副画素に分割する切り欠き部が設けられ、分割された電極同士が副画素の両端において接続されている。このため、切り欠き部は、画素電極に囲まれている。
画素電極と共通電極の間に電圧が印加されると、電極エッジ付近の液晶分子が電極側に配向を始める。そして切り欠き部上の液晶分子は、電極上の液晶分子の配向方向に従う方向に弾性体理論に基づいて緩やかに配向方向を変えながら配向する。このとき切り欠き部は画素電極で囲まれているので、印加電圧が低くなった場合でも、画素以外の電界からシールドされた状態となるので、外乱の影響を受けにくくなる。

本発明によれば、配向安定性に優れ、表示品位の高い液晶表示装置を実現することができる。

以下に、本発明の液晶表示装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。

（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係る液晶表示装置を示す図であり、（ａ）は１画素の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。本実施形態では、透過型液晶表示装置の例を説明する。

本実施形態に係る液晶表示装置は、第１の基板１０と、第１の基板１０に対向配置された第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板２０との間に形成された液晶層３０とを有する。

石英基板あるいはガラス基板からなる第１の基板１０上には、図示はしないが、信号線、ゲート線、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなるスイッチング素子が形成されている。スイッチング素子は、画素１毎に設けられる。第１の基板１０上には、スイッチング素子等を被覆する層間絶縁膜１１が形成されている。層間絶縁膜１１は、酸化シリコン膜等の無機系絶縁膜や、感光性樹脂などの有機系絶縁膜からなる。

層間絶縁膜１１上には、画素電極１２が形成されている。画素電極１２は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極である。ただし、反射型液晶表示装置の場合には、画素電極１２は銀などの反射電極である。画素電極１２は、画素１毎に設けられている。図示はしないが、画素電極１２はスイッチング素子に接続されている。

画素電極１２には、画素１を３つの副画素２に分割する２つの切り欠き部（スリット）１３が設けられている。本実施形態では、副画素２間の中央部に切り欠き部１３が設けられている。副画素２同士は、副画素２の両端部において接続されている。ただし、画素１の分割数（副画素２の数）に限定はない。図示はしないが、画素電極１２上には、垂直配向膜が形成されている。

石英基板あるいはガラス基板からなる第２の基板２０上には、カラーフィルタ２１が形成されている。カラーフィルタ２１は、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、あるいは青色カラーフィルタである。これらのカラーフィルタは、画素１毎に形成される。カラーフィルタ２１上には、共通電極２２が形成されている。共通電極２２は、ＩＴＯなどの透明電極からなる。

共通電極２２上には、放射状に液晶分子３１を配向させる中心軸となる配向規制手段として、誘電体構造物２３ａが副画素２毎に形成されている。誘電体構造物２３ａは、副画素２の略中心に設けられている。誘電体構造物２３ａは、例えば、絶縁性の感光性樹脂である。図示はしないが、共通電極２２および誘電体構造物２３ａ上には、垂直配向膜が形成されている。

液晶層３０は、初期配向が垂直配向である液晶、すなわち誘電率異方性が負の液晶材料からなる。例えば、第１の基板１０と第２の基板２０の基板間隔、すなわちセルギャップｄは、例えば３μｍ〜４μｍに設定される。

誘電体構造物２３ａは、電圧印加時において、軸対称配向ドメインの中心軸の位置を固定するように作用する。誘電体構造物２３ａの寸法（本例では誘電体構造物２３ａの直径）Ｃは、配向を安定させる観点から、セルギャップｄの１．２５倍以上であることが好ましい。

切り欠き部１３は、液晶分子が電界によって倒れる方向を規定し、軸対称配向ドメインを形成するように作用する。切り欠き部１３の周辺には、画素電極１２と共通電極２２との間に印加される電圧によって斜め電界が形成され、この斜め電界が液晶分子の倒れる方向を規定する。切り欠き幅Ｗは、セルギャップｄの１．２５倍以上２倍以下であることが好ましい。１．２５倍以上としたのは、液晶分子３１の斜め電界の傾きを大きくして配向を安定させるためである。２倍以下としたのは、透過率を確保するためである。

図示はしないが、第１の基板１０および第２の基板２０の外側には、２枚の偏光板が配置される。２枚の偏光板は、透過軸が互いに直交するように配置される。これにより、ノーマリーブラックモードの液晶表示装置となる。これ以外にも、λ／４波長板を構成する一枚もしくは複数枚の位相差板を、それらの位相差軸が直交するように、偏光板とガラスとの間に配置してもよい。また、視野角補償の為に、ガラスと偏光板もしくはガラスと位相差板との間に、面内位相差が０で厚み方向の位相差が負となる（ｎｘ＝ｎｙ＞ｎｚ）光学補償板（Ｃプレートと呼ばれる）を配置してもよい。

