JP2007128946A - 有機トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機半導体を覆うようにして第1の封止層が設けられ、該第1の封止層を覆うようにして第2の封止層が設けられたトランジスタであって、第1の封止層が、体積抵抗が1×1012Ωcm以上の含フッ素化合物からなることを特徴とする有機トランジスタである。
第1の封止層材料は有機半導体と接することから、有機半導体へダメージを与えない材料が良く、含フッ素化合物が好適である。
また、体積抵抗が1×1012Ωcm以上であれば、1.2×104以上の良好なON/OFF比を保持する有機トランジスタが得られる。
【選択図】図1
Description
さらに詳しくは、印刷法でプラスチックフィルム基材に形成する有機トランジスタおよびその製造方法に関する。
一般的にTFTを作製する際の金属、半導体および絶縁体を成膜する工程は、高温処理を伴うため、使用する基板には耐熱性が必要であり、石英ガラスや耐熱ガラスが用いられている。
現在、TFTの基板として用いられている石英ガラスや耐熱ガラスは、耐熱性に優れるが重く割れやすい欠点がある。
TFTを軽量化、薄型化するために、ガラス基板などに代えて、プラスチックフィルムを基板として用いたTFTの作製が試みられている。
一方、一般的なプラスチックのガラス転移温度(Tg)は200℃以下である。
また、ポリビニルアルコール封止層を形成した有機半導体の、経時での特性劣化が確認されている。
前記第1の封止層が、体積抵抗が1×1012Ωcm以上の含フッ素化合物からなることを特徴とする有機トランジスタである。
第1の封止層材料は有機半導体と接することから、有機半導体へダメージを与えない材料が良く、含フッ素化合物が好適である。
また、体積抵抗が1×1012Ωcm以上であれば、1.2×104以上の良好なON/OFF比を保持する有機トランジスタが得られる(図3参照)。
第2の封止層に電磁波硬化樹脂、熱硬化樹脂、2液硬化樹脂を用いることにより、有機半導体を酸素や水蒸気から保護することができる。
また、第2の封止層に電磁波硬化樹脂、熱硬化樹脂、2液硬化樹脂を用いることにより、有機半導体上に表示素子を作製する際の物理的ダメージから、有機半導体を保護することができる。
前記第1の封止層形成工程が、含フッ素系の溶媒に前記第一の封止層を溶解して、前記有機半導体上に塗布法もしくは印刷法により形成することを特徴とする有機トランジスタの製造方法である。
印刷方法は凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、反転オフセット印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法、熱転写印刷法、ディスペンサ法などを用いることができる。
印刷方法は凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、反転オフセット印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法、熱転写印刷法、ディスペンサ法などを用いることができる。
また、有機溶媒への溶解性を有する低分子物質、例えば、ペンタセンなどの多環芳香族の誘導体、フタロシアニン誘導体、ペリレン誘導体、テトラチアフルバレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、フラーレン類、カーボンナノチューブ類などを用いても良い。
これらは、全フッ素置換されたペルフルオロ体でもよく、フッ素置換残部を塩素などで置換したものでもよい。
さらにトリフロロメタン置換基などを有していてもよい。
これらは全フッ素置換されたペルフルオロ体でもよく、フッ素置換残部を塩素などで置換したものでもよい。
また、これらを2種以上混合して使用してもよい。
第1の封止層7の体積抵抗は、1012Ωcm以上が好ましく、より好ましくは1014Ωcm以上、さらに好ましくは1016Ωcm以上である。
第1の封止層7の体積抵抗が1012Ωcmより小さいと、有機半導体4に接している第1の封止層7にソース電極4およびドレイン電極5の間にオフ電流が生じてしまう。
