JP2007183614A

JP2007183614A - 半透過型液晶表示装置及びその製造方法

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Publication number: JP2007183614A
Application number: JP2006336264A
Authority: JP
Inventors: Dong Guk Kim; 東國金
Original assignee: LG Philips LCD Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2005-12-29
Filing date: 2006-12-13
Publication date: 2007-07-19
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Abstract

【課題】透過部と反射部との境界領域に反射板を形成し、バックライトから反射部に入射する光の一部が前記反射板によって透過部の方向へ反射されるようしすることによって透過部の光効率を極大化させた半透過型液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に互いに交差配列され、透過部と反射部とに区分される画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線とデータ配線との交差領域に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された保護膜と、前記保護膜上に形成された画素電極と、前記画素電極に電気的に連結されるように前記反射部に形成された第１反射板と、前記透過部と反射部との境界領域の前記基板上に形成される第２反射板と、を備える構成とした。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶表示装置に係り、特に、透過部の光効率を極大化した半透過型液晶表示装置及びその製造方法に関する。

表示画面の厚さが数センチメートル（ｃｍ）に過ぎない超薄型の平板表示装置（Flat Panel Display）、なかでも液晶表示装置は、動作電圧が低いために消費電力が少なく、携帯用に使用可能な利点から、ノートブックコンピュータをはじめ、モニタ、宇宙船、航空機などに至るまで広範囲に応用されている。

かかる液晶表示装置は、第１基板、第２基板及びこれらの両基板間に形成された液晶層を備えて構成される。

第１基板上にはゲート配線、データ配線、薄膜トランジスタ及び画素電極などが形成されている。

また、第２基板上には、光が漏れるのを遮断するための遮光層が形成されており、該遮光層上にカラーフィルタ層が形成されており、該カラーフィルタ層の上部に共通電極が形成されている。

一方、液晶表示装置は、バックライトを光源として用いる透過型液晶表示装置と、バックライトを光源とせずに外部自然光を用いる反射型液晶表示装置と、バックライト使用により電力消耗が大きいという透過型液晶表示素子の欠点と暗い時には外部自然光の使用が不可能な反射型液晶表示素子の欠点とを克服する半透過型液晶表示装置と、に大別される。

なかでも、半透過型液晶表示装置は、単位ピクセルの内部に反射部と透過部を同時に有するので、必要によって反射型及び透過型の両用が可能である。

ここで、半透過型液晶表示装置の画素電極は、第１基板を介して入射するバックライトによる光を液晶層に入射させて輝度を高め、反射板は外部自然光が明るい時に第２基板を介して入射する外部光を反射させて輝度を高める。

以下、添付の図面を参照しつつ、従来技術による半透過型液晶表示装置を説明する。
図１Ａは、従来技術による液晶表示装置の第１基板を概略的に示す平面図であり、図１Ｂは、Ａ−Ａ’ラインの断面図である。

図１Ａ及び図１Ｂに示すように、第１基板には、画素領域を定義するために互いに交差配列されるゲート配線１０及びデータ配線２０が形成され、ゲート配線１０及びデータ配線２０との交差部ごとに薄膜トランジスタ４０が形成されている。

薄膜トランジスタ４０上には、図１Ｂに示すように、保護膜７０が備えられており、該保護膜７０の各画素領域には、保護膜７０を貫通するコンタクトホール２６を介して薄膜トランジスタ４０のドレイン電極２４と連結された画素電極３０が形成され、該画素電極３０上の一部領域に反射板３５が形成される。

この画素電極３０は、透明な伝導性物質からなっている。

また、反射板３５は、反射率の高い金属からなり、反射部領域にのみ形成される。

薄膜トランジスタ４０は、ゲート配線１０から分岐するゲート電極１２と、このゲート電極１２を含む全面に形成されたゲート絶縁膜６０と、ゲート電極１２上部のゲート絶縁膜６０上に形成された半導体層１９と、データ配線２０から分岐して両端にそれぞれ形成されるソース電極２２及びドレイン電極２４と、で構成され、ドレイン電極２４は、コンタクトホール２６を介して画素電極３０と電気的に連結される。

さらに、上記のような半透過型液晶表示装置は、第１基板５０及び第２基板（図示せず）の外面に、入・出射される光を適宜調節するための波長板５３及び偏光板５６が形成される。

波長板５３は、光の偏光状態を変える機能を担うもので、λ／４に該当する位相差を有する板（quarter wave plate：ＱＷＰ）を用い、入射した線偏光を円偏光にまたは円偏光を線偏光に変える。

