JP2007157743A - 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】色毎の光学強度を最適にすることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】多数の光電変換素子と、多数の光電変換素子の上方にギャップレスで形成された多数のマイクロレンズとを有する固体撮像素子であって、多数のマイクロレンズの各々の焦点距離が、各々のマイクロレンズの下方にある光電変換素子の検出する色に応じて決まっている固体撮像素子。
【選択図】図1

Description

本発明は、ギャップレスマイクロレンズを有する固体撮像素子の製造方法に関する。
固体撮像素子には、光電変換素子に光を集光するために、マイクロレンズアレイが設けられている。このようなマイクロレンズアレイとして、マイクロレンズ間に隙間のないギャップレスマイクロレンズアレイが知られている(特許文献1,2,3参照)。
ギャップレスマイクロレンズアレイの製造方法としては、まず、光電変換素子の上方に多数の矩形のレジストを、隣接するレジスト同士の間隔を一定にして形成し、このレジストをリフローし、リフローされたレジストにイオン注入を行ってこれを硬化させて、上凸状の多数のレンズを形成する。その後、多数のレンズ上にスピンコート等によってオーバーコート膜を形成し、多数のレンズ間の隙間をオーバーコート膜によって埋めることで、ギャップレスマイクロレンズアレイを形成する。この方法によれば、オーバーコート膜形成後の各マイクロレンズの曲率は全体を通して一定である。
特開平10−206605号公報 特開平5−145813号公報 特開2000−304906号公報
固体撮像素子は、一般に、3色以上のカラーフィルタと、その上層のマイクロレンズ等からなる光学層を有し、各カラーフィルタを透過した光の波長は、それぞれ一定ではない。又、固体撮像素子に含まれる光電変換素子であるフォトダイオードは、その深さによって光の波長毎の吸収効率が異なる。従来の固体撮像素子では、フォトダイオードの上方に形成されるマイクロレンズの曲率が一定であり、その焦点距離も一定である。つまり、フォトダイオード毎に異なる波長の光が入射されるにも関わらず、各フォトダイオードには同一の深さにて光が集められており、色毎の光学強度が最適となってはいなかった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、色毎の光学強度を最適にすることが可能な固体撮像素子を提供することを目的とする。又、このような固体撮像素子を製造するのに適した製造方法を提供することを目的とする。
本発明の固体撮像素子は、多数の光電変換素子と、前記多数の光電変換素子の上方にギャップレスで形成された多数のマイクロレンズとを有する固体撮像素子であって、前記多数のマイクロレンズの各々の焦点距離が、前記各々のマイクロレンズの下方にある前記光電変換素子の検出する色に応じて決まっている。
本発明の固体撮像素子は、前記多数のマイクロレンズの各々が、凸状のレンズと、前記レンズ上に形成された前記レンズの曲率を調整するオーバーコート膜とから構成される。
本発明の固体撮像素子の製造方法は、ギャップレスマイクロレンズを有する固体撮像素子の製造方法であって、前記ギャップレスマイクロレンズの製造工程が、多数の光電変換素子の各々の上方に多数の凸状のレンズを形成するレンズ形成工程と、前記多数のレンズの上に、前記多数のレンズの各々の曲率を調整するオーバーコート膜を形成するオーバーコート膜形成工程とを含み、前記レンズ形成工程では、1つの前記レンズに注目したとき、前記注目しているレンズと前記注目しているレンズに隣接するレンズとの距離が、前記注目しているレンズの下方にある光電変換素子の特徴に応じて変化するように、前記多数のレンズを形成する。
本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記光電変換素子の特徴が、前記光電変換素子の検出する色である。
本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記光電変換素子の特徴が、前記光電変換素子の感度である。
