JP2007173926A - イメージセンサ - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 38
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】 本発明のイメージセンサは、入力する光信号を明度レベルに対応した電圧の電気信号に変換する光電変換素子と、光電変換素子に対応して設けられ、各光電変換素子の電気信号の出力部と共通出力線との間をオン/オフする選択スイッチと、入力されるパルスに従い、順次前記選択スイッチをオン/オフ制御する走査回路と、一方の入力端子から入力される前記電気信号と、他方の入力端子から入力される基準電圧との差電圧を増幅する差動増幅器と、電気信号が入力される、差動増幅器の一方の入力端子に一端が接続され、他端に基準電圧が入力された抵抗と
を有することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
走査回路列103は、フリップフロップが直列にn段接続され、シフトレジスタとして構成されており、操作用パルス入力端子109から時系列に入力されるパルスにより、順次、読み出しスイッチング素子121,122,…,12nをオン状態とする。
これにより、光電変換素子111,112,…,11nから入力される光電変換された画像信号が、順次、上記パルスに同期して、スイッチング素子B107を介して、画像信号出力端子102から出力される。
これにより、上記イメージセンサには、フラットな波形として、波形の取り込みが行えず、例えば同一の明度レベルの信号であっても、三角波の頂点の電位がばらつき、高い精度で信号波形の取り込みを行えないという欠点がある。
本発明によれば、選択スイッチのインピーダンスと、抵抗の抵抗値とにより電気信号が分圧されるので、抵抗の抵抗値を調整することにより、画像取り込みを行う対象に対応、すなわち、対象の明度レベル及び取り込み速度にさせ、所望の感度にてS/N比を向上させることができる。
以下、本発明の第1の実施形態によるイメージセンサを図面を参照して説明する。図1は同実施形態によるイメージセンサの半導体回路による構成例を示すブロック図である。
すなわち、図1に示すイメージセンサは、入力する光信号を明度レベルに対応した電圧の電気信号に変換する光電変換素子を直列に複数個(例えば、A1,A2,A3,…,An-1,An)有しており、これら各光電変換素子A1,A2,A3,…,An-1,An各々に対応して、各光電変換素子の電気信号の出力部と共通出力線2との間をオン/オフする選択スイッチSW1,SW2,SW3,…,SWn-1,SWnが設けられている。ここで、上記光電変換素子としては、照射された光の光量に対応した電荷が生成されるフォトトランジスタ(npn型)及びフォトダイオードなどが用いられる。また、上記各選択スイッチは、MOSトランジスタ(例えば、nチャネル型MOSトランジスタ)で形成され、ドレイン(一端)が対応する光電変換素子の出力信号の出力部に接続され、ソースが共通出力線2に接続されている。選択スイッチがオンすることにより、選択スイッチに接続された光電変換素子の出力部が共通出力線2と電気的に接続される。すなわち、各光電変換素子は電源と選択スイッチの一端との間に直列に介挿されている。
スイッチ5は、出力線4を信号出力端子6と接続するか否かの制御を行う。ここで、スイッチ5は、例えば、「H」レベルのパルスφCSが入力されている期間にオン状態となり、パルスが入力されず、「L」レベルが入力されてる期間にオフ状態となる。
スイッチ7は、出力線4を基準電圧線10と接続するか否かの制御を行う。ここで、スイッチ7は、例えば、パルスφckの「H」レベルの期間に、信号線4と基準電圧線10とを接続するオン状態となり、パルスφckの「L」レベルの期間に、信号線4と基準電圧線10とをオープンとするオフ状態となる。上述したスイッチ5,7は、例えば、MOSトランジスタにて形成されている。
差動増幅器18は、演算増幅器19と、増幅度を決定する抵抗20及び21とから構成されている。抵抗21は一端が演算増幅器19の−側入力端子(差動増幅器の他方の入力端)に接続され、他端が演算増幅器19の出力端子と接続され、すなわち−側入力端子と出力端子との間に介挿されている。抵抗20は一端が演算増幅器19の+側入力端子(差動増幅器の一方の入力端)に接続され、他端が信号入力端子TAINに接続されている。
抵抗RSIGは一端が演算増幅器19の+側入力端子に接続され、他端が基準電圧線10に接続されている。
また、差動増幅器18は、基準電圧VREFと信号入力端子TAINから入力される電気信号AINとの電位差を、抵抗20及び21で設定された増幅度によって増幅し、増幅された電気信号VOUTを出力端子Toutから出力する。
一例として、光電変換素子A1から画像情報である電気信号AINを読み込み、差動増幅器18により、基準電圧VREFとの差電圧を増幅する場合について説明する。
スイッチSW1がオン状態となると、光電変換素子A1の寄生容量に蓄積された電荷、すなわち充電電圧が電気信号AINとして、共通出力線2,信号線4を介して、演算増幅器19の+側入力端子へ出力されることになる。
