JP2007187530A - 電流センサおよびその設置方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】設置基板2の中心線3に対して分けられた一方の領域にハーフブリッジ回路7aが配置されると共に、他方の領域にハーフブリッジ回路7bが配置され、ハーフブリッジ回路7a,7bは、その設置基板2の中心点4に対して、相互に点対称に等しく構成され、配置されるようにする。温度等により、磁気抵抗効果素子5a〜5cの設置基板2に等方性に伸びまたは歪が発生しても、ブリッジ回路8としては、ハーフブリッジ回路7aとハーフブリッジ回路7bとで均等に伸びまたは歪の影響を受けるので、それら影響を相殺することができ、温度等による等方性の伸びまたは歪による測定誤差を低減することができる。
【選択図】図1
Description
また、大電流測定が困難であるという問題点もあった。
さらに、外部電界対策がなされていないため、近接してノイズ源がある場合に、測定精度が低下するという問題点があった。
図1はこの発明の実施の形態1による電流センサの被測定電流検出部を示す平面図であり、図において、被測定電流検出部1は、設置基板2の中心線3上の中心点4に対して、設置基板2上に各回路部品が相互に点対称に等しく構成され、配置されたものからなる。
4つの磁気抵抗効果素子(第1から第4の磁気抵抗効果素子)5a〜5dは、設置基板2の中心線3に対して相互に平行方向に配置され、磁気抵抗効果素子5a,5dは、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に増加する磁気抵抗効果特性を有するように、また、磁気抵抗効果素子5b,5cは、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に減少する磁気抵抗効果特性を有するように、バーバーポール電極構造が形成されている。なお、4つの磁気抵抗効果素子5a〜5dでは、それぞれ3本の磁気抵抗効果素子をクランク形状に形成し、磁界を受ける線路長を長くすることで、磁界の変化を検知しやすくしている。
図2はこの発明の実施の形態1による電流センサの被測定電流検出部を示す構成概略図であり、図において、4つの磁気抵抗効果素子5a〜5d間を接続することにより、磁気抵抗効果素子5a,5bの直列接続からなるハーフブリッジ回路(第1のハーフブリッジ回路)7a、および磁気抵抗効果素子5c,5dの直列接続からなるハーフブリッジ回路(第2のハーフブリッジ回路)7bの並列接続からなるブリッジ回路8を構成するものである。
接続エリア(第1の接続エリア)9aは、ブリッジ回路8の磁気抵抗効果素子5a,5c間の接続電流線6に接続され、接続エリア(第2の接続エリア)9bは、ブリッジ回路8の磁気抵抗効果素子5b,5d間の接続電流線6に接続され、接続エリア9a,9bからブリッジ回路8に電圧が供給されるものである。接続エリア(第3の接続エリア)9cは、ブリッジ回路8の磁気抵抗効果素子5a,5b間の接続電流線6に接続され、接続エリア(第4の接続エリア)9dは、ブリッジ回路8の磁気抵抗効果素子5c,5d間の接続電流線6に接続され、接続エリア9c,9dからブリッジ回路8からの電圧が検出されるものである。
さらに、後述する制御回路部は、接続エリア9a,9bに電圧を供給すると共に、接続エリア9c,9dから検出されるブリッジ回路8の電圧に基づいて、接続エリア9e,9fに4つの磁気抵抗効果素子5a〜5d近傍に発生する磁界を打ち消すような制御電流を供給するものである。
磁気抵抗効果素子部10aは、磁気抵抗効果素子5a,5c間の接続エリア9aとの接続電流線6の接続部に設けられ、磁気抵抗効果素子5a,5cの抵抗値を調整可能にし、磁気抵抗効果素子部10bは、磁気抵抗効果素子5b,5d間の接続エリア9bとの接続電流線6の接続部に設けられ、磁気抵抗効果素子5a,5cの抵抗値を調整可能にするものである。