また、可視光やUV、EBなどの電磁波によって硬化させる可視光硬化樹脂、UV硬化樹脂、EB硬化樹脂もしくは、熱によって硬化する熱硬化樹脂を用いることもできる。
次に、ゲート電極を覆うようにゲート絶縁剤インク(Aldrich社製ポリビニルフェノールのIPA溶液)をダイコート法にて塗布し、180℃の熱処理を行ってゲート絶縁膜を形成した。
次に、ゲート絶縁膜上に銀ペーストをスクリーン印刷し、150℃の熱処理を行ってソース電極およびドレイン電極を形成した。
さらに、9,9−ジオクチルフルオレンコビチオフェン溶液をインクジェット印刷し、有機半導体を形成した。
次に、有機半導体上にフッ素樹脂(旭硝子社製サイトップCTL−809M)をディスペンサで滴下し、真空下、90℃で1時間乾燥させて第1の封止層を形成した。
最後に、可視光硬化性樹脂(スリーボンド社製、3170B)をディスペンサで滴下し、光硬化させて第2の封止層を形成し、有機トランジスタを得た。
第1の封止層と第2の封止層を形成しない他は、実施例1と全く同様に素子を作製し、実施例2と同様の処理を行い評価した。
第1の封止層をPVA(ポリビニルアルコール)とした他は、実施例1と全く同様に素子を作製し、実施例2と同様の処理を行い評価した。
なお、第1の封止層は、PVA水溶液(クラレ社製ポバール205の水溶液)をディスペンサで塗布し真空下90℃で1時間乾燥させて形成した。
第1の封止層としてPVP(ポリビニルフェノール)を用いた他は、実施例1と全く同様に素子を作製し、実施例2と同様の処理を行い評価した。
なお、第1の封止層は、PVP溶液(Aldrich社製PVPの2−buthanol溶液)をディスペンサで塗布し真空中90℃で1時間乾燥させて第1の封止層を形成した。
第1の封止層として可視光硬化性樹脂を用いた他は、実施例1と全く同様に素子を作製し、実施例2と同様の処理を行い評価した。
なお、第1の封止層は、可視光硬化性樹脂(スリーボンド社製可視光硬化性樹脂、3170B)をディスペンサで塗布し光硬化させて形成した。
第1の封止層としてメトキシメチル化ナイロンを用いた他は、実施例1と全く同様に素子を作製し、実施例2と同様の処理を行い評価した。
なお、第1の封止層は、メトキシメチル化ナイロン溶液(ナガセケムテックス社製、メトキシメチル化ナイロン)をディスペンサで塗布し真空下90℃で1時間乾燥させて形成した。
第1の封止層としてフッ素樹脂を用いた他は、実施例1と全く同様に素子を作製し、実施例2と同様の処理を行い評価した。
なお、第1の封止層は、フッ素樹脂のフッ素系溶媒溶液(住友スリーエム社製、ノベックEGC−1700 体積抵抗値1010Ωcm)をディスペンサで塗布し真空下90℃で1時間乾燥させて形成した。
周知の方法により得た、有機トランジスタのON/OFF比、I−Vカーブの飽和領域から算出した電界効果移動度を表1に示した。
2・・・・ゲート電極
3・・・・ゲート絶縁膜
4・・・・ソース電極
5・・・・ドレイン電極
6・・・・有機半導体
7・・・・第1の封止層
8・・・・第2の封止層
9・・・・表示体
Claims (4)
- 有機半導体を覆うようにして第1の封止層が設けられ、該第1の封止層を覆うようにして第2の封止層が設けられたトランジスタであって、
前記第1の封止層が、体積抵抗が1×1012Ωcm以上の含フッ素化合物からなることを特徴とする有機トランジスタ。 - 前記第2の封止層が、電磁波硬化樹脂、熱硬化樹脂、2液硬化樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の有機トランジスタ。
- 前記有機半導体が、プラスチックフィルム基板上に形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機トランジスタ。
- 有機半導体を覆うように第1の封止層を形成する第1の封止層形成工程と、前記第1の封止層を覆うように第2の封止層を形成する第2の封止層形成工程を有するトランジスタの製造方法であって、
前記第1の封止層形成工程が、含フッ素系の溶媒に前記第一の封止層を溶解して、前記有機半導体上に塗布法もしくは印刷法により形成することを特徴とする有機トランジスタの製造方法。
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