JP2007156388A - Emissive device and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機EL(ElectroLuminescent)材料など各種の発光材料によって形成され
た発光層を有する発光装置の構造に関する。
The present invention relates to a structure of a light emitting device having a light emitting layer formed of various light emitting materials such as an organic EL (ElectroLuminescent) material.
複数の発光素子を面状または線状に配列した発光装置が従来から提案されている。各発
光素子は、相互に対向する第1電極と第2電極との間に発光層を介在させた素子である。
アクティブマトリクス方式の発光装置においては、発光素子の発光を制御するためのスイ
ッチング素子(典型的には薄膜トランジスタ)が発光素子ごとに形成される。各発光素子
は、スイッチング素子を覆う絶縁層の面上に形成され、その第1電極は絶縁層のコンタク
トホールを介してスイッチング素子に導通する。
Conventionally, a light-emitting device in which a plurality of light-emitting elements are arranged in a planar shape or a linear shape has been proposed. Each light emitting element is an element in which a light emitting layer is interposed between a first electrode and a second electrode facing each other.
In an active matrix light-emitting device, a switching element (typically a thin film transistor) for controlling light emission of a light-emitting element is formed for each light-emitting element. Each light emitting element is formed on a surface of an insulating layer covering the switching element, and the first electrode is electrically connected to the switching element through a contact hole of the insulating layer.
第2電極は、複数の発光素子にわたって連続に分布する。この構成においては、第2電
極の面内の位置に応じて電圧降下の程度が相違するから、各発光素子に供給される電位(
さらには各発光素子の光量)がその位置に応じて相違する場合がある。第2電極がITO
(Indium Tin Oxide)など光透過性の導電材料によって形成されたトップエミッション型
の発光装置においては、第2電極が必然的に高抵抗となるから、第2電極の面内における
電圧降下の相違やこの相違に起因した各発光素子の光量(輝度)のバラツキは特に顕著で
ある。
The second electrode is continuously distributed over the plurality of light emitting elements. In this configuration, since the degree of voltage drop differs depending on the position in the plane of the second electrode, the potential (
Further, the light amount of each light emitting element may differ depending on its position. The second electrode is ITO
In a top emission type light-emitting device formed of a light-transmitting conductive material such as (Indium Tin Oxide), the second electrode inevitably has a high resistance, so the difference in voltage drop in the plane of the second electrode The variation in the amount of light (brightness) of each light emitting element due to this difference is particularly remarkable.
以上のような電圧降下を抑制するために、例えば特許文献1には、第2電極よりも抵抗
率が低い導電材料によって形成された配線(以下「補助配線」という)を第2電極に対し
て電気的に接続した構成が開示されている。この構成によれば、第2電極の面内における
電圧降下を抑制して各発光素子の光量を均一化することが可能である。
しかしながら、特許文献1に記載された構成においては、補助配線が配置されるスペー
スと絶縁層のコンタクトホールが形成されるスペースとが各発光素子の間隙に個別に確保
されるから、基板の表面のうち発光素子からの放射光が実際に出射する領域の割合(以下
「開口率」という)が制約されるという問題がある。以上の事情を背景として、本発明は
、補助配線と絶縁層のコンタクトホールとが形成される構成において開口率を増加させる
という課題の解決を目的としている。
However, in the configuration described in
この課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、基板の面上に形成されたスイッ
チング素子(例えば図2の駆動トランジスタTdr)と、スイッチング素子を覆う絶縁層(
例えば図3の第2絶縁層42)と、絶縁層の面上に形成され、当該絶縁層のコンタクトホ
ール(例えば図2や図3のコンタクトホールCH)を介してスイッチング素子に電気的に
接続される第1電極と、第1電極を挟んで基板とは反対側に形成された第2電極と、第1
電極と第2電極との間に介在する発光層と、第2電極よりも抵抗率が低い導電材料によっ
て形成されて当該第2電極に電気的に接続される配線であって、基板に垂直な方向からみ
て絶縁層のコンタクトホールと重なり合う部分を含む補助配線(例えば各実施形態におけ
る補助配線70)とを具備する。
In order to solve this problem, a light emitting device according to the present invention includes a switching element (for example, the drive transistor Tdr in FIG. 2) formed on a surface of a substrate, and an insulating layer (
For example, the second
A light emitting layer interposed between the electrode and the second electrode, and a wiring formed of a conductive material having a resistivity lower than that of the second electrode and electrically connected to the second electrode and perpendicular to the substrate Auxiliary wiring (for example,
この構成においては、絶縁層のコンタクトホールと重なり合うように補助配線が形成さ
れるから、コンタクトホールと補助配線とが重なり合わない従来の構成(すなわちコンタ
クトホールと補助配線とについて別個にスペースが確保される構成)と比較して、これら
の要素が配置されるスペースを削減することができる。したがって、本発明によれば開口
率を増加させることができる。また、開口率が増加するということは、所期の光量を発光
装置から出射するために発光層に供給されるべき電気エネルギが低減されることを意味す
る。発光層(特に有機EL材料)は高い電気エネルギが供給されるほど特性の劣化が進行
するから、発光層に供給される電気エネルギを低減できる本態様によれば、補助配線によ
って開口率が制約される構成と比較して、発光層の寿命(発光量や発光効率などの特性値
が所定値に低下するまでの時間長)を長期化することができるという利点がある。
In this configuration, since the auxiliary wiring is formed so as to overlap with the contact hole of the insulating layer, a separate space is secured for the conventional configuration in which the contact hole and auxiliary wiring do not overlap (that is, the contact hole and the auxiliary wiring are separately provided). Compared to the configuration, the space in which these elements are arranged can be reduced. Therefore, according to the present invention, the aperture ratio can be increased. In addition, an increase in the aperture ratio means that the electrical energy to be supplied to the light emitting layer in order to emit the desired amount of light from the light emitting device is reduced. Since the light emitting layer (especially organic EL material) deteriorates in characteristics as the higher electric energy is supplied, the aperture ratio is restricted by the auxiliary wiring according to this aspect in which the electric energy supplied to the light emitting layer can be reduced. In comparison with the configuration, there is an advantage that the lifetime of the light emitting layer (the length of time until the characteristic values such as the light emission amount and the light emission efficiency are reduced to a predetermined value) can be prolonged.
さらに、コンタクトホールが補助配線と重なり合うから、補助配線によって覆われる領
域の範囲内であればコンタクトホールの面積を拡大しても開口率は低下しない。したがっ
て、本発明によれば、コンタクトホールと補助配線とが重なり合わない構成と比較してコ
ンタクトホールの面積が容易かつ充分に確保され、この結果として第1電極とスイッチン
グ素子との接触の抵抗を低減することができる。例えば、補助配線が所定の方向に延在す
る構成において、基板に垂直な方向からみて所定の方向(例えば図2のX方向)を長手と
する形状にコンタクトホールを形成すれば、コンタクトホールの面積を特に充分に確保す
ることができる。したがって、第1電極とスイッチング素子との接触部分での抵抗を低減
し、あるいは両者の導通の確実性を増進することができる。
Furthermore, since the contact hole overlaps with the auxiliary wiring, the aperture ratio does not decrease even if the area of the contact hole is increased as long as it is within the region covered by the auxiliary wiring. Therefore, according to the present invention, the area of the contact hole is easily and sufficiently secured as compared with the configuration in which the contact hole and the auxiliary wiring do not overlap, and as a result, the resistance of contact between the first electrode and the switching element is reduced. Can be reduced. For example, in a configuration in which the auxiliary wiring extends in a predetermined direction, if the contact hole is formed in a shape having a predetermined direction (for example, the X direction in FIG. 2) as viewed from the direction perpendicular to the substrate, the area of the contact hole Can be secured particularly sufficiently. Therefore, the resistance at the contact portion between the first electrode and the switching element can be reduced, or the reliability of conduction between the first electrode and the switching element can be improved.
ところで、絶縁層にコンタクトホールが形成された構成においては、太陽光や照明光な
どの外光が絶縁層のコンタクトホールを通過してスイッチング素子の電極に到達し、その
表面における反射光(以下「不要反射光」という)が観察側に出射する場合がある。この
不要反射光は、発光層からの出射光とは特性(例えば光量や分光特性)が相違するから、
発光装置の面内における光量(輝度)のバラツキの原因となる。また、例えば、絶縁層の
表面上だけでなくコンタクトホールの内側にも入り込むように発光層が形成された構成(
例えば図7から図10の構成)においては、発光層のうちコンタクトホールの内周面に沿
った部分からも光(以下「不要放射光」という)が出射する。しかしながら、発光層のう
ち絶縁層の表面上に位置する部分とコンタクトホールの内側に入り込んだ部分(例えば図
7から図10の部分661)とでは膜厚が相違するから、前者の部分からの出射光と後者
の部分から出射する不要放射光とは光量や分光特性が相違する。したがって、この構成に
おける不要放射光も発光装置の面内における光量のバラツキ(ムラ)の原因となり得る。
By the way, in the configuration in which the contact hole is formed in the insulating layer, external light such as sunlight or illumination light passes through the contact hole of the insulating layer and reaches the electrode of the switching element, and the reflected light on the surface (hereinafter, “ In some cases, unnecessary reflected light ”is emitted to the observation side. Since this unnecessary reflected light has different characteristics (for example, light quantity and spectral characteristics) from the light emitted from the light emitting layer,
This causes variations in the amount of light (brightness) in the plane of the light emitting device. Further, for example, a configuration in which a light emitting layer is formed so as to enter not only the surface of the insulating layer but also the inside of the contact hole (
For example, in the configuration of FIGS. 7 to 10, light (hereinafter referred to as “unnecessary radiation”) is emitted from a portion of the light emitting layer along the inner peripheral surface of the contact hole. However, since the film thickness differs between the portion of the light emitting layer located on the surface of the insulating layer and the portion entering the inside of the contact hole (for example, the
そこで、本発明の好適な態様において、補助配線は、絶縁層に対して発光層による放射
光の出射側に遮光性の導電材料によって形成される。この構成によれば、太陽光や照明光
などの外光は補助配線によって遮断されるからコンタクトホールやスイッチング素子(特
にその電極)には到達しない。また、仮に外光がコンタクトホールを通過してスイッチン
グ素子に到達した場合であっても、その表面における不要反射光は補助配線によって遮断
される。さらに、発光層がコンタクトホールの内側に入り込んだ構成(例えば図7から図
10の構成)において、発光層のうちコンタクトホールの内周面に沿った部分からの不要
放射光は補助配線によって遮断される。以上のように本発明によれば不要反射光や不要放
射光が補助配線によって遮断されるから、コンタクトホールに起因した光量のムラを抑制
することができる。もっとも、本発明における補助配線は遮光性を持たない配線(例えば
光透過性の配線)であってもよい。
Therefore, in a preferred aspect of the present invention, the auxiliary wiring is formed of a light-shielding conductive material on the emission side of the emitted light from the light emitting layer with respect to the insulating layer. According to this configuration, since external light such as sunlight and illumination light is blocked by the auxiliary wiring, it does not reach the contact hole or the switching element (particularly, its electrode). Even if external light passes through the contact hole and reaches the switching element, unnecessary reflected light on the surface is blocked by the auxiliary wiring. Further, in the configuration in which the light emitting layer enters the inside of the contact hole (for example, the configuration in FIGS. 7 to 10), unnecessary radiated light from the portion of the light emitting layer along the inner peripheral surface of the contact hole is blocked by the auxiliary wiring. The As described above, according to the present invention, unnecessary reflected light and unnecessary radiated light are blocked by the auxiliary wiring, so that unevenness in the amount of light due to the contact hole can be suppressed. However, the auxiliary wiring in the present invention may be a wiring that does not have a light shielding property (for example, a light transmitting wiring).
