JPWO2015178029A1 - 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示装置 Download PDF

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Abstract

赤色サブ画素２１Ｒ、緑色サブ画素２１Ｇ、濃青色光を発する第１青色サブ画素２１ＤＢ、及び淡青色光を発する第２青色サブ画素２１ＬＢを含む画素２３を複数有し、第１青色サブ画素の領域内に、基板側から順に配された、第１青色画素電極１２ＤＢ、第１青色有機発光層１７ＤＢと、基板上の第２青色サブ画素の領域内に、基板側から順に配された、第２青色画素電極１２ＬＢ、第２青色有機発光層１７ＬＢとを備え、第１青色有機発光層１７ＤＢ及び第２青色有機発光層１７ＬＢは同じ材料から構成されており、基板１１と垂直な方向において、第１青色有機発光層１７ＤＢ上面と第１青色画素電極１２ＤＢ上面との距離は、第２青色有機発光層１７ＬＢ上面と第２青色画素電極１２ＬＢ上面との距離よりも小さい。

Description

本発明は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた、及びそれを用いた有機ＥＬ表示装置に関し、特に表示パネルの寿命を改善する技術に関する。
近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機発光素子をマトリックス状に複数配列し有機ＥＬ素子を利用したパネル（以後、「有機ＥＬ表示パネル」と略称する）が実用化されている。
有機ＥＬ表示パネルにおいては、赤色、緑色、青色の有機ＥＬ素子がサブ画素を形成し、隣り合う赤色、緑色、青色のサブ画素の組み合わせで１画素を形成している。この有機ＥＬ表示パネルでは、発光効率の向上や有機ＥＬ素子の長寿命化に向けて、赤色、緑色、青色各色の有機ＥＬ素子中、寿命が最も短い青色有機ＥＬ素子の長寿命化が課題となっていた。
これに対し、例えば、特許文献１では、赤色サブ画素、緑色サブ画素の他に、２つの青色サブ画素を備えた有機ＥＬ表示パネルが提案されている。２つの青色サブ画素の構造はカラーフィルタを除いて同じである。カラーフィルタを異ならせることでＣＩＥｘｙ色度座標系におけるｙ値が異なる青色光を２つの青色サブ画素から取り出している。この特許文献１には、ｙ値が低い青色サブ画素により青色方向に色表現領域を拡大し、ｙ値が高い青色サブ画素はカラーフィルタの光の取り出し効率を上げ、２つの青色サブ画素を選択して用いることにより色再現性を向上するとともに、消費電力が低く抑えられて発光素子の長寿命化を達成できることが記載されている。
特開２００８−２２５１７９号公報
しかしながら、上記構成においては、２つの青色画素のうちの少なくとも一方における光取り出し側にカラーフィルタを設けてＣＩＥｘｙ色度座標系におけるｙ値が異なる青色光を２つの青色画素から取り出すために、ｙ値が低い濃青色サブ画素、ｙ値が高い淡青色サブ画素ともに発光効率が高まらず、さらなる発光効率の向上や有機ＥＬ素子の長寿命化に向けた障害となっていた。
本発明は、上記課題に鑑み、さらなる発光効率の向上と有機ＥＬ表示パネルの長寿命化に資する有機ＥＬ表示パネル及びそれを用いた有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、赤色光を発する赤色サブ画素、緑色光を発する緑色サブ画素、濃青色光を発する第１青色サブ画素、及び淡青色光を発する第２青色サブ画素を含む画素が複数行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上の前記第１青色サブ画素の領域内に、前記基板側から順に設けられた、第１青色画素電極、第１青色有機発光層と、前記基板上の前記第２青色サブ画素の領域内に、前記基板側から順に設けられた、第２青色画素電極、第２青色有機発光層とを備え、前記第１青色有機発光層及び前記第２青色有機発光層は同じ材料から構成されており、前記基板平面と垂直な方向において、前記第１青色有機発光層上面と前記第１青色画素電極上面との距離は、前記第２青色有機発光層上面と前記第２青色画素電極上面との距離よりも小さいことを特徴とする。
上記態様に係る有機ＥＬ表示パネルでは、第１サブ画素と第２サブ画素とで、有機発光層から出射される直接光と反射光との光路長差を異ならせることにより両サブ画素の有機発光層から出射される光の色自体を異ならせた。これにより、画素の発光効率を向上することができる。そのため、従来に比べさらなる発光効率の向上と有機ＥＬ素子の長寿命化を図ることができる。
実施の形態１に係る表示装置１の構成を示す模式ブロック図である。 表示装置１に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各サブ画素１０ａにおける回路構成を示す模式回路図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネルの一部を示す模式平面図である。 図１におけるＡ−Ａ断面模式図である。 図１におけるＢ−Ｂ断面模式図である。 （ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示すＡ−Ａ断面模式図である。 （ａ）〜（ｅ）は、有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示すＢ−Ｂ断面模式図である。 パネル１０に形成された光共振器構造における直接光Ｃ１と反射光Ｃ２を示す概略図である。 第２青色サブ画素２１ＬＢにおけるサブ画素から放出される光の色とサブ画素の発光効率との関係を示す特性図である。 表示装置１の色再現範囲をＣＩＥ色度図上に示した特性図である。
≪本発明の態様の概要≫
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、赤色光を発する赤色サブ画素、緑色光を発する緑色サブ画素、濃青色光を発する第１青色サブ画素、及び淡青色光を発する第２青色サブ画素を含む画素が複数行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上の前記第１青色サブ画素の領域内に、前記基板側から順に設けられた、第１青色画素電極、第１青色有機発光層と、前記基板上の前記第２青色サブ画素の領域内に、前記基板側から順に設けられた、第２青色画素電極、第２青色有機発光層とを備え、前記第１青色有機発光層及び前記第２青色有機発光層は同じ材料から構成されており、前記基板平面と垂直な方向において、前記第１青色有機発光層上面と前記第１青色画素電極上面との距離は、前記第２青色有機発光層上面と前記第２青色画素電極上面との距離よりも小さいことを特徴とする。
また、別の態様では、前記第１青色有機発光層の厚さは、前記第２青色有機発光層の厚さよりも小さい構成であってもよい。
また、別の態様では、前記第１青色有機発光層の厚さは４５ｎｍ未満であり、前記第２青色有機発光層の厚さは４５ｎｍ以上６５ｎｍ以下である構成であってもよい。
