JP2007042443A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ホワイトバランスの経時劣化を生じ難く且つ表示品位に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置は、第１発光素子を含んだ第１サブ画素と、第１発光素子とは発光色が異なると共に等しい電流密度で通電し続けたときに第１発光素子と比較して劣化がより速い第２発光素子を含んだ第２サブ画素と、第１発光素子を挟んで第２発光素子と隣り合い且つ第１及び第２発光素子とは発光色が異なると共に等しい電流密度で通電し続けたときに第１発光素子と比較して劣化がより遅い第３発光素子を含んだ第３サブ画素とを各々が備えた複数の画素を具備し、第１サブ画素の発光領域ＥＡ１と第２サブ画素の発光領域ＥＡ２との間の中心間距離Ｘ₁₂と、第１サブ画素の発光領域ＥＡ１と第３サブ画素の発光領域ＥＡ３との間の中心間距離Ｘ₁₃とは、不等式：０＜（Ｘ₁₂−Ｘ₁₃）／（Ｘ₁₂＋Ｘ₁₃）＜０．１７に示す関係を満足していることを特徴とする。
【選択図】 図３

Description

本発明は、表示装置に係り、特には各画素が互いに異なる色の光を放出する複数の発光素子を含んだ表示装置に関する。

カラー画像を表示可能な表示装置では、通常、各画素は、表示色が青、緑、赤色の３つのサブ画素を含んでいる。例えば、カラー画像を表示可能な有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置では、典型的には、各画素は、発光色が青色の発光素子を含んだサブ画素と、発光色が緑色の発光素子を含んだサブ画素と、発光色が赤色の発光素子を含んだサブ画素とで構成されている。

ところで、青、緑、赤色の有機ＥＬ素子に互いに等しい電流密度で通電し続けた場合、一般に、青色の有機ＥＬ素子は、緑及び赤色の有機ＥＬ素子と比較して、より速やかに劣化する。そのため、例えば、青、緑、赤色の有機ＥＬ素子の電流密度を互いに等しくして白色画像を表示する設計を採用した場合、この白色画像は、時間の経過と共に純粋な白色から黄色がかった白色へと変化する。

この問題に対し、特許文献１には、青色の有機ＥＬ素子の発光面積を、緑及び赤色の有機ＥＬ素子の発光面積と比較してより大きくすることが記載されている。このような構造を採用すると、白色画像表示時において、青色の有機ＥＬ素子の電流密度を、緑及び赤色の有機ＥＬ素子の電流密度と比較してより小さくすることができる。それゆえ、例えば、青、緑、赤色の有機ＥＬ素子で劣化の速度を互いにほぼ等しくすることができ、したがって、ホワイトバランスの経時劣化を生じ難くすることができる。

しかしながら、本発明者らは、本発明を為すに際し、有機ＥＬ表示装置に先の構造を採用すると、表示品位の劣化を生じる可能性があることを見い出している。
特開２００３−１６８５６１号明細書

本発明の目的は、ホワイトバランスの経時劣化を生じ難く且つ表示品位に優れた表示装置を提供することにある。

本発明の一側面によると、第１発光素子を含んだ第１サブ画素と、前記第１発光素子とは発光色が異なると共に等しい電流密度で通電し続けたときに前記第１発光素子と比較して劣化がより速い第２発光素子を含んだ第２サブ画素と、前記第１発光素子を挟んで前記第２発光素子と隣り合い且つ前記第１及び第２発光素子とは発光色が異なると共に等しい電流密度で通電し続けたときに前記第１発光素子と比較して劣化がより遅い第３発光素子を含んだ第３サブ画素とを各々が備えた複数の画素を具備し、前記第１サブ画素の発光領域と前記第２サブ画素の発光領域との間の中心間距離Ｘ₁₂と、前記第１サブ画素の発光領域と前記第３サブ画素の発光領域との間の中心間距離Ｘ₁₃とは、不等式：０＜（Ｘ₁₂−Ｘ₁₃）／（Ｘ₁₂＋Ｘ₁₃）＜０．１７に示す関係を満足していることを特徴とする表示装置が提供される。