すなわち、ブリッジ回路8を構成する4つの磁気抵抗効果素子5a〜5dおよび接続電流線6からなるハーフブリッジ回路7a,7bが中心点4に対して点対称に配置され、接続エリア9a,9bが中心点4に対して点対称に配置され、接続エリア9c,9dが中心点4に対して点対称に配置され、接続エリア9e,9fが中心点4に対して点対称に配置され、磁気抵抗効果素子部10a,10bが中心点4に対して点対称に配置され、さらに、接続エリア9cおよび磁気抵抗効果素子5a,5b間を接続する接続電流線6と、接続エリア9dおよび磁気抵抗効果素子5c,5d間を接続する接続電流線6とが中心点4に対して点対称に配置されたものである。
まず、磁気抵抗効果素子の基本的な作用について説明する。
磁気抵抗効果素子は、強磁性体の磁化の向きと、この強磁性体に流れる電流の向きとの間の角度によって強磁性体の抵抗値が変化することを利用したものである。
図3(a)は外部磁界無しの場合における強磁性体内の磁化の向きと強磁性体に流れる電流の向きを示す説明図、図3(b)は外部磁界を印加した場合における強磁性体内の磁化の向きと強磁性体に流れる電流の向きを示す説明図、図4は磁化の向きと電流の向きとがなす角度θに対する強磁性体の抵抗値の変化を示す特性図である。
図3(a)(b)から分かるように、強磁性体内の磁化の向きは外部磁界の強さや向きによって影響を受ける。したがって、強磁性体の抵抗値から外部磁界を求めることが可能となる。
図5はバーバーポール電極構造を示す説明図であり、図において、アルミ電極11は、磁気抵抗効果素子の軸方向に対して45(deg)傾けて設けられたものである。
図5から分かるように、バーバーポール電極は、磁気抵抗効果素子の表面を流れる電流の向きを45(deg)傾けるために設けられたものである。各々のアルミ電極11内では電位が等しく、電流はアルミ電極11に垂直に流れる。強磁性体を軸方向に磁化すると、外部磁界が0の時に磁化の向きと電流の向きとがなす角度θを45(deg)にすることができる。
このように、バーバーポール電極構造を形成することにより、例えば、図1において、磁気抵抗効果素子5a,5bには、紙面左側より中心線3の向きに外部磁界が加わり、また、磁気抵抗効果素子5c,5dには、紙面右側より中心線3の向きに外部磁界が加わった場合に、磁気抵抗効果素子5a,5dでは、共に外部磁界の増加に応じて抵抗値が増加すると共に、外部磁界の減少に応じて抵抗値が減少する磁気抵抗効果特性を有するように、また、磁気抵抗効果素子5b,5cでは、逆に外部磁界の増加に応じて抵抗値が減少すると共に、外部磁界の減少に応じて抵抗値が増加する磁気抵抗効果特性を有するように構成することができる。ここではアルミを電極として用いているが、他の抵抗率の低い金属材料を用いてもよい。
図6はこの発明の実施の形態1による電流センサの設置方法を示す構成概略図、図7は図6におけるAA矢視断面を示す断面図であり、図において、絶縁性の基台12上に、図1に示した被測定電流検出部1を配置する。この時、被測定電流検出部1を、その中心点4の近傍の1個所の接着部14にて基台12に固定する。また、基台12上に制御回路部13を配置する。制御回路部13は、上述したように、被測定電流検出部1の接続エリア9a,9bにブリッジ回路8の電圧を供給すると共に、接続エリア9c,9dから検出されるブリッジ回路8の電圧に基づいて、被測定電流検出部1の接続エリア9e,9fに4つの磁気抵抗効果素子5a〜5d近傍に発生する磁界を打ち消すような制御電流を供給するものである。
さらに、被測定電流線15上に基台12を設置する。ここでは、被測定電流線15はU字型構造を有するものとする。この時、U字型の被測定電流線15における2本の被測定電流線15が、被測定電流検出部1の中心線3に対して対称となり、且つ2本の被測定電流線15の軸方向と中心線3が略平行になるように設置する。
図6に示したように、U字型の被測定電流線15上に基台12を設置し、その被測定電流線15に電流が流れていない状態で、制御回路部13から図1に示した被測定電流検出部1の接続エリア9a,9b間に規定電圧を印加する。この時、被測定電流検出部1の接続エリア9c,9d間から制御回路部13により検出される電圧が0になるように、可変磁気抵抗効果素子部10a,10bをレーザ等でカットすることで、4つの磁気抵抗効果素子5a〜5dの抵抗値を微調整し、ブリッジ回路8を平衡させる。なお、この可変磁気抵抗効果素子部10a,10bによるブリッジ回路8を平衡処理は、電流センサの出荷前に行うようにしても良い。