本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記光電変換素子の特徴が、前記光電変換素子の位置である。
本発明によれば、色毎の光学強度を最適にすることが可能な固体撮像素子を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子の一部分を示す表面模式図である。
図1に示す固体撮像素子は、X方向とこれに直交するY方向に配列された多数の画素部1,2,3を備える。画素部1,2,3には、それぞれ光電変換素子であるフォトダイオードと、フォトダイオード上方に形成されたカラーフィルタと、カラーフィルタ上方に形成されたマイクロレンズとが含まれている。平面視上の画素部の大きさと、その画素部に含まれるカラーフィルタの大きさは同じである。
画素部1には、赤色(R)の光を透過するRカラーフィルタが含まれている。このため、図1では画素部1に“R”の文字を付してある。画素部2には、緑色(G)の光を透過するGカラーフィルタが含まれている。このため、図1では画素部2に“G”の文字を付してある。画素部3には、青色(B)の光を透過するBカラーフィルタが含まれている。このため、図1では画素部3に“B”の文字を付してある。以下では、画素部1,2,3のことを、それぞれR画素部,G画素部,B画素部と言う。
R画素部,G画素部,B画素部は、それぞれY方向にストライプ状に配列されている。尚、各画素部の配列は図1に示す例に限らず、公知の様々な配列を採用することができる。
図2(a)は、図1に示す固体撮像素子のa−a線のRカラーフィルタから上の断面模式図であり、(b)は図1に示す固体撮像素子のb−b線のBカラーフィルタから上の断面模式図である。
図2に示すように、B画素部にはBカラーフィルタ4Bが含まれており、R画素部にはRカラーフィルタ4Rが含まれている。Bカラーフィルタ4B及びRカラーフィルタ4Rの上方には平坦化膜5が形成されている。Bカラーフィルタ4B及びRカラーフィルタ4Rの上方には、平坦化膜5を介して樹脂材料からなる上凸状のレンズ6cが形成されている。このレンズ6cは、各画素部に対応して1つ形成されている。レンズ6c上には、レンズ6cの曲率を調整する樹脂材料からなるオーバーコート膜7bが固体撮像素子の全面に渡って形成されている。各画素部に含まれるレンズ6cと、オーバーコート膜7bとによって、その画素部のフォトダイオードに光を集光するマイクロレンズ8が構成されている。オーバーコート膜7が、レンズ6c同士の間に埋まる形になっているため、各画素部に含まれるマイクロレンズ8は、ギャップレスとなっている。
尚、図2ではB画素部とR画素部しか図示していないが、G画素部も他の画素部と同様に、Gカラーフィルタ、平坦化膜5、レンズ6c、及びオーバーコート膜7bが含まれる。又、各画素部に含まれるレンズ6cの大きさは、R画素部、G画素部、及びB画素部毎に異なっている。レンズ6cの平面視のサイズは、R画素部が最も大きく、G画素部、B画素部の順に小さくなっている。以下では、B画素部に含まれるマイクロレンズ8をBマイクロレンズ8といい、R画素部に含まれるマイクロレンズ8をRマイクロレンズ8といい、G画素部に含まれるマイクロレンズ8をGマイクロレンズ8という。
本実施形態の固体撮像素子の特徴は、多数のマイクロレンズ8の各々の焦点距離が、その各々のマイクロレンズ8の下方にあるフォトダイオードの検出する色に応じて決まっている点である。
Bマイクロレンズ8は、その焦点距離が、B画素部に含まれるフォトダイオードのB光の吸収効率が最も高い深さに来るように形成されている。同様に、Rマイクロレンズ8は、その焦点距離が、R画素部に含まれるフォトダイオードのR光の吸収効率が最も高い深さに来るように形成されている。又、Gマイクロレンズ8も、その焦点距離が、G画素部に含まれるフォトダイオードのG光の吸収効率が最も高い深さに来るように形成されている。
このような構成により、各カラーフィルタを透過した各波長の光が、フォトダイオードにて効率良く吸収されるため、色毎の光学強度を最適にすることができる。
