JP2007150254A - 磁気抵抗効果素子、基体、ウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、磁気メモリ素子、および磁気センサアセンブリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、外部磁界に対して磁化方向が固定されたピンド層7と、外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー9層と、ピンド層7とフリー層9とに挟まれた、銅からなるスペーサ層8とを有している。ピンド層7、スペーサ層8、およびフリー層9の各層を膜面垂直方向にセンス電流22が流れるようにされている。フリー層9は、銅を主成分とする非磁性層92a,92bと、非磁性層の両側界面に設けられたコバルト・鉄・ニッケルの三元合金層91a〜91cとを有し、三元合金層の、ニッケルおよび鉄の合計原子分率に対するニッケルの原子分率の比率xは27%≦x≦45%の範囲にある。
【選択図】図2
Description
2 CPP素子
3 上部電極兼シールド
4 下部電極兼シールド
5 バッファー層
6 反強磁性層
7 ピンド層
8 スペーサ層
9 フリー層
91a,91b,91c 三元合金層
92a,92b 非磁性層
10 キャップ層
11 バイアス膜
12 絶縁層
22 センス電流
Claims (13)
- 外部磁界に対して磁化方向が固定されたピンド層と、
前記外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層と、
前記ピンド層と前記フリー層とに挟まれた、銅からなるスペーサ層と、
を有し、
前記ピンド層、前記スペーサ層、および前記フリー層の各層を膜面垂直方向にセンス電流が流れるようにされ、
前記フリー層は、銅を主成分とする非磁性層と、該非磁性層の両側界面に設けられたコバルト・鉄・ニッケルの三元合金層と、を有し、
前記三元合金層の、ニッケルおよび鉄の合計原子分率に対するニッケルの原子分率の比率xは27%≦x≦45%の範囲にある、
磁気抵抗効果素子。 - ニッケル、鉄、およびコバルトの合計原子分率に対するコバルトの合計原子分率の比率yは42%≦y≦76%の範囲にある、請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記比率yは52%≦y≦65%の範囲にある、請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記フリー層は、1層の前記非磁性層と、該非磁性層の両側界面に設けられた2つの前記三元合金層とからなり、
前記各三元合金層の膜厚tは、1.3nm≦t≦3.5nmの範囲にある、
請求項1から3のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記フリー層は、2つの前記非磁性層と、各非磁性層の両側界面に設けられた合計3つの前記三元合金層と、からなり、
前記各三元合金層の膜厚tは、1.3nm≦t≦2.3nmの範囲にある、
請求項1から3のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記各三元合金層の膜厚tは、1.6nm≦t≦2.3nmの範囲にある、請求項5に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記フリー層は、3つ以上の前記非磁性層と、各非磁性層の両側界面に設けられた前記三元合金層とを有する、請求項1から3のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。
- 請求項1から7のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子を備えた基体。
- 請求項8に記載の基体の製造に用いる、少なくとも1つの薄膜磁気変換素子が設けられたウエハ。
- 請求項8に記載の基体を含み、記録媒体に対向して配置されるスライダと、
前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと、
を有するヘッドジンバルアセンブリ。 - 請求項8に記載の基体を含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向して配置されるスライダと、
前記スライダを支持するとともに、前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、
を有するハードディスク装置。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載の複数の磁気抵抗効果素子と、
前記複数の磁気抵抗効果素子に接続され、前記複数の磁気抵抗効果素子の任意の一つに選択的に情報を書込み、または任意の一つから選択的に情報を読出す配線部と、
を有する磁気メモリ素子。 - 請求項1から7のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子が設けられた基板と、
前記磁気抵抗効果素子に接続され、該磁気抵抗効果素子で検出した前記外部磁界の磁気情報を出力するリード線と、
を有する磁気センサアセンブリ。
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