なお、以上の態様における「絶縁層に対して発光層による放射光の出射側」とは、発光
層からの放射光の出射が本来的に予定された側という意味である。例えば、第1電極が光
透過性を有するボトムエミッション型の発光装置においては、絶縁層からみて基板側が「
発光層による放射光の出射側」に相当する。また、第2電極が光透過性を有するトップエ
ミッション型の発光装置においては、絶縁層からみて基板とは反対側が「発光層による放
射光の出射側」に相当する。また、例えば発光装置の用途に着目すると、例えば発光装置
が表示装置として利用される場合には、絶縁層に対して観察側(すなわち発光装置によっ
て表示された画像を視認する観察者が位置する側)が「発光層による放射光の出射側」に
相当し、感光体ドラムなどの感光体を露光する露光装置(露光ヘッド)として発光装置が
利用される場合には、絶縁層に対して感光体側が「発光層による放射光の出射側」に相当
する。
Note that “the emission side of the emitted light from the light emitting layer with respect to the insulating layer” in the above aspect means the side on which the emission of the emitted light from the light emitting layer is originally scheduled. For example, in a bottom emission type light emitting device in which the first electrode is light transmissive, the substrate side is “
This corresponds to the “radiation side of the emitted light by the light emitting layer”. Further, in the top emission type light emitting device in which the second electrode is light transmissive, the side opposite to the substrate as viewed from the insulating layer corresponds to the “emission side of the emitted light by the light emitting layer”. Further, for example, when attention is paid to the use of the light emitting device, for example, when the light emitting device is used as a display device, the insulating layer is observed with respect to the observation side (that is, the side on which an observer who views the image displayed by the light emitting device is located). ) Corresponds to “the emission side of the emitted light by the light emitting layer”, and when the light emitting device is used as an exposure device (exposure head) for exposing a photosensitive member such as a photosensitive drum, the photosensitive member side with respect to the insulating layer Corresponds to “the emission side of the emitted light by the light emitting layer”.
補助配線の光反射率がスイッチング素子の電極の光反射率よりも高い場合、コンタクト
ホールに起因した発光の不均一性は確かに解消されるものの、今度は補助配線における外
光の反射光が発光の均一性に影響を与える可能性もある。そこで、本発明の好適な態様に
おいて、スイッチング素子は、コンタクトホールを介して絶縁層から露出した部分が第1
電極に接触する電極(例えば図2や図3のドレイン電極34)を含み、補助配線は、スイ
ッチング素子の電極よりも光反射率が低い材料によって形成される。この構成によれば、
スイッチング素子の電極よりも光反射率が低い材料によって補助配線が形成されるから、
コンタクトホールにおける反射光の影響と補助配線における反射光の影響とを双方とも解
消して発光の均一性を増進することができる。
If the light reflectance of the auxiliary wiring is higher than the light reflectance of the electrode of the switching element, the non-uniformity of the light emission caused by the contact hole is certainly eliminated, but this time the reflected light of the external light in the auxiliary wiring is emitted. It may affect the uniformity of the image. Therefore, in a preferred aspect of the present invention, the switching element has a first portion exposed from the insulating layer through the contact hole.
Including the electrode (for example, the
Since the auxiliary wiring is formed of a material having a light reflectance lower than that of the electrode of the switching element,
It is possible to improve the uniformity of light emission by eliminating both the influence of the reflected light in the contact hole and the influence of the reflected light on the auxiliary wiring.
本発明の好適な態様において、補助配線は、基板に垂直な方向からみて、コンタクトホ
ールの内周縁に包囲された領域(開口領域)の全域と重なり合う。この態様によれば、コ
ンタクトホールに起因した不要反射光や不要放射光のうち補助配線によって遮断される割
合を増大させることができる。この態様の具体例は第1実施形態(図2・図3)および第
3実施形態(図7)として後述される。なお、マスクを利用した蒸着などの成膜技術によ
って遮光体(補助配線)が形成される場合には、たとえコンタクトホールの開口領域の全
域と重なり合うように遮光体を形成しようとしても、製造上のバラツキ(マスクのズレ)
に起因して遮光体の位置に誤差が生じる場合がある。このように誤差を原因として開口領
域の一部が遮光体と重なり合わない構成であっても、設計上において遮光体が開口領域の
全域と重なり合う以上は、本態様の「コンタクトホールの内周縁に包囲された領域の全域
と重なり合う」という要件を充足すると言える。
もっとも、補助配線が、基板に垂直な方向からみて、コンタクトホールの内周縁に包囲
された領域の一部(例えば図6や図8における領域A1)のみと重なり合う構成としても
よい。この構成において、より望ましくは、コンタクトホールの内周縁に包囲された領域
のうち補助配線と重なり合わない領域(例えば図6や図8における領域A2)に重なり合
う部分を含む遮光層がさらに配置される。この構成によれば、補助配線によって遮断され
ない不要反射光や不要放射光が遮光層によって遮断される。したがって、コンタクトホー
ルの全域と重なるように補助配線が形成された態様と同様に、コンタクトホールに起因し
た不要反射光や不要放射光のうち補助配線によって遮断される割合を増大させることがで
きる。なお、この態様の具体例は、例えば第2実施形態(図5・図6)および第4実施形
態(図8)として後述される。
In a preferred aspect of the present invention, the auxiliary wiring overlaps with the entire region (opening region) surrounded by the inner periphery of the contact hole when viewed from the direction perpendicular to the substrate. According to this aspect, it is possible to increase the ratio of unnecessary reflected light and unnecessary radiated light caused by the contact hole that is blocked by the auxiliary wiring. Specific examples of this aspect will be described later as the first embodiment (FIGS. 2 and 3) and the third embodiment (FIG. 7). In the case where the light shielding body (auxiliary wiring) is formed by a film forming technique such as vapor deposition using a mask, even if an attempt is made to form the light shielding body so as to overlap the entire opening area of the contact hole, Variation (mask misalignment)
Due to this, an error may occur in the position of the light shield. Even if a part of the opening area does not overlap with the light shielding body due to an error in this way, the design of the “contact hole inner peripheral edge” is not necessary as long as the light shielding body overlaps with the entire opening area in design. It can be said that the requirement of “overlapping the entire enclosed area” is satisfied.
Of course, the auxiliary wiring may be configured to overlap only a part of the region (for example, the region A1 in FIGS. 6 and 8) surrounded by the inner periphery of the contact hole when viewed from the direction perpendicular to the substrate. In this configuration, more preferably, a light shielding layer including a portion that overlaps with a region that does not overlap with the auxiliary wiring (for example, region A2 in FIGS. 6 and 8) of the region surrounded by the inner periphery of the contact hole is further disposed. . According to this configuration, unnecessary reflected light and unnecessary radiated light that are not blocked by the auxiliary wiring are blocked by the light shielding layer. Therefore, similarly to the aspect in which the auxiliary wiring is formed so as to overlap the entire contact hole, it is possible to increase the ratio of unnecessary reflected light and unnecessary radiated light caused by the contact hole that are blocked by the auxiliary wiring. A specific example of this aspect will be described later as, for example, the second embodiment (FIGS. 5 and 6) and the fourth embodiment (FIG. 8).
本発明の好適な態様において、絶縁材料によって形成されてコンタクトホールの内側の
空間に入り込む絶縁部(例えば図2や図3の絶縁部64)が設けられ、発光層は、コンタ
クトホールの内側の空間には入り込まない。この構成によれば、コンタクトホールの内側
に発光層が存在しないから、この部分から出射する不要放射光に起因して発光の均一性が
損なわれることはない。なお、この態様の具体例は、例えば、第1実施形態(図2・図3
)および第2実施形態(図5・図6)として後述される。なお、発光層は、絶縁部を挟ん
で分断されるように分布してもよいし、絶縁部を覆うように連続に分布してもよい(例え
ば図15参照)。
In a preferred aspect of the present invention, an insulating portion (for example, the insulating
) And the second embodiment (FIGS. 5 and 6). Note that the light emitting layer may be distributed so as to be divided with the insulating portion interposed therebetween, or may be continuously distributed so as to cover the insulating portion (see, for example, FIG. 15).
もっとも、コンタクトホールの内側に入り込む絶縁部は本発明において必ずしも必要で
はない。例えば、発光層がコンタクトホールの内側の空間に入り込む構成としてもよい。
より具体的には、基板の面上に複数の画素(各々がスイッチング素子と第1電極とを含む
)が配列され、発光層は、複数の画素にわたって連続に分布する。この態様の具体例は、
第3実施形態(図7)や第4実施形態(図8)として後述される。この態様によれば、発
光層がコンタクトホールの内側に入り込んだ構成とされる。このように絶縁部が省略され
た構成によれば、発光装置の製造工程の簡素化や製造コストの低減が図られるという利点
がある。一方、本発明のように発光層がコンタクトホールの内側に入り込んだ構成におい
ては、発光層のうちコンタクトホールの内周面に沿った部分から不要放射光が出射するが
、この不要放射光は補助配線によって遮断される。
However, an insulating part that enters the inside of the contact hole is not necessarily required in the present invention. For example, the light emitting layer may be configured to enter the space inside the contact hole.
More specifically, a plurality of pixels (each including a switching element and a first electrode) are arranged on the surface of the substrate, and the light emitting layer is continuously distributed over the plurality of pixels. Specific examples of this aspect are:
This will be described later as a third embodiment (FIG. 7) and a fourth embodiment (FIG. 8). According to this aspect, the light emitting layer is configured to enter the inside of the contact hole. Thus, according to the configuration in which the insulating portion is omitted, there are advantages that the manufacturing process of the light emitting device can be simplified and the manufacturing cost can be reduced. On the other hand, in the configuration in which the light emitting layer enters the inside of the contact hole as in the present invention, unnecessary radiation is emitted from the portion of the light emitting layer along the inner peripheral surface of the contact hole. Cut off by wiring.
本発明の発光装置は、トップエミッション型およびボトムエミッション型の何れにも適
用される。トップエミッション型の発光装置においては、第2電極が発光層からの出射光
を透過させる。ボトムエミッション型の発光装置においては、第1電極が発光層からの出
射光を透過させる。なお、ボトムエミッション型の発光装置の具体例は第5実施形態(図
9・図10)として後述される。
The light emitting device of the present invention is applied to both a top emission type and a bottom emission type. In the top emission type light emitting device, the second electrode transmits the light emitted from the light emitting layer. In the bottom emission type light emitting device, the first electrode transmits light emitted from the light emitting layer. A specific example of the bottom emission type light emitting device will be described later as a fifth embodiment (FIGS. 9 and 10).
