JP2007088251A

JP2007088251A - 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ表示装置

Info

Publication number: JP2007088251A
Application number: JP2005275855A
Authority: JP
Inventors: Norihisa Maeda; 典久前田; Hiroshi Kubota; 浩史久保田; Hideyuki Murata; ▲英▼幸村田
Original assignee: Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
Current assignee: Japan Display Central Inc
Priority date: 2005-09-22
Filing date: 2005-09-22
Publication date: 2007-04-05

Abstract

【課題】燐光を利用する有機ＥＬ素子においてより高い発光効率を達成する。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、陽極ＡＮと、陰極ＣＴと、それらの間に介在すると共にホスト材料と燐光性のドーパント材料とを含有した発光層ＥＭＴとを具備し、前記発光層ＥＭＴのうち前記陽極ＡＮ側の第１領域Ｒ１は、前記発光層ＥＭＴのうち前記陰極ＣＴ側の第２領域Ｒ２と比較して前記ドーパント材料の濃度がより高く、前記第２領域Ｒ２における前記ドーパント材料の濃度はゼロであることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセント（ＥＬ）素子及び有機ＥＬ表示装置に係り、特には、発光層を燐光性のドーパント材料でドープした有機ＥＬ素子及びこれを用いた有機ＥＬ表示装置に関する。

有機エレクトロルミネッセンスにおいて、励起状態の１／４は励起１重項状態であり、３／４は励起３重項状態である。そのため、励起１重項状態から基底状態への電子の遷移によって生じる蛍光のみを利用する有機ＥＬ素子は、理論的に達成可能な発光効率の最大値が小さい。

励起３重項状態から基底状態への電子遷移によって生じる燐光を利用する有機ＥＬ素子は、理論的には、励起１重項状態から基底状態への電子の遷移によって生じる蛍光のみを利用する有機ＥＬ素子と比較して、より高い発光効率を達成可能である。しかしながら、実際には、発光層を燐光性のドーパント材料でドープした有機ＥＬ素子において、期待されるほどの発光効率は達成できていない。

本発明の目的は、燐光を利用する有機ＥＬ素子においてより高い発光効率を達成することにある。

本発明の第１側面によると、陽極と、陰極と、それらの間に介在すると共にホスト材料と燐光性のドーパント材料とを含有した発光層とを具備し、前記発光層のうち前記陽極側の第１領域は、前記発光層のうち前記陰極側の第２領域と比較して前記ドーパント材料の濃度がより高く、前記第２領域における前記ドーパント材料の濃度はゼロであることを特徴とする有機ＥＬ素子が提供される。
本発明の第２側面によると、第１側面に係る有機ＥＬ素子を各々が含んだ複数の画素を具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。

本発明によると、燐光を利用する有機ＥＬ素子においてより高い発光効率を達成することが可能となる。

以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子を概略的に示す平面図である。
この有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、陽極ＡＮと、これと向き合った陰極ＣＴとを含んでいる。陽極ＡＮは、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）からなる。陰極ＣＴは、例えば、アルミニウムからなる。

陽極ＡＮと陰極ＣＴとの間には、活性層ＡＣＴが介在している。活性層ＡＣＴは、後で詳述する発光層ＥＭＴを含んでいる。

この例では、活性層ＡＣＴは、陽極ＡＮと発光層ＥＭＴとの間に、正孔注入層ＨＩと正孔輸送層ＨＴとをさらに含んでいる。正孔注入層ＨＩは、例えば、アモルファスカーボンからなる。正孔輸送層ＨＴは、正孔注入層ＨＩと発光層ＥＭＴとの間に介在している。正孔輸送層ＨＴは、例えば、α−ＮＰＤ（N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine）からなる。

また、この例では、活性層ＡＣＴは、陰極ＣＴと発光層ＥＭＴとの間に、電子注入層ＥＩと電子輸送層ＥＴと正孔ブロッキング層ＨＢとをさらに含んでいる。電子注入層ＥＩは、例えば、フッ化リチウムからなる。電子輸送層ＥＴは、電子注入層ＥＩと発光層ＥＭＴとの間に介在している。電子輸送層ＥＴは、例えば、Ａｌｑ₃（tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum(III)）からなる。正孔ブロッキング層ＨＢは、電子輸送層ＥＴと発光層ＥＭＴとの間に介在している。正孔ブロッキング層ＨＢは、例えば、ＢＡｌｑ（bis(2-methyl-8-quinolinolato)(para-phenylphenolato)aluminum(III)）からなる。

発光層ＥＭＴは、ホスト材料と燐光性のドーパント材料とを含有している。ホスト材料は、例えば、ＣＢＰ（4,4'-di(carbazolyl-9-yl)biphenyl）である。また、ドーパント材料は、例えば、Ｉｒ（ｐｐｙ）₃（tris(2-phenylpyridine)iridium）である。