また、別の態様では、前記第１青色サブ画素から出射される光のＣＩＥ色度のｙ値が前記第２青色サブ画素から出射される光の色のＣＩＥ色度のｙ値よりも小さい構成であってもよい。
また、別の態様では、前記第１青色有機発光層上方に、前記第１青色有機発光層の発する光のＣＩＥ色度のｙ値を低下させる第１フィルタを備える構成であってもよい。
また、別の態様では、前記第２青色有機発光層上方に、前記第１フィルタよりも波長３００〜８００ｎｍの光の透過率が高い第２フィルタを備える構成であってもよい。
また、別の態様では、前記第１フィルタの波長３００〜８００ｎｍの光の透過率は０．５以下であり、前記第２フィルタの透過率は０．７以上である構成であってもよい。
また、別の態様では、前記第１青色サブ画素において前記第１フィルタから上方に出射される光の色は、前記第２青色サブ画素において前記第２フィルタから上方に出射される光の色よりもＣＩＥ色度のｙ値が小さい構成であってもよい。
また、別の態様では、前記第１青色サブ画素において前記第１フィルタから上方に出射される光をＣＩＥ色度のｙ値は０．１未満であり、前記第２青色サブ画素において前記第２フィルタから上方に出射される光をＣＩＥ色度のｙ値は０．１以上０．１８以下である構成であってもよい。
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、赤色光を発する赤色サブ画素、緑色光を発する緑色サブ画素、濃青色光を発する第１青色サブ画素、及び淡青色光を発する第２青色サブ画素を含む画素が複数行列状に配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板上の前記第１青色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１青色画素電極、第１青色有機発光層とを形成し、前記基板上の前記第２青色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２青色画素電極、前記第１青色有機発光層と同じ材料から構成されている第２青色有機発光層を形成する工程を含み、前記第１及び第２青色有機発光層を形成する工程では、前記基板上面と垂直な方向において、前記第１青色有機発光層上面と前記第１青色画素電極上面との距離は、前記第２青色有機発光層上面と前記第２青色画素電極上面との距離よりも小さく形成することを特徴とする。
なお、本願において、「上方」とは、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に、相対的な位置関係により規定されるものである。また、「上方」という用語は、互いの間に間隔を空けた場合のみならず、互いに密着する場合にも適用する。
≪実施の形態１≫
１．表示装置１の構成
以下では、実施の形態１に係る表示装置１の全体構成について、図１を用い説明する。
図１に示すように、本実施の形態に係る表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０と、これに接続された駆動制御回路部３０とを有し構成されている。
有機ＥＬ表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部３０は、４つの駆動回路３１〜３４と制御回路３５とにより構成されている。
なお、表示装置１において、有機ＥＬ表示パネル１０に対する駆動制御回路部３０の各回路の配置形態については、図１に示した形態に限定されない。
２．有機ＥＬ表示パネル１０における回路構成
有機ＥＬ表示パネル１０における各画素１０ａの回路構成について、図２を用い説明する。
図２に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、各サブ画素１０ａが２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2と一つの容量Ｃ、および発光部としてのＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ1は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ2は、スイッチングトランジスタである。
スイッチングトランジスタＴｒ2のゲートＧ2は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ2は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2は、駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ1のドレインＤ1は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ1は、ＥＬ素子部ＥＬのアノードに接続されている。ＥＬ素子部ＥＬにおけるカソードは
、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
なお、容量Ｃは、スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2および駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1と、電源ラインＶａとを結ぶように設けられている。
有機ＥＬ表示パネル１０においては、隣接する複数のサブ画素１０ａ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と濃青色（ＤＢ）と淡青色（ＬＢ）の発光色の４つのサブ画素１０ａ）を組合せて１の画素を構成し、各画素がマトリクス状に配されて画素領域を構成している。そして、マトリクス状に配された各画素のゲートＧ2からゲートラインＧＬが各々引き
出され、有機ＥＬ表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各画素のソースＳ2からソースラインＳＬが各々引き出され有機ＥＬ表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
また、各画素の電源ラインＶａ及び各画素の接地ラインＶｃａｔは集約され電源ラインＶａ及び接地ラインＶｃａｔに接続されている。
２．有機ＥＬ表示パネル１０の構成
本発明の一態様である実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
＜全体構成＞
図３は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネルの一部を示す模式平面図である。図３に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０（以下、「パネル１０」という。）は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルである。パネル１０では、ラインバンクを採用し、各条が列方向（図３の紙面縦方向）に延伸する第１隔壁１６が複数並設されている。また、隣り合う第１隔壁１６間の各々を、間隙２０と定義した場合、パネル１０は、このような第１隔壁１６と間隙２０が交互に多数並んだ構成を有する。