本発明の好適な態様において、スイッチング素子は、コンタクトホールを介して絶縁層
から露出した部分が第1電極に接触する電極を含み、補助配線は、スイッチング素子の電
極と基板との間に形成されて当該電極に対向し、かつ、絶縁層のコンタクトホール(例え
ば図10のコンタクトホールCH5)を介して第2電極に電気的に接続される。この態様
における補助配線は、例えば、スイッチング素子の電極よりも光反射率が低い材料によっ
て形成される。この態様によっても、スイッチング素子の電極における反射光が補助配線
によって遮断されるから、発光の均一性を維持することができる。
なお、補助配線がスイッチング素子の電極と基板との間に形成された態様において、補
助配線は、スイッチング素子を構成する要素(例えば図10のゲート電極242)と同一
の材料によって形成されることが望ましい。この態様によれば、単一の導電膜のパターニ
ングによってスイッチング素子の電極と補助配線とをひとつの工程で一括的に形成するこ
とができるから、補助配線がスイッチング素子とは別個の工程で形成される場合と比較し
て、製造工程の簡素化や製造コストの低減が図られる。
In a preferred aspect of the present invention, the switching element includes an electrode whose portion exposed from the insulating layer through the contact hole is in contact with the first electrode, and the auxiliary wiring is formed between the electrode of the switching element and the substrate. And electrically connected to the second electrode through a contact hole in the insulating layer (for example, contact hole CH5 in FIG. 10). The auxiliary wiring in this aspect is formed of, for example, a material having a light reflectance lower than that of the electrode of the switching element. Also according to this aspect, since the reflected light at the electrode of the switching element is blocked by the auxiliary wiring, the uniformity of light emission can be maintained.
In the aspect in which the auxiliary wiring is formed between the electrode of the switching element and the substrate, the auxiliary wiring may be formed of the same material as the element constituting the switching element (for example, the
なお、以上の各態様における補助配線の具体的な形態は任意である。第1電極と第2電
極と発光層とを各々が含む複数の発光素子を第1方向(例えば図11のX方向)に配列し
た複数の素子群(例えば各行に属する複数の発光素子の集合)が第1方向と交差する第2
方向に並列された態様において、補助配線は、例えば、複数の素子群のうち相互に隣接す
る第1の素子群(例えば図11の第i行)と第2の素子群(例えば図11の第(i+1)行)
との間隙(例えば図11の間隙S1)にて第1方向に延在する形状に形成され、第2の素
子群に対して第1の素子群とは反対側に隣接する第3の素子群(例えば図11の第(i+2)
行)と第2の素子群との間隙(例えば図11の間隙S2)には形成されない。この態様に
おいては、第2の素子群と第3の素子群との間隙に補助配線が形成されないから、総ての
素子群の間隙に補助配線が形成された構成と比較して、補助配線が形成される領域や補助
配線と発光素子との間隙に確保される領域(マージン領域)の面積を削減することが可能
である。したがって、開口率の向上と補助配線の低抵抗化との両立が容易となる。例えば
、補助配線の線幅を削減することなく開口率を向上させ、あるいは開口率(発光素子の面
積)を低下させることなく補助配線の線幅を拡大(低抵抗化)することができる。
In addition, the specific form of the auxiliary wiring in each of the above embodiments is arbitrary. A plurality of element groups (for example, a set of a plurality of light emitting elements belonging to each row) in which a plurality of light emitting elements each including a first electrode, a second electrode, and a light emitting layer are arranged in a first direction (for example, the X direction in FIG. 11). Is the second that intersects the first direction
In the embodiment arranged in parallel in the direction, the auxiliary wiring includes, for example, a first element group (for example, the i-th row in FIG. 11) and a second element group (for example, the first element in FIG. (i + 1) rows)
And a third element group adjacent to the second element group on the opposite side of the first element group, with a shape extending in the first direction at a gap (for example, a gap S1 in FIG. 11). (For example, the (i + 2) th in FIG.
A gap between the second row and the second element group (for example, a gap S2 in FIG. 11) is not formed. In this aspect, since the auxiliary wiring is not formed in the gap between the second element group and the third element group, the auxiliary wiring is not compared with the configuration in which the auxiliary wiring is formed in the gap between all the element groups. It is possible to reduce the area of the region to be formed and the region (margin region) secured in the gap between the auxiliary wiring and the light emitting element. Therefore, it becomes easy to improve both the aperture ratio and the resistance of the auxiliary wiring. For example, the aperture ratio can be improved without reducing the line width of the auxiliary wiring, or the line width of the auxiliary wiring can be increased (lower resistance) without reducing the aperture ratio (area of the light emitting element).
以上のように2以上の素子群を単位として1本の補助配線が配置される構成において、
補助配線の形成にはマスクを利用した蒸着が好適に採用される。すなわち、発光装置を製
造する方法のうち補助配線を形成する工程は、所定の形状のマスクを用意する過程と、第
2電極よりも抵抗率が低い材料をマスクを介して蒸着することで補助配線を形成する過程
とを含む。前者の過程にて用意されるマスクは、複数の素子群のうち相互に隣接する第1
の素子群と第2の素子群との間隙に対向する領域(例えば図13の領域RA)が開口し、
第2の素子群に対して第1の素子群とは反対側に隣接する第3の素子群と第2の素子群と
の間隙に対向する領域(例えば図13の領域RB2)を遮蔽する。以上の方法に使用され
るマスクは、第2の素子群と第3の素子群との間隙に対向する領域が遮蔽されているから
、総ての素子群の間隙に対向する領域が開口するマスクと比較して機械的な強度が高い。
したがって、マスクの変形に起因した補助配線の誤差やマスクの破損が抑制される。
As described above, in the configuration in which one auxiliary wiring is arranged in units of two or more element groups,
For the formation of the auxiliary wiring, vapor deposition using a mask is preferably employed. That is, in the method of manufacturing the light emitting device, the step of forming the auxiliary wiring includes the process of preparing a mask having a predetermined shape and depositing a material having a resistivity lower than that of the second electrode through the mask. Forming a process. The mask prepared in the former process is the first adjacent to each other among the plurality of element groups.
A region facing the gap between the element group and the second element group (for example, the region RA in FIG. 13) is opened,
A region facing the gap between the third element group adjacent to the second element group on the opposite side of the first element group and the second element group (for example, a region RB2 in FIG. 13) is shielded. The mask used in the above method is a mask in which the region facing the gap between the second element group and the third element group is shielded, so that the area facing the gap between all the element groups opens. Compared with high mechanical strength.
Therefore, the auxiliary wiring error and the mask damage due to the deformation of the mask are suppressed.
本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、発光
装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソナルコン
ピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示
に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成
するための露光装置(露光ヘッド)、液晶装置の背面側に配置されてこれを照明する装置
(バックライト)、あるいは、スキャナなどの画像読取装置に搭載されて原稿を照明する
装置など各種の照明装置など、様々な用途に本発明の発光装置を適用することができる。
The light emitting device according to the present invention is used in various electronic devices. A typical example of this electronic device is a device that uses a light emitting device as a display device. Examples of this type of electronic device include a personal computer and a mobile phone. However, the use of the light emitting device according to the present invention is not limited to image display. For example, an exposure device (exposure head) for forming a latent image on an image carrier such as a photosensitive drum by irradiation of light, a device (backlight) that is arranged on the back side of the liquid crystal device and illuminates it, or The light emitting device of the present invention can be applied to various uses such as various illumination devices such as a device that illuminates a document by being mounted on an image reading device such as a scanner.
<A:第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る発光装置の電気的な構成を示すブロック図である
。この発光装置Dは、各種の電子機器に搭載されて画像を表示する表示装置であり、図1
に示すように、X方向に延在する複数の選択線11と、X方向と直交するY方向に延在す
る複数の信号線13とを有する。選択線11と信号線13との各交差には画素Pが配置さ
れる。したがって、これらの画素Pは所定の領域(以下「発光領域」という)内にてX方
向およびY方向にわたってマトリクス状に配列する。
<A: First Embodiment>
FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention. The light emitting device D is a display device that is mounted on various electronic devices and displays an image.
As shown in FIG. 2, the plurality of
ひとつの画素Pは、電流の供給によって発光する発光素子Eと、この発光素子Eに供給
される電流を制御するための駆動トランジスタTdrおよび選択トランジスタTslとを含む
。発光素子Eは、有機EL材料からなる発光層66を第1電極61と第2電極62との間
に介在させた素子である。発光層66は、第1電極61から第2電極62に流れる電流に
応じた輝度(光量)で発光する。
One pixel P includes a light emitting element E that emits light by supplying a current, and a drive transistor Tdr and a selection transistor Tsl for controlling the current supplied to the light emitting element E. The light emitting element E is an element in which a
駆動トランジスタTdrは、発光素子Eに供給される電流量を制御するためのスイッチン
グ素子であり、ソース電極が電源線15に接続される。電源線15には高位側の電源電位
Vddが供給される。駆動トランジスタTdrのゲート電極とソース電極との間には、駆動ト
ランジスタTdrのゲート電極の電位を保持するための容量素子Cが介挿される。また、駆
動トランジスタTdrのドレイン電極は発光素子Eの第1電極61に接続される。発光素子
Eの第2電極62には、補助配線70を介して低位側の電源電位Gndが供給される。なお
、補助配線70の作用やその具体的な形態については後述する。
The drive transistor Tdr is a switching element for controlling the amount of current supplied to the light emitting element E, and the source electrode is connected to the
一方、選択トランジスタTslは、駆動トランジスタTdrのゲート電極と信号線13との
間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。この選択トランジ
スタTslのゲート電極は選択線11に接続される。なお、本実施形態においては駆動トラ
ンジスタTdrがpチャネル型で選択トランジスタTslがnチャネル型である構成を例示す
るが、各々の導電型は任意に変更され得る。
On the other hand, the selection transistor Tsl is a switching element that is interposed between the gate electrode of the driving transistor Tdr and the
選択線11に供給される選択信号がアクティブレベルに遷移して選択トランジスタTsl
がオン状態に変化すると、画素Pに指定された階調に応じたデータ電位Vdataが信号線1
3から選択トランジスタTslを経由して駆動トランジスタTdrのゲート電極に供給される
。このときに容量素子Cにはデータ電位Vdataに応じた電荷が蓄積されるから、選択信号
が非アクティブレベルに遷移して選択トランジスタTslがオフ状態に変化しても、駆動ト
ランジスタTdrのゲート電極はデータ電位Vdataに維持される。発光素子Eには、駆動ト
ランジスタTdrのゲート電極の電位に応じた電流(すなわちデータ電位Vdataに応じた電
流)が供給される。この電流の供給によって発光素子Eはデータ電位Vdataに応じた輝度
(光量)で発光する。
The selection signal supplied to the
Changes to the ON state, the data potential Vdata corresponding to the gradation specified for the pixel P is changed to the
3 is supplied to the gate electrode of the drive transistor Tdr via the selection transistor Tsl. At this time, charges corresponding to the data potential Vdata are accumulated in the capacitive element C. Therefore, even if the selection signal transitions to the inactive level and the selection transistor Tsl changes to the off state, the gate electrode of the drive transistor Tdr remains The data potential is maintained at Vdata. A current corresponding to the potential of the gate electrode of the drive transistor Tdr (that is, a current corresponding to the data potential Vdata) is supplied to the light emitting element E. By supplying this current, the light emitting element E emits light with luminance (light quantity) corresponding to the data potential Vdata.
次に、図2は、ひとつの画素Pの具体的な構成を示す平面図であり、図3は、図2にお
けるIII−III線からみた断面図である。なお、図2は平面図であるが、各要素の把握を容
易化するために、図3と共通する各要素については図3と同じ態様のハッチングが施され
ている。以下の各実施形態に係る平面図(図5および図9)においても同様である。また
、図2においては、図1の発光層66や第2電極62の図示が便宜的に省略されている。
Next, FIG. 2 is a plan view showing a specific configuration of one pixel P, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. Although FIG. 2 is a plan view, each element common to FIG. 3 is hatched in the same manner as FIG. 3 in order to facilitate understanding of each element. The same applies to plan views (FIGS. 5 and 9) according to the following embodiments. In FIG. 2, the
図3に示すように、駆動トランジスタTdrや発光素子Eといった図1の各要素は基板1
0の表面上に形成される。基板10は、ガラスやプラスチックなど各種の絶縁性材料を略
長方形状に成形した板状の部材である。なお、基板10を覆う絶縁性の膜体(例えば酸化
珪素や窒化珪素などの膜体)を下地として各画素Pの要素を形成してもよい。以下では、
基板10からみて駆動トランジスタTdrや発光素子Eが形成された側(すなわち図3にお
ける上方)を「観察側」と表記する。すなわち、「観察側」とは、発光装置Dによって表
示された画像を視認する観察者の側である。
As shown in FIG. 3, each element in FIG. 1 such as the drive transistor Tdr and the light emitting element E is a
Formed on zero surface. The board |
The side on which the driving transistor Tdr and the light emitting element E are formed as viewed from the substrate 10 (that is, the upper side in FIG. 3) is referred to as “observation side”. That is, the “observation side” is the side of the observer who visually recognizes the image displayed by the light emitting device D.
図2および図3に示すように、駆動トランジスタTdrは、基板10の面上に形成された
半導体層31と、基板10の全面に形成されて半導体層31を覆うゲート絶縁層40と、
ゲート絶縁層40を挟んで半導体層31に対向するゲート電極242と、ソース電極33
およびドレイン電極34とを含む。半導体層31は、シリコンなどの半導体材料によって
略矩形に形成された膜体である。
As shown in FIGS. 2 and 3, the drive transistor Tdr includes a
A
And a
図2に示すように、ゲート絶縁層40の面上には中間導電体24が形成される。この中
間導電体24のうちX方向に延在して半導体層31に重なり合う部分がゲート電極242
である。図3に示すように、半導体層31は、ゲート絶縁層40を挟んでゲート電極24
2に対向するチャネル領域31cと、このチャネル領域31cを挟むソース領域31sおよ
びドレイン領域31dとを含む。
As shown in FIG. 2, the
It is. As shown in FIG. 3, the
2 and a
図3に示すように、半導体層31やゲート電極242(中間導電体24)が形成された
基板10の表面はその全域にわたって第1絶縁層41に覆われる。ソース電極33やドレ
イン電極34は第1絶縁層41の面上に形成される。ソース電極33は、図2に示すよう
に、X方向に延在する電源線15の部分であり、第1絶縁層41とゲート絶縁層40とを
貫通するコンタクトホールCH1aを介して半導体層31のソース領域31sに導通する。
As shown in FIG. 3, the surface of the
ドレイン電極34は、第1部分341と第2部分342とが連続する形状に成形される
。第1部分341は、第1絶縁層41とゲート絶縁層40とを貫通するコンタクトホール
CH1bを介して半導体層31のドレイン領域31dに導通する。第2部分342は、図2
に示すようにX方向に延在する部分である。
The
As shown in FIG.
図2に示すように、中間導電体24は、電源線15に重なり合う電極部244とゲート
電極242からY方向に延在して電源線15と交差する配線部246とを含む。電極部2
44と電源線15とが第1絶縁層41を挟んで対向することによって図1の容量素子Cが
構成される。
As shown in FIG. 2, the
1 and the
一方、選択トランジスタTslは、図2に示すように、基板10の面上に形成された半導
体層51と、ゲート絶縁層40を挟んで半導体層51のチャネル領域に対向するゲート電
極112と、ゲート電極112を覆う第1絶縁層41の面上に形成されたドレイン電極5
3およびソース電極54とを含む。ゲート電極112は、X方向に延在する選択線11か
らY方向に分岐して半導体層51に重なる部分である。選択線11と中間導電体24とは
共通の導電膜のパターニングによって同一の工程で一括的に形成される。同様に、ドレイ
ン電極53およびソース電極54と、駆動トランジスタTdrのソース電極33(電源線1
5)およびドレイン電極34とは、単一の導電膜のパターニングによって同じ工程で形成
される。
On the other hand, as shown in FIG. 2, the select transistor Tsl includes a
3 and the
5) and the
ドレイン電極53は、第1絶縁層41とゲート絶縁層40とを貫通するコンタクトホー
ルCH2bを介して半導体層51のドレイン領域に導通する。同様に、ソース電極54は、
コンタクトホールCH2aを介して半導体層51のソース領域に導通する。また、ソース電
極54は、第1絶縁層41を貫通するコンタクトホールCH3を介して中間導電体24の
配線部246に導通する。これによって選択トランジスタTslのソース電極54と駆動ト
ランジスタTdrのゲート電極242とが電気的に接続される。
The
Conduction to the source region of the
図2に示すように、図1の信号線13は、電源線15の下層にてY方向に延在して電源
線15と交差する交差部131と、各電源線15の間隙にてY方向に延在する配線部13
2とを含む。交差部131は、選択線11や中間導電体24と共通の導電膜から形成され
る。配線部132は、トランジスタTdrのソース電極33やドレイン電極34と共通の導
電膜から形成される。配線部132の端部13aは第1絶縁層41のコンタクトホールC
H4aを介して交差部131に導通する。同様に、配線部132の端部13bは第1絶縁層
41のコンタクトホールCH4bを介して交差部131に導通する。以上のように各交差部
131と各配線部132との電気的な接続によって信号線13が構成される。選択トラン
ジスタTslのドレイン電極53は、配線部132のうち半導体層51と重なり合う部分で
ある。
As shown in FIG. 2, the
2 is included. The
It conducts to the
図3に示すように、電源線15やドレイン電極34が形成された第1絶縁層41の表面
はその全域にわたって第2絶縁層42に覆われる。第1絶縁層41や第2絶縁層42は、
例えば酸化珪素や窒化珪素といった絶縁材料によって形成される。図2および図3に示す
ように、第2絶縁層42のうち基板10に垂直な方向からみてドレイン電極34の第2部
分342と重なり合う部分には、第2絶縁層42を厚さ方向に貫通するコンタクトホール
CHが形成される。したがって、第2部分342はコンタクトホールCHを介して第2絶
縁層42から露出する。図2のように基板10に垂直な方向からみると、コンタクトホー
ルCHは、X方向を長手とする略長方形である。
As shown in FIG. 3, the surface of the first insulating
For example, it is formed of an insulating material such as silicon oxide or silicon nitride. As shown in FIGS. 2 and 3, a portion of the second insulating
第2絶縁層42の面上(コンタクトホールCH以外の表面)には略長方形の反射層44
が画素Pごとに相互に離間して形成される。反射層44は、アルミニウムや銀などの合金
またはこれらを主成分とする合金など光反射性を有する材料によって形成された膜体であ
り、発光層66から基板10側への出射光を観察側(図3の上方)に反射する。さらに、
第2絶縁層42の表面上には、発光素子Eの陽極として機能する第1電極61(図1参照
)が画素Pごとに相互に離間して形成される。第1電極61は、反射層44を覆う略長方
形の電極であり、例えばITOやIZO(Indium Zinc Oxide)など光透過性の導電材料
によって形成される。図2および図3に示すように、第1電極61は、第2絶縁層42の
コンタクトホールCHに入り込んで駆動トランジスタTdrのドレイン電極34(第2部分
342)に接触する。この接触によって第1電極61と駆動トランジスタTdrとが電気的
に接続される。
On the surface of the second insulating layer 42 (surface other than the contact hole CH), a substantially rectangular
Are formed so as to be separated from each other for each pixel P. The
On the surface of the second insulating
第1電極61は、スパッタリングや真空蒸着といった各種の成膜技術によって、コンタ
クトホールCHの外形の寸法に対して充分に薄い膜厚に形成される。したがって、図3に
示すように、第1電極61には、第2絶縁層42の膜厚とコンタクトホールCHの外形と
を反映した凹部(窪み)611が形成される。すなわち、第1電極61のうちドレイン電
極34に接触する部分が凹部611の底面部に相当し、第1電極61のうちコンタクトホ
ールCHの内周面を覆う部分が凹部611の側面部に相当する。
The
図3に示すように、凹部611の内側(すなわちコンタクトホールCHの内側の空間)
には絶縁部64が形成される。この絶縁部64は、絶縁材料(例えばポリイミドなどの樹
脂材料)によって形成される。図3に示すように、絶縁部64は、凹部611を埋めるよ
うにコンタクトホールCHの内側に入り込んで凹部611の底面および内周面に接触する
とともに、その上面は第1電極61の表面から突出する。なお、絶縁部64には、凹部6
11の段差を平坦化するという作用もある。この作用を有効に発揮するという観点からす
ると、絶縁部64の材料には樹脂材料が特に好適である。樹脂材料を採用した場合には、
第1に、液状の樹脂材料の塗布という低廉な方法によって絶縁部64の表面を容易に平坦
化することができ、第2に、凹部611の平坦化に充分な膜厚の絶縁部64をクラックの
発生なしに形成することができ、第3に、樹脂材料の硬化させるときの熱処理で樹脂材料
が溶融することによっても絶縁部64の表面を平坦化できるからである。
As shown in FIG. 3, the inside of the recess 611 (that is, the space inside the contact hole CH).
Insulating
There is also an effect of flattening the 11 steps. From the viewpoint of effectively exhibiting this action, a resin material is particularly suitable for the material of the insulating
First, the surface of the insulating
図1の発光層66は、第1電極61の表面を覆うように画素Pごとに形成される。図3
に示すように、発光層66は、絶縁部64が形成された領域には分布しない(つまり発光
層66は絶縁部64によって仕切られる)。したがって、発光層66はコンタクトホール
CHの内側の空間(凹部611)には入り込まない。なお、発光層66は高分子材料およ
び低分子材料の何れによって形成されてもよい。また、発光層66による発光を促進ない
し効率化するための各種の機能層(正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、
正孔ブロック層、電子ブロック層)が発光層66に積層された構成も採用される。
The
As shown, the
A configuration in which a hole blocking layer and an electron blocking layer) are stacked on the
図3に示すように、図1の第2電極62は、絶縁部64と発光層66とを覆う電極であ
り、基板10の全域を覆うように形成されて複数の画素Pにわたって連続に分布する。本
実施形態の第2電極62は、ITOやIZOなど光透過性の導電材料によって形成される
。したがって、発光層66から基板10とは反対側に出射した光と、発光層66から基板
10側に出射して反射層44の表面で反射した光とは、第2電極62を透過して観察側に
出射する。すなわち、本実施形態の発光装置Dは、発光素子Eによる放射光が基板10と
は反対側に出射するトップエミッション型である。なお、絶縁部64が形成された領域(
コンタクトホールCH)には発光層66が形成されないから(さらには第1電極61と第
2電極62とが絶縁部64によって絶縁されるから)、この部分は発光に寄与しない領域
(いわゆるデッドスペース)となる。
As shown in FIG. 3, the
Since the
光透過性を有する導電材料の多くは抵抗率が高いから、この種の材料によって形成され
た第2電極62は高抵抗となってその面内における電圧降下が顕著となる。したがって、
各発光素子Eに供給される電位が第2電極62の面内における位置に応じて相違し、この
結果として発光領域における光量のムラ(輝度や階調のムラ)が発生する場合がある。
Since most of the light-transmitting conductive materials have high resistivity, the
The potential supplied to each light emitting element E differs depending on the position in the plane of the
この光量のバラツキを解消するために、本実施形態においては、第2電極62の導電性
を補助するための補助配線70が形成される。補助配線70は、第2電極62よりも抵抗
率が低い導電材料によって形成される。本実施形態の補助配線70は、第2電極62の表
面に接触するように形成されて第2電極62と電気的に導通する。この構成によれば、電
流の大部分は低抵抗の補助配線70を流れるから、第2電極62における電圧降下は抑制
される。したがって、各発光素子Eに供給される電位が均一化され、この結果として電圧
降下に起因した光量のムラを有効に抑制することができる。本実施形態の補助配線70は
遮光性の導電材料によって形成される。より好適には、ドレイン電極34よりも光反射率
が低い材料によって補助配線70が形成される。
In order to eliminate this variation in the amount of light, in this embodiment, an
図4は、本実施形態における補助配線70の具体的な形態を例示する平面図である。同
図においては各第1電極61の外形が破線で併記されている。図4に示すように、補助配
線70は、画素Pの各行に対応してX方向に延在する複数の第1部分71と、画素Pの各
列に対応してY方向に延在する複数の第2部分72とが交差した格子状に成形される。も
っとも、補助配線70の形状は図4の例示に限定されない。例えば、X方向に延在する複
数の第1部分71のみを含む形状としてもよい。
FIG. 4 is a plan view illustrating a specific form of the
補助配線70の第1部分71は、図2に示すように基板10に垂直な方向からみると、
第2絶縁層42のコンタクトホールCHと重なり合う。さらに詳述すると、本実施形態の
第1部分71は、X方向に延在するコンタクトホールCHの幅(Y方向の寸法)と略同一
の幅またはこれよりも幅広に形成される。したがって、図2および図3に示すように、第
1部分71は、基板10に垂直な方向からみてコンタクトホールCHの内周縁が包囲する
領域(以下「開口領域」という)の全域と重なり合う。
The
It overlaps with the contact hole CH of the second insulating
ところで、駆動トランジスタTdrのドレイン電極34の材料として採択され得る導電材
料の多くは光反射性を有する金属である。したがって、補助配線70が形成されない従来
の構成においては、太陽光や照明光などの外光が観察側からドレイン電極34の表面に到
達し、その表面における反射光(不要反射光)が観察側に出射する場合がある。そして、
この不要反射光の特性と発光層66からの出射光の特性との相違に起因して、発光領域の
面内における光量の均一性が損なわれるという問題がある。これに対し、本実施形態にお
いては、遮光性の補助配線70がコンタクトホールCHの開口領域の全域と重なり合うよ
うに形成される。したがって、観察側からドレイン電極34に向かう外光は補助配線70
の観察側の表面にて遮断される。また、仮に外光がドレイン電極34に到達したとしても
、その表面における不要反射光は補助配線70の基板10側の表面にて遮断される。以上
のように、本実施形態によれば不要反射光の観察側への出射が防止されるから、発光領域
の面内における光量(輝度または階調)を均一化することができる。
By the way, many of the conductive materials that can be adopted as the material of the
Due to the difference between the characteristics of the unnecessary reflected light and the characteristics of the light emitted from the
Is blocked at the surface on the observation side. Even if external light reaches the
なお、本実施形態においては補助配線70がコンタクトホールCHと重なり合う構成を
例示したが、以上の効果を実現するための構成としては、例えば、補助配線70とは別個
の遮光性の物体(以下「遮光体」という)がコンタクトホールCHと重なり合うように形
成された構成も考えられる。この構成において、補助配線70はコンタクトホールCHと
重なり合わないように形成される。しかしながら、この構成においては、コンタクトホー
ルCHおよび補助配線70の双方の領域が発光に寄与しない領域(いわゆるデッドスペー
ス)となるから、発光装置Dの開口率(画素Pが分布する発光領域のうち実際に光が出射
する領域の占める比率)が制約されるという問題がある。これに対し、本実施形態におい
ては、補助配線70がコンタクトホールCHの遮光体として兼用されるから、以上の構成
と比較して開口率を増加させることができる。なお、本実施形態において開口率を増加さ
せ得るということは、所期の光量を発光装置Dから放射するために発光層66に供給され
るべき電気エネルギが低減されることを意味する。発光層66は高い電気エネルギが供給
されるほど特性の劣化が促進されるから、本実施形態によれば、開口率の増加によって発
光層66の寿命が長期化されると言うこともできる。
In the present embodiment, the configuration in which the
また、駆動トランジスタTdrと第1電極61とを確実に導通させるためには、コンタク
トホールCHの面積(すなわち第1電極61とドレイン電極34とが接触する面積)が充
分に確保されることが望ましい。しかしながら、補助配線70とコンタクトホールCHと
が重なり合わない構成のもとでコンタクトホールCHの面積を拡大すると、その拡大分だ
け開口率が低下するという問題がある。これに対し、本実施形態においては、コンタクト
ホールCHと重なり合うように補助配線70が形成されるから、補助配線70によって覆
われる領域の範囲内であればコンタクトホールCHの面積を拡大しても開口率は低下しな
い。したがって、本実施形態によれば、図2に示すようにX方向に長尺の形状とすること
でコンタクトホールCHの面積を充分に確保することができ、この結果として駆動トラン
ジスタTdrと第1電極61との接触部分での抵抗を低減することができる。
Further, in order to ensure conduction between the drive transistor Tdr and the
<B:第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。なお、以下に示す各形態の発光装置D
のうち第1実施形態と同様の要素については共通の符号を付してその詳細な説明を適宜に
省略する。
<B: Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described. In addition, the light-emitting device D of each form shown below
Among these, the same elements as those in the first embodiment are denoted by common reference numerals, and detailed description thereof is omitted as appropriate.
図5は、本実施形態における画素Pの構成を示す平面図であり、図6は、図5における
VI−VI線からみた断面図である。第1実施形態においては、コンタクトホールCHの開口
領域の全域と重なり合うように補助配線70が形成された構成を例示した。これに対し、
本実施形態においては、図5および図6に示すように、コンタクトホールCHの開口領域
のうち領域A1のみと重なり合うように補助配線70(第1部分71)が形成される。図
6の領域A2は、開口領域のうち補助配線70と重なり合わない領域である。
FIG. 5 is a plan view showing the configuration of the pixel P in the present embodiment, and FIG.
It is sectional drawing seen from the VI-VI line. In the first embodiment, the configuration in which the
In the present embodiment, as shown in FIGS. 5 and 6, the auxiliary wiring 70 (first portion 71) is formed so as to overlap only the region A1 in the opening region of the contact hole CH. A region A2 in FIG. 6 is a region that does not overlap the
図6に示すように、本実施形態における発光装置Dは基板80を具備する。この基板8
0は、発光素子Eに対する外気や水分の付着を防止するための光透過性の板材であり、基
板10のうち発光素子Eが配置された表面と対向するように配置される。基板80におけ
る基板10との対向面には遮光層81が形成される。この遮光層81は、黒色に着色され
た樹脂やクロムなどの金属といった遮光性の材料によって形成された膜体である。なお、
遮光層81が形成される位置は適宜に変更される。例えば、補助配線70や第2電極62
の表面上に遮光層81が形成されてもよい。
As shown in FIG. 6, the light emitting device D in the present embodiment includes a
0 is a light-transmitting plate material for preventing adhesion of outside air or moisture to the light emitting element E, and is disposed so as to face the surface of the
The position where the
A light-
図5および図6に示すように、遮光層81は、基板10と垂直な方向からみて、開口領
域のうち領域A2と重なり合う部分を含む。本実施形態の遮光層81は、図4に例示した
補助配線70と同様に、各画素Pに対応した格子状に形成され、コンタクトホールCHの
開口領域の全域と重なり合うように寸法および形状が選定されている。したがって、遮光
層81は補助配線70の全域と重なり合う。さらに、本実施形態の遮光層81は、ドレイ
ン電極34や補助配線70よりも光反射率が低い材料によって形成される。
As shown in FIGS. 5 and 6, the
この構成によれば、ドレイン電極34の表面で反射して領域A2内を進行する不要反射
光が遮光層81によって遮断される。したがって、補助配線70が領域A1のみを覆うと
は言っても、第1実施形態と同様の作用および効果は確かに奏される。
According to this configuration, unnecessary light that is reflected by the surface of the
さらに、本実施形態においては、補助配線70よりも光反射率が低い材料によって形成
された遮光層81が補助配線70と重なり合う。この構成においては、観察側から補助配
線70に向かう外光は遮光層81によって遮断される。また、外光が補助配線70に到達
したとしても、その表面における反射光は遮光層81によって遮断される。したがって、
光反射率が高い材料によって補助配線70が形成された場合であっても、この補助配線7
0の反射光に起因した発光領域内の光量のムラは抑制される。つまり、本実施形態によれ
ば、ドレイン電極34および補助配線70の双方からの反射光(不要反射光)が観察側に
出射するのを防止できる。
Further, in the present embodiment, a
Even if the
Unevenness in the amount of light in the light emitting region due to zero reflected light is suppressed. That is, according to this embodiment, it is possible to prevent the reflected light (unnecessary reflected light) from both the
<C:第3実施形態>
図7は、本発明の第3実施形態における画素Pの構成を示す断面図である。本実施形態
に係る画素Pの平面的な構造は図2と同様である。すなわち、図7は、図2におけるIII
−III線からみた断面図に相当する。
<C: Third Embodiment>
FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of the pixel P in the third embodiment of the present invention. The planar structure of the pixel P according to this embodiment is the same as that shown in FIG. That is, FIG.
Corresponds to a cross-sectional view taken along line -III.
図7に示すように、本実施形態の発光装置Dにおいては、コンタクトホールCHを埋め
る絶縁部64が形成されない。そして、発光層66は、複数の画素Pにわたって連続に分
布するように基板10の全域に形成される。なお、第1電極61は画素Pごとに相互に離
間して形成される。したがって、発光層66が複数の画素Pにわたって連続するとは言っ
ても、発光層66の光量は以上の各実施形態と同様に画素Pごとに個別に制御される。
As shown in FIG. 7, in the light emitting device D of the present embodiment, the insulating
なお、第1実施形態および第2実施形態のように画素Pごとに発光層66が区分された
構成においては、各発光層66の材料を適宜に選定することによって各画素Pによる発光
色を相違させることが可能である。しかしながら、本実施形態のように発光層66が複数
の画素Pにわたって連続する構成においては、発光層66自体からの放射光の特性は複数
の画素Pについて共通する。したがって、本実施形態の構成のもとで複数色からなる画像
の表示を実現する場合には、例えば各画素Pに対応するカラーフィルタを基板80(図7
においては図示略)の表面に形成した構成が採用される。また、また、発光層66からの
出射光を第1電極61と第2電極62との間で共振させる共振器構造を画素Pごとに形成
し、画素Pに割り当てられた表示色ごとに共振器構造の共振波長を相違させた構成によっ
ても、複数色からなる画像を表示することが可能である。
In the configuration in which the
The structure formed on the surface of (not shown) is employed. In addition, a resonator structure for resonating light emitted from the
図7に示すように、発光層66のうちコンタクトホールCHと重なり合う部分は、第1
電極61の凹部611の内側(コンタクトホールCHの内側の空間)に入り込み、この凹
部611の内周面と底面とに接触する。
As shown in FIG. 7, the portion of the
It enters the inside of the
第2電極62の表面には、第1実施形態と同様に、基板10と垂直な方向からみてコン
タクトホールCHの開口領域の全域と重なり合うように補助配線70(より詳細には第1
部分71)が形成される。したがって、本実施形態によっても、第1実施形態と同様の作
用および効果が奏される。さらに、本実施形態のように発光層66が複数の画素Pにわた
って連続に分布する構成によれば、各画素Pの発光層66をひとつの工程で一括的に形成
することができる。また、発光層66の形成には、スピンコート法に代表される印刷技術
など、それ以外の成膜技術と比較して低廉な方法を採用することができる。加えて、第1
実施形態および第2実施形態にて説明した絶縁部64を形成する必要はないから、以上の
各形態と比較して製造工程の簡素化や製造コストの低減が実現される。
On the surface of the
Part 71) is formed. Therefore, the present embodiment can provide the same operations and effects as the first embodiment. Further, according to the configuration in which the
Since it is not necessary to form the insulating
ところで、図7に示すように、発光層66のうち第1電極61の凹部611の内周面を
覆う部分(図7にて符号「661」が付与された部分)は、それ以外の部分と同様に第1
電極61と第2電極62との間に介在する。したがって、各発光素子Eの駆動に際しては
部分661からも光(不要放射光)が出射する。しかしながら、この不要放射光の特性(
光量や分光特性)は、発光層66のうち第2絶縁層42の表面上に位置する平坦な部分か
らの出射光の特性とは相違するから、不要放射光を観察側に出射させた場合には発光装置
Dの発光の均一性が損なわれる。また、発光層66のうち部分661以外の部分からの出
射光と部分661からの不要放射光とが相互に干渉し合い、この結果として観察側への出
射光が特定の色味を呈する可能性もある。本実施形態においては、コンタクトホールCH
と重なり合うように補助配線70が形成されるから、凹部611から観察側に向かう不要
放射光が補助配線70によって遮断される。以上のように、本実施形態によれば、不要放
射光および不要反射光の双方を遮断して発光領域における光量を均一化することができる
。
By the way, as shown in FIG. 7, the portion of the
It is interposed between the
The amount of light and spectral characteristics are different from the characteristics of the emitted light from the flat portion of the
Since the
<D:第4実施形態>
図8は、本発明の第4実施形態における画素Pの構成を示す断面図である。本実施形態
に係る画素Pの平面的な構造は図5と同様である。第3実施形態(図7)と同様に、本実
施形態における発光層66は、複数の画素Pにわたって連続に分布するとともにコンタク
トホールCHの内側の空間に入り込む。また、第2実施形態(図5・図6)と同様に、補
助配線70は開口領域の領域A1のみと重なり合うように形成され、基板80の表面には
開口領域の全域(領域A1および領域A2)と重なり合う遮光層81が形成される。したが
って、本実施形態によれば、第2実施形態および第3実施形態と同様の作用および効果が
奏される。
<D: Fourth Embodiment>
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the configuration of the pixel P in the fourth embodiment of the present invention. The planar structure of the pixel P according to this embodiment is the same as that shown in FIG. Similar to the third embodiment (FIG. 7), the
なお、以上に説明したように、補助配線70からみて観察側に遮光層81が形成された
構成によれば、補助配線70の表面で反射する外光の影響を低減することができる。もっ
とも、第3実施形態や第4実施形態のように発光層66がコンタクトホールCHに入り込
む構成においては、例えば部分661からの不要放射光が、補助配線70の裏面(基板1
0側の表面)とドレイン電極342や反射層44との間で反射を繰返したうえで最終的に
は観察側に出射する可能性がある。この不要放射光の出射を防止するという観点からする
と、補助配線70と発光層66との間(例えば図7や図8の補助配線70と第2電極62
との間)に、補助配線70よりも光反射率の低い遮光体(換言すると補助配線70よりも
光吸収率が高い遮光体)を配置した構成が好適に採用される。この構成によれば、発光層
66の部分661から出射した不要放射光は補助配線70の裏面に到達しないから、補助
配線70における不要放射光の反射に起因した発光のムラを確実に防止することができる
。
As described above, according to the configuration in which the
There is a possibility that the light is finally emitted to the observation side after being repeatedly reflected between the surface on the 0 side) and the
A configuration in which a light-shielding body having a light reflectance lower than that of the auxiliary wiring 70 (in other words, a light-shielding body having a light absorption rate higher than that of the auxiliary wiring 70) is preferably used. According to this configuration, since unnecessary radiation emitted from the
<E:第5実施形態>
図9は、本発明の第5実施形態に係る画素Pの構成を示す平面図であり、図10は、図
9におけるX−X線からみた断面図である。以上の各形態においてはトップエミッション
型の発光装置Dを例示した。これに対し、本実施形態の発光装置Dはボトムエミッション
型である。すなわち、図10に示すように、以上の各形態にて説明した反射層44は形成
されず、その代わりに第2電極62が光反射性の導電材料によって形成される。したがっ
て、発光層66から基板10側に出射した光と発光層66から基板10とは反対側に出射
して第2電極62の表面で反射した光とは、第1電極61や基板10を透過して図10の
下方に出射する。
<E: Fifth Embodiment>
FIG. 9 is a plan view showing a configuration of a pixel P according to the fifth embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. In each of the above embodiments, the top emission type light emitting device D is exemplified. On the other hand, the light emitting device D of the present embodiment is a bottom emission type. That is, as shown in FIG. 10, the
本実施形態においても、第1実施形態や第2実施形態と同様に、ドレイン電極34よる
反射光の出射を防止する遮光体として補助配線70が利用される。ただし、本実施形態に
おいては発光層66からみて基板10側(図10の下方)が観察側となるから、図10に
示すように、補助配線70はドレイン電極34と基板10との間に形成される。本実施形
態の補助配線70は、基板10の全域にわたって形成された単一の導電膜のパターニング
によって、ゲート電極242(さらには選択線11や交差部131)と同一の工程にて形
成される。したがって、補助配線70はゲート電極242と同一の材料によって形成され
る。
Also in the present embodiment, the
図9のように基板10に垂直な方向からみると、補助配線70はドレイン電極34(よ
り詳細にはコンタクトホールCHの開口領域)と重なり合う。第2電極62は、図9に示
すように、第1絶縁層41と第2絶縁層42とを貫通するコンタクトホールCH5を介し
て補助配線70に電気的に接続される。この構成によっても第1実施形態や第2実施形態
と同様の作用および効果が奏される。例えば、本実施形態においては、観察側(図10の
下方)からドレイン電極34に向かう外光やドレイン電極34の表面で反射して観察側に
向かう不要反射光が補助配線70によって遮断されるから、発光領域の面内における光量
を均一化することが可能となる。
When viewed from the direction perpendicular to the
また、本実施形態の補助配線70はゲート電極242(さらには選択線11や交差部1
31)と同一の工程にて形成される。この構成によれば、補助配線70の形成のみに利用
される導電膜の形成やそのパターニングが不要となるから、以上の各形態のように補助配
線70が他の要素とは別個の工程にて形成される場合と比較して、製造工程の簡素化や製
造コストの低減が実現される。さらに、本実施形態においては、発光層66や絶縁部64
といった有機材料の面上に補助配線70を形成する必要がなく、しかも、ゲート電極24
2と共通の低抵抗な導電性材料によって補助配線70が形成される。したがって、発光層
66や絶縁部64の面上に補助配線70が形成された構成と比較して補助配線70の低抵
抗化が容易であるという利点もある。
In addition, the
31). According to this configuration, the formation of the conductive film used only for the formation of the
It is not necessary to form the
The
また、第1実施形態から第4実施形態のようにコンタクトホールCHの上層に補助配線
70が形成された構成においては、補助配線70の下地となる表面にコンタクトホールC
Hの形状を反映した凹凸が現れる場合がある。この場合には、補助配線70の抵抗の増大
や断線といった不具合が発生する可能性もある。これに対し、本実施形態においては、平
坦面(基板10やゲート絶縁層40の表面)に補助配線70が形成されるから、この観点
からしても補助配線70の低抵抗化が図られる。また、補助配線70の断線を防ぐことも
可能である。
In the configuration in which the
The unevenness reflecting the shape of H may appear. In this case, there is a possibility that a problem such as an increase in resistance or disconnection of the
なお、以上においてはボトムエミッション型の発光装置Dを例示したが、本実施形態は
トップエミッション型にも適用される。このトップエミッション型の発光装置Dにおいて
は、第1電極61と基板10との間に反射層44が介挿され、第2電極62は光透過性の
材料から形成される。この構成のもとでは、第1実施形態と同様に、補助配線70と重な
り合う領域の範囲内であればコンタクトホールCHの面積を拡大しても開口率は低下しな
いから、コンタクトホールCHの面積を充分に確保して駆動トランジスタTdrと第1電極
61との接触部分での抵抗を低減することができる。さらに、補助配線70が図9や図1
0のように第1電極61の下層に形成されたトップエミッション型の発光装置Dにおいて
は、例えば補助配線70が遮光性の材料によって形成された場合であっても、発光層66
からの放射光が補助配線70によって遮断されることはない。したがって、開口率を向上
することができるという利点がある。
In addition, although the bottom emission type light emitting device D has been illustrated above, the present embodiment is also applied to the top emission type. In the top emission type light emitting device D, the
In the top emission type light emitting device D formed in the lower layer of the
The emitted light from is not blocked by the
<F:第6実施形態>
以上の各形態においては、画素Pの各行および各列に対応した格子状の補助配線70(
図4)を例示したが、補助配線70の具体的な形態は適宜に変更される。本実施形態にお
いては、複数行や複数列に1本の割合で補助配線70が形成される。
<F: Sixth Embodiment>
In each of the above embodiments, the grid-like auxiliary wiring 70 (corresponding to each row and each column of the pixel P) (
Although FIG. 4) is illustrated, the specific form of the
図11は、発光領域内に多数の発光素子Eが配列する様子を示す平面図であり、図12
は、図11におけるXII−XII線からみた断面図である。なお、図11や図12においては
、選択トランジスタTslや容量素子Cといった各要素の図示が適宜に省略されている。
FIG. 11 is a plan view showing a state in which a large number of light emitting elements E are arranged in the light emitting region.
These are sectional drawings seen from the XII-XII line in FIG. In FIG. 11 and FIG. 12, illustration of each element such as the selection transistor Tsl and the capacitive element C is omitted as appropriate.
以上の各形態と同様に、第2絶縁層42の面上には、Y方向を長辺とする略長方形状の
第1電極61がX方向およびY方向にわたってマトリクス状に形成される。第1電極61
は、第2電極62よりも仕事関数が高い光反射性の導電材料によって形成される。この構
成においては以上の各形態に係る反射層44が省略される。
Similar to the above embodiments, on the surface of the second insulating
Is formed of a light-reflective conductive material having a work function higher than that of the
第1電極61が形成された第2絶縁層42の表面には絶縁部64が形成される。図11
および図12に示すように、絶縁部64のうち第1電極61と重なり合う各領域には開口
部641(絶縁部64を厚さ方向に貫通する孔)が形成される。図11に示すように、基
板10に垂直な方向からみると開口部641の内周縁はその全周にわたって第1電極61
の周縁(輪郭線)よりも内側に位置する。なお、以上のように第1電極61の周縁は実際
には絶縁部64に覆われるが、図11においては第1電極61の外形が便宜的に実線で図
示されている。
An insulating
As shown in FIG. 12, an opening 641 (a hole penetrating the insulating
It is located inside the periphery (contour line). As described above, the periphery of the
図12に示すように、発光層66は、絶縁部64が形成された第2絶縁層42の全面を
被覆するように複数の発光素子Eにわたって連続に形成される。すなわち、発光層66は
、開口部641の内側に入り込んで第1電極61に対向する部分(すなわち実際に発光す
る部分)と絶縁部64の面上に位置する部分とを含む。
As shown in FIG. 12, the
図12に示すように、第2電極62は、複数の発光素子Eにわたって連続に形成されて
発光層66と絶縁部64とを覆う導電膜である。すなわち、第2電極62は、開口部64
1の内側にて発光層66を挟んで第1電極61に対向する部分と絶縁部64の面上に位置
する部分とを含む。図11および図12に示すように、第1電極61と第2電極62と発
光層66との積層のうち基板10に垂直な方向からみて開口部641の内周縁の内側に位
置する部分(すなわち第1電極61から第2電極62に電流が流れる領域)が発光素子E
である。発光層66のうち絶縁部64と重なり合う領域は、第1電極61と第2電極62
との間に介在する絶縁部64によって電流が遮断されるから発光しない。すなわち、絶縁
部64は、各発光素子Eの輪郭を画定する手段として機能する。
As shown in FIG. 12, the
1 includes a portion facing the
It is. A region of the
No light is emitted because the current is interrupted by the insulating
図11および図12に示すように、絶縁部64(発光層66)と第2電極62との間に
はX方向に延在する複数の補助配線70が形成される。本実施形態における補助配線70
の具体的な態様は以下の通りである。なお、図11には、第i行から第(i+3)行までの各
行に属する3列分の発光素子Eが図示されている。第i行および第(i+2)行は偶数行であ
り、第(i+1)行および第(i+3)行は奇数行である。
As shown in FIGS. 11 and 12, a plurality of
Specific embodiments of are as follows. FIG. 11 shows three columns of light-emitting elements E belonging to each row from the i-th row to the (i + 3) -th row. The i-th row and the (i + 2) -th row are even rows, and the (i + 1) -th row and the (i + 3) -th row are odd rows.
図11に示すように、補助配線70は、偶数行の各発光素子EとそのY方向の正側に隣
接する奇数行の各発光素子Eとの間隙S1(例えば第i行と第(i+1)行との間隙S1や第(i+
2)行と第(i+3)行との間隙S1)に形成される。一方、奇数行の各発光素子EとそのY方向
の正側に隣接する偶数行の各発光素子Eとの間隙S2に補助配線70は形成されない。す
なわち、奇数行とそのY方向の正側に隣接する偶数行の2行を単位として発光領域を区分
すると、Y方向に隣接する各単位の間隙S1には補助配線70が形成され、ひとつの単位
に属する各行の間隙S2には補助配線70が存在しない。以上のように本実施形態におい
ては、複数行(2行)ごとに1本の割合で補助配線70が形成される。
As shown in FIG. 11, the
2) It is formed in the gap S1) between the row and the (i + 3) th row. On the other hand, the
各発光素子Eの第1電極61と駆動トランジスタTdrとを導通させるコンタクトホール
CHは、当該発光素子Eからみて補助配線70側に形成される。したがって、発光素子E
とこれに対応したコンタクトホールCHとのY方向の配置は奇数行と偶数行とで反対とな
る。すなわち、偶数行においては発光素子EからみてY方向の正側にコンタクトホールC
Hが位置するのに対し、奇数行においては発光素子EからみてY方向の負側にコンタクト
ホールCHが位置する。
A contact hole CH for conducting the
And the arrangement in the Y direction with the corresponding contact hole CH is opposite between the odd and even rows. That is, in the even-numbered row, the contact hole C is on the positive side in the Y direction when viewed from the light emitting element E.
Whereas H is located, the contact hole CH is located on the negative side in the Y direction when viewed from the light emitting element E in the odd-numbered rows.
補助配線70は、図11や図12に示すように絶縁部64の略全幅にわたって形成され
て各発光素子Eの間隙S1を被覆し、第1実施形態や第2実施形態と同様にコンタクトホ
ールCHと重なり合う。すなわち、補助配線70は、偶数行の各発光素子Eのコンタクト
ホールCHとそのY方向の正側に隣接する奇数行の各発光素子EのコンタクトホールCH
とに重なり合う。換言すると、補助配線70のうち幅方向におけるひとつの周縁(図11
の上方の縁辺)は偶数行の各発光素子Eと各々に対応したコンタクトホールCHとの間隙
に位置し、他方の周縁は奇数行の各発光素子Eと各々に対応したコンタクトホールCHと
の間隙に位置する。
As shown in FIGS. 11 and 12, the
And overlap. In other words, one peripheral edge in the width direction of the auxiliary wiring 70 (FIG. 11).
Is located in the gap between each light emitting element E in the even row and the corresponding contact hole CH, and the other peripheral edge is the gap between each light emitting element E in the odd row and the corresponding contact hole CH. Located in.
補助配線70が形成される位置には製造技術上の理由から誤差が発生する場合がある。
例えば、マスクを介した蒸着(詳細は後述する)によって補助配線70を形成する場合に
は、マスクの寸法の誤差や基板10とマスクとの位置合わせの誤差に起因して補助配線7
0が所期の位置(設計上の位置)とは相違する位置に形成される場合がある。補助配線7
0の位置に誤差がある場合でも補助配線70と発光素子Eとが基板10に垂直な方向から
みて重複しない(すなわち開口率が低下しない)ように、補助配線70の設計上の位置と
その幅方向の両側に隣接する発光素子Eとの各間隙にはスペース(以下「マージン領域」
という)が確保される。
An error may occur at the position where the
For example, when the
In some cases, 0 is formed at a position different from an intended position (designed position). Auxiliary wiring 7
Even if there is an error in the position of 0, the
Is secured).
以上に説明したように、本実施形態においては2行ごとに1本の補助配線70が形成さ
れるから、第1実施形態のように全行および全列の間隙に補助配線70が形成された構成
(例えば図4の構成である。以下「対比構成」という)と比較して、発光領域のうち補助
配線70が形成される領域やマージン領域の総面積が削減される。したがって、本実施形
態によれば、開口率の維持と補助配線70の低抵抗化との両立が容易化されるという利点
がある。すなわち、例えば開口率を対比構成と同等に維持するとすれば、補助配線70の
本数や各々に対応するマージン領域の面積が削減された分だけ各補助配線70の線幅が対
比構成よりも広く確保されるから、各補助配線70の抵抗を低減することが可能となる。
さらに、本実施形態においては偶数行の各発光素子Eの配列とそのY方向の正側に隣接す
る奇数行の各発光素子Eの配列との間隙に両行に対応した多数のコンタクトホールCHが
集中的に配列するから、補助配線70の線幅を増大させることによって補助配線70と各
コンタクトホールCHとを容易に重ね合わせることができる。一方、各補助配線70の線
幅を対比構成と同等に維持するとすれば、発光領域の全体に占める補助配線70やマージ
ン領域の面積が削減される分だけ、各発光素子Eの面積を広く確保して対比構成よりも開
口率を増加させることができる。さらに、発光領域から所期の光量を出射させるために各
発光素子Eに供給すべき電気エネルギ(電流)は開口率の増加によって低減されるから、
電気エネルギの供給に起因した劣化を抑制して発光素子Eが長寿命化されるという利点も
ある。
As described above, in the present embodiment, one
Further, in the present embodiment, a large number of contact holes CH corresponding to both rows are concentrated in the gap between the array of light-emitting elements E in even rows and the array of light-emitting elements E in odd rows adjacent to the positive side in the Y direction. Therefore, by increasing the line width of the
There is also an advantage that the lifetime of the light emitting element E is extended by suppressing deterioration due to the supply of electric energy.
次に、本実施形態に係る発光装置Dを製造する方法のうち補助配線70を形成する工程
について説明する。本実施形態の補助配線70はマスクを利用した蒸着(真空蒸着)によ
って形成される。なお、補助配線70以外の要素の形成には公知である各種の技術が採用
される。
Next, a process of forming the
図13は、補助配線70を形成する工程を説明するための断面図(図12に対応する断
面図)である。図13に示すように、補助配線70の形成に先立って蒸着用のマスク75
が用意される。マスク75は、領域RAが開口するとともにそれ以外の領域RBを遮蔽す
る形状に形成される。領域RAは、補助配線70が形成される領域と対向するようにX方
向に沿って延在するスリット状の領域である。すなわち、領域RAは、偶数行(第i行や
第(i+2)行)とそのY方向の正側に隣接する奇数行(第(i+1)行や第(i+3)行)との間隙S1
に対向する領域(より厳密には間隙S1からマージン領域を除外した領域)である。一方
、領域RBは領域RB1と領域RB2とを含む。領域RB1は各発光素子Eに対向する領域
である。領域RB2は、奇数行(第(i+1)行)とそのY方向の正側の偶数行(第(i+2)行)
との間隙S2に対向する領域である。
FIG. 13 is a cross-sectional view (a cross-sectional view corresponding to FIG. 12) for describing a process of forming the
Is prepared. The
(More strictly speaking, a region excluding the margin region from the gap S1). On the other hand, the region RB includes a region RB1 and a region RB2. The region RB1 is a region facing each light emitting element E. The region RB2 is composed of odd rows ((i + 1) th row) and even rows on the positive side in the Y direction ((i + 2) th row).
Is a region facing the gap S2.