発光層ＥＭＴは、層状の領域Ｒ１及びＲ２を含んでいる。領域Ｒ１は、発光層ＥＭＴのうち陽極側に位置し、領域Ｒ２は、発光層ＥＭＴのうち陰極側に位置している。ここでは、領域Ｒ２は、領域Ｒ１と正孔ブロッキング層ＨＢとの間に位置している。領域Ｒ１は、領域Ｒ２と比較してドーパント材料の濃度がより高い。領域Ｒ２におけるドーパント材料の濃度はゼロである。すなわち、領域Ｒ１はホスト材料とドーパント材料との混合物からなり、領域Ｒ２はホスト材料からなる。

この有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、発光層ＥＭＴが領域Ｒ２を含んでいないこと以外は同様の構造を有する有機ＥＬ素子と比較して、より高い発光効率を達成する。特に、この有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、小さな電流密度で使用した場合に、極めて優れた発光効率を達成する。

領域Ｒ１の厚さは、例えば、１０ｎｍ乃至１００ｎｍとする。また、領域Ｒ２の厚さは、例えば、１ｎｍ乃至３０ｎｍとする。領域Ｒ２の厚さが５ｎｍ以上である場合、特に高い発光効率を達成することができる。

この有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、例えば、表示装置の発光素子として利用することができる。

図２は、図１の有機ＥＬ素子を含む表示装置の一例を概略的に示す平面図である。図３は、図２の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。なお、図３では、表示装置を、その表示面，すなわち前面又は光出射面，が下方を向き、背面が上方を向くように描いている。

図２の表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した下面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この有機ＥＬ表示装置は、表示パネルＤＰと、映像信号線ドライバＸＤＲと、走査信号線ドライバＹＤＲとを含んでいる。

表示パネルＤＰは、図２及び図３に示すように、例えば、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。

基板ＳＵＢ上には、図３に示すように、アンダーコート層ＵＣが形成されている。アンダーコート層ＵＣは、例えば、基板ＳＵＢ上にＳｉＮ_x層とＳｉＯ_x層とをこの順に積層してなる。

アンダーコート層ＵＣ上には、例えば不純物を含有したポリシリコンからなる半導体パターンが形成されている。この半導体パターンの一部は、図３の半導体層ＳＣとして利用している。半導体層ＳＣには、ソース及びドレインとして利用する不純物拡散領域と、ソース及びドレイン間に配置されるチャネルとが形成されている。また、この半導体パターンの他の一部は、後述するキャパシタＣの下部電極として利用している。下部電極は、後述する画素ＰＸに対応して配列している。

半導体パターンは、図３に示すゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）などを用いて形成することができる。

ゲート絶縁膜ＧＩ上には、図２に示す走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が形成されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、各々がＸ方向に延びており、Ｙ方向に交互に配列している。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、例えばＭｏＷなどからなる。

ゲート絶縁膜ＧＩ上には、キャパシタＣの上部電極がさらに配置されている。この上部電極は、画素ＰＸに対応して配列しており、キャパシタＣの下部電極と向き合っている。上部電極は、例えばＭｏＷなどからなり、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と同一の工程で形成することができる。

走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、半導体層ＳＣと交差している。走査信号線ＳＬ１と半導体層ＳＣとの交差部は図２及び図３に示すスイッチングトランジスタＳＷａを構成しており、走査信号線ＳＬ２と半導体層ＳＣとの交差部は図１に示すスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを構成している。また、上記の下部電極と上部電極とそれらの間に介在した絶縁膜ＧＩとは図２に示すキャパシタＣを構成しており、上部電極の延在部と半導体層ＳＣとの交差部は図１に示す駆動トランジスタＤＲを構成している。

なお、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。また、図３に参照符号Ｇで示す部分は、スイッチングトランジスタＳＷａのゲートである。

ゲート絶縁膜ＧＩ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに上部電極は、図３に示す層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法により堆積させたＳｉＯ_xなどからなる。

層間絶縁膜ＩＩ上には、図２に示す映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとが形成されている。映像信号線ＤＬは、図１に示すように、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。電源線ＰＳＬは、例えば、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。

層間絶縁膜ＩＩ上には、図３に示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥがさらに形成されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、画素ＰＸの各々において素子同士を接続している。

映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。これらは、同一工程で形成可能である。

映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、図３に示すパッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮ_xなどからなる。

パッシベーション膜ＰＳ上では、図３に示す画素電極ＰＥが、画素ＰＸに対応して配列している。各画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳに設けたコンタクトホールを介してドレイン電極ＤＥに接続されており、このドレイン電極はスイッチングトランジスタＳＷａのドレインに接続されている。

画素電極ＰＥは、この例では光透過性の前面電極である。また、画素電極ＰＥは、この例では図１に示す陽極ＡＮである。画素電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯなどの透明導電性酸化物を使用することができる。

パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、図３に示す隔壁絶縁層ＰＩが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。

隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。

画素電極ＰＥ上には、図１及び図３に示す活性層ＡＣＴが形成されている。活性層ＡＣＴは、図１に示すように、発光層ＥＭＴを含んでいる。この活性層ＡＣＴは、発光層ＥＭＴに加え、正孔注入層ＨＩ、正孔輸送層ＨＴ、電子注入層ＥＩ、電子輸送層ＥＴ、正孔ブロッキング層ＨＢなどをさらに含むことができる。

隔壁絶縁層ＰＩ及び活性層ＡＣＴは、対向電極ＣＥで被覆されている。この例では、対向電極ＣＥは、画素ＰＸ間で互いに接続された電極，すなわち共通電極，である。また、この例では、対向電極ＣＥは、図１に示す陰極ＣＴであり且つ光反射性の背面電極である。対向電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと隔壁絶縁層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥと、有機物層ＯＲＧと、対向電極ＣＥとを含んでいる。

画素ＰＸの各々は、図２に示すように、駆動トランジスタＤＲと、スイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネル薄膜トランジスタである。

駆動トランジスタＤＲとスイッチングトランジスタＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。

スイッチングトランジスタＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｂは映像信号線ＤＬと駆動トランジスタＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｃは駆動トランジスタＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。

キャパシタＣは、駆動トランジスタＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。この例では、定電位端子ＮＤ１’は、電源端子ＮＤ１に接続されている。

映像信号線ドライバＸＤＲには、映像信号線ＤＬが接続されている。この例では、映像信号線ドライバＸＤＲには、電源線ＰＳＬがさらに接続されている。映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＤＬに映像信号として電流信号を出力するとともに、電源線ＰＳＬに電源電圧を供給する。

走査信号線ドライバＹＤＲには、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が接続されている。走査信号線ドライバＹＤＲは、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２にそれぞれ第１及び第２走査信号として電圧信号を出力する。

この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２の各々を線順次駆動する。すなわち、画素ＰＸを行毎に走査（選択）する。画素ＰＸを選択している選択期間では書込動作を行い、非選択期間では表示動作を行う。

或る行の画素ＰＸを選択する選択期間では、まず、走査信号線ドライバから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチングトランジスタＳＷａを開く（非導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる（導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバから、映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号（書込電流）Ｉ_sigとして出力し、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖ_gsを、先の映像信号Ｉ_sigに対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号を電圧信号として出力する。これにより、選択期間を終了する。

選択期間に続く非選択期間では、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力し、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃは開いたままとする。非選択期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖ_gsに対応した大きさの駆動電流Ｉ_drvが流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流Ｉ_drvの大きさに対応した輝度で発光する。

図３には、図１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを下面発光型の有機ＥＬ表示装置に適用した例を示したが、図１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは上面発光型の有機ＥＬ表示装置でも使用可能である。また、図２には、画素回路に映像信号として電流信号を書き込む有機ＥＬ表示装置を示したが、図１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素回路に映像信号として電圧信号を書き込む有機ＥＬ表示装置で使用することも可能である。

以下、本発明の実施例について説明する。
まず、一主面にＩＴＯ層が形成されたガラス基板を準備した。なお、このＩＴＯ層は、陽極ＡＮとして利用する。

次に、陽極ＡＮ上に、スパッタリング法によりアモルファスカーボンからなる厚さ１０ｎｍの正孔注入層ＨＩを形成した。次いで、正孔注入層ＨＩ上に、真空蒸着法によりα−ＮＰＤからなる厚さ１１０ｎｍの正孔輸送層ＨＴを形成した。

その後、正孔輸送層ＨＴ上に、真空蒸着法によりＣＢＰとＩｒ（ｐｐｙ）₃との混合物からなる厚さ３０ｎｍの第１有機物層を形成した。ここでは、ＣＢＰとＩｒ（ｐｐｙ）₃とのドープ濃度比は９４：６とした。続いて、第１有機物層上に、真空蒸着法によりＣＢＰからなる厚さ２．５ｎｍの第２有機物層を形成した。以上のようにして、第１及び第２有機物層からなる発光層ＥＭＴを得た。なお、第１及び第２有機物層は、発光層ＥＭＴが含む領域Ｒ１及びＲ２にそれぞれ対応している。

次に、発光層ＥＭＴ上に、真空蒸着法によりＢＡｌｑからなる厚さ１０ｎｍの正孔ブロッキング層ＨＢを形成した。次いで、正孔ブロッキング層ＨＢ上に、真空蒸着法によりＡｌｑからなる厚さ３７．５ｎｍの電子輸送層ＥＴを形成した。

