JP2007194410A - 窒化物系半導体素子の製造方法 - Google Patents
窒化物系半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007194410A JP2007194410A JP2006011289A JP2006011289A JP2007194410A JP 2007194410 A JP2007194410 A JP 2007194410A JP 2006011289 A JP2006011289 A JP 2006011289A JP 2006011289 A JP2006011289 A JP 2006011289A JP 2007194410 A JP2007194410 A JP 2007194410A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- nitride
- gan
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】窒化物系半導体素子の製造方法は、基板上に、少なくとも1層以上のn型半導体層を形成する工程と、n型半導体層上に、活性層を形成する工程と、活性層上に、キャリアガスとしてH2よりもN2の流量が大きい条件で、Alを供給し、p型AlGaN層を形成する工程と、p型AlGaN層上に、p型AlGaN層を形成する条件と同様の条件で、Alの供給のみを停止し、第1のp型GaN層を形成する工程と、第1のp型GaN層上に、キャリアガスとしてH2よりもN2の流量が小さい条件で、第2のp型GaN層を形成する工程とを含む。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態に係る窒化物系発光ダイオード素子の製造方法を説明するための断面図である。又、図2は、本発明の実施の形態に係る窒化物系発光ダイオード素子の製造方法における成長温度の推移を示し、図3は、図2のA段階における各原料の供給量を示している。
従来、p型AlGaN層104の形成条件は、p型GaN層の形成条件と異なっているため、p型AlGaN層104を形成した後、一度成膜を中断し、形成条件を切り替えていた。この際、表面にAlが存在すると、AlとOやCなどの不純物とが結合してしまい、発光を妨げる要因となっていた。
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
102…n型半導体層
103…活性層
104…AlGaN層
105…第1のGaN層
106…第2のGaN層
Claims (2)
- 基板上に、少なくとも1層以上の窒化物系半導体層を形成する工程と、
前記窒化物系半導体層上に、活性層を形成する工程と、
前記活性層上に、キャリアガスとしてH2よりもN2の流量が大きい条件で、Alを供給し、AlGaN層を形成する工程と、
前記AlGaN層上に、前記AlGaN層を形成する条件と同様の条件で、Alの供給のみを停止し、第1のGaN層を形成する工程と、
前記第1のGaN層上に、キャリアガスとしてH2よりもN2の流量が小さい条件で、第2のGaN層を形成する工程と
を含むことを特徴とする窒化物系半導体素子の製造方法。 - 前記第1のGaN層の厚みは、0.001〜0.05μmであることを特徴とする請求項1に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006011289A JP4823698B2 (ja) | 2006-01-19 | 2006-01-19 | 窒化物系半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006011289A JP4823698B2 (ja) | 2006-01-19 | 2006-01-19 | 窒化物系半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007194410A true JP2007194410A (ja) | 2007-08-02 |
JP4823698B2 JP4823698B2 (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=38449869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006011289A Expired - Fee Related JP4823698B2 (ja) | 2006-01-19 | 2006-01-19 | 窒化物系半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4823698B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011152670A2 (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Method of fabricating light emitting diode |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09266327A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 3族窒化物化合物半導体発光素子 |
JPH10215035A (ja) * | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Toshiba Corp | 化合物半導体素子及びその製造方法 |
JPH10290027A (ja) * | 1997-02-12 | 1998-10-27 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JPH1140893A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-12 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JPH1168252A (ja) * | 1997-08-25 | 1999-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
JPH11168257A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Sony Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2000183466A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-06-30 | Toshiba Corp | 化合物半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2005064204A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | III族窒化物系化合物半導体発光素子及びそれに用いる窒化ガリウム(GaN)基板の製造方法 |
WO2005122290A1 (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | 窒化物系半導体発光素子 |
-
2006
- 2006-01-19 JP JP2006011289A patent/JP4823698B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09266327A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 3族窒化物化合物半導体発光素子 |
JPH10215035A (ja) * | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Toshiba Corp | 化合物半導体素子及びその製造方法 |
JPH10290027A (ja) * | 1997-02-12 | 1998-10-27 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JPH1140893A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-12 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JPH1168252A (ja) * | 1997-08-25 | 1999-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
JPH11168257A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Sony Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2000183466A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-06-30 | Toshiba Corp | 化合物半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2005064204A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | III族窒化物系化合物半導体発光素子及びそれに用いる窒化ガリウム(GaN)基板の製造方法 |
WO2005122290A1 (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | 窒化物系半導体発光素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011152670A2 (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Method of fabricating light emitting diode |
WO2011152670A3 (en) * | 2010-06-04 | 2012-04-19 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Method of fabricating light emitting diode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4823698B2 (ja) | 2011-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8513694B2 (en) | Nitride semiconductor device and manufacturing method of the device | |
JP4631884B2 (ja) | 閃亜鉛鉱型窒化物半導体自立基板、閃亜鉛鉱型窒化物半導体自立基板の製造方法、及び閃亜鉛鉱型窒化物半導体自立基板を用いた発光装置 | |
JP5322523B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP2007305851A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP2006108585A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
US20080042161A1 (en) | Nitride semiconductor light emitting diode | |
JP2007227671A (ja) | 発光素子 | |
JP2002033512A (ja) | 窒化物半導体発光ダイオード | |
JP2008288397A (ja) | 半導体発光装置 | |
JPWO2015146069A1 (ja) | 発光ダイオード素子 | |
JP2007115887A (ja) | 窒化物半導体素子およびその製法 | |
JP5060732B2 (ja) | 発光素子及びこの発光素子の製造方法 | |
JP2009010432A (ja) | 発光素子の製造方法 | |
JP3773713B2 (ja) | 量子箱の形成方法 | |
JP2007200933A (ja) | 窒化物系半導体素子の製造方法 | |
JP4698053B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法 | |
US20090014839A1 (en) | Nitride-Based Semiconductor Device | |
JP3753948B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子 | |
JPH11354843A (ja) | Iii族窒化物系量子ドット構造の製造方法およびその用途 | |
JP4823698B2 (ja) | 窒化物系半導体素子の製造方法 | |
JP2008118048A (ja) | GaN系半導体発光素子 | |
JP2007214251A (ja) | 窒化物系半導体素子の製造方法 | |
JP2003218468A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JP2007194493A (ja) | 窒化物系半導体素子の製造方法 | |
JP4198003B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080917 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110419 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110616 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110823 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110907 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |