JP2007147376A - 検査装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 下地層の影響を受けずに最上層の欠陥を適切に検出可能な検査装置を提供する。
【解決手段】 被検物体10Aから発生した光から、検査用の画像を取り込む取込手段15,17と、検査用画像から被検物体の各部の欠陥を異なる感度で検出する処理手段17とを備える。
【選択図】 図1

Description

本発明は、被検物体の欠陥検査を行う検査装置に関する。
被検物体からの光(例えば回折光など)に基づいて検査用の画像を取り込み、この画像を利用して被検物体の最上層の欠陥検査を行う装置が知られている。この検査装置では、画像から欠陥を検出する際に、検査対象領域の各部を全面均一な感度で処理することが一般的である(例えば特許文献1を参照)。
特開2001−236493号公報
しかし、検査用の画像には、被検物体の最上層に関わる情報の他、下地層に関わる情報も含まれている。さらに、最上層(または下地層)の情報が含まれる割合は、画像の場所ごとに異なっている。最上層の欠陥検査においては、下地層の情報はノイズとして働くため、最上層の情報が含まれる割合が小さい場所では、感度を下げないと誤検出の恐れがある。このため、上記のように全面均一な感度で画像処理を行うと、最上層の情報が含まれる割合が小さい場所に合わせて感度を低く設定しなければならず、最上層の情報が含まれる割合が高い場所でも高い感度で検査ができなかった。
本発明の目的は、下地層の影響を受けずに最上層の欠陥を適切に検出可能な検査装置を提供することにある。
本発明の検査装置は、被検物体から発生した光から検査用の画像を取り込む取込手段と、前記画像から前記被検物体の各部の欠陥を異なる感度で検出する処理手段とを備えたものである。
また、前記処理手段は、前記画像に基づいて前記被検物体の最上層の欠陥を検出することが好ましい。
また、前記処理手段は、前記被検物体の各部の欠陥を、前記被検物体から発生した光のうち前記最上層からの光の割合に応じた感度でそれぞれ検出することが好ましい。
また、前記処理手段は、前記被検物体の各部の欠陥を、前記被検物体の最上層のパターン情報に応じた感度でそれぞれ検出することが好ましい。
また、前記パターンの情報は、前記被検物体の各部における前記パターンの粗密に関わる情報であることが好ましい。
また、前記粗密に関わる情報は、前記被検物体の各部における前記パターンの総面積に関わる情報であることが好ましい。
また、前記粗密に関わる情報は、前記被検物体の各部における前記パターンの総エッジ長さに関わる情報であることが好ましい。
また、前記パターンの情報は、前記画像の各画素に対応する前記被検物体の各微小領域ごとの情報であり、前記設定手段は、前記パターンの情報に基づいて、前記画像の各画素ごとに前記感度を設定することが好ましい。
また、前記最上層のパターンの露光に関わるレチクルの情報に基づいて、前記パターンの情報を生成する生成手段をさらに備えることが好ましい。
また、前記検査用の画像よりも解像度の高い前記被検物体の画像に基づいて、前記パターンの情報を生成する生成手段をさらに備えることが好ましい。
本発明の検査装置によれば、下地層の影響を受けずに最上層の欠陥を適切に検出することができる。
以下、図面を用いて本発明の実施形態を詳細に説明する。
本実施形態の検査装置10は、図1に示す通り、被検物体10Aを支持するステージ11と、照明部(12,13)と、撮像部(14,15)と、解析部16と、画像処理部17と、制御部18と、表示部19とで構成される。制御部18は、検査装置10の各部をシーケンス制御して被検物体10Aの欠陥検査を行い、検出した欠陥の表示・印刷・外部への送信などを制御する。
被検物体10Aは、半導体ウエハや液晶ガラス基板などであり、その最上層に繰り返しパターン(配線パターンなどのライン・アンド・スペース状のパターン)がレジストで形成されている。
被検物体10Aの一例を図2(a)に示す。また、被検物体10Aの各ショット領域20を拡大して図2(b)に示す。図2の例では、各ショット領域20の中の一部の領域21,22に最上層の繰り返しパターン1A,2Aが形成され、残りの領域23は最上層の無い(つまり下地層が露出した)領域となっている。なお、繰り返しパターン1A,2Aの領域21,22でも最上層の下方には下地層が形成され、各ライン部の間(つまりスペース部)に下地層が露出している。