以上のマスク75を利用した蒸着によって補助配線70が形成される。すなわち、図1
3に示すように、発光層66が形成された段階(第2電極62の形成前)の発光装置Dが
真空中に配置され、発光層66と対向するようにマスク75が配置される。そして、第2
電極62よりも抵抗率が低い材料の蒸気Vを選択的に発光層66の表面に付着・堆積させ
ることで補助配線70が図11の形状に形成される。
The
As shown in FIG. 3, the light emitting device D at the stage where the
The
本実施形態の発光装置Dにおいては発光素子Eの2行ごとに1本の補助配線70が形成
されるから、図13に示すように、マスク75の領域RB2は開口させる必要がない。す
なわち、対比構成のように全行の間隙に補助配線70を形成する場合(マスク75の領域
RB2も領域RAと同等の幅寸法にわたって開口する場合)と比較して、マスク75の機
械的な強度を維持することができる。したがって、マスク75の変形(例えば自重による
撓み)に起因した補助配線70の誤差やマスク75の破損を有効に防止することができる
。また、補助配線70の誤差が低減されるから、補助配線70をコンタクトホールCHに
高精度かつ容易に重ね合わせることが可能となる。
In the light emitting device D of the present embodiment, since one
なお、図11においては補助配線70が発光素子Eの短辺(X方向)に沿って延在する
構成を例示したが、図14に示すように、補助配線70が発光素子Eの長辺(Y方向)に
沿って延在する構成も採用される。なお、図14においては、第j列から第(j+3)列まで
の各列に属する3行分の発光素子Eが図示されている。第j列および第(j+2)列は偶数列
であり、第(j+1)列および第(j+3)列は奇数列である。
11 illustrates a configuration in which the
図14に示すように、本実施形態においては複数列(2列)ごとに1本の補助配線70
が形成される。すなわち、第j列と第(j+1)列との間隙S1および第(j+2)列と第(j+3)列と
の間隙S1にはY方向に延在する補助配線70が形成される一方、第(j+1)列と第(j+2)列
との間隙S2に補助配線70は形成されない。また、各補助配線70はその幅方向の両側
に位置する発光素子EのコンタクトホールCHと重なり合う。図14の構成によっても図
11の構成と同様の作用および効果が奏される。
As shown in FIG. 14, in the present embodiment, one
Is formed. That is, the
各発光素子Eを経由した電流が補助配線70に流れ込むまでの区間の抵抗値(以下「陰
極側抵抗」という)は、補助配線70が延在する方向に沿った発光素子Eの寸法W(図1
1および図14参照)に反比例する。図14の構成においては発光素子Eの長辺に沿って
補助配線70が延在するから、発光素子Eの短辺に沿って補助配線70が延在する図11
の構成と比較して寸法Wを拡大することができる。したがって、図14の構成によれば図
11の構成と比較して陰極側抵抗が低減される。これによって第2電極62における電圧
降下が抑制されるから、陰極側抵抗が高い場合と比較して、発光素子Eの駆動に必要な電
源電位Vddを低下させることが可能となる。
The resistance value (hereinafter referred to as “cathode side resistance”) until the current flowing through each light emitting element E flows into the
1 and FIG. 14). In the configuration of FIG. 14, since the
The dimension W can be enlarged as compared with the above configuration. Therefore, according to the configuration of FIG. 14, the cathode-side resistance is reduced compared to the configuration of FIG. As a result, the voltage drop at the
<G:変形例>
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば
以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
<G: Modification>
Various modifications can be made to each of the above embodiments. An example of a specific modification is as follows. In addition, you may combine each following aspect suitably.
(1)第2実施形態(図5・図6)や第4実施形態(図8)においては、コンタクトホー
ルCHの開口領域のうち補助配線70によって覆われない領域A2に遮光層81が重なり
合う構成を例示したが、この構成における遮光層81は適宜に省略され得る。遮光層81
が形成されない構成においては領域A2から不要反射光(第4実施形態においてはさらに
不要放射光)が観察側に出射するが、領域A1における不要反射光や不要放射光は補助配
線70によって遮光されるから、如何なる遮光体もコンタクトホールCHと重なり合わな
い従来の構成と比較すれば、発光領域における光量のムラが抑制されるという所期の効果
は確かに奏される。
(1) In the second embodiment (FIGS. 5 and 6) and the fourth embodiment (FIG. 8), the
In the configuration in which no is formed, unnecessary reflected light (and unnecessary radiated light in the fourth embodiment) is emitted from the region A2 to the observation side, but unnecessary reflected light and unnecessary radiated light in the region A1 are shielded by the
また、第1実施形態(図2・図3)や第3実施形態(図7)のようにコンタクトホール
CHの開口領域の全域と重なり合うように補助配線70が形成された構成であっても、不
要反射光や不要放射光をさらに確実に防止するために、コンタクトホールCHと重なり合
う部分を含む遮光層81が配置されてもよい。以上のように、本発明においては、基板1
0に垂直な方向からみてコンタクトホールCHの一部または全部と重なり合うように補助
配線70が配置された構成であれば足りる。もっとも、コンタクトホールCHに起因した
光量のムラを確実に防止するという観点からすると、コンタクトホールCHよりも広い範
囲にわたって補助配線70を配置した構成が好適である。
Further, even if the
A configuration in which the
(2)第1実施形態および第2実施形態においては、絶縁部64と発光層66とが重なり
合わない構成を例示したが、図15に示すように、発光層66が絶縁部64を覆う構成も
採用される。この構成によれば、絶縁部64によってコンタクトホールCHが埋められた
平坦面の面上に発光層66や第2電極62が形成されるから、コンタクトホールCHの段
差に起因した発光層66や第2電極62の欠損や断線を防止することができる。また、第
1実施形態および第2実施形態と同様に発光層66は凹部611の内側に入り込まないか
ら、発光層66のうちコンタクトホールCHと重なり合う部分は絶縁部64を挟んで第1
電極61から離間する(すなわち電流が流れない)。したがって、図15の構成によれば
、図7や図8の構成のもとで問題となる不要放射光の発生を回避することができる。
(2) In the first embodiment and the second embodiment, the configuration in which the insulating
Separated from the electrode 61 (that is, no current flows). Therefore, according to the configuration of FIG. 15, it is possible to avoid generation of unnecessary radiated light which is a problem under the configurations of FIG. 7 and FIG. 8.
(3)以上の各形態においては発光層66が有機EL材料によって形成される場合を例示
したが、発光層66の材料は適宜に変更される。例えば無機EL材料によって発光層を形
成することもできる。本発明における発光層は、電気エネルギの付与によって発光する発
光材料によって形成されていれば足りる。
(3) In each of the above embodiments, the case where the
<H:応用例>
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図16は、以上に
説明した何れかの形態に係る発光装置Dを表示装置として採用したモバイル型のパーソナ
ルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、表示装
置としての発光装置Dと本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ
2001およびキーボード2002が設けられている。この発光装置Dは発光素子Eに有
機EL材料を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
<H: Application example>
Next, an electronic apparatus using the light emitting device according to the present invention will be described. FIG. 16 is a perspective view showing the configuration of a mobile personal computer that employs the light emitting device D according to any one of the embodiments described above as a display device. The
図17に、何れかの形態に係る発光装置Dを適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電
話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、ならびに
表示装置としての発光装置Dを備える。スクロールボタン3002を操作することによっ
て、発光装置Dに表示される画面がスクロールされる。
FIG. 17 shows a configuration of a mobile phone to which the light emitting device D according to any one of the embodiments is applied. A
図18に、何れかの形態に係る発光装置Dを適用した携帯情報端末(PDA:Personal
Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン40
01および電源スイッチ4002、ならびに表示装置としての発光装置Dを備える。電源
スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置
Dに表示される。
FIG. 18 shows a personal digital assistant (PDA: Personal) to which the light-emitting device D according to any of the forms is applied.
Digital Assistants). The information
01, a
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図16から図18に示し
たもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置
、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、
テレビ電話、POS端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネル
を備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限
定されない。例えば、光書込み型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置において
は、用紙などの記録材に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する書込みヘッドが使
用されるが、この種の書込みヘッドとしても本発明の発光装置は利用される。
Electronic devices to which the light emitting device according to the present invention is applied include those shown in FIGS. 16 to 18, digital still cameras, televisions, video cameras, car navigation devices, pagers, electronic notebooks, electronic papers, calculators. , Word processor, workstation,
Examples include a video phone, a POS terminal, a printer, a scanner, a copying machine, a video player, and a device equipped with a touch panel. Further, the use of the light emitting device according to the present invention is not limited to the display of images. For example, in an image forming apparatus such as an optical writing type printer or an electronic copying machine, a writing head that exposes a photosensitive member according to an image to be formed on a recording material such as paper is used. However, the light emitting device of the present invention is used.
D……発光装置、P……画素、E……発光素子、10……基板、11……選択線、13…
…信号線、15……電源線、70……補助配線、40……ゲート絶縁層、41……第1絶
縁層、42……第2絶縁層、44……反射層、61……第1電極、62……第2電極、6
6……発光層、64……絶縁部、641……開口部、80……基板、81……遮光層。
D: Light emitting device, P: Pixel, E: Light emitting element, 10: Substrate, 11: Selection line, 13 ...
... Signal line, 15 ... Power line, 70 ... Auxiliary wiring, 40 ... Gate insulation layer, 41 ... First insulation layer, 42 ... Second insulation layer, 44 ... Reflection layer, 61 ... First Electrode, 62... Second electrode, 6
6 ... Light emitting layer, 64 ... Insulating part, 641 ... Opening part, 80 ... Substrate, 81 ... Light shielding layer.
Claims (3)
前記スイッチング素子を覆う絶縁層と、
前記絶縁層の面上に形成され、当該絶縁層のコンタクトホールを介して前記スイッチン
グ素子に電気的に接続される第1電極と、
前記第1電極を挟んで前記基板とは反対側に形成された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に介在する発光層と、
前記第2電極よりも抵抗率が低い導電材料によって形成されて当該第2電極に電気的に
接続される配線であって、前記基板に垂直な方向からみて前記絶縁層の前記コンタクトホ
ールと重なり合う部分を含む補助配線と
を具備する発光装置。 A switching element formed on the surface of the substrate;
An insulating layer covering the switching element;
A first electrode formed on a surface of the insulating layer and electrically connected to the switching element through a contact hole of the insulating layer;
A second electrode formed on the opposite side of the substrate across the first electrode;
A light emitting layer interposed between the first electrode and the second electrode;
A wiring formed of a conductive material having a resistivity lower than that of the second electrode and electrically connected to the second electrode, the portion overlapping the contact hole of the insulating layer when viewed from a direction perpendicular to the substrate A light-emitting device comprising: an auxiliary wiring including:
配列した複数の素子群が前記第1方向と交差する第2方向に並列され、
前記補助配線は、前記複数の素子群のうち相互に隣接する第1の素子群と第2の素子群
との間隙にて前記第1方向に延在し、前記第2の素子群に対して前記第1の素子群とは反
対側に隣接する第3の素子群と前記第2の素子群との間隙には形成されない
請求項1に記載の発光装置。 A plurality of element groups in which a plurality of light emitting elements each including the first electrode, the second electrode, and the light emitting layer are arranged in a first direction are juxtaposed in a second direction intersecting the first direction,
The auxiliary wiring extends in the first direction at a gap between a first element group and a second element group adjacent to each other among the plurality of element groups, and the auxiliary wiring extends with respect to the second element group. The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting device is not formed in a gap between a third element group adjacent to the side opposite to the first element group and the second element group.
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