上述したように、磁気抵抗効果素子5a,5dでは、共に外部磁界の増加に応じて抵抗値が増加すると共に、外部磁界の減少に応じて抵抗値が減少する磁気抵抗効果特性を有するように、また、磁気抵抗効果素子5b,5cでは、逆に外部磁界の増加に応じて抵抗値が減少すると共に、外部磁界の減少に応じて抵抗値が増加する磁気抵抗効果特性を有するように構成されている。
よって、U字型の被測定電流線15に流れる電流の増加に応じて磁気抵抗効果素子5a,5dの抵抗値が増加すると共に、磁気抵抗効果素子5b,5cの抵抗値が減少し、U字型の被測定電流線15に流れる電流の減少に応じて磁気抵抗効果素子5a,5dの抵抗値が減少すると共に、磁気抵抗効果素子5b,5cの抵抗値が増加する。
したがって、U字型の被測定電流線15に流れる電流の大きさに応じたブリッジ回路8の平衡の崩れを、制御回路部13から供給される制御電流(フィードバック)により修復することができる。
ゆえに、この制御回路部13から接続エリア9e,9fに供給した制御電流の大きさが、U字型の被測定電流線15に流れる電流の大きさ、またはU字型の被測定電流線15に流れる電流の大きさに相関のある値として検出することができる。
なお、U字型の被測定電流線15以外において発生される外乱磁界は、各ハーフブリッジ回路7a,7bに同相の影響となるため、相殺され、測定精度に影響を与えない。
また、図7に示したように、被測定電流検出部1を、その中心点4の近傍の1個所の接着部14にて基台12に固定するように電流センサを設置したものである。
したがって、温度等により、磁気抵抗効果素子5a〜5dの設置基板2に等方性に伸びまたは歪が発生しても、ブリッジ回路8としては、ハーフブリッジ回路7aとハーフブリッジ回路7bとで均等に伸びまたは歪の影響を受けるので、それら影響を相殺することができ、温度等による等方性の伸びまたは歪による測定誤差を低減することができる。
また、上記実施の形態1では、6つの接続エリア9a〜9fが磁気抵抗効果素子5a〜5dの上下に配置されたものについて示したが、上下に限定されることなく、磁気抵抗効果素子5a〜5dの左右、中心部等のいずれの個所に配置されたものであっても、中心点4に対して点対称に配置されたものであれば、同様な効果を奏することができる。
さらに、上記実施の形態1では、U字型の被測定電流線15に流れる電流の大きさを測定する方法について示したが、U字型の被測定電流線15に限定されることなく、平行に配置され、且つ互いに逆方向に同じ大きさの電流が流れる2本の被測定電流線であれば、適用でき、同様な効果を奏することができる。
図8はこの発明の実施の形態2による電流センサの被測定電流検出部を示す平面図であり、図において、4つの磁気抵抗効果素子(第1から第4の磁気抵抗効果素子)25a〜25dは、設置基板2の中心線3に対して相互に垂直方向に配置され、磁気抵抗効果素子25a,25dは、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に増加する磁気抵抗効果特性を有するように、また、磁気抵抗効果素子25b,25cは、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に減少する磁気抵抗効果特性を有する磁気抵抗効果特性を有するように、バーバーポール電極構造が形成されている。
接続電流線26は、4つの磁気抵抗効果素子25a〜25d間を接続することにより、ブリッジ回路を構成するものである。
すなわち、ブリッジ回路8を構成する4つの磁気抵抗効果素子25a〜25dおよび接続電流線26からなるハーフブリッジ回路7a,7bが中心点4に対して点対称に配置され、接続エリア9a,9bが中心点4に対して点対称に配置され、接続エリア9c,9dが中心点4に対して点対称に配置され、接続エリア9e,9fが中心点4に対して点対称に配置され、磁気抵抗効果素子部10a,10bが中心点4に対して点対称に配置され、さらに、接続エリア9cおよび磁気抵抗効果素子25a,25b間を接続する接続電流線26と、接続エリア9dおよび磁気抵抗効果素子25c,25d間を接続する接続電流線26とが中心点4に対して点対称に配置されたものである。