検査装置10において、照明部(12,13)は、光源12と球面鏡13とで構成される。制御部18によって光源12が点灯されると、照明部(12,13)は、所定波長の照明光によって斜め方向から被検物体10Aを照明する。このとき、被検物体10Aの最上層の繰り返しパターン1A,2Aから所定の方向に正反射光や回折光や散乱光など(以下「信号光」)が発生する。さらに、照明光の一部は最上層を透過して(または透過せずに)下地層に到達するため、下地層からの光(以下「ノイズ光})も上記の信号光に混じって発生する。
被検物体10Aの各部から発生した光のうち、最上層の繰り返しパターン1A,2Aからの信号光の割合(または下地層からのノイズ光の割合)は、被検物体10Aの場所ごとに異なる。例えば、領域21のように繰り返しパターン1Aが密に形成されている場所では、領域22のように繰り返しパターン2Aが疎に形成されている場所と比較して、信号光の割合が高い(ノイズ光の割合が低い)。また、領域23のように最上層の無い(下地層が露出した)場所では、信号光が発生せず、ノイズ光のみとなる。
撮像部(14,15)は、球面鏡14とCCDカメラなどの撮像装置15とで構成される。被検物体10Aが照明されたとき、球面鏡14は、被検物体10Aの各部から発生した光(上記の信号光およびノイズ光)を集光して、不図示のレンズにより撮像装置の上に物体像を形成する。また、撮像装置15は、その物体像を制御部18のタイミング制御にしたがって撮像した後、画像処理部17に撮像信号を出力する。
画像処理部17は、撮像装置15からの撮像信号に基づいて、被検物体10Aの画像を検査用の画像として取り込む。検査用の画像は、被検物体10Aの比較的広い領域(全領域または一部領域)の画像であり、マクロ画像とも呼ばれる。なお、この画像は、必要に応じて、画像処理部17から制御部18を介して表示部19に表示される。表示部19は例えばCRTや液晶ディスプレイなどである。
画像処理部17は、検査用の画像を取り込むと、この画像に基づいて被検物体10Aの欠陥を検出する。例えば、検査用の画像の各部において、隣接するショットとの明暗差(コントラスト差)を求め、この明暗差が予め定めた閾値よりも大きければ「欠陥」と判定し、閾値よりも小さければ「正常」と判定する。また、正常なウエハの画像との比較から欠陥を求めても構わない。予め正常なウエハからの画像を取り込んでおき、正常なウエハの画像の輝度と、検査用の画像の輝度を比較し、所定の値以上、輝度に差がある領域を「欠陥」と判定し、輝度の差が所定値よりも小さければ「正常」と判断する。最上層の欠陥とは、最上層の膜厚ムラや、繰り返しパターン1A,2Aの露光時のデフォーカスに起因するパターン欠陥や塵などに起因する欠陥などである。
ところで、上記した通り、撮像装置15には、被検物体10Aの最上層からの信号光に混じって下地層からのノイズ光も入射する。このため、画像処理部17が取り込んだ検査用の画像には、被検物体10Aの最上層に関わる情報の他、下地層に関わる情報も含まれる。また、被検物体10Aからの光に含まれる信号光の割合(またはノイズ光の割合)は、被検物体10Aの場所ごとに異なる。このため、検査用の画像において、最上層(または下地層)の情報が含まれる割合は、画像の場所ごとに異なる。
例えば、被検物体10Aのショット領域20(図2(a),(b))に対応する画像30(図2(c))には、ショット領域20内の領域21〜23の各々に対応して領域31〜33が現れ、領域31〜33ごとに最上層(または下地層)の情報が含まれる割合は異なる。最上層の情報の割合は、領域21(繰り返しパターン1Aが密な場所)に対応する領域31で最も高く、領域22(繰り返しパターン2Aが疎な場所)に対応する領域32では少し低下する。また、領域23(最上層の無い場所)に対応する領域33では、最上層の情報を全く含まず、下地層の情報がそのまま画像となる。
このような場合でも、下地層の影響を受けずに最上層の欠陥を適切に検出するために、本実施形態の検査装置10では、画像処理部17における上記の画像処理(明暗差の算出や閾値との比較など)の際、検査用の画像において最上層(または下地層)の情報が含まれる割合に応じた異なる感度で、その画像の各部を処理する。
画像処理(明暗差の算出や閾値との比較など)の際に用いる感度の一例を定性的に説明すると、最上層の情報の割合が最も高い(下地層の情報の割合が最も低い)領域31では、その各部の処理を最も高い感度(例えば感度=1)で行う。つまり、領域31の各部の明暗差と比較して欠陥/正常を判定する際の閾値を最も小さくする。
さらに、領域31と比較して最上層の情報の割合が低い(下地層の情報の割合が高い)領域32では、その各部の処理を領域31より低い感度(例えば0<感度<1)で行う。つまり、領域32の各部の明暗差と比較して欠陥/正常を判定する際の閾値を領域31より大きくする。