間隙２０のそれぞれでは、複数のサブ画素２１と、隣り合うサブ画素２１同士の間である複数の画素間領域２２とが、列方向に交互に並んでいる。サブ画素２１は、上述の図２におけるサブ画素１０ａに対応する。また、間隙２０内の複数の画素間領域２２には、各条が行方向（図３の紙面横方向）に延伸する第２隔壁１４が複数並設されている。列方向に設けられた第１隔壁１６と行方向に設けられた第２隔壁１４とは直交している。
本実施の形態では、サブ画素２１は、赤色に発光する赤色サブ画素２１Ｒ、緑色に発光する緑色サブ画素２１Ｇ、濃青色に発光する第１青色サブ画素２１ＤＢ、淡青色に発光する第２青色サブ画素２１ＬＢ（以後、２１Ｒ、２１Ｇ、２１ＤＢ、２１ＬＢを区別しない場合は、「サブ画素２１」と略称する）である。また、間隙２０には、内部がすべて赤色サブ画素２１Ｒである赤色間隙２０Ｒ、緑色サブ画素２１Ｇである緑色間隙２０Ｇ、第１青色サブ画素２１ＤＢである第１青色間隙２０ＤＢ、第２青色サブ画素２１ＬＢである第２青色間隙２０ＬＢ（以後、間隙２０Ｒ、間隙２０Ｇ、間隙２０ＤＢ、間隙２０ＬＢを区別しない場合は、「間隙２０」と略称する）が存在する。さらに、赤色サブ画素２１Ｒ、緑色サブ画素２１Ｇ、濃青色サブ画素２１ＤＢ、淡青色サブ画素２１ＬＢの４つのサブ画素２１が行方向に並んで組となっており、１画素２３を構成している。
各色サブ画素２１の列方向における外縁の位置は、後述する第２隔壁１４により規定され、各色サブ画素２１において列方向の同一位置に存在している。また、各色サブ画素２１の行方向における外縁の位置は、後述する各色有機発光層の行方向における外縁により規定される。各色有機発光層の行方向における外縁は第１隔壁１６により規定される。
＜各部構成＞
パネル１０の各部構成を図４及び図５を用いて説明する。図４は、図３におけるＡ−Ａ断面模式図である。図５は、図３におけるＢ−Ｂ断面模式図である。
パネル１０は、一例として、図４及び図５の紙面上側を表示面とする、いわゆるトップエミッション型を採用している。なお、以下においては、図４及び図５の紙面上側をパネル１０の上方として説明する。
パネル１０は、基板１１、画素電極１２、下地層１３、第２隔壁１４、第１隔壁１６、発光層１７、対向電極１８、封止層１９を備える。
（１）基板
基板１１は、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ） 層（不図示）と、基材上及びＴＦＴ層上に形成された層間絶縁層（不図示）とを有する。
基材は、パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線からなる。ＴＦＴは、パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極１２と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極１２、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。
層間絶縁層は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１１の上面の少なくともサブ画素２１を平坦化するものである。また、層間絶縁層は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。層間絶縁層の材料としては、例えば電気絶縁性を有するポジ型の感光性有機材料、具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂などを用いることができる。
（２）画素電極
基板１１上の赤色サブ画素２１Ｒの領域に赤色画素電極１２Ｒが、緑色サブ画素２１Ｇの領域に緑色画素電極１２Ｇが、第１青色サブ画素２１ＤＢの領域に第１青色画素電極１２ＤＢが、第２青色サブ画素２１ＬＢの領域に第４画素電極１２ＬＢ（以後、赤色画素電極１２Ｒ、緑色画素電極１２Ｇ、第１青色画素電極１２ＤＢ、第４画素電極１２ＬＢを区別しない場合は、「画素電極１２」と略称する）が各々形成されている。画素電極１２は、発光層１７へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１７へ正孔を供給する。画素電極１２の形状は、平板状であるが、例えば、ＴＦＴとの接続を層間絶縁層に開口したコンタクトホールを通じて行う場合は、コンタクトホールに沿った凹凸部を有する。画素電極１２は、間隙２０のそれぞれにおいて、列方向に間隔をあけて基板１１上に配されている。
画素電極１２の材料としては、パネル１０がトップエミッション型であるため、光反射性を有する導電材料、例えば銀、アルミニウム、モリブデンなどの金属や、これらを用いた合金などを用いることが好ましい。
（３）下地層
下地層１３は、例えば、本実施の形態では正孔注入層であって、画素電極１２の上方に連続したべた膜として形成されている。このように、下地層１３が連続したべた膜として形成されていれば、製造工程の簡略化を図ることができる。
また、下地層１３は、遷移金属酸化物からなり、正孔注入層として機能する。ここで遷移金属とは、周期表の第３族元素から第１１族元素までの間に存在する元素である。遷移金属の中でも、タングステン、モリブデン、ニッケル、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニオブ、ハフニウム、タンタル等は、酸化した後に高い正孔注入性を有するため好ましい。特に、タングステンは、高い正孔注入性を有する正孔注入層を形成するのに適している。なお、下地層１３は、遷移金属酸化物からなる場合に限定されず、例えば遷移金属の合金等、遷移金属酸化物以外の酸化物からなっていてもよい。また、下地層１３は、正孔注入層に限定されず、画素電極１２と発光層１７との間に形成される層であればどのような層であってもよい。
（４）第２隔壁
第２隔壁１４は、発光層１７形成時に、その材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御するためのものである。第２隔壁１４は、画素電極１２の列方向における周縁部上方に存在し、画素電極１２の一部と重なった状態で形成されている。そのため、上述のとおり列方向における各色サブ画素２１の外縁を規定している。第２隔壁１４の形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向の断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。第２隔壁１４は、各第１隔壁１６を貫通するようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が第１隔壁１６の上面１６ａよりも低い位置に上面１４ａを有する。