以上のような構成の固体撮像素子のマイクロレンズは、具体的には後述するが、基本的には、従来と同様の方法で製造することができる。即ち、平坦化膜5上に多数のレンズ6cを形成した後、多数のレンズ6c上にスピンコートによってオーバーコート膜7bを形成することで、製造可能である。
ここで、あるレンズ6cに注目したとき、注目しているレンズ6cと、注目しているレンズ6cに隣接するレンズ6cとのギャップが広いと、スピンコートによって塗布されたオーバーコート材料は、そのギャップに流れ込んで平坦化膜5に水平な方向に浅く広がり、平坦化膜5に垂直な方向の膜厚はあまり厚くならない。この結果、注目しているレンズ6cとオーバーコート膜7bからなるマイクロレンズ8は、注目しているレンズ6cそのものの持つ曲率に近い値を維持する。
一方、注目しているレンズ6cに隣接するレンズ6cとのギャップが狭いと、スピンコートによって塗布されたオーバーコート材料は、そのギャップに流れ込んでも、平坦化膜5に水平な方向にはあまり広がることはできず、平坦化膜5に垂直な方向の膜厚が厚くなる。この結果、注目しているレンズ6cとオーバーコート膜7bからなるマイクロレンズ8の曲率は、注目しているレンズ6cそのものの持つ曲率よりも小さい値となるよう調整される。
このような考察に基づくと、レンズ6cと、それに隣接するレンズ6cとのギャップを予め調整しておけば、最終的に形成されるマイクロレンズ8の曲率も調整できることが分かる。マイクロレンズ8の曲率が小さい場合は、焦点距離が長く、マイクロレンズ8の曲率が大きい場合は、焦点距離が短くなるため、本実施形態では、このことを利用して、Rマイクロレンズ8、Gマイクロレンズ8、及びBマイクロレンズ8の各々の焦点距離を変えている。
以下、固体撮像素子の製造方法を具体的に説明する。
図3は、図1に示す固体撮像素子の製造工程を説明する図であり、図1に示す固体撮像素子のa−a線の断面模式図である。図4は、図1に示す固体撮像素子の製造工程を説明する図であり、図1に示す固体撮像素子のb−b線の断面模式図である。平坦化膜5を形成するまでのプロセスは、従来と同様であるため説明を省略する。
まず、図3(A),図4(A)に示すように、平坦化膜5上にエキシマレーザ又は紫外線露光用のレジストを塗布し、紫外領域の光による露光及び現像を行って、レジストをパターニングし、各画素部のフォトダイオードに対応した位置に、所定間隔を空けて矩形状のレジスト6aを形成する。
次に、図3(B),図4(B)に示すように、レジスト6aを所定温度で熱リフロー処理し、角部を丸めて断面が上凸状のレンズ形状のレジスト6bを形成する。
次に、図3(C),図4(C)に示すように、レンズ形状のレジスト6bにイオン注入を施してこれを硬化し、凸状のレンズ6cを形成する。図3,4の(A)〜(C)までが、特許請求の範囲のレンズ形成工程に相当する。
尚、レンズ形成工程は上述した方法に限らない。例えば、平坦化膜5上に、エキシマレーザ又は紫外線露光用の第一のレジストを塗布し、更にその上に第二のレジストを塗布し、第二のレジストのパターニングを行って、第一のレジスト上に矩形のレジストを形成し、形成した矩形のレジストを熱溶融させてレンズ形状のレジストを得た後、そのレジストを第一のレジストに転写し、転写して得られたレジストにイオン注入を行ってレンズ6cを形成することも可能である。
本実施形態では、レンズ形成工程において、最終的に形成される多数のレンズ6cのいずれかに注目したとき、その注目しているレンズ6cと、注目しているレンズ6cに隣接するレンズ6cとの距離が、注目しているレンズ6cの下方にあるフォトダイオードの検出する色に応じて変化するように、多数のレンズ6cを形成することで、Rマイクロレンズ8、Gマイクロレンズ8、及びBマイクロレンズ8の各々の焦点距離を変えている。
レンズ6c同士の間隔は、矩形のレジスト6a同士の間隔に依存する。このため、矩形のレジスト6aを形成する際に、各レジスト6aの大きさや配置を調整しておくことで、Rマイクロレンズ8、Gマイクロレンズ8、及びBマイクロレンズ8の各々の焦点距離を変えることが可能である。