また、最上層の情報を全く含まない(下地層の情報からなる)領域33では、その各部の処理を最も低い感度(例えば感度=0)で行う。つまり、領域33の各部の明暗差と比較して欠陥/正常を判定する際の閾値を最も大きくする。
そして、検査用の画像の領域31〜33ごとに、最上層(または下地層)の情報が含まれる割合に応じた感度(閾値)で各部の処理を行って、その閾値より明暗差が大きい場合には「欠陥」と判定し、閾値より明暗差が小さい場合には「正常」と判定する。
このため、最上層の情報の割合が最も高い(下地層の情報の割合が最も低い)領域31では、明暗差の微小な欠陥から明暗差の比較的大きな欠陥まで検出可能となる。
また、最上層の情報の割合が低い(下地層の情報の割合が高い)領域32では、下地層からの信号(ノイズ)と同程度の明暗差の微小な欠陥(画像ムラ)を無視して、明暗差が中程度の欠陥から比較的大きな欠陥まで検出可能となる。
さらに、最上層の情報を全く含まない(下地層の情報からなる)領域33では、様々な大きさの明暗差(画像ムラ)が存在しても、これらは下地層のムラに起因するため、その全てを無視する。
このように、本実施形態の検査装置10では、検査用の画像の領域31〜33ごとに最上層(または下地層)の情報が含まれる割合が異なっても、その割合に応じた感度で画像処理を行うため、下地層の影響を受けずに最上層の欠陥を領域ごとに可能な最も高い感度で検出することができる。つまり、下地層のムラを最上層の欠陥として誤検出することを回避でき、最上層の欠陥を検出し損ねることも回避できる。
また、本実施形態の検査装置10では、被検物体10Aの各部(例えば図2(a),(b)の領域21〜23)における最上層の繰り返しパターン1A,2Aの情報が、予め解析部16に保存されており、解析部16から画像処理部17に入力される。そして、画像処理部17は、解析部16から入力した情報に基づいて、検査用の画像の各部(例えば図2(c)の領域31〜33)における画像処理の感度を設定する。したがって、下地層の膜厚ムラなどによるノイズ光があっても、その影響を受けずに最上層の欠陥を適切に検出することができる。
なお、以上の説明では、「繰り返しパターン」という表現を用いたが、明確な繰り返しのないランダムなパターンであっても、パターン密度に応じた信号が出るので、本発明の検査は可能である。
(パターンの有無に関わる情報)
最上層の繰り返しパターン1A,2Aの情報は、例えば、繰り返しパターン1A,2Aの有無に関わる情報である。このような情報が解析部16から画像処理部17に入力された場合、画像処理部17では、繰り返しパターン1A,2Aのある領域21,22に対応する画像上での領域31,32において感度を高く設定し(例えば感度=1)、また、繰り返しパターンのない領域23に対応する画像上での領域33において感度を低く設定する(例えば感度=0)。したがって、許容範囲の製造バラツキにより下地層の状態が変わっても、その影響を受けずに最上層の欠陥を適切に検出することができる。
(パターンの粗密に関わる情報)
さらに、最上層の繰り返しパターン1A,2Aの情報は、例えば、繰り返しパターン1A,2Aの粗密に関わる情報としてもよい。このような情報が解析部16から画像処理部17に入力された場合、画像処理部17では、繰り返しパターン1Aが密な領域21に対応する画像上での領域31において感度を高く設定し(例えば感度=1)、また、繰り返しパターン2Aが疎な領域22に対応する画像上での領域32において感度を少し低く設定し(例えば0<感度<1)、また、繰り返しパターンのない領域23に対応する画像上での領域33において感度を最低のレベルに設定する(例えば感度=0)。したがって、下地層の影響を受けずに最上層の欠陥を適切に検出することができる。また、繰り返しパターン1A,2Aの粗密に関わる情報を用いる方が、有無に関わる情報を用いるより、検査品質が向上する。
(パターンの総面積に関わる情報)
繰り返しパターン1A,2Aの粗密に関わる情報としては、例えば、繰り返しパターン1A,2Aの総面積に関わる情報を用いることができる。ここで、繰り返しパターン1Aの総面積とは、領域21における繰り返しパターン1Aのライン部の面積の総和である。また、繰り返しパターン2Aの総面積とは、領域22における繰り返しパターン2Aのパターン部の面積の総和である。