上記の液晶表示装置の基本動作について説明する。

電圧無印加時には、図１に示すように、液晶分子３１は垂直配向膜の配向規制力によって、基板に垂直な方向に配向している。この結果、光は２枚の偏光板を通過することができず、暗状態となる。

電圧印加時には、図２に示すように、副画素２の誘電体構造物２３ａを中心として倒れる、すなわち放射状に液晶分子３１が配向する。その結果、副画素２毎に液晶ドメインが形成される。液晶分子３１が基板に略水平になるため、光は２枚の偏光板を通過することができる。液晶分子３１が放射状に配向するため、方位角方向からの輝度変化が小さくなり、広視野角性能が得られる。

次に、上記の本実施形態に係る液晶表示装置の効果について、比較例を参照して説明する。図３は、比較例の液晶表示装置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

比較例では、副画素２間の中央部に電極部を残した状態で、切り欠き部１３ａが形成されている。この結果、副画素２同士は、副画素２の中央部において接続されている。その他の点については、図１に示す液晶表示装置と同様の構造である。

図４は、画素電極１２と共通電極２２間に中間調電圧を与えた場合における、比較例の液晶分子の配向の様子を示す図である。図４では、３つの画素１のそれぞれについて、２つの副画素２のみを図解している。

図４に示すように、比較例においては、副画素２の中心に対して液晶分子３１が対称に配向しておらず、配向が乱れていることがわかる。特に、開口率確保のために切り欠き幅Ｗを細くした場合、配向の乱れが顕著となる。また、配向の乱れは、中間調電圧において顕著となった。配向の乱れは、視野角方向の透過率の変化に繋がり、液晶表示装置の画面全体では輝度ムラのざらつきとして見える。

図５は、画素電極１２と共通電極２２間に中間調電圧を与えた場合における、本実施形態の液晶分子の配向の様子を示す図である。図５では、３つの画素１のそれぞれについて、２つの副画素２のみを図解している。

図５に示すように、本実施形態においては、副画素２の中心に対して液晶分子３１が略対称に配向している。本実施形態では、開口率確保のために切り欠き幅Ｗを最小にした場合でも、中間調電位において、液晶の配向の乱れが小さくなる。この結果、輝度ムラやざらつきを認識できないレベルまで改善することができる。

次に、比較例と本実施形態において、切り欠き幅Ｗと配向安定性の関係について説明する。図６に、比較例の液晶表示装置の配向安定性の評価結果を示す。図７に、本実施形態に係る液晶表示装置の配向安定性の評価結果を示す。図において、丸印は配向良好、×印は配向不良、三角印はその中間の結果を示す。

図６，７から、配向安定性は、切り欠き幅Ｗとセルギャップｄに対して相関があることが分かる。すなわち、配向安定性を確保するためには、セルギャップｄが大きければそれだけ切り欠き幅Ｗを広くする必要があることがわかる。また、比較例に比べて、本実施形態の方が、配向安定性を確保できる切り欠き幅Ｗの最小値が小さいことがわかる。

垂直配向液晶モードの場合、リタデーション（Δｎ・ｄ：ｎは屈折率異方性、ｄはセルギャップ）がλ／２（λ：光の波長）の場合、最も透過率が高くなる。Δｎは０．１１程度であるため、透過率が最大となるセルギャップｄは４μｍ程度となる。小型化の観点から、通常、４μｍよりも小さい範囲でセルギャップｄは設計されるが、透過率を確保するため、ある程度の大きさのセルギャップｄに設計することになる。

図８は、切り欠き部１３の面積（切り欠き面積）と透過率の関係を示す図である。

切り欠き部１３の領域は液晶分子３１が倒れないため、図８に示すように、切り欠き面積が広くなると透過率が著しく低下する。従って、透過率を確保するためには、セルギャップｄを適切に設定することと、切り欠き幅Ｗを可能な限り小さくすることが重要である。

図６，７の結果から、副画素２同士を中央部で接続する比較例では、配向を安定させるためにセルギャップｄの２倍程度の切り欠き幅Ｗが必要となる。これに対して、副画素２同士をその両端部で接続する本実施形態の場合は、セルギャップｄに対して１．２５倍程度の切り欠き幅Ｗがあればよく、比較例に対して透過率の観点から有利といえる。なお、この結果は、誘電体構造物２３ａの寸法Ｃと、セルギャップｄの関係についても当てはまる。