その後、電子輸送層ＥＴ上に、真空蒸着法によりフッ化リチウムからなる厚さ１ｎｍの電子注入層ＥＩを形成した。さらに、電子注入層ＥＩ上に、真空蒸着法によりアルミニウムからなる厚さ１００ｎｍの陰極ＣＴを形成した。

以上のようにして、図１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを完成した。以下、この有機ＥＬ素子ＯＬＥＤをサンプル（１）と呼ぶ。

次に、第２有機物層の厚さを５ｎｍとし且つ電子輸送層ＥＴの厚さを３５ｎｍとしたこと以外は、サンプル（１）について説明したのと同様の方法により図１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを作製した。以下、この有機ＥＬ素子ＯＬＥＤをサンプル（２）と呼ぶ。

次いで、第２有機物層の厚さを１０ｎｍとし且つ電子輸送層ＥＴの厚さを３０ｎｍとしたこと以外は、サンプル（１）について説明したのと同様の方法により図１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを作製した。以下、この有機ＥＬ素子ＯＬＥＤをサンプル（３）と呼ぶ。

その後、第２有機物層を省略し且つ電子輸送層ＥＴの厚さを４０ｎｍとしたこと以外は、サンプル（１）について説明したのと同様の方法により有機ＥＬ素子を作製した。以下、この有機ＥＬ素子を比較サンプルと呼ぶ。

以上の方法で作製したサンプル（１）乃至（３）及び比較サンプルの構造及び組成を以下の表１に纏める。

次に、サンプル（１）乃至（３）及び比較サンプルの発光効率を調べた。その結果を、図４及び以下の表２に纏める。

図４は、本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子の発光効率を示すグラフである。図中、横軸は電流密度を示し、縦軸は発光効率を示している。また、表２には、電流密度を１０ｍＡ／ｃｍ²としたときの発光効率及び輝度半減時間を示している。

図４及び表２から明らかなように、サンプル（１）乃至（３）は、比較サンプルと比較して、より高い発光効率を達成している。特に、電流密度が比較的小さい場合、サンプル（１）乃至（３）は、比較サンプルと比較して、極めて高い発光効率を達成している。

また、図４のサンプル（１）乃至（３）に関するデータから明らかなように、サンプル（２）はサンプル（１）と比較してより優れた発光効率を達成し、サンプル（３）はサンプル（２）と比較してより優れた発光効率を達成している。すなわち、領域Ｒ２の厚さが増加するのに伴い、発光効率は高くなる。また、サンプル（２）及び（３）は、ほぼ等しい発光効率を達成している。以上から、領域Ｒ２の厚さが５ｎｍ以上の場合には、領域Ｒ２の厚さの増加に伴う発光効率の向上はほぼ飽和していることが分かる。

また、サンプル（１）乃至（３）は、比較サンプルと比較して、耐久性が向上している。すなわち、領域Ｒ２を有することにより、長寿命化の効果があることが分かる。特に、領域Ｒ２の厚さが増大するにつれ、より優れた耐久性を示している。このように、本発明によれば、発光層に隣接する層から発光ポイントへの異分子拡散を抑制する領域Ｒ２を有することにより、上述の効果に加え、耐久性を向上させることが可能となる。なお、異分子とは、発光層を構成する分子以外の分子を指す。

本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子を概略的に示す平面図。図１の有機ＥＬ素子を含む表示装置の一例を概略的に示す平面図。図２の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子の発光効率を示すグラフ。

符号の説明

ＡＣＴ…活性層、ＡＮ…陽極、Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＣＴ…陰極、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…表示パネル、ＤＲ…駆動トランジスタ、ＥＩ…電子注入層、ＥＭＴ…発光層、ＥＴ…電子輸送層、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＨＢ…正孔ブロッキング層、ＨＩ…正孔注入層、ＨＴ…正孔輸送層、ＩＩ…層間絶縁膜、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、Ｒ１…領域、Ｒ２…領域、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷａ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｂ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｃ…スイッチングトランジスタ、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。

Claims

陽極と、陰極と、それらの間に介在すると共にホスト材料と燐光性のドーパント材料とを含有した発光層とを具備し、前記発光層のうち前記陽極側の第１領域は、前記発光層のうち前記陰極側の第２領域と比較して前記ドーパント材料の濃度がより高く、前記第２領域における前記ドーパント材料の濃度はゼロであることを特徴とする有機ＥＬ素子。
前記第２領域の厚さは５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
前記陽極と前記発光層との間に介在した正孔注入層と、前記正孔注入層と前記発光層との間に介在した正孔輸送層と、前記陰極と前記発光層との間に介在した電子注入層と、前記電子注入層と前記発光層との間に介在した電子輸送層と、前記電子輸送層と前記発光層との間に介在した正孔ブロッキング層とをさらに具備したことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
請求項１乃至３の何れか１項に記載の有機ＥＬ素子を各々が含んだ複数の画素を具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。