繰り返しパターン1Aの総面積に関わる情報は、領域21の面積S21に対する繰り返しパターン1Aの総面積S1Aの比(面積比S1A/S21)とすればよい。または、領域21における繰り返しパターン1Aのスペース部(つまり下地層の露出部分)の面積の総和S1A'を求め、この総和S1A'対する上記の総面積S1Aの比(面積比S1A'/S21)としてもよい。繰り返しパターン2Aの総面積に関わる情報も同様である。また、繰り返しパターンのない領域23では、面積比=0となる。
そして、繰り返しパターン1A,2Aの総面積に関わる情報(例えば面積比S1A/S21)が、解析部16から画像処理部17に入力された場合、画像処理部17では、例えば面積比S1A/S21≧0.5の領域に対応する画像上での領域において感度を高く設定し(例えば感度=1)、面積比S1A/S21<0.5の領域に対応する画像上での領域において感度を低く設定する(例えば感度=0)。したがって、下地層の影響を受けずに最上層の欠陥を適切に検出することができる。パターンの総面積に関わる情報は、最上層の膜厚ムラの検出に好適である。このとき、被検物体10Aからの正反射光を取り込むことが好ましい。
(パターンの総エッジ長さに関わる情報)
その他、繰り返しパターン1A,2Aの粗密に関わる情報としては、例えば、繰り返しパターン1A,2Aの総エッジ長さに関わる情報を用いてもよい。ここで、繰り返しパターン1Aの総エッジ長さとは、領域21における繰り返しパターン1Aのライン部のエッジ長さの総和である。また、繰り返しパターン2Aの総エッジ長さとは、領域22における繰り返しパターン2Aのライン部のエッジ長さの総和である。
繰り返しパターン1Aの総エッジ長さに関わる情報は、予め定めた基準のエッジ長さに対する繰り返しパターン1Aの総エッジ長さの比とすればよい。または、繰り返しパターン1Aの総エッジ長さ自体を、総エッジ長さに関わる情報としてもよい。繰り返しパターン2Aの総エッジ長さに関わる情報も同様である。また、繰り返しパターンのない領域23では、総エッジ長さに関わる情報=0となる。
そして、繰り返しパターン1A,2Aの総エッジ長さに関わる情報が、解析部16から画像処理部17に入力された場合、画像処理部17では、例えば総エッジ長さが所定値以上の領域に対応する画像上での領域において感度を高く設定し(例えば感度=1)、総エッジ長さが所定値より小さい領域に対応する画像上での領域において感度を低く設定する(例えば感度=0)。したがって、下地層の影響を受けずに最上層の欠陥を適切に検出することができる。パターンの総エッジ長さに関わる情報は、露光時のデフォーカスに起因するパターン欠陥の検出に好適である。このとき、被検物体10Aからの回折光を取り込むことが好ましいが、回折光はパターンエッジが多いほど強く出る傾向がある。
(パターンの情報の他の例)
繰り返しパターン1A,2Aの粗密に関わる情報としては、上記の総面積や総エッジ長さに関わる情報の他、パターン数に関わる情報を用いてもよい。
また、繰り返しパターン1A,2Aの情報は、被検物体10Aの領域21〜23ごとの情報としてもよいが、被検物体10Aを複数の微小領域に分解して考えたときの各微小領域ごとの局所的な情報としてもよい。
各微小領域は、例えば一辺が1mm程度の領域とすればよく、さらに細かくすることが好ましい。さらに細かくする場合、検査用の画像の各画素(すなわち撮像装置15の各画素)に対応するサイズ(例えば一辺が500μm程度の領域)とすれば、装置性能を最大にすることができる。
繰り返しパターン1A,2Aの情報が被検物体10Aの各微小領域ごとの情報である場合、このような情報が解析部16から画像処理部17に入力されると、画像処理部17では、被検物体10Aの各微小領域に対応する画像上での各微小領域ごとに感度の設定を行う。例えば、被検物体10Aの各微小領域の一辺が1mm程度の場合、画像上での3×3画素を含む各微小領域ごとに感度の設定が行われる。さらに、被検物体10Aの各微小領域の一辺が330μm程度の場合、画像の各画素ごとに感度の設定が行われる。したがって、検査品質が向上する。
(パターンの情報の生成)
上記したような様々なパターンの情報は、解析部16において、被検物体10Aの最上層の繰り返しパターン1A,2Aの露光に関わるレチクルの情報に基づいて生成することができる。レチクルの情報とは、被検物体10Aのショット領域20に対応するパターンのCAD情報(設計情報)であり、ショット領域20内の繰り返しパターン1A,2Aの領域の位置および寸法やパターン密度情報などの情報を含む。
