JP2007123651A - 半導体検査用キャリア及び半導体の検査方法 - Google Patents
半導体検査用キャリア及び半導体の検査方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 剛性を有する支持基板1と、支持基板1の表面周縁部に貼着されてバックグラインドされた薄い半導体ウェーハWを着脱自在に保持する変形可能な保持層10と、支持基板1と保持層10との間に形成される区画空間3とを備え、支持基板1の熱変形温度を130℃以上に設定し、支持基板1に、区画空間3に連通してその空気を外部に排気することにより保持層10を凹凸に変形させる給排孔5を穿孔し、保持層10の可塑化温度と分解温度を130℃以上とする。
【選択図】 図3
Description
このような半導体ウェーハは、裏面がバックグラインドされた後は、厚さや欠け等が検査されるものの、電気的特性の検査対象からは除外される。
支持基板の熱変形温度を130℃以上に設定するとともに、この支持基板に、保持層を変形させる給排孔を設け、保持層の可塑化温度と分解温度を130℃以上としたことを特徴としている。
また、支持基板の熱変形温度を255℃以上に設定し、保持層をフッ素系あるいはシリコーン系のエラストマーにより形成してその可塑化温度と分解温度を255℃以上とすることができる。
また、保持層を、支持基板に支持される通気性の織布と、この織布に積層されて半導体ウェーハを保持するフッ素系あるいはシリコーン系のエラストマーとから構成し、織布の熱変形温度を255℃以上に設定し、エラストマーの可塑化温度と分解温度を255℃以上にすることもできる。
また、支持基板と保持層との間に区画空間を形成し、支持基板から保持層を支持する複数の突起を突出させて区画空間に配列し、支持基板に、区画空間に連通してその気体を外部に排気することにより保持層を変形させる給排孔を穿孔すれば、区画空間の気体の排気に伴い、保持層が必要以上に大きく変形するのを簡易な構成で抑制することができる。
なお、保持層10の可塑化温度と分解温度が130〜255℃以上、あるいは255℃以上と選択的なのは、支持基板1同様、電気的特性の検査が二種類の試験に分類されるのを考慮したものである。
2 中央部
3 区画空間
4 突起
5 給排孔
6 バキューム装置
10 保持層
11 織布
12 エラストマー
13 目
20 基板収納容器
21 容器本体
W 半導体ウェーハ
Claims (5)
- 剛性を有する支持基板と、この支持基板に貼り着けられて半導体ウェーハを着脱自在に保持する変形可能な保持層とを備えた半導体検査用キャリアであって、
支持基板の熱変形温度を130℃以上に設定するとともに、この支持基板に、保持層を変形させる給排孔を設け、保持層の可塑化温度と分解温度を130℃以上としたことを特徴とする半導体検査用キャリア。 - 支持基板と保持層との間に区画空間を形成し、支持基板から保持層を支持する複数の突起を突出させて区画空間に配列し、支持基板に、区画空間に連通してその気体を外部に排気することにより保持層を変形させる給排孔を穿孔した請求項1記載の半導体検査用キャリア。
- 支持基板の熱変形温度を255℃以上に設定し、保持層をフッ素系あるいはシリコーン系のエラストマーにより形成してその可塑化温度と分解温度を255℃以上とした請求項1又は2記載の半導体検査用キャリア。
- 保持層を、支持基板に支持される通気性の織布と、この織布に積層されて半導体ウェーハを保持するフッ素系あるいはシリコーン系のエラストマーとから構成し、織布の熱変形温度を130℃以上に設定し、エラストマーの可塑化温度と分解温度を130℃以上とした請求項1記載の半導体検査用キャリア。
- 請求項1ないし4いずれかに記載された半導体検査用キャリアの保持層にバックグラインドされた半導体ウェーハを保持させる工程と、保持層に保持された半導体ウェーハに熱処理を施す工程と、保持層に保持された半導体ウェーハの電気的特性を検査する工程と、保持層を変形させて検査の終了した半導体ウェーハを取り外す工程とを含むことを特徴とする半導体の検査方法。
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