本発明によると、ホワイトバランスの経時劣化を生じ難く且つ表示品位に優れた表示装置が提供される。

以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本発明の一態様に係る表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。なお、図２では、表示装置を、その表示面，すなわち前面又は光出射面，が下方を向き、背面が上方を向くように描いている。

図１の表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した下面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この表示装置はカラー画像を表示可能であり、各々の画素ＰＸは３つのサブ画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を含んでいる。

この有機ＥＬ表示装置は、アレイ基板ＡＳと、映像信号線ドライバＸＤＲと、走査信号線ドライバＹＤＲとを含んでいる。

アレイ基板ＡＳは、例えば、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。
基板ＳＵＢ上には、図２に示すように、アンダーコート層ＵＣとして、例えば、ＳｉＮ_x層とＳｉＯ_x層とが順次積層されている。

アンダーコート層ＵＣ上には、例えばチャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層である半導体層ＳＣ、例えばＴＥＯＳ（TetraEthyl OrthoSilicate）などを用いて形成され得るゲート絶縁膜ＧＩ、及び例えばＭｏＷなどからなるゲートＧが順次積層されており、それらは電界効果トランジスタであるトップゲート型の薄膜トランジスタを構成している。この例では、これら薄膜トランジスタは、ｐチャネル薄膜トランジスタであり、図１の駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃとして利用している。

ゲート絶縁膜ＧＩ上には、図１に示す走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と、図示しない下部電極とがさらに配置されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２並びに下部電極は、ゲートＧと同一の工程で形成可能である。

走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、図１に示すように、各々が画素ＰＸの行方向（Ｘ方向）に延びており、画素ＰＸの列方向（Ｙ方向）に交互に配列している。これら走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、走査信号線ドライバＹＤＲに接続されている。

下部電極は、駆動制御素子ＤＲのゲートに接続されている。下部電極は、後述するキャパシタＣの一方の電極として利用する。

ゲート絶縁膜ＧＩ、ゲートＧ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに下部電極は、図２に示す層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜されたＳｉＯ_xなどからなる。この層間絶縁膜ＩＩのうち下部電極上の部分は、キャパシタＣの誘電体層として利用する。

層間絶縁膜ＩＩ上には、図２に示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥ、図１に示す映像信号線ＤＬ、電源線ＰＳＬ、並びに図示しない上部電極が配置されている。これらは、同一工程で形成可能であり、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。

ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩに設けられたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタのソース及びドレインに電気的に接続されている。

映像信号線ＤＬは、図１に示すように、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。これら映像信号線ＤＬの各々の一端は、映像信号線ドライバＸＤＲに接続されている。

電源線ＰＳＬは、この例では、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。また、この例では、電源線ＰＳＬは、映像信号線ドライバＸＤＲに接続されている。

上部電極は、電源線ＰＳＬに接続されている。上部電極は、キャパシタＣの他方の電極として利用する。

ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、映像信号線ＤＬ、電源線ＰＳＬ、及び上部電極は、図２に示すパッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮ_xなどからなる。

パッシベーション膜ＰＳ上には、前面電極として、光透過性の第１電極ＰＥが互いから離間して並置されている。各第１電極ＰＥは、画素電極であり、パッシベーション膜ＰＳに設けた貫通孔を介して、スイッチＳＷａのドレイン電極ＤＥに接続されている。

第１電極ＰＥは、この例では陽極である。第１電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）のような透明導電性酸化物を使用することができる。

パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、図２に示す隔壁絶縁層ＰＩが配置されている。隔壁絶縁層ＰＩには、第１電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、第１電極ＰＥが形成する列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＰＩには、第１電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。

隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。

第１電極ＰＥ上には、活性層として、発光層を含んだ有機物層ＯＲＧが配置されている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この有機物層ＯＲＧは、発光層に加え、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。

隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、背面電極である第２電極ＣＥで被覆されている。第２電極ＣＥは、サブ画素ＰＸ１乃至ＰＸ３間で互いに接続された対向電極，すなわち共通電極，であり、この例では光反射性の陰極である。第２電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと隔壁絶縁層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、第１電極ＰＥ、有機物層ＯＲＧ及び第２電極ＣＥで構成されている。

各々の画素ＰＸにおいて、サブ画素ＰＸ１は、サブ画素ＰＸ２及びＰＸ３間に位置している。サブ画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の各々は、画素回路と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとを含んでいる。

サブ画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、発光色が互いに異なっている。サブ画素ＰＸ２が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、サブ画素ＰＸ１が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと比較して、等しい電流密度で通電し続けたときに劣化がより速い。また、サブ画素ＰＸ３が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、サブ画素ＰＸ１が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと比較して、等しい電流密度で通電し続けたときに劣化がより遅い。この例では、サブ画素ＰＸ１が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光色は緑色であり、サブ画素ＰＸ２が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光色は青色であり、サブ画素ＰＸ３が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光色は赤色である。

サブ画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の各々が含む画素回路は、この例では、駆動制御素子（駆動トランジスタ）ＤＲと、出力制御スイッチＳＷａと、映像信号供給制御スイッチＳＷｂと、ダイオード接続スイッチＳＷｃと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネル薄膜トランジスタである。また、この例では、映像信号供給制御スイッチＳＷｂとダイオード接続スイッチＳＷｃとは、駆動制御素子ＤＲのドレインと映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのゲートとの接続状態を、それらが互いに接続された第１状態と、それらが互いから遮断された第２状態との間で切り替えるスイッチ群を構成している。

駆動制御素子ＤＲと出力制御スイッチＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、第１電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、第２電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。

出力制御スイッチＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。映像信号供給制御スイッチＳＷｂは映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。ダイオード接続スイッチＳＷｃは駆動制御素子ＤＲのゲートとドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。

キャパシタＣは、駆動制御素子ＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。定電位端子ＮＤ１’は、例えば第１電源端子ＮＤ１に接続する。

なお、この有機ＥＬ表示装置のうち絶縁基板ＳＵＢから隔壁絶縁層ＰＩまでの構造がアレイ基板ＡＳに相当している。

映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、この例では、アレイ基板ＡＳ上に配置されている。すなわち、この例では、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲをＣＯＧ（chip on glass）実装している。映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、ＣＯＧ実装する代わりに、ＴＣＰ（tape carrier package）実装してもよい。

この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２の各々を線順次駆動する。そして、或る行のサブ画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に映像信号を書き込む書込期間では、まず、走査信号線ドライバＹＤＲから、先のサブ画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷａを開く（ＯＦＦ）走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先のサブ画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる（ＯＮ）走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＸＤＲから、先のサブ画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号としてそれぞれ出力し、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧を、先の映像信号に対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲから、先のサブ画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷｂ及びＳＷｃを開く（ＯＦＦ）走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先のサブ画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷａを閉じる（ＯＮ）走査信号を電圧信号として出力する。

スイッチＳＷａを閉じ（ＯＮ）ている有効表示期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧に対応した大きさの駆動電流が流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流の大きさに対応した輝度で発光する。

図３は、図１の表示装置をその表示面側から見た平面図である。図３において、参照符号ＥＡ１乃至ＥＡ３は、サブ画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の発光領域，すなわち、表示面を正面から見たときに発光を視認可能な領域，をそれぞれ示している。参照符号Ｘ₁₂は、発光領域ＥＡ１の中心と発光領域ＥＡ２の中心との間の距離を示し、参照符号Ｘ₁₃は、発光領域ＥＡ１の中心と発光領域ＥＡ３の中心との間の距離を示している。参照符号Ｘ₁乃至Ｘ₃は、発光領域ＥＡ１乃至ＥＡ３のＸ方向に沿った寸法をそれぞれ示している。