レチクルの情報に基づいて被検物体10Aの各微小領域ごとにパターンの情報を生成するためには、レチクルのパターン領域を必要なサイズの微小領域に分割して、各微小領域ごとにパターンの面積比などを求め、パターンの情報を数値化すればよい。解析部16にて生成されたパターンの情報は、欠陥検査の際、画像処理部17に出力される。このように、レチクルの情報に基づいて最上層のパターンの情報を生成する場合、被検物体10Aの各微小領域の分割サイズを小さく(例えば画像の各画素に対応するサイズに)しても、正確にパターンの情報を生成することができる。
また、レチクルの情報に限らず、検査用の画像よりも解像度の高い被検物体10Aの他の画像(少なくとも1つのショット領域20を含む画像)に基づいて、パターンの情報を生成してもよい。高解像度な画像としては、ショット領域20内の繰り返しパターン1A,2Aのエッジが鮮明に現れるものを用いることが好ましい。例えば、検査装置10の周囲に設けられる不図示のアライメント光学系や他の顕微鏡光学系などを利用し、少なくとも1つのショット領域20の顕微鏡画像を取り込み、これを上記の高解像度な画像として用いることが考えられる。
高解像度な画像(顕微鏡画像など)に基づいて被検物体10Aの各微小領域ごとにパターンの情報を生成するためには、その画像のパターン領域を必要なサイズの微小領域に分割して、各微小領域ごとにパターンの面積比などを求め、パターンの情報を数値化すればよい。このように、高解像度な画像を用いることで、レチクルの情報が検査工程になくても、最上層のパターンの情報を生成することができる。
検査装置10の全体構成を示す図である。 被検物体10Aの一例を示す図(a)と、各ショット領域20を拡大して示す図(b)と、ショット領域20に対応する画像30を説明する図(c)である。
符号の説明
10検査装置 ; 10A被検物体 ; 12光源 ; 13,14球面鏡 ; 15撮像装置 ;
16解析部 ; 17画像処理部 ; 18制御部 ; 1A,2A繰り返しパターン ; 30画像

Claims (10)

  1. 被検物体から発生した光から検査用の画像を取り込む取込手段と、
    前記画像から前記被検物体の各部の欠陥を異なる感度で検出する処理手段とを備えた
    ことを特徴とする検査装置。
  2. 請求項1に記載の検査装置において、
    前記処理手段は、前記画像に基づいて前記被検物体の最上層の欠陥を検出する
    ことを特徴とする検査装置。
  3. 請求項2に記載の検査装置において、
    前記処理手段は、前記被検物体の各部の欠陥を、前記被検物体から発生した光のうち前記最上層からの光の割合に応じた感度でそれぞれ検出する
    ことを特徴とする検査装置。
  4. 請求項2に記載の検査装置において、
    前記処理手段は、前記被検物体の各部の欠陥を、前記被検物体の最上層のパターン情報に応じた感度でそれぞれ検出する
    ことを特徴とする検査装置。
  5. 請求項4に記載の検査装置において、
    前記パターンの情報は、前記被検物体の各部における前記パターンの粗密に関わる情報である
    ことを特徴とする検査装置。
  6. 請求項5に記載の検査装置において、
    前記粗密に関わる情報は、前記被検物体の各部における前記パターンの総面積に関わる情報である
    ことを特徴とする検査装置。
  7. 請求項5に記載の検査装置において、
    前記粗密に関わる情報は、前記被検物体の各部における前記パターンの総エッジ長さに関わる情報である
    ことを特徴とする検査装置。
  8. 請求項4ら請求項7の何れか1項に記載の検査装置において、
    前記パターンの情報は、前記画像の各画素に対応する前記被検物体の各微小領域ごとの情報であり、
    前記処理手段は、前記パターンの情報に基づいて、前記画像の各画素ごとに前記感度を設定する
    ことを特徴とする検査装置。
  9. 請求項4から請求項8の何れか1項に記載の検査装置において、
    前記最上層のパターンの露光に関わるレチクルのパターン情報に基づいて、前記パターンの情報を生成する生成手段をさらに備えた
    ことを特徴とする検査装置。
  10. 請求項4から請求項8の何れか1項に記載の検査装置において、
    前記検査用の画像よりも解像度の高い前記被検物体の画像に基づいて、前記パターンの情報を生成する生成手段をさらに備えた
    ことを特徴とする検査装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010117132A (ja) * 2008-10-16 2010-05-27 Topcon Corp ウェハのパターン検査方法及び装置