そこで、本実施形態では、レジストのパターニングを行う前に、まず、全ての画素部がR画素部であると仮定した状態で、各レジスト6aと、それに隣接するレジスト6aとのギャップが、R光の波長に応じた値となるように、各レジスト6aの大きさ及び配置を決定し、この大きさ及び配置を、R画素部に形成すべきレジスト6aに適用する。次に、全ての画素部がG画素部であると仮定した状態で、各レジスト6aと、それに隣接するレジスト6aとのギャップが、G光の波長に応じた値となるように、各レジスト6aの大きさ及び配置を決定し、この大きさ及び配置を、G画素部に形成すべきレジスト6aに適用する。次に、全ての画素部がB画素部であると仮定した状態で、各レジスト6aと、それに隣接するレジスト6aとのギャップが、B光の波長に応じた値となるように、各レジスト6aの大きさ及び配置を決定し、この大きさ及び配置を、B画素部に形成すべきレジスト6aに適用する。
そして、このようにして決定した大きさ及び配置に基づいてパターニングを行う。このパターニング後の固体撮像素子の平面図を図5に示した。図5に示すように、各画素部に形成されたレジスト6aのX方向の端部から、そのレジスト6aの形成された画素部のX方向の端部までの距離L1と、各画素部に形成されたレジスト6aのY方向の端部から、そのレジスト6aの形成された画素部のY方向の端部までの距離L2は同一である。又、この距離L1,L2の大きさは、B画素部が最も大きく、R画素部が最も小さくなっている。
このようにすることで、各レジスト6aと、それに隣接するレジスト6aとの間の距離のうち、最低限確保できる距離L1が、画素部で検出する色に応じて変化する。このため、多数のレンズ6cのいずれかに注目したとき、その注目しているレンズ6cと、注目しているレンズ6cに隣接するレンズ6cとの距離も、その注目しているレンズ6cの下方にあるフォトダイオードの検出する色に応じて変化することになる。
そして、レンズ6c形成後、図3(D),図4(D)に示すように、レジスト6aと同一材料で且つレジスト6aよりも低粘度のレジストからなるオーバーコート膜7a(レンズ6cの曲率を調整するための膜)を、スピンコード法によってレンズ6c上に形成する。次に、図3(E),図4(E)に示すように、そのオーバーコート膜7aにイオン注入等によって硬化処理を施し、これによって、レンズ6cとオーバーコート膜7bとからなる所望のマイクロレンズ8を得る。
スピンコートの際、図3に示すように、R画素部に形成されたレンズ6cのX方向に隣接するレンズ6cとのギャップにはオーバーコート材料が流れ込むが、ここに流れ込んだオーバーコート材料は、平坦化膜5に水平な方向にはあまり広がることはできず、平坦化膜5に垂直な方向の膜厚が厚くなる。この結果、Rマイクロレンズ8の曲率は、レンズ6cそのものの持つ曲率よりも小さい値となるよう調整される。
又、図4に示すように、B画素部に形成されたレンズ6cのX方向に隣接するレンズ6cとのギャップにはオーバーコート材料が流れ込むが、ここに流れ込んだオーバーコート材料は、平坦化膜5に水平な方向に浅く広がり、平坦化膜5に垂直な方向の膜厚はあまり厚くならない。この結果、Bマイクロレンズ8の曲率は、レンズ6cそのものの持つ曲率に近い値に維持される。
又、図示していないが、Gマイクロレンズ8についても同様に、その曲率が調整され、その曲率は、Rマイクロレンズ8よりは大きく、Bマイクロレンズ8よりは小さくなる。
尚、各画素部においては、レンズ6cのX方向に隣接するレンズ6cとのギャップと、Y方向に隣接するレンズ6cとのギャップとが異なる。しかし、注目しているレンズ6cの隣にどのような大きさのレンズ6cが形成されていようと、上記距離L1(=L2)が小さければ、注目しているレンズ6cと、それに隣接するレンズ6cとのギャップは小さくなる傾向にあり、上記距離L1(=L2)が大きければ、注目しているレンズ6cと、それに隣接するレンズ6cとのギャップは大きくなる傾向にある。このため、Y方向についてもほぼ同様に曲率を調整することが可能である。
尚、図3(C)及び図4(C)に示すように、レジスト6aの大きさは場所毎に変わっているため、レンズ6cの曲率も場所毎に異なっている。このため、マイクロレンズ8をギャップレスにしなくて良いのであれば、レンズ6cをそのままマイクロレンズ8として利用することも可能である。しかし、この曲率の差は微小であり、大きな差を付けることは難しいため、このままではマイクロレンズ8の曲率の制御範囲を広げることは難しい。本実施形態の方法によれば、レンズ6c同士のギャップ調整とオーバーコート膜形成とを組み合わせているため、マイクロレンズ8の曲率の制御範囲を容易に広げることが可能である。