上述したように、上記蓄積された電荷による電流の一部、すなわち抵抗RSIGを介して、抵抗RSIGの抵抗値に対応した電流が基準電圧線10に対して流れ込むこととなる。
したがって、演算増幅器19の+側入力端子の電位は、スイッチSW1から供給される電流と、抵抗RSIGを介して基準電圧線10に対して流れ出す電流との差によって上昇することとなる。
したがって、明度のレベルやセンサの光の取り込みの時間(センサの走査速度)で決定される、光電変換素子に入力される光の光量に対応させて、すなわちスイッチSW1からの電流に対応させて、抵抗RSIGの抵抗値を適時設定する。例えば、使用環境において測定される光量の最大値及び中間値にて、図2に示すように抵抗値を変化させて電位変化の実験を行い、この実験値に基づいて、最大値及び中間値双方がほぼフラットな変化を示す抵抗値を最適値として設定を行う。
すなわち、図2においては、負荷抵抗としての抵抗RSIGが無い場合、出力値が2000mVであり、100nsで150mVの変動があるが、18kΩの抵抗RSIGを付加した場合、出力値が1400mVであり、100nsで10mVの変動となる。抵抗値が18kΩの抵抗RSIGを付加した場合、感度(ダイナミックレンジ)が30%ほど低下するが、変動量は6.7%(10mV/150mV)に改善するため、全体的なS/N比が向上することが判る。
図1に示すイメージセンサの半導体素子に対し、画像データの取り込みの動作を開始させる際、半導体素子を動作イネーブル状態とするため、図示しない端子から「H」レベルのφCSのパルスを供給する。これにより、スイッチ5がオン状態となり、信号線4と信号出力端子6とが電気的に接続される。また、出力信号端子6と端子TAINとは電気的に接続されている。
これにより、走査回路1に対して、パルスφSI及びパルスφclkが入力されることになる。パルスφclkが「H」レベルとなるため、スイッチ7がオン状態となり、信号線4が基準電圧線10に接続され、信号線4の電位が電圧VREFにリセットされる。
また、リセット及び制御回路3は、パルスφclkが「H」レベルとなるため、共通出力線2を基準電圧線10に接続し、共通出力線2の電位を電圧VREFにリセットする。
このとき、リセット及び制御回路3は、パルスφclkが「L」レベルとなるため、共通出力線2を、基準電圧線10から切り離し、信号線4に接続する。
また、パルスφclkが「L」レベルとなるため、スイッチ7はオフ状態となり、信号線4が基準電圧線10から切り離される。
ここで、蓄積された電荷が電流として流れるため、図3(または図2)に示すように、演算増幅器19の+側入力端子の電位は序々に上昇を開始する。
したがって、演算増幅器19の+側入力端子の電位は、スイッチSW1から供給される電流と、抵抗RSIGを介して流れ出す電流との差によって上昇することとなる。
これにより、演算増幅器19の+側入力端子の電位は上昇するが、電位の上昇に伴い、抵抗RSIGに流れる電流量が増加し、電位の上昇が抑えられることとなり、また充電された電荷が減少するに従い、電位の上昇が低くなることになる。
すなわち、負荷抵抗である抵抗RSIGを設けることにより、全体的なダイナミックレンジの幅が狭く、すなわち感度が低下するが、三角波の上部部分を、負荷抵抗により基準電位VREFに引き下げて、平坦化することができるため、画像信号(電気信号AIN)の取り込みにおける全体的なS/N比を向上させることになる。
また、スイッチ7もパルスφclkが「H」レベルとなると、オン状態となり、信号線4を基準電圧線10へ接続し、信号線4の電位を電圧VREFへリセットする。
このとき、パルスφS1が「H」レベルのため、光電変換素子A1の寄生容量に蓄積された電荷が放電され、光電変換素子A1の出力部の電位が電圧VREFにリセットされる。
このとき、リセット及び制御回路3は、パルスφclkが「L」レベルとなるため、共通出力線2を、基準電圧線10から切り離し、信号線4に接続する。
また、パルスφclkが「L」レベルとなるため、スイッチ7はオフ状態となり、信号線4が基準電圧線10から切り離される。
ここで、蓄積された電荷が電流として流れるため、時刻t2において説明したように、演算増幅器19の+側入力端子の電位は序々に上昇を開始する。
以下、時刻t2の動作と同様のため、詳細な動作の説明を省略する。
そして、差動増幅器18は、スイッチSW3,…,SWn-1,SWnから、順次入力される電気信号AINの電圧値と、電圧VREFとの電位差を増幅し、出力信号VOUTとして出力する。
図4(a)の構成は、抵抗RSIGが直列に各々抵抗値の異なる、または等しい複数の抵抗から形成され、複数のプロセス工程における配線工程において、配線を形成するメタルマスクにより、所定の抵抗の両端をショート(バイパス)させ、使用用途に対応した所望の抵抗値に調整する。これにより、対象となる明度レベルや動作速度に対応させることが可能となるため、1つの種類の半導体素子を各種用途に用いることができ、製造コストを削減することができる。