また、波長板５３の外側に取り付けられた偏光板５６は、光透過軸に平行な方向の光のみを通過させ、自然光を線偏光に変換させる。

しかしながら、偏光板５６の下に配置されたバックライト８０から出た光が導光板８５を経由して第１基板上に入射する時、反射部の方向に入射した光は、反射板３５によって反射された後、第１基板下部の波長板５３によって完全遮断されるため、透過部の方に進むことができない。

そこで、画素内に反射板面積を増大させると、バックライト８０の電源を切り、反射モードにおいて使用する時には、外部光による反射輝度が増加するが、バックライト８０の電源をつけて、透過モードにおいて室内使用する時には、バックライト光が透過できる透過部開口率が小さくなるため透過輝度は低くなる。

そこで、透過部光効率を上げるために透過部の面積を増大させ、反射板３５が形成された反射部の面積を減少させると、外部自然光が明るい時における反射輝度が減少するという問題点につながる。

本発明は上記の問題点を解決するためになされたもので、透過部と反射部との境界領域に第２反射板を形成し、バックライトから出て反射部の方向に入射した光の一部が第２反射板によって透過部の方向へ反射されるようにすることによって、透過部の光効率を極大化させることができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的としている。

上記目的を達成するための本発明に係る半透過型液晶表示装置は、基板と、前記基板上に互いに交差配列され、透過部と反射部とに区分される画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線とデータ配線との交差領域に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された保護膜と、前記保護膜上に形成された画素電極と、前記画素電極に電気的に連結されるように前記反射部に形成された第１反射板と、前記透過部と反射部との境界領域の前記基板上に形成される第２反射板と、を備える構成とした。

上記目的を達成するための本発明に係る半透過型液晶表示装置の製造方法の一つは、反射部と透過部とに区分される画素領域を定義するために、基板上にゲート配線及びデータ配線を形成する工程と、前記ゲート配線及びデータ配線との交差領域に薄膜トランジスタを形成し、前記反射部と透過部との境界領域の前記基板上に第２反射板を形成する工程と、前記薄膜トランジスタ及び第２反射板を含む基板上に保護膜を形成する工程と、前記保護膜上に画素電極を形成する工程と、前記反射部の前記画素電極上に第１反射板を形成する工程と、を含む構成とした。

上記目的を達成するための本発明に係る半透過型液晶表示装置の製造方法のもう一つは、反射部と透過部とに区分される画素領域を定義するために、基板上にゲート配線及びデータ配線を形成する工程と、前記ゲート配線及びデータ配線との交差領域に薄膜トランジスタを形成し、前記反射部と透過部との境界領域の前記基板上に第２反射板を形成する工程と、前記薄膜トランジスタ及び第２反射板を含む基板上に保護膜を形成する工程と、前記反射部の前記保護膜上に第１反射板を形成する工程と、前記第１反射板を含む基板の画素領域に画素電極を形成する工程と、を含む構成とした。

本発明による半透過型液晶表示装置及びその製造方法によれば、下記の効果が得られる。

すなわち、透過部と反射部との境界領域に第２反射板を形成し、反射部に入射するバックライトが第１反射板によって第２反射板へ反射され、再び第２反射板によって反射されて透過部に進むように構成したため、反射部の開口率損失無しで透過部の光効率を極大化させることが可能になる。

その結果、少ない電力でも高輝度を実現する液晶表示装置の製造が可能になる。

以下、本発明に係る半透過型液晶表示装置及びその製造方法の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。

図２は、本発明の第１の実施の形態による半透過型液晶表示装置を概略的に示す断面図である。

本発明の第１の実施の形態による半透過型液晶表示装置は、図２に示すように、複数個の画素領域が定義され、各画素領域は反射部と透過部とに定義された第１基板５００の各画素領域に、薄膜トランジスタ４００が形成され、該薄膜トランジスタ４００上に保護膜７００が形成され、該保護膜７００上に、薄膜トランジスタ４００と電気的に連結される画素電極３００が形成される。

ここで、保護膜７００は、凹凸を有するように形成される。すなわち、外部から反射部に入ってきた光が、保護膜７００の凹凸によって乱反射することによって、均一な輝度が得られる。画素電極３００は、透明な伝導性物質からなっている。