第２隔壁１４の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば酸化シリコン、窒化シリコンなどの無機材料、並びに、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂など有機材料などを用いることができる。
（５）第１隔壁
第１隔壁１６は、発光層１７形成時に、インクが間隙２０内において行方向へ流動することを規制するためのものである。第１隔壁１６は、画素電極１２の行方向における周縁部上方に存在し、画素電極１２の一部と重なった状態で形成されている。そのため、上述のとおり行方向における各色サブ画素２１の外縁を規定している。第１隔壁１６の形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向の断面は上方を先細りとする順テーパーの台形状である。第１隔壁１６は、各画素電極１２を行方向から挟むように、且つ、各第２隔壁１４を乗り越えるように、下地層１３上に形成されている。
第１隔壁１６の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂など有機材料などを用いることができる。なお、第１隔壁１６は、有機溶剤への耐性を有し、エッチング処理やベーク処理に対して過度に変形、変質などをしない材料で形成されることが好ましい。また、表面に撥液性をもたせるために、表面をフッ素処理してもよい。
（６）発光層
基板１１上の赤色サブ画素２１Ｒ内の赤色画素電極１２Ｒ上方には赤色有機発光層１７Ｒが、緑色サブ画素２１Ｇ内の緑色画素電極１２Ｇ上方には緑色有機発光層１７Ｇが、第１青色サブ画素２１ＤＢ内の第１青色画素電極１２ＤＢ上方には第１青色有機発光層１７ＤＢが、第２青色サブ画素２１ＬＢ内の第４画素電極１２ＬＢ上方には第２青色有機発光層１７ＬＢ（以後、赤色有機発光層１７Ｒ、緑色有機発光層１７Ｇ、第１青色有機発光層１７ＤＢ、第２青色有機発光層１７ＬＢを区別しない場合は、「発光層１７」と略称する）が各々形成されている。発光層１７は、有機化合物からなる層であり、内部で正孔と電子が再結合することで光を発する機能を有する。各発光層１７は、間隙２０内に列方向に延伸するように線状に設けられており、サブ画素２１においては下地層１３の上面１３ａ上に位置し、画素間領域２２においては第２隔壁１４の上面１４ａ及び側面１４ｂ上に位置する。
ここで、発光層１７は、画素電極１２からキャリアが供給される部分のみが発光する。したがって、図３に示すように、発光層１７のうち、画素電極１２上にあるサブ画素２１の部分のみが発光し、第２隔壁１４上にある画素間領域２２の部分は発光しない。
なお、図３に示すように、発光層１７は、サブ画素２１だけでなく、隣接する画素間領域２２まで延伸されている。このようにすると、発光層１７の形成時に、サブ画素２１に塗布されたインクが、画素間領域２２に塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向のサブ画素２１間でその膜厚を平準化することができる。但し、画素間領域２２では、第２隔壁１４によって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくい。
発光層１７の材料としては、湿式プロセスを用いて成膜できる発光性の有機材料を用いる。具体的には、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属鎖体、２−ビピリジン化合物の金属鎖体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との鎖体、オキシン金属鎖体、希土類鎖体等の蛍光物質（いずれも特開平５−１６３４８８号公報に記載）の化合物、誘導体、錯体など、公知の蛍光物質、燐光物質を用いることができる。
ここで、第１青色有機発光層１７ＤＢ、及び第２青色有機発光層１７ＬＢは同じ材料から構成されていることが好ましい。また、その場合、第１青色有機発光層１７ＤＢの厚さは第２青色有機発光層１７ＬＢの厚さよりも小さく構成されており、例えば、第２青色有機発光層１７ＬＢの厚さは４５ｎｍ以上６５ｎｍ以下であり、第１青色有機発光層１７ＤＢの厚さは４５ｎｍ未満であることが好ましい。
（７）対向電極
赤色有機発光層１７Ｒ、緑色有機発光層１７Ｇ、第１青色有機発光層１７ＤＢ及び第２青色有機発光層１７ＬＢの上方に、赤色サブ画素２１Ｒの領域内において赤色画素電極１２Ｒと対向し、緑色サブ画素２１Ｇの領域内において緑色画素電極１２Ｇと対向し、第１青色サブ画素２１ＤＢの領域内において第１青色画素電極１２ＤＢと対向し、第２青色サブ画素２１ＬＢの領域内において第４画素電極１２ＬＢと対向する対向電極１８とを備えている。対向電極１８は、画素電極１２と対になって発光層１７を挟むことで通電経路を作り、発光層１７へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層１７へ電子を供給する。対向電極１８は、各発光層１７の上面１７ａ及び発光層１７から露出する各第１隔壁１６の表面に沿って形成され、各発光層１７に共通の電極となっている。
対向電極１８の材料としては、パネル１０がトップエミッション型であるため、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
（８）封止層
封止層１９は、発光層１７が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１９は、対向電極１８の上面を覆うようにパネル１０全面に渡って設けられている。封止層１９の材料としては、パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの光透過性材料が用いられる。
（９）カラーフィルタ、その他
なお、図２及び図３では図示しないが、封止層１９の上にカラーフィルタや上部基板を設置・接合してもよい。これにより、パネル１０の表示色の調整や、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
カラーフィルタは、赤色サブ画素２１Ｒの領域である赤色間隙２０Ｒ、緑色サブ画素２１Ｇの領域である緑色間隙２０Ｇ、第１青色サブ画素２１ＤＢの領域である第１青色間隙２０ＤＢ、第２青色サブ画素２１ＬＢの領域である第２青色間隙２０ＬＢの上方に、赤色フィルタ２４Ｒ、緑色フィルタ２４Ｇ、濃青色フィルタである第１青色フィルタ２４ＤＢ、淡青色フィルタである第２青色フィルタ２４ＬＢが各々形成されている。
カラーフィルタ２４Ｂ、２４Ｇ、２４ＤＢ、２４ＬＢは、Ｒ、Ｇ、ＤＢ、ＬＢに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色サブ画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。カラーフィルタ２４Ｇ、２４Ｒ、２４ＤＢ、２４ＬＢは、具体的には、例えば、複数の開口部をサブ画素２１単位に行列状に形成した隔壁が設けられたカラーフィルタ形成用のカバーガラスに対し、カラーフィルタ材料および溶媒を含有したインクを塗布する工程により形成される。
ここで、第２青色フィルタ２４ＬＢは、第１青色フィルタ２４ＤＢよりも波長６００〜８００ｎｍの透過率が高く構成されている。例えば、第１青色フィルタの波長６００〜８００ｎｍの透過率は０．５以下であり、第２青色フィルタの透過率は０．７以上であることが好ましい。
２．有機ＥＬ表示パネルの製造方法
パネル１０の製造方法について図６及び図７を用いて説明する。図６は、有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示すＡ−Ａ断面模式図である。図７は、有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示すＢ−Ｂ断面模式図である。
（１）基板準備工程
まず、基板１１を用意する。具体的には、例えば、基材にスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スピンコート法などによって必要な膜を形成し、フォトリソグラフィー法によって膜をパターニングすることでＴＦＴ層及び層間絶縁層を形成する。この際、必要に応じて、プラズマ処理、イオン注入、ベーキングなどの処理を行ってもよい。
（２）画素電極形成工程
次に、基板１１上に画素電極１２を形成する。具体的には、例えば、まず真空蒸着法又はスパッタリング法によって基板１１上に金属膜を形成する。次に、フォトリソグラフィー法によって金属膜をパターニングし、基板１１上に間隔をあけて列方向に画素電極１２を複数並べ、さらにそのような画素電極１２の列を複数並設する。このようにして、基板１１上に二次元配置された画素電極１２を形成する。
（３）下地層形成工程
次に、図６（ａ）及び図７（ａ）に示すように、画素電極１２を形成後の基板１１上に下地層１３を形成する。具体的には、例えば、スパッタリング法により全ての画素電極１２を覆い隠すようにべた膜の酸化物層（下地層１３）を基板１１上に成膜する。
（４）第２隔壁形成工程
次に、図７（ｂ）に示すように、下地層１３上に第２隔壁１４を形成する。具体的には、例えば、ＣＶＤ法によって下地層１３上に、無機絶縁膜（酸化シリコンなど）を形成する。そして、フォトリソグラフィー法によって無機絶縁膜をパターニングし、画素電極１２行のそれぞれを挟む位置に、行方向に延伸するように線状の第２隔壁１４を形成する。
第２隔壁１４を形成後は、第２隔壁１４の親液性を高めるために、まずは上方からＵＶを照射し、その後ベーク処理を行う。
（５）第１隔壁形成工程
次に、図６（ｂ）及び図７（ｃ）に示すように、下地層１３上の一部及び第２隔壁１４上の一部に第１隔壁１６を形成する。具体的には、例えば、スピンコート法によって、ポジ型の感光性有機材料（アクリル系樹脂など）を塗布する。この際、塗布した材料の膜厚は第２隔壁１４の膜厚よりも大きくする。そして、フォトリソグラフィー法によって感光性有機材料をパターニングし、画素電極１２列のそれぞれを挟む位置に、列方向に延伸するように線状の第１隔壁１６を形成する。
なお、印刷法などによって直接第１隔壁１６を形成してもよい。また、第１隔壁１６に対し、アルカリ性溶液、水、有機溶媒、プラズマなどによる表面処理を行って、第１隔壁１６の表面に以降の工程で塗布するインクに対する撥液性を付与してもよい。このようにすることで、以降の発光層形成工程で、インクが第１隔壁１６を超えて流動することを抑制できる。
なお、この工程により、隣り合う第１隔壁１６間の間隙２０が形成され、画素２１と画素間領域２２とがなす列は、それぞれ間隙２０内に存在することになる。
（６）発光層形成工程
次に、図６（ｃ）及び図７（ｄ）に示すように、間隙２０内にインク１７Ａを塗布する。具体的には、例えば、発光層１７の材料となる有機化合物と溶媒とを所定の比率で混合してインク１７Ａを作成し、インクジェット法を用いて、このインク１７Ａを間隙２０内に塗布する。インク１７Ａの上面が、第２隔壁１４の上面１４ａよりも高くなるよう塗布することで、第２隔壁１４を乗り越えるインク１７Ａの流動を可能にしている。そして、インク１７Ａに含まれる溶媒を蒸発乾燥させることにより、発光層１７を形成する。なお、インク１７Ａの塗布方法としては、ディスペンサー法、ノズルコード法、スピンコート法、印刷法などを用いてもよい。発光層１７が第２隔壁１４の上方で途切れるのを防止するために、インク１７Ａは第２隔壁１４の表面（上面１４ａ及び側面１４ｂ）に対して濡れ性の良いものが好ましい。
また、本実施の形態では、発光層１７は、赤、緑、濃青、淡青の４色のサブ画素２１を有するため、それぞれ異なるインク１７Ａを用いて形成する。具体的には、例えば、赤、緑、濃青、淡青のいずれかに対応するインク１７Ａのみを吐出するノズル（吐出口）を用いて、４色のインク１７Ａを順に塗布する方法や、赤、緑、濃青、淡青の各色に対応するインク１７Ａを同時に吐出可能な４連ノズルを用いて、４色のインク１７Ａを同時に塗布する方法などがある。
パネル１０では、第１青色有機発光層１７ＤＢと第２青色有機発光層１７ＬＢは同じ材料から構成することが好ましい。第１青色有機発光層１７ＤＢと第２青色有機発光層１７ＬＢのインク１７を同時に塗布することができ製造が容易となり低コスト化に資するからである。また、第１青色間隙２０ＤＢに塗布するインクの量を制御して第２青色間隙２０ＬＢに塗布するインクの量よりも少なくすることにより、第１青色有機発光層１７ＤＢの厚さを第２青色有機発光層１７ＬＢの厚さよりも小さく構成することができる。この場合、塗布するインクの量を設定により形成する第２青色間隙２０ＬＢの膜厚を制御することができる。第１青色有機発光層１７ＤＢについても同様である。
また、ラインバンクを採用したパネル１０であるため、同色のインク１７Ａのみを吐出する複数のノズルを列方向に並べ、列方向と交差する方向に移動させながら、間隙２０内へインク１７Ａを吐出して発光層１７を形成する方法が好ましい。この方法によると、まず複数のノズルを用いるため、インク１７Ａの塗布時間が短くなり工程を短縮できる。次に、複数のノズルから吐出されたインク１７Ａが間隙２０で列方向に連結するため、各ノズルのインク１７Ａの吐出量がばらついても、その後にインク１７Ａが列方向へ流動でき、塗布量が平準化されることで、画素２１間の膜厚むら、すなわち輝度むらの発生を低減できる。
塗布したインク１７Ａが乾燥すると、図６（ｄ）及び図７（ｅ）に示すように、間隙２０に発光層１７が形成される。間隙２０では、第２隔壁１４に被覆されていない下地層１３が存在する画素２１と、第２隔壁１４が存在する画素間領域２２とに跨って線状の発光層１７を形成することができる。
（７）対向電極形成工程
その後、各発光層１７の上面１７ａ及び発光層１７から露出する各第１隔壁１６の表面に沿って、対向電極１８を形成する。具体的には、例えば、真空蒸着法又はスパッタリング法などによって、各発光層１７の上面１７ａ及び発光層１７から露出する各第１隔壁１６の表面に沿って、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの光透過性導電材料からなる膜を形成する。