また、本実施形態では、画素電極１２の接続部を２箇所設けている。このため、プロセス中のパターン不良などにより接続部に不良が生じた場合であっても、副画素２同士の接続が完全に切れてしまう確率を比較例の半分に抑えることができ、歩留まりを向上させることができる。

次に、比較例と本実施形態とで配向安定性の差異が出る理由について説明する。図９は、比較例の液晶表示装置における液晶分子の配向の様子を示す図である。図１０は、本実施形態の液晶表示装置における液晶分子の配向の様子を示す図である。図中の矢印は、液晶分子の配向方向（傾き）を示す。

図９に示すように、副画素２を中央部で接続する比較例の場合では、電界が画素に印加されると、電極エッジ付近の液晶分子が電極側に配向を始める。次に、切り欠き部１３ａの液晶分子が続いて、弾性体理論に基づいて緩やかに配向方向を変えながら配向し、電極接続部１２ｂで配向方向がぶつかる。印加電圧が十分に高い場合には、画素部以外の電界（例えば信号線）や、基板の凹凸などによる配向乱れの影響の受け方が小さく比較的安定する。しかし、印加電圧がある程度低くなった場合には、前述の外乱による配向乱れの影響の方が、画素への印加電圧の効果よりも強くなり、配向が乱れる。

一方で、副画素２同士を、その両端で接続する本実施形態の場合では、画素に電圧が印加されると、電極エッジ付近の液晶分子が電極側に配向を始める。そして切り欠き部１３における液晶分子は、電極上の液晶分子の配向方向に従う方向に弾性体理論に基づいて緩やかに配向方向を変えながら配向する。このとき切り欠き部１３は画素電極１２で囲われているので、印加電圧が低くなった場合でも、画素以外の電界からシールドされた状態となるので、外乱の影響を受けにくく、比較的配向が安定しやすい。

次に、セルギャップｄと切り欠き幅Ｗが液晶分子の配向性に与える影響について、図１１を参照して説明する。図１１において、セルギャップｄａ＞ｄｂの関係にあり、切り欠き幅Ｗａ＞Ｗｂの関係にあるとする。図１１の点線は、電気力線を示す。

図１１に示すように、切り欠き部１３の両側の画素電極１２から、共通電極２２側に切り欠き部１３に入り込むように斜め電界が発生する。この斜め電界の傾きにより液晶分子３１の配向規制力が決定されるので、傾きが大きくなるほど（基板に対して電気力線が垂直な場合を傾きがゼロとする）、配向は安定することになる。

従って、切り欠き幅Ｗが広くなればそれだけ斜め電界の傾きが大きくなり、また、セルギャップｄが小さくなればそれだけ斜め電界の傾きが大きくなる。このことから、切り欠き幅Ｗを狭くした場合において配向を安定させるためには、セル厚を薄くする必要があるといえる。以上のことは、画素サイズにはそれほど影響しない。

以上説明したように、本実施形態に係る液晶表示装置によれば、特に中間調電圧において配向安定性に優れ、表示のざらつきなどを抑制することができる。

また、切り欠き幅Ｗが狭くても、中間調電圧での配向安定性を確保することができる。この結果、透過率を維持した状態で、表示のざらつきなどがない高い表示品位を得ることができる。

さらに、副画素２の接続部が２箇所になるので、パターン不良などによる接続切れの確率が低くなり、歩留まりを向上させることができる。

（第２実施形態）
図１２は、第２実施形態に係る液晶表示装置を示す図であり、（ａ）は１画素の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。第１実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付してあり、その説明は省略する。

第２実施形態では、放射状に液晶分子３１を配向させる中心軸となる配向規制手段として、共通電極２２に孔２３ｂが形成されている。孔２３ｂは副画素２毎に形成されており、各副画素２の略中心に設けられている。図示はしないが、共通電極２２上には、垂直配向膜が形成されている。

孔２３ｂは、電圧印加時において、軸対称配向ドメインの中心軸の位置を固定するように作用する。孔２３ｂの寸法（本例では孔２３ｂの直径）Ｃは、配向を安定させる観点から、セルギャップｄの１．２５倍以上であることが好ましい。

上記の第２実施形態に係る液晶表示装置によっても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。

（第３実施形態）
図１３は、第３実施形態に係る液晶表示装置を示す図であり、（ａ）は１画素の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。第１実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付してあり、その説明は省略する。