又、図3と図4を比較して分かるように、Rマイクロレンズ8は、Bマイクロレンズ8よりも集光面積が大きいため集光効果が高く、特に、斜め光を効率良く集光することが可能である。そこで、高感度のフォトダイオードと低感度のフォトダイオードを有する固体撮像素子を製造する際に、上述した方法を採用することも可能である。ここで言う高感度のフォトダイオードと低感度のフォトダイオードを有する固体撮像素子とは、フォトダイオード開口は同一とし、その開口上方のマイクロレンズの集光効率を変えることで、感度に差を与えたものを想定している。
例えば、高感度にすべきフォトダイオードについては、その上方に形成するレンズ6cと、それに隣接するレンズ6cとの距離が相対的に狭くなるように、低感度にすべきフォトダイオードについては、その上方に形成するレンズ6cと、それに隣接するレンズ6cとの距離が相対的に広くなるように、レンズ6cを形成すれば良い。このように、最終的に形成される多数のレンズ6cのいずれかに注目したとき、その注目しているレンズ6cと、注目しているレンズ6cに隣接するレンズ6cとの距離が、注目しているレンズ6cの下方にあるフォトダイオードの感度に応じて変化するように、多数のレンズ6cを形成すれば良い。
又、上述した製造方法は、固体撮像素子の輝度シェーディングを低減させるために利用することもできる。例えば、輝度シェーディングが顕著となる固体撮像素子の周辺部に配置されたフォトダイオードについては、その上方に形成するレンズ6cと、それに隣接するレンズ6cとの距離が相対的に狭くなるように、輝度シェーディングが問題とならない固体撮像素子の中心部に配置されたフォトダイオードについては、その上方に形成するレンズ6cと、それに隣接するレンズ6cとの距離が相対的に広くなるように、レンズ6cを形成すれば良い。このように、最終的に形成される多数のレンズ6cのいずれかに注目したとき、その注目しているレンズ6cと、注目しているレンズ6cに隣接するレンズ6cとの距離が、注目しているレンズ6cの下方にあるフォトダイオードの位置に応じて変化するように、多数のレンズ6cを形成すれば良い。
尚、光電変換素子は、その特徴として、何色を検出するものなのか、どのような感度を持つものなのか、どの位置にあるものなのか等をあげることができる。このため、光電変換素子の検出する色、光電変換素子の感度、及び光電変換素子の位置は、その光電変換素子の持つ特徴ということができる。
又、上述したレンズ6c同士のギャップは、0.1μm〜0.5μmであることが好ましい。
本発明の実施形態を説明するための固体撮像素子の一部分を示す表面模式図 (a)は、図1に示す固体撮像素子のa−a線のRカラーフィルタから上の断面模式図、(b)は図1に示す固体撮像素子のb−b線のBカラーフィルタから上の断面模式図 図1に示す固体撮像素子の製造工程を説明する図 図1に示す固体撮像素子の製造工程を説明する図 レジストパターニング後の固体撮像素子の平面図
符号の説明
1 R画素部
2 G画素部
3 B画素部
4B Bカラーフィルタ
4R Rカラーフィルタ
5 平坦化膜
6a 矩形のレジスト
6b レンズ状のレジスト
6c 硬化されたレンズ
7a オーバーコート膜
7b 硬化されたオーバーコート膜
8 マイクロレンズ

Claims (6)

  1. 多数の光電変換素子と、前記多数の光電変換素子の上方にギャップレスで形成された多数のマイクロレンズとを有する固体撮像素子であって、
    前記多数のマイクロレンズの各々の焦点距離が、前記各々のマイクロレンズの下方にある前記光電変換素子の検出する色に応じて決まっている固体撮像素子。
  2. 請求項1記載の固体撮像素子であって、
    前記多数のマイクロレンズの各々は、凸状のレンズと、前記レンズ上に形成された前記レンズの曲率を調整するオーバーコート膜とから構成される固体撮像素子。