この表示装置では、寸法Ｘ₂は寸法Ｘ₁よりも大きく、寸法Ｘ₃は寸法Ｘ₁よりも小さい。また、発光領域ＥＡ１乃至ＥＡ３のＹ方向に沿った寸法は互いに等しい。すなわち、発光領域ＥＡ２は発光領域ＥＡ１と比較して面積がより大きく、発光領域ＥＡ３は発光領域ＥＡ１と比較して面積がより小さい。これら面積は、この表示装置に白色画像を表示させ続けたときの輝度半減寿命がサブ画素ＰＸ１乃至ＰＸ３間で互いにほぼ等しくなるように定められている。

ところで、寸法Ｘ₁乃至Ｘ₃が互いに等しく且つ発光領域ＥＡ１乃至ＥＡ３のＹ方向に沿った寸法が互いに等しい構造を採用した表示装置では、距離Ｘ₁₂と距離Ｘ₁₃とが互いに等しい場合に最も優れた表示品位を実現できる。本発明者らは、寸法Ｘ₁乃至Ｘ₃を互いに異ならしめると、寸法Ｘ₁乃至Ｘ₃が互いに等しい場合と比較して、表示品位が劣化することを見い出した。すなわち、寸法Ｘ₁乃至Ｘ₃を互いに異ならしめた表示装置では、距離Ｘ₁₂と距離Ｘ₁₃とを互いに等しくした場合、優れた表示品位は実現できない。

この表示装置では、距離Ｘ₁₂と距離Ｘ₁₃とは、不等式：０＜（Ｘ₁₂−Ｘ₁₃）／（Ｘ₁₂＋Ｘ₁₃）＜０．１７に示す関係を満足している。典型的には、距離Ｘ₁₂と距離Ｘ₁₃とは、不等式：０．０８＜（Ｘ₁₂−Ｘ₁₃）／（Ｘ₁₂＋Ｘ₁₃）＜０．１２に示す関係を満足している。距離Ｘ₁₂と距離Ｘ₁₃とが上記不等式に示す関係を満足している場合、ホワイトバランスの経時劣化を生じ難くすることができると共に、優れた表示品位を実現することができる。これについて、以下に詳細に説明する。

図４乃至図６は、図１の表示装置で表示可能な画像の例を概略的に示す平面図である。図４乃至図６において、表示領域ＥＡ１乃至ＥＡ３のうち、白抜きの領域は発光していない領域を示し、ハッチングを付している領域は発光している領域を示している。

ここでは、寸法Ｘ₁乃至Ｘ₃が互いに等しく且つ比（Ｘ₁₂−Ｘ₁₃）／（Ｘ₁₂＋Ｘ₁₃）がゼロである有機ＥＬ表示装置と、寸法Ｘ₁乃至Ｘ₃が互いに異なり且つ比（Ｘ₁₂−Ｘ₁₃）／（Ｘ₁₂＋Ｘ₁₃）がゼロよりも大きい有機ＥＬ表示装置とで、図４乃至図６の画像を表示した。これら画像を屋内で３０名の被験者に観察させ、相違を識別できるか否かを調べた。なお、ここでは、全ての有機ＥＬ表示装置にＱＣＩＦ（quarter common intermediate format）を採用すると共に、画素ＰＸの寸法を１９８μｍ×１９８μｍとした。また、ここでは、画像は画面から１５ｃｍだけ離れた位置から観察した。結果を以下の表に示す。