第３実施形態では、放射状に液晶分子３１を配向させる中心軸となる配向規制手段として、共通電極２２に十字の切り欠き部２３ｃが形成されている。十字の切り欠き部２３ｃは副画素２毎に形成されており、各副画素２の略中心に設けられている。図示はしないが、共通電極２２上には、垂直配向膜が形成されている。

十字の切り欠き部２３ｃは、電圧印加時において、軸対称配向ドメインの中心軸の位置を固定するように作用する。十字の切り欠き部２３ｃの寸法Ｃは、配向を安定させる観点から、セルギャップｄの１．２５倍以上であることが好ましい。

上記の第３実施形態に係る液晶表示装置によっても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、特にタッチパネルの機能を付加した液晶表示装置の場合には、指等により画素１に圧力がかかる。この場合、配向規制手段として十字の切り欠き部２３ｃを採用した場合には、液晶パネルから指を離した際の画素電極１２の戻りが速く、液晶分子３１の再配向が速いという利点がある。

（第４実施形態）
図１４は、第４実施形態に係る液晶表示装置を示す図であり、（ａ）は１画素の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。本実施形態では、透過型表示と反射型表示の双方を行う半透過型（併用型）液晶表示装置の例を説明する。本実施形態では、左の２つの副画素２ａが透過型表示、右の１つの副画素２ｂが反射型表示を行う例について説明する。なお、透過型表示および反射型表示の区別をしない場合は、単に副画素２とする。

本実施形態に係る液晶表示装置は、第１の基板１０と、第１の基板１０に対向配置された第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板２０との間に形成された液晶層３０とを有する。

石英基板あるいはガラス基板からなる第１の基板１０上には、図示はしないが、信号線、ゲート線、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなるスイッチング素子が形成されている。スイッチング素子は、画素１毎に設けられる。第１の基板１０上には、スイッチング素子等を被覆する層間絶縁膜１１が形成されている。層間絶縁膜１１は、酸化シリコン膜等の無機系絶縁膜や、感光性樹脂などの有機系絶縁膜からなる。反射型表示を行う副画素２の領域において、層間絶縁膜１１には表面凹凸１１ａが形成されている。

層間絶縁膜１１上には、画素毎に画素電極１２が形成されている。画素電極１２は、透過型表示を行う副画素２ａではＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極１２−１からなり、反射型表示を行う副画素２ｂでは銀などの反射電極１２−２からなる。反射電極１２−２の表面は、下地の層間絶縁膜１１の表面凹凸１１ａを反映させた凹凸形状となっている。なお、画素１の全面に透明電極１２−１を形成し、副画素２ｂにおける透明電極１２−１上に反射電極１２−２を形成してもよい。図示はしないが、画素電極１２はスイッチング素子に接続されている。なお、透明電極１２−１と、反射電極１２−２とを区別しない場合には、単に画素電極１２とする。

画素電極１２には、画素１を３つの副画素２に分割する２つの切り欠き部（スリット）１３が設けられている。本実施形態では、副画素２間の中央部に切り欠き部１３が設けられている。副画素２同士は、副画素２の両端部において接続されている。ただし、画素１の分割数（副画素２の数）に限定はない。図示はしないが、画素電極１２上には、垂直配向膜が形成されている。

石英基板あるいはガラス基板からなる第２の基板２０上には、カラーフィルタ２１が形成されている。カラーフィルタ２１は、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、あるいは青色カラーフィルタである。これらのカラーフィルタは、画素１毎に形成される。

反射型表示を行う副画素２ｂにおけるカラーフィルタ２１上には、ギャップ調整層２４が形成されている。透過型表示を行う副画素２ａでは光は液晶層３０を一回通過するのに対し、反射型表示を行う副画素２ｂでは光は液晶層３０を２回通過する。従って、副画素２ａと副画素２ｂとでリタデーションを等しくするため、透過型表示を行う副画素２ａのセルギャップｄ１が、反射型表示を行う副画素２ｂのセルギャップｄ２の２倍となるように設定することが好ましい。このために、ギャップ調整層２４が設けられる。

カラーフィルタ２１およびギャップ調整層２４上には、共通電極２２が形成されている。共通電極２２は、ＩＴＯなどの透明電極からなる。

共通電極２２上には、放射状に液晶分子３１を配向させる中心軸となる配向規制手段として、誘電体構造物２３ａが副画素２毎に形成されている。誘電体構造物２３ａは、副画素２の略中心に設けられている。誘電体構造物２３ａは、例えば、絶縁性の感光性樹脂である。ただし、配向規制手段は、第２実施形態で説明した孔２３ｂや、第３実施形態で説明した十字の切り欠き部２３ｃであってもよい。図示はしないが、共通電極２２および誘電体構造物２３ａ上には、垂直配向膜が形成されている。

