JP2007149812A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化シリコン(素子分離領域12、サイドウォール18、19等)と表面に自然酸化膜21、22が形成されたシリコン系材料(シリコン基板11)とが露出された状態で自然酸化膜21、22を除去する工程と、自然酸化膜21、22が除去されたシリコン系材料(シリコン基板11)をエッチング加工する工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、自然酸化膜21、22を除去する工程は、エッチングガスにフッ化水素とアンモニアとを用いたドライエッチングにより行うことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
Claims (6)
- 酸化シリコンと表面に自然酸化膜が形成されたシリコン系材料とが露出された状態で前記自然酸化膜を除去する工程と、
前記自然酸化膜が除去された前記シリコン系材料をエッチング加工する工程と
を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記自然酸化膜を除去する工程は、
エッチングガスにフッ化水素とアンモニアとを用いたドライエッチングにより行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記エッチングは反応性イオンエッチングからなる
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記自然酸化膜を除去する工程の前に、
酸化シリコンで形成された素子分離領域により素子形成領域が区画された前記シリコン系材料からなる基体の前記素子形成領域上にゲート絶縁膜を介して上部にハードマスクを備えたゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の両側に少なくとも表面が酸化シリコン膜からなるサイドウォールスペーサを形成する工程とを備え、
前記シリコン系材料をエッチング加工する工程は、前記サイドウォールスペーサおよび前記ゲート電極上のハードマスクをマスクにして前記シリコン系材料からなる基体の一部をエッチングにより除去する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記エッチングにより除去した領域にシリコン合金層を形成する工程
を備えたことを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。 - 前記自然酸化膜を除去する工程の前に、
基板上に形成されたシリコン系材料からなるパターンを酸化シリコン膜で被覆した後、前記酸化シリコン膜表面に前記パターン表面を露出させる工程とを備え、
前記パターン表面に形成された自然酸化膜を除去する工程と、
前記シリコン系材料をエッチング加工する工程は、前記パターンを除去する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記パターンを除去した領域にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程
を備えたことを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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JP (1) | JP4946017B2 (ja) |
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