  3. ギャップレスマイクロレンズを有する固体撮像素子の製造方法であって、
    前記ギャップレスマイクロレンズの製造工程が、多数の光電変換素子の各々の上方に多数の凸状のレンズを形成するレンズ形成工程と、前記多数のレンズの上に、前記多数のレンズの各々の曲率を調整するオーバーコート膜を形成するオーバーコート膜形成工程とを含み、
    前記レンズ形成工程では、1つの前記レンズに注目したとき、前記注目しているレンズと前記注目しているレンズに隣接するレンズとの距離が、前記注目しているレンズの下方にある光電変換素子の特徴に応じて変化するように、前記多数のレンズを形成する固体撮像素子の製造方法。
  4. 請求項3記載の固体撮像素子の製造方法であって、
    前記光電変換素子の特徴が、前記光電変換素子の検出する色である固体撮像素子の製造方法。
  5. 請求項3記載の固体撮像素子の製造方法であって、
    前記光電変換素子の特徴が、前記光電変換素子の感度である固体撮像素子の製造方法。
  6. 請求項3記載の固体撮像素子の製造方法であって、
    前記光電変換素子の特徴が、前記光電変換素子の位置である固体撮像素子の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018193986A1 (ja) * 2017-04-17 2018-10-25 凸版印刷株式会社 固体撮像素子及びその製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06120466A (ja) * 1992-10-08 1994-04-28 Nec Corp 固体撮像素子
JPH06151797A (ja) * 1992-11-11 1994-05-31 Sony Corp 固体撮像素子
JPH0738075A (ja) * 1993-07-23 1995-02-07 Nec Corp 固体撮像装置
JPH10214953A (ja) * 1997-01-31 1998-08-11 Sony Corp 固体撮像デバイス、ビデオカメラおよびデジタルカメラ
JPH11150254A (ja) * 1997-11-17 1999-06-02 Asahi Optical Co Ltd 固体撮像素子
JPH11186530A (ja) * 1997-12-25 1999-07-09 Sony Corp マイクロレンズの形成方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7068432B2 (en) * 2004-07-27 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Controlling lens shape in a microlens array

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06120466A (ja) * 1992-10-08 1994-04-28 Nec Corp 固体撮像素子
JPH06151797A (ja) * 1992-11-11 1994-05-31 Sony Corp 固体撮像素子
JPH0738075A (ja) * 1993-07-23 1995-02-07 Nec Corp 固体撮像装置
JPH10214953A (ja) * 1997-01-31 1998-08-11 Sony Corp 固体撮像デバイス、ビデオカメラおよびデジタルカメラ
JPH11150254A (ja) * 1997-11-17 1999-06-02 Asahi Optical Co Ltd 固体撮像素子
JPH11186530A (ja) * 1997-12-25 1999-07-09 Sony Corp マイクロレンズの形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018193986A1 (ja) * 2017-04-17 2018-10-25 凸版印刷株式会社 固体撮像素子及びその製造方法

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