JP2007116653A - スイッチ回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スイッチ回路11を構成する2つのPチャネルMOSFET1,2のドレインとゲートとの間に接続されるツェナーダイオード5に対して、抵抗素子12を並列に接続したので、ゲートがオープン状態となり、且つ入力側が低電圧,出力側が高電圧となった場合でも、スイッチ回路11を確実に非導通状態にする。
【選択図】図1
Description
図3は、2つのPチャネルMOSFET1,2を直列接続して構成したスイッチ回路を示す。FET1,2は、夫々のソース並びにゲートが共通となるように接続されている。この場合、夫々のドレイン,ソース間に形成されている寄生ダイオード3,4は、カソード側が共通となっている。即ち、これらの寄生ダイオード3,4が互いに逆方向となるように接続することで、例えば、FET2だけを用いた場合に寄生ダイオード4を経由して、出力側から電流が逆流することを防止した構成となっている。
尚、図3に類似した構造のアナログスイッチに関する技術は、例えば特許文献1に開示されている。
しかしながら、ゲートがオープンとなった場合に、例えば入力側が0Vであり、出力側に16V程度の電圧(バッテリ電圧よりやや高めを想定)が印加されたとすると、寄生ダイオード4を介してFET2のソースに電圧が印加される。この時、寄生ダイオード4の順方向電圧が0.8Vであるすれば、ソース電位は15.2Vとなる。すると、ツェナーダイオード5を介してゲート電位は(15.2−8=)7.2Vに設定されるため、ソース−ゲート間の電位差によりFET1及び2が何れもONとなり、スイッチ回路6が導通状態となってしまう。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、2つのPチャネルMOSFETを直列接続して構成されるスイッチ回路について、ゲート電位が不定となった場合でも非導通状態を確実に維持することにある。
上記構成において、図3に示した場合と同様に、第1及び第2MOSFETのゲート電位が不定となり、入力側が0V,第3MOSFETが配置されている側を出力側として高い電圧VHが印加された場合を想定する。この時、第3MOSFETのゲート電位は0Vであるから、スイッチ回路の出力端子電位との差によって第3MOSFETがONする。第3MOSFETのドレイン−ソース間電位をVds,寄生ダイオードの順方向電圧をVf
とすると、第1及び第2MOSFETのゲート電位は(VH−Vds)となり、共通接続点の電位は(VH−Vf)となる。
以下、本発明の第1実施例について図1を参照して説明する。尚、図3と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分のみ接続する。本実施例のスイッチ回路11は、図2に示すスイッチ回路6が有するツェナーダイオード5に対して、抵抗素子12を並列に接続したものである。
そして、スイッチ回路11について、逆流防止というフェイルセーフ対策を抵抗素子12を追加するだけで行なうことができるので、上記のスイッチ回路11を、例えば多数のリソースの中から何れか1つを選択して使用するためのスイッチとして複数使用する場合を想定すると、全体の回路サイズが増大することを効果的に抑制できる。
図2は本発明の第2実施例を示すものであり、図3と異なる部分について説明する。第2実施例のスイッチ回路13は、FET2(第1PチャネルMOSFET)のゲート,ドレインに、PチャネルMOSFET14(第3PチャネルMOSFET)のドレイン,ソースが夫々接続されている。そして、FET14のゲートは、FET1(第2PチャネルMOSFET)ドレインに接続されている。従って、FET14が備える寄生ダイオード15は、FET2が備える寄生ダイオード4に対して逆方向となっている。
一方、寄生ダイオード4の順方向電圧をVfとすると、FET1及び2のソース電位は(16−Vf)Vとなるから、FET1におけるソース−ゲート間の電位差は(Vds−Vf)となる。ここで、Vds=0.1V程度であるから、電位差:(Vds−Vf)=−0.7(V)となってFET1及び2はOFFとなる(例えば、各FET1,2,14のしきい値電圧は2.0V程度である)。従って、スイッチ回路13において、出力端子側から入力端子側への逆流は防止される。
ゲート保護用のツェナーダイオードのツェナー電圧は、FETの耐圧や、スイッチ回路について想定される印加電圧の大きさなどに応じて適宜変更すれば良い。
Claims (2)
- ソース,ドレイン間に形成される寄生ダイオードのカソード側が共通となるように直列接続されると共に、ゲートが共通に接続される2つのPチャネルMOSFETと、
前記直列接続点と前記ゲートとの間に接続されるゲート保護用のツェナーダイオードとを備え、
前記ゲートに与える電圧を制御することで、前記2つのMOSFETを断続するように構成される双方向スイッチ回路において、
前記ツェナーダイオードに対して並列に、抵抗素子を接続したことを特徴とするスイッチ回路。 - ソース,ドレイン間に形成される寄生ダイオードのカソード側が共通となるように直列接続されると共に、ゲートが共通に接続される第1,第2PチャネルMOSFETと、
前記直列接続点と前記ゲートとの間に接続されるゲート保護用のツェナーダイオードとを備え、
前記ゲートに与える電圧を制御することで、前記2つのMOSFETを断続するように構成される双方向スイッチ回路において、
前記第1MOSFETが備える寄生ダイオードのアノードと前記ゲートとの間に、自身が備える寄生ダイオードが逆方向となるように接続されると共に、前記第2MOSFETが備える寄生ダイオードのアノードに自身のゲートが接続される第3PチャネルMOSFETを備えたことを特徴とするスイッチ回路。
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