上記表において、「直線」で示す行には図４の画像を表示した場合に得られた結果を示し、「点線」で示す行には図５の画像を表示した場合に得られた結果を示し、「斜線」で示す行には図６の画像を表示した場合に得られた結果を示している。「比Ｘ₁：Ｘ₂：Ｘ₃」で示す行には、寸法Ｘ₁と寸法Ｘ₂と寸法Ｘ₃との比を示している。また、評価「Ａ」は全ての被験者が相違を識別できなかったことを示し、評価「Ｂ」は１名乃至５名の被験者が相違を識別したことを示し、評価「Ｃ」はそれよりも多くの被験者が相違を識別したことを示している。

上記表から明らかなように、距離Ｘ₁₂と距離Ｘ₁₃とが先の不等式に示す関係を満足している場合、優れた表示品位を実現することができる。また、寸法Ｘ₂が寸法Ｘ₁よりも大きく且つ寸法Ｘ₃が寸法Ｘ₁よりも小さい場合には、サブ画素ＰＸ１乃至ＰＸ３間で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化の速度を互いにほぼ等しくすることができる。したがって、本態様によると、ホワイトバランスの経時劣化を生じ難くすることができると共に、優れた表示品位を実現することができる。

本態様では、本発明を下面発光型の有機ＥＬ表示装置に適用したが、本発明は上面発光型の有機ＥＬ表示装置にも適用可能である。また、本態様では、画素回路に映像信号として電流信号を書き込む構成を採用したが、画素回路に映像信号として電圧信号を書き込む構成を採用することも可能である。

本発明の一態様に係る表示装置を概略的に示す平面図。 図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。 図１の表示装置をその表示面側から見た平面図。 図１の表示装置で表示可能な画像の例を概略的に示す平面図。 図１の表示装置で表示可能な画像の例を概略的に示す平面図。 図１の表示装置で表示可能な画像の例を概略的に示す平面図。

符号の説明

ＡＳ…アレイ基板、Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＲ…駆動制御素子、ＥＡ１…発光領域、ＥＡ２…発光領域、ＥＡ３…発光領域、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＩＩ…層間絶縁膜、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＰＸ１…サブ画素、ＰＸ２…サブ画素、ＰＸ３…サブ画素、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷａ…出力制御スイッチ、ＳＷｂ…映像信号供給制御スイッチ、ＳＷｃ…ダイオード接続スイッチ、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。

Claims (5)

1. 第１発光素子を含んだ第１サブ画素と、前記第１発光素子とは発光色が異なると共に等しい電流密度で通電し続けたときに前記第１発光素子と比較して劣化がより速い第２発光素子を含んだ第２サブ画素と、前記第１発光素子を挟んで前記第２発光素子と隣り合い且つ前記第１及び第２発光素子とは発光色が異なると共に等しい電流密度で通電し続けたときに前記第１発光素子と比較して劣化がより遅い第３発光素子を含んだ第３サブ画素とを各々が備えた複数の画素を具備し、
   前記第１サブ画素の発光領域と前記第２サブ画素の発光領域との間の中心間距離Ｘ₁₂と、前記第１サブ画素の発光領域と前記第３サブ画素の発光領域との間の中心間距離Ｘ₁₃とは、不等式：０＜（Ｘ₁₂−Ｘ₁₃）／（Ｘ₁₂＋Ｘ₁₃）＜０．１７に示す関係を満足していることを特徴とする表示装置。
2. 前記中心間距離Ｘ₁₂及びＸ₁₃は、不等式：０．０８＜（Ｘ₁₂−Ｘ₁₃）／（Ｘ₁₂＋Ｘ₁₃）＜０．１２に示す関係を満足していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記複数の画素のそれぞれにおいて、前記第２サブ画素の発光領域は前記第１サブ画素の発光領域と比較してそれらの配列方向に沿った寸法がより大きく、前記第３サブ画素の発光領域は前記第１サブ画素の発光領域と比較してそれらの配列方向に沿った寸法がより小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１発光素子の発光色は緑色であり、前記第２発光素子の発光色は青色であり、前記第１発光素子の発光色は赤色であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第１乃至第３発光素子は有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

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