図5に第1の実施形態によるイメージセンサを直列に接続し、画像情報を読み取るドット数を増加させた構成を示す概念図である。
1チップ目の外部端子TSOが2チップ目の外部端子TSIに接続され、2チップ目の外部端子TSOが3チップ目の外部端子TSIに接続され、…、n−1チップ目の外部端子TSOがnチップ目の外部端子TSIへ接続されている。これにより、1チップ目の外部端子TSOに入力された「H」レベルのパルスφSIがデータとして、パルスφclkにより、1チップ目の走査回路1から、2チップ目の走査回路1、…、nチップ目の走査回路1へと順次シフトされていき、各チップ(半導体素子)における光電変換素子A1〜Anのデータを、各チップの信号出力端子6から出力させることとなる。
また、基準電圧VREFは、全てのチップの基準電圧端子TREFを接続し、電圧を安定化するコンデンサ12を接続して用いる。これにより、抵抗8により、各チップの基準電圧発生回路9が生成する電圧VREFが平均化される。また、図5に示すように、外部に基準電圧発生回路13を設けても良い。
各チップの内部の動作は、第1の実施形態で説明したため、詳細な説明を省略する。
図6に示すように、半導体素子の内部に差動増幅器18が設けられていない場合、図7に示すように、外部に差動増幅器18Aを設ける必要がある。この差動増幅器18Aは、図1の差動増幅器18と同様に、演算増幅器19A,抵抗20A及び抵抗21Aにより構成され、抵抗20A及び抵抗21Aの抵抗値により増幅度が設定されている。
また、図7のように複数のチップを接続して用いる場合、各チップのチップの基準電圧端子TREFを接続し、第2の実施形態のように各チップの基準電圧VREFを平均化して用いる。このとき、演算増幅器19Aの+側入力端子に接続される抵抗RSIGは、いずれかのチップ、図7では1番目のチップを採用している。これにより、第3の実施形態により、1番目のチップの抵抗RSIGを用いて、演算増幅器19Aの+側入力端子を基準電圧VREFに引き下げることとなる。したがって、共通結線後に共通の負荷を設けることとなるため、チップ間の特性のバラツキが出にくく、精度の高い画像信号の取り込みが行える。
2…共通出力線
3…リセット及び制御回路
4…信号線
5,7…スイッチ
6…出力信号端子
8,20,21,20A,21A,RSIG…抵抗
9,13…基準電圧発生回路
10…基準電圧線
12…コンデンサ
18…差動増幅器
19…演算増幅器
A1,A2,A3,An-1,An…光電変換素子
SW1,SW2,SW3,SWn-1,SWn…選択スイッチ
Claims (6)
- 入力する光信号を明度レベルに対応した電圧の電気信号に変換する光電変換素子と、
該光電変換素子に対応して設けられ、各光電変換素子の電気信号の出力部と共通出力線との間をオン/オフする選択スイッチと、
入力されるパルスに従い、順次前記選択スイッチをオン/オフ制御する走査回路と、
一方の入力端子から入力される前記電気信号と、他方の入力端子から入力される基準電圧との差電圧を増幅する差動増幅器と、
前記電気信号が入力される、該差動増幅器の一方の入力端子に一端が接続され、他端に前記基準電圧が入力された抵抗と
を有することを特徴とするイメージセンサ。 - 前記差動増幅器において、前記一方の入力端子の電位の上昇が、選択スイッチから供給される電流量と、前記抵抗に流れる電流量との差によることを特徴とする請求項1記載のイメージセンサ。
- 前記抵抗の抵抗値が、入力される光量に対応して設定されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のイメージセンサ。
- 前記抵抗が直列に接続された複数の抵抗から構成され、各抵抗間をショートするか否かにより、抵抗値を調整することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載のイメージセンサ。
- 前記光電変換素子,スイッチング回路,差動増幅器及び走査回路が、同一基板上に形成されて集積化されていることを特徴とするイメージセンサ
- 複数のイメージセンサを縦列に接続させて用いる際、いずれかのイメージセンサの差動増幅器を使用するため、
前記走査回路が縦列に接続できるシフトレジスタにより構成され、共通出力線を共有するための端子が設けられ、前記差動増幅器の一方の入力端子が外部端子として設けられていることを特徴とする請求項5に記載のイメージセンサ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005364666A JP2007173926A (ja) | 2005-12-19 | 2005-12-19 | イメージセンサ |
TW095147190A TW200803483A (en) | 2005-12-19 | 2006-12-15 | Image sensor |
US11/640,634 US7485839B2 (en) | 2005-12-19 | 2006-12-18 | Image sensor with image signal shaping circuit |