薄膜トランジスタ４００は、ゲート配線（図示せず）から分岐するゲート電極１２０と、ゲート電極１２０を含む全面に形成されたゲート絶縁膜６００と、ゲート電極１２０上部のゲート絶縁膜６００上に形成された半導体層１９０と、データ配線２００から分岐して半導体層１９０の両端にそれぞれ形成されるソース電極２２０及びドレイン電極２４０と、で構成される。

ドレイン電極２４０上側の保護膜７００にはコンタクトホールが形成され、該コンタクトホールを介して画素電極３００とドレイン電極２４０が電気的に連結されている。

画素電極３００上の反射部には、第１反射板３５０が形成される。もちろん画素電極３００と第１反射板３５０は電気的に相互連結される。

第１反射板３５０は、高い反射率を有するアルミニウム、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）または銅などで形成される。

そして、反射部と透過部との境界領域上の第１基板５００上に、第２反射板３７０が形成される。該第２反射板３７０は、高い反射率を有するアルミニウム、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）または銅などで形成され、第２反射板３７０は、工程の便宜上、アルミニウム、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）または銅などで形成されるゲート電極１２０と同一層に形成される。

上記のように構成される第１基板５００の下面には、光透過軸に平行な方向の光のみを通過させ、自然光を線偏光に変換させる偏光板５６０が取り付けられる。

偏光板５６０と第１基板５００との間には、波長板５３０が取り付けられている。波長板５３０は、光の偏光状態を変える機能を担うもので、λ／４に該当する位相差を有する板（quarter wave plate：ＱＷＰ）から構成され、入射した線偏光を円偏光に、または、円偏光を線偏光に変えるものである。

偏光板５６０の下に位置するバックライト８００から出た光が、導光板８５０を経て第１基板５００に入射する際に、反射部の方向に入射した光が第１反射板３５０によって反射された後、第２反射板３７０によって再び反射されて透過部の方に進むように前第２反射板３７０の形成位置が決められる。

従来技術と比較すると、本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置においては、従来は、波長板によって遮断され利用できなかった光を、透過部と反射部の開口率を変化させることなく透過部の方に反射させうるため、光効率を向上させることができる。

図３は、本発明の第２の実施の形態による半透過型液晶表示装置を概略的に示す断面図である。

本発明の第２の実施の形態による半透過型液晶表示装置は、図３に示すように、上記第１の実施の形態と基本的に同様に構成される。

ただし、第２の実施の形態においては、図３に示すように、保護膜７００が、第１の実施の形態による半透過型液晶表示装置とは違い、反射部領域に限って形成されている。

すなわち、第２の実施の形態においては、半透過型液晶表示装置は、バックライト８００から出た光と外部から入ってきた光を共に用いるようになるが、外部から入ってきた光は、反射部に入射する時と反射されて出る時、液晶層を２回経由するため、バックライト８００からの光よりも移動経路が長くなる。

そこで、反射部と透過部の光効率を極大化させるためには、反射部と透過部に段差を置き、外部から反射部に入射する光の経路を短縮しなければならない。

このような段差を形成するために、反射部領域にのみ保護膜７００を形成する。すなわち、保護膜７００により、図３に示すように、第２基板９００までの距離（以下、セルギャップとする）が、透過部のセルギャップａの方が、反射部のセルギャップｂよりも大きくなっている。

この段差は、反射部のセルギャップｂが透過部のセルギャップａの１／２になるように形成することが好ましい。

図４は、本発明の第３の実施の形態による半透過型液晶表示装置を概略的に示す断面図である。

本発明の第３の実施の形態による半透過型液晶表示装置は、図４に示すように、上記第２の実施の形態と基本的に同様に構成される。

すなわち、第３の実施の形態においても、上記第２の実施の形態の液晶表示装置と同様に、反射部領域にのみ保護膜７００を形成し、反射部領域と透過部領域の光効率を極大化させている。ただし、第２の実施の形態による半透過型液晶表示装置は、保護膜７００上に画素電極３００を形成し、画素電極３００上に第１反射板３５０を形成したのに対し、本発明の第３の実施の形態による半透過型液晶表示装置においては、保護膜７００上に第１反射板３５０を形成し、この第１反射板３５０上に画素電極３００を形成している。

言い換えると、本発明の第３の実施の形態による半透過型液晶表示装置は、トランジスタ４００のドレイン電極２４０上にコンタクトホールを有し、反射部上にのみ保護膜７００を形成し、コンタクトホール２６０を介してドレイン電極２４０に電気的に連結されるように反射部に第１反射板３５０が形成され、その後、第１反射板３５０に電気的に連結されるように、反射部及び透過部を含む画素領域に画素電極３００が形成される。