その他の構成については、図1と同一であるので重複する説明を省略する。
上記実施の形態1では、図1に示したように、設置基板2の中心線3に対して相互に平行方向に4つの磁気抵抗効果素子5a〜5dを配置したものについて説明した。このような配置では、中心線3に平行な磁界に対して磁気抵抗効果素子5a〜5dは感度を持たない。
中心線3に平行な磁界に対して感度を持たせるためには、図8に示したように、設置基板2の中心線3に対して相互に垂直方向に4つの磁気抵抗効果素子25a〜25dを配置したものにする。
図9はこの発明の実施の形態2による電流センサの設置方法を示す構成概略図である。図6および図7で説明したように、絶縁性の基台12上に、図8に示した被測定電流検出部1を配置する。この時、被測定電流検出部1を、その中心点4の近傍の1個所の接着部14にて基台12に固定する。また、基台12上に制御回路部13を配置する。
図9は被測定電流線27が非対称的な分流部28を有し、その分流型の被測定電流線27におけるその分流部28を構成する中空部29の磁気が0となる個所に、図8に示した被測定電流検出部1を、その中心線3と磁気が0となる個所とが一致し、且つその被測定電流線27の軸方向とその設置基板2の中心線3が略垂直になるように設置するものである。
また、非対称的な分流部28を有する分流型の被測定電流線27に被測定電流検出部1を設置するようにしたので、被測定電流線27と分流部28とに流れる電流の分流比が、例えば9:1の場合には、直接に被測定電流線27に流れる電流を測定する場合に比べて、1/10の電流を測定するだけで済む。このことから、制御回路部13の容量等を小型化することができる。換言すれば、小型の電流センサで大きな電流を測定することができる。
また、図7に示したように、被測定電流検出部1を、その中心点4の近傍の1個所の接着部14にて基台12に固定するように電流センサを設置したものである。
したがって、温度等により、磁気抵抗効果素子25a〜25dの設置基板2に等方性に伸びまたは歪が発生しても、ブリッジ回路8としては、ハーフブリッジ回路7aとハーフブリッジ回路7bとで均等に伸びまたは歪の影響を受けるので、それら影響を相殺することができ、温度等による等方性の伸びまたは歪による測定誤差を低減することができる。
図10はこの発明の実施の形態3による電流センサを示す断面図であり、図において、電界シールド層(電界シールドカバー)31は、被測定電流検出部1を絶縁層32を介して覆ったものである。その他の構成については、図7と同一であるので重複する説明を省略する。
図10に示したように、被測定電流検出部1を外乱電界からシールドするために、絶縁層32を介して電界シールド層31で覆う。
この電界シールド層31は、電気伝導性を有する非磁性体で、図10には示していないが接地されている。この実施の形態3では、被測定電流検出部1のみを覆う形態であるが、基台12を含めて全体を覆うケース状の電界シールドカバーであっても良い。このように電界シールド層31を設けることにより、設置場所における電気的なノイズの影響を受けず、外乱電界をシールドすることが可能となり電流検出精度がより向上する。
なお、この実施の形態3では、上記実施の形態1に示した被測定電流検出部1を電界シールド層31で覆ったものについて示したが、上記実施の形態2に示した被測定電流検出部1を電界シールド層31で覆っても良く、同様な効果を奏することができる。
Claims (9)
- 設置基板上に配置され、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に増加する磁気抵抗効果特性を有する第1および第4の磁気抵抗効果素子と、
上記設置基板上に配置され、互いに逆方向の上記磁界の増加に応じて抵抗値が共に減少する磁気抵抗効果特性を有する第2および第3の磁気抵抗効果素子と、