液晶層３０は、初期配向が垂直配向である液晶、すなわち誘電率異方性が負の液晶材料からなる。例えば、セルギャップｄ１は４μｍに設定され、セルギャップｄ１は２μｍに設定される。

誘電体構造物２３ａは、電圧印加時において、軸対称配向ドメインの中心軸の位置を固定するように作用する。誘電体構造物２３ａの寸法（本例では誘電体構造物２３ａの直径）Ｃは、配向を安定させる観点から、セルギャップｄ１の１．２５倍以上であることが好ましい。

切り欠き部１３は、液晶分子が電界によって倒れる方向を規定し、軸対称配向ドメインを形成するように作用する。切り欠き部１３の周辺には、画素電極１２と共通電極２２との間に印加される電圧によって斜め電界が形成され、この斜め電界が液晶分子の倒れる方向を規定する。画素電極１２の切り欠き幅Ｗは、セルギャップｄ１の１．２５倍以上２倍以下であることが好ましい。１．２５倍以上としたのは、液晶分子３１の斜め電界を大きくして配向を安定させるためである。２倍以下としたのは、透過率を確保するためである。

図示はしないが、第１の基板１０および第２の基板２０の外側には、２枚の偏光板が配置される。２枚の偏光板は、透過軸が互いに直交するように配置される。これにより、ノーマリーブラックモードの液晶表示装置となる。

上記の第４実施形態に係る液晶表示装置によっても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、複数の副画素２ａのうち、どの副画素２ａを反射型表示あるいは透過型表示に用いるかについて限定はない。また、１つの副画素２ａ内に透明電極と反射電極を設けても良い。

本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。

第１実施形態に係る液晶表示装置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。 電圧印加時における液晶分子の状態を説明するための図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。 比較例の液晶表示装置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。 比較例の液晶表示装置の配向の様子を示す図である。 本実施形態に係る液晶表示装置の配向の様子を示す図である。 比較例の液晶表示装置の配向安定性評価結果を示す図である。 本実施形態に係る液晶表示装置の配向安定性評価結果を示す図である。 切り欠き面積と透過率の関係を示す図である。 比較例の液晶表示装置における液晶分子の配向の様子を示す図である。 本実施形態の液晶表示装置における液晶分子の配向の様子を示す図である。 液晶分子の配向性と、セルギャップおよび切り欠き幅の関係を説明するための図である。 第２実施形態に係る液晶表示装置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。 第３実施形態に係る液晶表示装置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。 第４実施形態に係る液晶表示装置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

符号の説明

１…画素、２，２ａ，２ｂ…副画素、１０…第１の基板、１１…層間絶縁膜、１１ａ…表面凹凸、１２…画素電極、１２ａ，１２ｂ…電極接続部、１２−１…透明電極、１２−２…反射電極、１３，１３ａ…切り欠き部、２０…第２の基板、２１…カラーフィルタ、２２…共通電極、２３ａ…誘電体構造物、２３ｂ…孔、２３ｃ…十字の切り欠き部、２４…ギャップ調整層、３０…液晶層、３１…液晶分子、Ｗ…切り欠き幅、ｄ…セルギャップ、Ｃ…寸法

Claims (6)

1. 画素毎に画素電極が形成された第１の基板と、
   前記第１の基板に対向配置され、共通電極が形成された第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間に形成され、前記基板に略垂直に液晶分子が配向した液晶層と、を有し、
   前記画素電極には、前記画素を複数の副画素に分割する切り欠き部が設けられ、分割された電極同士が前記副画素の両端において接続されており、
   前記共通電極には、放射状に前記液晶分子を配向させる中心軸となる配向規制手段が前記副画素毎に設けられている
   液晶表示装置。
2. 前記切り欠き部の幅は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の基板間隔の１．２５倍以上である
   請求項１記載の液晶表示装置。
3. 前記切り欠き部の幅は、前記基板間隔の１．２５倍以上２倍以下である
   請求項２記載の液晶表示装置。
4. 前記配向規制手段は、前記共通電極上に設けられた誘電体構造物からなる
   請求項１記載の液晶表示装置。
5. 前記配向規制手段は、前記共通電極に設けられた孔からなる
   請求項１記載の液晶表示装置。
6. 前記配向規制手段は、前記共通電極に設けられた十字の切り欠き部からなる
   請求項１記載の液晶表示装置。