KR1020060130076A KR101207252B1 (ko) | 2005-12-19 | 2006-12-19 | 이미지 센서 |
CN2006100647445A CN1988605B (zh) | 2005-12-19 | 2006-12-19 | 图像传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005364666A JP2007173926A (ja) | 2005-12-19 | 2005-12-19 | イメージセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007173926A true JP2007173926A (ja) | 2007-07-05 |
Family
ID=38185223
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005364666A Withdrawn JP2007173926A (ja) | 2005-12-19 | 2005-12-19 | イメージセンサ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7485839B2 (ja) |
JP (1) | JP2007173926A (ja) |
KR (1) | KR101207252B1 (ja) |
CN (1) | CN1988605B (ja) |
TW (1) | TW200803483A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002101261A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Rohm Co Ltd | 画像読み取り装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS5310433B2 (ja) * | 1975-03-10 | 1978-04-13 | ||
JPS5930376A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-17 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
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-
2005
- 2005-12-19 JP JP2005364666A patent/JP2007173926A/ja not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-12-15 TW TW095147190A patent/TW200803483A/zh unknown
- 2006-12-18 US US11/640,634 patent/US7485839B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-19 CN CN2006100647445A patent/CN1988605B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-19 KR KR1020060130076A patent/KR101207252B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10224558A (ja) * | 1997-02-05 | 1998-08-21 | Rohm Co Ltd | イメージセンサチップおよびイメージセンサ |
JPH1155465A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-02-26 | Rohm Co Ltd | 画像読み取り装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101207252B1 (ko) | 2012-12-03 |
TW200803483A (en) | 2008-01-01 |
US20070145244A1 (en) | 2007-06-28 |
CN1988605A (zh) | 2007-06-27 |
US7485839B2 (en) | 2009-02-03 |
CN1988605B (zh) | 2011-07-13 |
KR20070065242A (ko) | 2007-06-22 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091105 |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A761 | Written withdrawal of application |
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