画素電極３００が透明な伝導性物質からなっているため、画素電極３００と第１反射板３５０の位置が互いに変わっても、本発明による半透過型液晶表示装置は同じ効果を奏でる。

以下、上述した本発明の第１乃至第３の実施の形態の半透過型液晶表示装置の製造方法を説明する。ここでは、上記の各実施の形態は、上述したように、互いに同様な構成を有するので、第２の実施の形態による半透過型液晶表示装置の製造方法を例に挙げて説明する。

図５Ａ乃至図５Ｄは、本発明の第２の実施の形態による半透過型液晶表示装置の製造方法を概略的に示す工程断面図である。

まず、図５Ａに示すように、第１基板５００上にゲート配線（図示せず、図１参照）及びデータ配線２００を形成し、それらの交差領域に薄膜トランジスタ４００を形成する。なお、当然ながら、ゲート配線及びデータ配線によって画素領域が定義され、各画素領域は反射部と透過部とに分けられる。これについては、上記図１により説明したため、ここでは詳しい説明を省略する。

薄膜トランジスタ４００は、ゲート配線（図示せず）から延設されたゲート電極１２０、ゲート電極１２０上に形成されたゲート絶縁膜６００、ゲート絶縁膜６００上に形成され、データ配線２００から延設されたソース電極２２０と、該ソース電極２２０と隔たって形成されるドレイン電極２４０と、を備えて構成される。

このとき、第２反射板３７０は、ゲート電極１２０を形成する工程で同時に形成される。すなわち、ゲート電極を形成するための金属物質を蒸着し、該金属物質を写真製版または写真平版（photolithography）でパターニングする時、第２反射板３７０を形成するための金属物質も同時にパターニングし、ゲート電極１２０と共に第２反射板３７０を形成する。

したがって、第２反射板３７０には反射率の高い物質が要求されるため、ゲート電極１２０及び第２反射板３７０は、アルミニウム、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）などで形成することが好ましく、また、第２反射板３７０をゲート電極１２０と同時に形成するので別の工程が追加されない。

図５Ｂに示すように、薄膜トランジスタ４００上に有機絶縁物質で保護膜７００を形成し、保護膜７００表面に凹凸を形成し、外部から入った光が第１反射板３５０に反射されて出る時に乱反射されるようにする。

上述したように、本発明の第１の実施の形態の半透過型液晶表示装置は、保護膜７００を基板の全面に形成しており、本発明の第２及び第３の実施の形態の半透過型液晶表示装置は、図５Ｂに示すように、透過部の保護膜７００を選択的に除去する。なあ、保護膜７００形成時に、薄膜トランジスタのドレイン電極２４０が露出されるようにコンタクトホール２６０も同時に形成する。

続いて、図５Ｃに示すように、コンタクトホール２６０を介してドレイン電極２４０に電気的に連結されるように保護膜７００上に画素電極３００を形成する。

その後、図５Ｄに示すように、反射部領域の画素電極３００上に、画素電極３００と電気的に連結されるように第１反射板３５０を形成する。

第１反射板３５０は、ゲート電極１２０及び第２反射板３７０と同様に、アルミニウム、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）等、反射率の高い金属で形成する。

その後、第１基板の下面に波長板５３０と偏光板５６０を取り付け、波長板５３０及び偏光板５６０が取り付けられた第１基板５００を、バックライト８００及び導光板８５０で構成されたバックライトユニット上に配置することで、本発明の第１乃至第３の実施の形態による液晶表示装置が完成する。

但し、上述したように、第３の実施の形態においては、コンタクトホール２６０を介してドレイン電極２４０に連結されるように、反射部に第１反射板３５０が形成され、その後、第１反射板３５０に電気的に連結されるように、反射部及び透過部を含む画素領域に画素電極３００が形成されているので、第１反射板３５０と画素電極３００との製造工程の順が、第１および第２の実施の形態とは逆になる。すなわち、上記の図５Ｃ及び図５Ｄで、第１反射板３５０を先に形成した後、画素電極３００を形成すると、本発明の第３の実施の形態による半透過型液晶表示装置が製造される。

以上のように、本発明に係る半透過型液晶表示装置は、基板５００と、基板５００上に互いに交差配列され、透過部と反射部とに区分される画素領域を定義するゲート配線（図示せず）及びデータ配線２００と、ゲート配線とデータ配線２００との交差領域に形成された薄膜トランジスタ４００と、薄膜トランジスタ４００上に形成された保護膜７００と、保護膜７００上に形成された画素電極３００と、画素電極３００に電気的に連結されるように反射部に形成された第１反射板３５０と、透過部と反射部との境界領域の基板５００上に形成される第２反射板３７０と、を備える構成とした。