上記設置基板上に配置され、上記第1から第4の磁気抵抗効果素子を接続することにより、上記第1および第2の磁気抵抗効果素子による第1のハーフブリッジ回路、および上記第3および第4の磁気抵抗効果素子による第2のハーフブリッジ回路からなるブリッジ回路を構成する接続電流線とを備え、
上記設置基板の中心線に対して分けられた一方の領域に上記第1のハーフブリッジ回路が配置されると共に、他方の領域に上記第2のハーフブリッジ回路が配置され、それら第1および第2のハーフブリッジ回路は、その設置基板の中心点に対して、相互に点対称に等しく構成され、配置されたことを特徴とする電流センサ。 - 設置基板上に配置され、ブリッジ回路の第1および第3の磁気抵抗効果素子間に接続された第1の接続エリアと、
上記設置基板上に配置され、上記ブリッジ回路の第2および第4の磁気抵抗効果素子間に接続され、上記第1の接続エリアと共にそのブリッジ回路に電圧が供給される第2の接続エリアと、
上記設置基板上に配置され、上記ブリッジ回路の上記第1および第2の磁気抵抗効果素子間に接続された第3の接続エリアと、
上記設置基板上に配置され、上記ブリッジ回路の上記第3および第4の磁気抵抗効果素子間に接続され、上記第3の接続エリアと共にそのブリッジ回路からの電圧が検出される第4の接続エリアとを備え、
上記第1および第2の接続エリアは、
上記設置基板の中心点に対して、相互に点対称に等しく構成され、配置され、
上記第3および第4の接続エリアは、
上記設置基板の中心点に対して、相互に点対称に等しく構成され、配置されことを特徴とする請求項1記載の電流センサ。 - 設置基板上の第1から第4の磁気抵抗効果素子の上方、または下方、または両方に絶縁層を介して配置された補償導電線と、
上記設置基板上に配置され、上記補償導電線の一端に接続された第5の接続エリアと、
上記設置基板上に配置され、上記補償導電線の他端に接続された第6の接続エリアと、
第1および第2の接続エリアに電圧を供給すると共に、第3および第4の接続エリアから検出される電圧に基づいて、上記第5および第6の接続エリアに上記第1から第4の磁気抵抗効果素子近傍に発生する磁界を打ち消すような制御電流を供給する制御回路部とを備え、
上記第5および第6の接続エリアは、
上記設置基板の中心点に対して、相互に点対称に等しく構成され、配置されたことを特徴とする請求項2記載の電流センサ。 - 外乱電界を除去する電界シールドカバーを備えたことを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれか1項記載の電流センサ。
- 第1から第4の磁気抵抗効果素子は、
設置基板の中心線に対して相互に平行方向に配置されたことを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の電流センサ。 - 第1から第4の磁気抵抗効果素子は、
設置基板の中心線に対して相互に垂直方向に配置されたことを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の電流センサ。 - 第1のハーフブリッジ回路と第2のハーフブリッジ回路との2個所の接続部に抵抗値が調整可能な磁気抵抗効果素子部を備えたことを特徴とする請求項1から請求項6のうちのいずれか1項記載の電流センサ。
- 平行に配置され、且つ互いに逆方向に同じ大きさの電流が流れる2本の被測定電流線が、請求項5記載の電流センサの設置基板の中心線に対して対称となり、且つそれら2本の被測定電流線の軸方向とその設置基板の中心線が略平行になるように、その電流センサをその設置基板の中心点で固定することを特徴とする電流センサの設置方法。
- 被測定電流線が非対称的な分流部を有し、それら被測定電流線および分流部により形成される中空部の磁気が0となる個所に、請求項6記載の電流センサの設置基板の中心線が一致し、且つその被測定電流線の軸方向とその設置基板の中心線が略垂直になるように、その電流センサをその設置基板の中心点で固定することを特徴とする電流センサの設置方法。
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