（８）封止層形成工程
次に、対向電極１８の上面を覆う封止層１９を形成する。具体的には、例えば、スパッタリング法又はＣＶＤ法によって、対向電極１８上に無機絶縁膜（酸化シリコンなど）を形成する。
３．有機ＥＬ表示パネルの要部構成
（１）第２青色サブ画素における発光効率の改善
各色サブ画素２１において、画素電極１２と対抗電極１８との間に各色の発光層１７が存在し、以下のように、発光層１７からの光を共振させて対抗電極１８側から出射させる光共振器構造が形成されている。発光層１７において発生した光は、対抗電極１８から外部に出射されるが、その光には、発光層１７から対抗電極１８に向けて直接出射される「直接光」と、発光層１７から画素電極１２に向けて出射され、画素電極１２で反射されてから対抗電極１８に向かう「反射光」の両方の成分が含まれる。
図８は、パネル１０に形成された光共振器構造における直接光と反射光を示す図である。なお、当図では青色の発光層１７ＤＢ、１７ＬＢを有する青色素子を示しているが、赤色、緑色の素子においても同様である。
パネル１０の光共振器構造においては、発光層１７から出射された光の一部が、画素電極１２側に進行することなく対向電極１８側に進行し、対向電極１８を通じて有機発光素子の外部に出射される第１光路Ｃ１と、発光層１７から出射された光の残りの一部が画素電極１２側に進行し、画素電極１２により反射された後発光層１７および対向電極１８を通じて有機発光素子の外部に出射される第２光路Ｃ２とが形成される。
この直接光と反射光との干渉によって、各色に対応する光成分が強め合うように、発光層１７上面と画素電極１２上面との間の光学距離ＬＤＢ、ＬＬＢが設定されている。具体的には、上述のとおり、第１青色有機発光層１７ＤＢの厚さは第２青色有機発光層１７ＬＢの厚さよりも小さい。例えば、第２青色有機発光層１７ＬＢの厚さは４５ｎｍ以上６５ｎｍ以下であり、第１青色有機発光層１７ＤＢの厚さは４５ｎｍ未満である。そのため、発光層１７上面と画素電極１２上面との間の光学距離は、第１青色サブ画素２１ＤＢにおける光学距離ＬＤＢが第２青色サブ画素２１ＬＢにおける光学距離ＬＬＢよりも小さい構成となる。
これにより、第１青色サブ画素２１ＤＢ及び第２青色サブ画素２１ＬＢにおいて、第１光路Ｃ１と第２光路Ｃ２との長さの差に違いが生じ、第１青色サブ画素２１ＤＢと第２青色サブ画素２１ＬＢとの間で、直接光と反射光により強め合う光の波長と弱め合う光の波長に違いが生じる。その結果、第１青色サブ画素２１ＤＢと第２青色サブ画素２１ＬＢとから対向電極１８上方に出射される光のＣＩＥ色度のｙ値は、第１青色サブ画素２１ＤＢから出射される光のＣＩＥ色度のｙ値が第２青色サブ画素２１ＬＢから出射される光のＣＩＥ色度のｙ値よりも小さい特性を有する。
これを検証するために、第２青色サブ画素２１ＬＢにおいて光学距離ＬＬＢを異ならせて、サブ画素から放出される光の色とサブ画素の発光効率との関係を調べた。図９は、第２青色サブ画素２１ＬＢにおけるサブ画素から放出される光の色とサブ画素の発光効率との関係を示す特性図である。各プロットは、光学距離ＬＬＢを４５ｎｍから９４ｎｍまで異ならせた場合の実験結果を表す。このとき、第２青色有機発光層１７ＬＢの膜厚を４５ｍ、から６５ｍｍまで異ならせる構成を採った。膜厚は、４５ｍ、５５ｎｍ、６５ｍｍ該順にＮｏ．１、Ｎｏ．２、Ｎｏ．３とし、各番号を各プロットの添え字として表記した。併せて、下地層１３の膜厚を０ｎｍ（下地層１３なし）から２９ｍｍまで異ならせる構成を採った。下地層１３の膜厚は各プロットの形状として表記した。これらにより図中のマトリックス部分に示すように光学距離ＬＬＢを４５ｎｍから９４ｎｍまで異ならせる構成とした。図中の曲線は第２青色サブ画素２１ＬＢから出射される光のＣＩＥ色度のｙ値を変化させたとき、ＩＥＣ動画基準における消費電力が同等になるために必要な効率を示す基準曲線である。
図９に示すとおり、光学距離ＬＬＢを４５ｎｍから９４ｎｍまで増加するにしたがって、第２青色サブ画素２１ＬＢから放出される光の色のｙ値は増加する。また、ｙ値が０．１８以下の範囲では、ｙ値と発光効率との関係を示す基準曲線よりも発光効率が高い（領域Ｆ）が、ｙ値が０．１８を超えて増加すると基準曲線よりも発光効率が低下する（領域Ｇ）。
すなわち、第２青色サブ画素２１ＬＢから放出される淡青色光のｙ値が０．１８以下である光学距離ＬＬＢが４５ｎｍ以上６５ｎｍ以下である場合（図９中において＊を付した場合）に、第２青色サブ画素２１ＬＢとして比較的発光効率を低めに設定しても基準曲線を上回ることができる。すなわち、第２青色有機発光層１７ＬＢ上面１７ａと第４画素電極１２ＬＢ上面との垂直方向の距離が４５ｎｍ以上６５ｎｍ以下である場合に、第２青色サブ画素２１ＬＢとして比較的発光効率を低めに設定しても基準曲線を上回ることができる。これにより、色再現範囲確保の理由から第１青色サブ画素２１ＤＢから放出される濃青色光のｙ値が好ましくは０．０６、最大で０．１未満である点を考慮すると、第２青色サブ画素２１ＬＢから放出される淡青色光のｙ値は０．１以上０．１８以下とするであることが好ましい。この範囲とすることで、パネル１０において第２青色サブ画素２１ＬＢを用いることによる電力削減効果を得ることができる。
また、第１青色サブ画素２１ＤＢから放出される濃青色光のｙ値０．１未満とし、第２青色サブ画素２１ＬＢから放出される淡青色光のｙ値は０．１以上０．１８以下とするために、下地層１３を用いないか又は数ｎｍ程度に薄く構成した場合には、第１青色有機発光層１７ＤＢの厚さは４５ｎｍ未満であり、第２青色有機発光層１７ＬＢの厚さは４５ｎｍ以上６５ｎｍ以下であることが好ましい。
（２）フィルタを用いた場合の色純度と発光効率の向上
パネル１０は、上述のとおり、対向電極１８上方の第１青色サブ画素２１ＤＢ内に、当該サブ画素領域内にある第１青色有機発光層１７ＤＢの発する青色光のＣＩＥ色度のｙ値を低下させる第１フィルタ２４ＤＢを備える構成としてもよい。この構成により、第１青色サブ画素２１ＤＢでは、第１青色有機発光層１７ＤＢから発された濃青色光が第１フィルタ２４ＤＢに向けて出射され、第１フィルタ２４ＤＢに向けて出射された濃青色光は第１フィルタ２４ＤＢにて濃青色以外の色成分が吸収され色純度を増した濃青色光として上方に出射される。その結果、第１青色有機発光層１７ＤＢから外部へ出射される濃青色光も色純度が高めることができる。
さらに、パネル１０は、対向電極１８上方の第２青色サブ画素２１ＬＢ内に、第１フィルタ２４ＤＢよりも波長３００〜８００ｎｍの透過率が高い第２フィルタ２４ＬＢを備える構成としてもよい。このとき、第１フィルタ２４ＤＢの波長３００〜８００ｎｍの透過率は０．５以下であり、第２フィルタ２４ＬＢの透過率は０．７以上であることが好ましい。この構成により、第２青色サブ画素２１ＬＢでは、第２青色有機発光層１７ＬＢから発された淡青色光が第２フィルタ２４ＬＢに向けて出射され、第２フィルタ２４ＬＢに向けて出射された淡青色光は第２フィルタ２４ＬＢにて淡青色以外の色成分が吸収され色純度を増した淡青色光として上方に出射される。その結果、第２青色有機発光層１７ＬＢから外部へ出射される淡青色光も色純度が高めることができる。