ここで、第１反射板３５０は、画素電極３００上に形成されることができる。

あるいは、第１反射板３５０は、画素電極３００の下側に形成してもよい。

第２反射板３７０は、薄膜トランジスタ４００のゲート電極１２０と同一層に形成することができる。

保護膜７００は、反射部領域にのみ形成してもよい。

また、本発明に係る半透過型液晶表示装置の製造方法の一つは、反射部と透過部とに区分される画素領域を定義するために、基板５００上にゲート配線（図示せず）及びデータ配線２００を形成する工程と、ゲート配線及びデータ配線２００との交差領域に薄膜トランジスタ４００を形成し、反射部と透過部との境界領域の基板５００上に第２反射板３７０を形成する工程と、薄膜トランジスタ４００及び第２反射板３７０を含む基板５００上に保護膜７００を形成する工程と、保護膜７００上に画素電極３００を形成する工程と、反射部の画素電極３００上に第１反射板３５０を形成する工程と、を含む構成とした。

また、本発明に係る半透過型液晶表示装置の製造方法のもう一つは、反射部と透過部とに区分される画素領域を定義するために、基板５００上にゲート配線（図示せず）及びデータ配線２００を形成する工程と、ゲート配線及びデータ配線２００との交差領域に薄膜トランジスタ４００を形成し、反射部と透過部との境界領域の基板５００上に第２反射板３７０を形成する工程と、薄膜トランジスタ４００及び第２反射板３７０を含む基板５００上に保護膜７００を形成する工程と、反射部の保護膜７００上に第１反射板３５０を形成する工程と、第１反射板３５０を含む基板５００の画素領域に画素電極３００を形成する工程と、を含む構成とした。

基板５００の下面（背面）には偏光板５６０が取り付けられ、偏光板５６０と基板５００の間には波長板５３０が取り付けることができる。

前記波長板５３０は、光の偏光状態を変える機能を担うもので、λ／４に該当する位相差を有する板（quarter wave plate：ＱＷＰ）を用いることができる。

ここで、保護膜７００は反射部領域にのみ形成してもよい。

反射部に入射して反射される外部光は、反射部に入射する際に液晶層を経り、再びそこから反射されて行く際にもう一度液晶層を経るので、透過部に入射する光よりも多い経路を移動することになる。

したがって、反射部と透過部の光効率をそれぞれ最大とするためには、反射部のセルギャップ（cell gap）ｂを透過部のセルギャップａの約１／２に縮めなければならない。

一例として、反射部領域にのみ保護膜７００を形成し、反射部のセルギャップを透過部の１／２とすることができる。

保護膜７００は、有機絶縁物質から構成する。

これは、セルギャップを減らすべく反射部上に保護膜７００を形成するなら、この保護膜７００は、通常、液晶表示装置に形成されるパターンよりも厚く形成すべきであり、無機物質の場合は、厚く形成するために数回の蒸着工程を行わねばならないのに対し、有機物質は一回で厚く形成することができるからである。なお、製造工程が多くかかっても良い場合には、無機物質から構成してもよいことは言うまでもない。

また、乱反射を誘導するためには、保護膜７００の上部に凹凸を形成しなければならなく、この反射部の凹凸形成のためにも無機縁物質よりは有機絶縁物質を用いることが好適である。

保護膜７００上に画素電極３００が形成され、画素電極３００上に第１反射板３５０が形成されても良く、保護膜７００上に第１反射板３５０が形成され、第１反射板３５０上に画素電極３００が形成されても良い。

画素電極３００は、透明な伝導性物質からなっており、透過部領域には第１反射板３５０が形成されていないため、画素電極３００と第１反射板３５０の位置が互いに変わっても反射部及び透過部の機能に何らの問題はない。

ここで、第１反射板３５０は、アルミニウム、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、銅など高い反射率を有する物質から構成してもよい。