JP2012518278A (ja) * 2009-02-13 2012-08-09 ケーエルエー−テンカー コーポレイション ウェハー上の欠陥検出
JP2013502562A (ja) * 2009-08-17 2013-01-24 ナンダ テクノロジーズ ゲーエムベーハー 半導体ウェハの検査及び処理方法
JP2018028527A (ja) * 2016-08-16 2018-02-22 リコーエレメックス株式会社 検査システム

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6352434A (ja) * 1986-08-22 1988-03-05 Hitachi Ltd ウエ−ハ外観検査装置
JPS63126242A (ja) * 1986-11-17 1988-05-30 Hitachi Ltd 外観検査方法および装置
JPH05264463A (ja) * 1992-03-17 1993-10-12 Hitachi Ltd パターン検査方法及び装置
JPH06347412A (ja) * 1993-06-08 1994-12-22 Nikon Corp 異物検査方法及び装置
JP2002244275A (ja) * 2001-02-15 2002-08-30 Toshiba Corp フォトマスクの欠陥検査方法、フォトマスクの欠陥検査装置及び記録媒体
JP2002303587A (ja) * 2001-04-03 2002-10-18 Nec Kansai Ltd 外観検査方法及び装置
JP2003215060A (ja) * 2002-01-22 2003-07-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd パターン検査方法及び検査装置
JP2005310833A (ja) * 2004-04-16 2005-11-04 Olympus Corp 基板検査装置および方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6352434A (ja) * 1986-08-22 1988-03-05 Hitachi Ltd ウエ−ハ外観検査装置
JPS63126242A (ja) * 1986-11-17 1988-05-30 Hitachi Ltd 外観検査方法および装置
JPH05264463A (ja) * 1992-03-17 1993-10-12 Hitachi Ltd パターン検査方法及び装置
JPH06347412A (ja) * 1993-06-08 1994-12-22 Nikon Corp 異物検査方法及び装置
JP2002244275A (ja) * 2001-02-15 2002-08-30 Toshiba Corp フォトマスクの欠陥検査方法、フォトマスクの欠陥検査装置及び記録媒体
JP2002303587A (ja) * 2001-04-03 2002-10-18 Nec Kansai Ltd 外観検査方法及び装置
JP2003215060A (ja) * 2002-01-22 2003-07-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd パターン検査方法及び検査装置
JP2005310833A (ja) * 2004-04-16 2005-11-04 Olympus Corp 基板検査装置および方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010117132A (ja) * 2008-10-16 2010-05-27 Topcon Corp ウェハのパターン検査方法及び装置
JP2012518278A (ja) * 2009-02-13 2012-08-09 ケーエルエー−テンカー コーポレイション ウェハー上の欠陥検出
JP2013502562A (ja) * 2009-08-17 2013-01-24 ナンダ テクノロジーズ ゲーエムベーハー 半導体ウェハの検査及び処理方法
US8778702B2 (en) 2009-08-17 2014-07-15 Nanda Technologies Gmbh Method of inspecting and processing semiconductor wafers
JP2018028527A (ja) * 2016-08-16 2018-02-22 リコーエレメックス株式会社 検査システム

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