これにより、パネル１０では、第１青色サブ画素２１ＤＢにおいて第１フィルタ２４ＤＢから上方に出射される光の色は、第２青色サブ画素２１ＬＢにおいて第２フィルタ２４ＬＢから上方に出射される光の色よりもＣＩＥ色度のｙ値が小さい特性を示す。具体的には、第１青色サブ画素において第１フィルタ２４ＤＢから上方に出射される光をＣＩＥ色度のｙ値は０．１未満であり、第２青色サブ画素において第２フィルタ２４ＬＢから上方に出射される光をＣＩＥ色度のｙ値は０．１以上０．１８以下となる。
また、パネル１０では、第１青色有機発光層１７ＤＢと第２青色有機発光層１７ＬＢから出射される光の色が異なる構成としたことにより、仮に両発光層から出射される光の色が同じである構成とした場合と比べて、第１フィルタ２４ＤＢ及び第２フィルタ２４ＬＢによって吸収される光の光量を減少することができ、サブ画素の発光効率を向上することができる。
４．表示装置１におけるパネル１０の駆動方法
以上のような構成のパネル１０は、表示装置１において次のように駆動する。図１０は表示装置１の色再現範囲をＣＩＥ色度図上に示した特性図である。例えば、図１０に示した色度座標系であれば、４種類のサブ画素２１から放出される各色光のうち、赤色サブ画素２１Ｒから放出される赤色光、緑色サブ画素２１Ｇから放出される緑色光、、第２青色サブ画素２１ＬＢから放出される淡青色光により色表現可能な表示範囲（図１０の斜線部Ｄ）においては、第１青色サブ画素２１ＤＢを使用せず、これらの光が得られる３画素のみを駆動して表示を行う。また、第１青色サブ画素２１ＤＢから放出される濃青色光を用いないと表現できない表示範囲（図１０の格子部Ｅ）においては、第１青色サブ画素２１ＤＢから放出される淡青色光を使用せず、赤色サブ画素２１Ｒ、緑色サブ画素２１Ｇ、第１青色サブ画素２１ＤＢの３画素のみを駆動して表示を行う。
５．効 果
以上、説明したとおり、実施の形態に係るパネル１０では、赤色サブ画素２１Ｒ、緑色サブ画素２１Ｇ、濃青色光を発する第１青色サブ画素２１ＤＢ、及び淡青色光を発する第２青色サブ画素２１ＬＢを含む画素２３を複数有し、第１青色サブ画素の領域内に、基板側から順に配された、第１青色画素電極１２ＤＢ、第１青色有機発光層１７ＤＢと、基板上の第２青色サブ画素の領域内に、基板側から順に配された、第２青色画素電極１２ＬＢ、第２青色有機発光層１７ＬＢとを備え、第１青色有機発光層１７ＤＢ及び第２青色有機発光層１７ＬＢは同じ材料から構成されており、基板１１と垂直な方向において、第１青色有機発光層１７ＤＢ上面と第１青色画素電極１２ＤＢ上面との距離は、第２青色有機発光層１７ＬＢ上面と第２青色画素電極１２ＬＢ上面との距離よりも小さい構成とした。これにより、パネル１０では、ｙ値が高い淡青色に発光する第２青色サブ画素２１ＬＢにおいて、有機発光層から出射される直接光と反射光との光路長差を、濃青色に発光する第１青色サブ画素２１ＤＢと異ならせて、両画素の有機発光層から出射される光の色を異ならせる構成と採る。
そのため、第２青色サブ画素２１ＬＢの光の取り出し効率を向上することができ、従来に比べさらなる発光効率を向上することができる。また、発光効率の向上により低電流化を図れ、第２青色サブ画素２１ＬＢの輝度半減寿命を増加することができる。その結果、第２青色サブ画素２１ＤＢにおける駆動時の消費電力の低減に伴うさらなる発光効率の向上と有機ＥＬ素子の高寿命化を図ることができる。
また、表示装置１において、濃青色光を放出する第１青色サブ画素２１ＤＢと、それよりも発光効率の高い淡青色光を放出する第２青色サブ画素２１ＬＢとを制御して画像表示させることで、従来により一層消費電力を抑制することが可能となる。例えば、濃い青色が必要でない画像を出力するときは、より一層発光効率の高い淡青色光を放出する第２青色サブ画素２１ＬＢのみを発光させて画像表示することができる。さらに、第２青色サブ画素２１ＬＢは第１青色サブ画素２１ＤＢと比べて輝度半減寿命が長いので、第２青色サブ画素２１ＬＢの使用比率を高めることにより表示装置１の長寿命化を図ることができる。
また、表示装置１では、第１青色サブ画素２１ＤＢから出射される濃青色光と第２青色サブ画素２１ＬＢから出射される濃青色光淡青色光とを、表示すべき画像に応じて使い分けることにより、全体として出射される青色光の色純度を向上し、色再現範囲を拡大することができる。
≪変形例≫
実施の形態１では、本発明の一態様に係るパネル１０を説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、パネル１０の変形例を説明する。
１．フィルタがない構成
実施の形態１に係るパネル１０では、第１青色サブ画素２１ＤＢである第１青色間隙２０ＤＢ、第２青色サブ画素２１ＬＢである第２青色間隙２０ＬＢの上方に、濃青色フィルタである第１青色フィルタ２４ＤＢ、淡青色フィルタである第２青色フィルタ２４ＬＢが各々形成されている構成とした。しかしながら、例示したパネル１０において、第１青色サブ画素２１ＤＢである第１青色間隙２０ＤＢ上方にのみ濃青色フィルタ設け、第２青色サブ画素２１ＬＢである第２青色間隙２０ＬＢの上方には第２青色フィルタ２４ＬＢを設けない構成としてもよい。この場合も、第１青色サブ画素２１ＤＢから放出される濃青色光のｙ値０．１未満とし、第２青色サブ画素２１ＬＢから放出される淡青色光のｙ値は０．１以上０．１８以下とするために、下地層１３を用いないか又は数ｎｍ程度に薄く構成した場合には、第１青色有機発光層１７ＤＢの厚さは４５ｎｍ未満であり、第２青色有機発光層１７ＬＢの厚さは４５ｎｍ以上６５ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、第２青色間隙２０ＬＢの上方に第２青色フィルタ２４ＬＢを設けた場合に比べて第２青色サブ画素２１ＬＢの発光効率を向上できる。その結果、濃青色サブ画素と淡青色サブ画素とを制御して画像表示させることでパネル１０の消費電力をさらに抑制し、第２青色サブ画素２１ＬＢの輝度半減寿命をより一層増加させることができる。
２．下地層がない構成他
上記実施の形態１では、画素電極１２と対向電極１８の間に、及び発光層１７のみが存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、正孔注入層である下地層１３を用いずに、画素電極１２と対向電極１８の間に発光層１７のみが存在する構成としてもよい。この場合には、第１青色有機発光層１７ＤＢの厚さは４５ｎｍ未満であり、第２青色有機発光層１７ＬＢの厚さは４５ｎｍ以上６５ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、第２青色サブ画素２１ＬＢの発光効率を向上でき第２青色サブ画素２１ＬＢの寿命を向上させることができる。
また、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