第２反射板３７０は、ゲート配線と同一層に形成することができる。

第２反射板３７０も、第１反射板３５０から反射された光を透過部の方向に反射させなければならず、反射率の高い金属からならねばならない。

第２反射板３７０は、ゲート配線が通常、反射率の高いアルミニウム合金（ＡｌＮｄ）などを用いる点から、該ゲート配線と共に形成することが好ましい。

また、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、第１基板５００上にゲート配線及びデータ配線２００を形成する工程（第１工程）と、ゲート配線及びデータ配線２００との交差領域に薄膜トランジスタ４００を形成する工程（第２工程）と、薄膜トランジスタ４００上に保護膜７００を形成する工程（第３工程）と、保護膜７００上に画素電極３００を形成する工程（第４工程）と、画素電極３００の所定領域上に第１反射板３５０を形成する工程（第５工程）と、透過部と反射部との境界領域に第２反射板３７０を形成する工程（第６工程）と、を含む構成とした。

ここで、ゲート配線を形成する工程（第１工程）と第２反射板３７０を形成する工程（第６工程）を一工程とすることができる。

ここで、第１基板５００の下部に波長板５３０及び偏光板５６０を形成する工程をさらに含むことができる。

すなわち、透過部と反射部との境界領域に第２反射板３７０を形成し、反射部に入射するバックライト８００が第１反射板３５０によって第２反射板３７０へ反射され、再び第２反射板３７０によって反射されて透過部に進むように構成したため、反射部の開口率損失無しで透過部の光効率を極大化させることが可能になる。

従来技術による液晶表示装置の第１基板を概略的に示す平面図である。図１ＡのＡ−Ａ’ラインに沿った断面図である。本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置を概略的に示す断面図である。本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置を概略的に示す断面図である。本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置を概略的に示す断面図である。本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の製造方法を概略的に示す工程断面図である。本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の製造方法を概略的に示す工程断面図である。本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の製造方法を概略的に示す工程断面図である。本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の製造方法を概略的に示す工程断面図である。

符号の説明

１２０ゲート電極、１９０半導体層、２２０ソース電極、２４０ドレイン電極、３００画素電極、３５０第１反射板、３７０第２反射板、５００第１基板、５３０波長板、５６０偏光板、６００ゲート絶縁膜、７００保護膜、８００バックライト、８５０導光板、９００第２基板。

Claims

基板と、
前記基板上に互いに交差配列され、透過部と反射部とに区分される画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と、
前記ゲート配線とデータ配線との交差領域に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された保護膜と、
前記保護膜上に形成された画素電極と、
前記画素電極に電気的に連結されるように前記反射部に形成された第１反射板と、
前記透過部と反射部との境界領域の前記基板上に形成される第２反射板と、
を備えたことを特徴とする、半透過型液晶表示装置。
前記第１反射板は、前記画素電極上に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
前記第１反射板は、前記画素電極の下側に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
前記第２反射板は、前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一層に形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
前記保護膜は、前記反射部領域にのみ形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
前記保護膜は、有機絶縁物質で形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
前記第１及び第２反射板は、アルミニウム、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）または銅のいずれかで形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
前記基板の背面に取り付けられる偏光板をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
前記偏光板と前記基板との間に取り付けられる波長板をさらに備えることを特徴とする、請求項８に記載の半透過型液晶表示装置。
反射部と透過部とに区分される画素領域を定義するために、基板上にゲート配線及びデータ配線を形成する工程と、
前記ゲート配線及びデータ配線との交差領域に薄膜トランジスタを形成し、前記反射部と透過部との境界領域の前記基板上に第２反射板を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ及び第２反射板を含む基板上に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上に画素電極を形成する工程と、
前記反射部の前記画素電極上に第１反射板を形成する工程と、
を含んでなることを特徴とする、半透過型液晶表示装置の製造方法。
前記透過部の前記保護膜を選択的に除去する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１０に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
反射部と透過部とに区分される画素領域を定義するために、基板上にゲート配線及びデータ配線を形成する工程と、
前記ゲート配線及びデータ配線との交差領域に薄膜トランジスタを形成し、前記反射部と透過部との境界領域の前記基板上に第２反射板を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ及び第２反射板を含む基板上に保護膜を形成する工程と、
前記反射部の前記保護膜上に第１反射板を形成する工程と、
前記第１反射板を含む基板の画素領域に画素電極を形成する工程と、
を含んでなることを特徴とする、半透過型液晶表示装置の製造方法。
前記透過部の前記保護膜を選択的に除去する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１２に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
前記画素電極は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続されていることを特徴とする、請求項２に記載の半透過型液晶表示装置。
前記第１反射板は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続されていることを特徴とする、請求項３に記載の半透過型液晶表示装置。
前記第２反射板は、前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一層に形成されたことを特徴とする、請求項１０に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
前記第２反射板は、前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一層に形成されたことを特徴とする、請求項１２に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。