３．その他の変形例
また、上記実施の形態１では、画素２１には、赤色画素２１Ｒ、緑色画素２１Ｇ、青色画素２１Ｂの３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態１では、画素２１が、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても、本発明は効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
また、上記実施の形態１では、発光層１７の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。
また、上記実施の形態１に係るパネル１では、すべての間隙２０に画素電極１２が配されていたが、本発明はこの構成に限られない。例えば、バスバーなどを形成するために、画素電極１２が形成されない間隙２０が存在してもよい。
また、上記実施の形態１では、パネル１０がトップエミッション型の構成であったが、ボトムエミッション型を採用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
また、上記実施の形態１では、パネル１０がアクティブマトリクス型の構成であったが、本発明はこれに限られず、例えば、パッシブマトリクス型の構成であってもよい。具体的には、第１隔壁の延伸方向と平行な線状の電極と、第１隔壁の延伸方向と直交する線状の電極とを発光層を挟むようにそれぞれ複数並設すればよい。このとき、第１隔壁の延伸方向と直交する線状の電極を下部側とすれば、各間隙では、複数の下部側の電極が、互いに間隔をあけて第１隔壁の延伸方向に並び、本発明の一態様となる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。なお、上記実施の形態１では、基板１１がＴＦＴ層を有する構成であったが、上記パッシブマトリクス型の例などから分かるように、基板１１はＴＦＴ層を有する構成に限られない。
本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
１ 有機ＥＬ表示装置
１０ 有機ＥＬ表示パネル
１１ 基板
１２ 画素電極
１３ 下地層
１４ 第２隔壁
１６ 第１隔壁
１７ 発光層
１８ 対向電極
１９ 封止層
２０ 間隙
２１ サブ画素
２２ 画素間領域
２３ 画素
２４ フィルタ

Claims (10)

  1. 赤色光を発する赤色サブ画素、緑色光を発する緑色サブ画素、濃青色光を発する第１青色サブ画素、及び淡青色光を発する第２青色サブ画素を含む画素が複数行列状に配された有機ＥＬ表示パネルであって、
    基板と、
    前記基板上の前記第１青色サブ画素の領域内に、前記基板側から順に設けられた、第１青色画素電極、第１青色有機発光層と、
    前記基板上の前記第２青色サブ画素の領域内に、前記基板側から順に設けられた、第２青色画素電極、第２青色有機発光層とを備え、
    前記第１青色有機発光層及び前記第２青色有機発光層は同じ材料から構成されており、
    前記基板平面と垂直な方向において、前記第１青色有機発光層上面と前記第１青色画素電極上面との距離は、前記第２青色有機発光層上面と前記第２青色画素電極上面との距離よりも小さい
    有機ＥＬ表示パネル。
  2. 前記第１青色有機発光層の厚さは、前記第２青色有機発光層の厚さよりも小さい
    請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  3. 前記第１青色有機発光層の厚さは４５ｎｍ未満であり、前記第２青色有機発光層の厚さは４５ｎｍ以上６５ｎｍ以下である
    請求項２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  4. 前記第１青色サブ画素から出射される光のＣＩＥ色度のｙ値が前記第２青色サブ画素から出射される光の色のＣＩＥ色度のｙ値よりも小さい
    請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  5. 前記第１青色有機発光層上方に、前記第１青色有機発光層の発する光のＣＩＥ色度のｙ値を低下させる第１フィルタを備える
    請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  6. 前記第２青色有機発光層上方に、前記第１フィルタよりも波長６００〜８００ｎｍの光の透過率が高い第２フィルタを備える
    請求項５に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  7. 前記第１フィルタの波長３００〜８００ｎｍの光の透過率は０．５以下であり、前記第２フィルタの透過率は０．７以上である
    請求項６に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  8. 前記第１青色サブ画素において前記第１フィルタから上方に出射される光の色は、前記第２青色サブ画素において前記第２フィルタから上方に出射される光の色よりもＣＩＥ色度のｙ値が小さい
    請求項６に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  9. 前記第１青色サブ画素において前記第１フィルタから上方に出射される光をＣＩＥ色度のｙ値は０．１未満であり、前記第２青色サブ画素において前記第２フィルタから上方に出射される光をＣＩＥ色度のｙ値は０．１以上０．１８以下である
    請求項６に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  10. 赤色光を発する赤色サブ画素、緑色光を発する緑色サブ画素、濃青色光を発する第１青色サブ画素、及び淡青色光を発する第２青色サブ画素を含む画素が複数行列状に配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
    基板上の前記第１青色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１青色画素電極、第１青色有機発光層とを形成し、前記基板上の前記第２青色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２青色画素電極、前記第１青色有機発光層と同じ材料から構成されている第２青色有機発光層を形成する工程を含み、
    前記第１及び第２青色有機発光層を形成する工程では、前記基板上面と垂直な方向において、前記第１青色有機発光層上面と前記第１青色画素電極上面との距離は、前記第２青色有機発光層上面と前記第２青色画素電極上面との距離よりも小さく形成する
    有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
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