JP2007005948A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 気密性の高い電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
所定の回路パターンが形成されたベース基板１１Ａと、前記ベース基板１１Ａに対向配置される実装基板１２Ａと、前記ベース基板１１Ａと実装基板１２Ａとを接合する接着層１７と、内部に前記ベース基板１１Ａを封止するとともに開口端部２１，２１を備えた封止部材２０とを備え、前記開口端部２１，２１が前記実装基板１２Ａの板厚内に設けられている構成とした。電子部品１０Ａの内部と外部との間のリークを有効に防止できるようになり、電子部品１０Ａの気密性を向上させることが可能となる。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＳＡＷデバイスなどの電子部品及びその製造方法に係わり、特に気密性を高めた電子部品及びその製造方法に関する。

従来の電子部品の一種としての弾性表面素子は、櫛歯状電極が形成された圧電基板の一面とベース基板とが対向配置された状態でフリップチップ接続されている。弾性表面素子は前記櫛歯状電極が形成された中空領域を除き、前記前記圧電基板の周囲が封止樹脂によって被覆されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−３２０６１号公報（第３頁、図１）

電子部品としての弾性表面素子は、圧電基板表面に形成される櫛型の電極材料にＡＬ（アルミニウム）若しくはＡＬ合金などが使われるのが一般的であるところ、これらの電極材料は水分の影響を受けやすいことから、ＳＡＷフィルタパッケージとしての高い気密性が求められる。

しかし、特許文献１に記載された電子部品（弾性表面波装置）では、ベース基板の表面上に封止樹脂が接合されて密封が行われるものであるところ、前記ベース基板の表面と封止樹脂の接合面とが同一平面あるため、リークが発生しやすく高い気密性を維持することが困難という問題があった。

本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、弾性表面素子を含む電子部品において、高い気密性を備えた電子部品及びその製造方法を提供することを目的としている。

本発明は、所定の回路パターンが形成されたベース基板と、前記ベース基板に対向配置される実装基板と、前記ベース基板と実装基板とを接合する接着層と、内部に前記ベース基板を封止するとともに開口端部を備えた封止部材とを備え、前記開口端部が前記実装基板の板厚内に設けられていることを特徴とするものである。

本発明では、封止部材の開口端部と実装基板とが同一面となることを避けることができるため、リークの発生し難い気密性の高い電子部品を提供できる。

例えば、前記実装基板の周縁部には、前記実装基板の一部を板厚方向に薄くすることにより形成された段差部が形成されており、この段差部内に前記開口端部が設けられているものとして構成できる。
上記手段では、簡単な構成で気密性を高めることこができる。

また前記ベース基板と前記接着層の接合部分の端部および前記接着層と前記実装基板の接合部分の端部が、前記封止部材の内壁面に密着させられていることが好ましい。
上記手段では、接合面を介してのリークを有効に防止することができる。

さらに、前記ベース基板と前記封止部材との間に金属層が設けられていることが好ましい。

金属層は樹脂などに比較して気密性が高いため、気密性に優れた電子部品を提供できる。

またさらに、前記封止部材の周囲が、金属層で覆われていることが好ましい。
上記手段では二重に封止することができるため、さらに気密性に優れた電子部品を提供できる。

例えば、前記ベース基板として圧電基板が用いられ、前記回路パターンとして櫛歯状電極が形成されていることを特徴とする。
上記手段では、気密性の高い弾性表面波素子を提供できる。

また本発明の電子部品の製造方法は、ウェハ状のベース基板本体に素子形成エリアごとに所定の回路パターンを形成する第１の工程と、前記ベース基板本体にウェハ状の実装基板本体を対向配置して互いを接合させる第２の工程と、前記素子形成エリアごとに前記ベース基板本体の板厚方向の全部と前記実装基板本体の板厚方向の一部とを切断することにより第１の溝部を形成するとともに個々のベース基板に分離する第３の工程と、分離後のベース基板の周囲に樹脂製の封止部材を一体的に形成する第４の工程と、前記実装基板本体及び封止部材を切断することにより個々の電子部品に分離する第５の工程と、を有することを特徴とするものである。

上記発明では、気密性の高い電子部品を確実に形成することができる。しかもウェハ状態のままで一体形成することができるため、気密性の高い電子部品を大量生産することができる。

あるいは、ウェハ状のベース基板本体に素子形成エリアごとに所定の回路パターンを形成する第１の工程と、ウェハ状の実装基板本体の一方の面内に前記素子形成エリアごとに仕切る第２の溝部を形成する第２の工程と、溝部が形成された前記実装基板本体の一方の面と前記ベース基板本体とを対向配置して互いを接合させる第３の工程と、前記ベース基板本体を前記第２の溝部に対向する位置で切断することにより前記第２の溝部を露出させるとともに個々のベース基板に分離する第４の工程と、分離後のベース基板の周囲に樹脂製の封止部材を一体的に形成する第５の工程と、前記実装基板本体及び封止部材を切断することにより個々の電子部品に分離する第６の工程と、を有することを特徴とするもものである。
上記発明によっても、気密性の高い電子部品を確実に形成することができる。

上記において、前記樹脂製の封止部材を形成する前工程として、分離後のベース基板の周囲を金属層で一体的に封止する工程が設けられていることが好ましい。

上記手段では、金属層を有することで気密性に優れた電子部品を形成することができる。

また前記樹脂製の封止部材を形成した後に、前記樹脂製の封止部材の周囲を金属層で一体的に覆う工程が設けられているものとすることができる。
上記手段では、二重の封止構造を有する電子部品を形成することができる。

上記において、前記金属層の周囲をさらに樹脂製の封止部材を形成する工程が設けられているものとすることもできる。

封止構造を多重化することができるため、より気密性の高い電子部品を形成することができる。

例えば、前記封止部材は、前記分離後のベース基板の周囲と前記第１の溝部又は前記第２の溝部の中に流し込んだ溶融樹脂を硬化させることにより形成されることが好ましい。
上記手段では、樹脂成形による封止部材を確実に形成することができる。

あるいは、前記封止部材が、加熱した熱硬化性の樹脂シートを前記ベース基板の周囲と前記第１の溝部又は前記第２の溝部との間に密着させることにより形成されることが好ましい。
上記手段では、樹脂シートを用いた簡単な構成により、確実に封止することができる。

また上記においては、前記金属層が、スパッタリング、電解めっき、無電解めっき又は蒸着のいずれかまたは複数の方法により形成されることが好ましい。
上記手段では金属層からなる封止部材を確実に形成することができる。

また前記ベース基板として圧電基板が用いられ、前記回路パターンとして櫛歯状電極が形成されていることを特徴とするものである。
上記手段では、気密性の高い弾性表面波素子を形成することができる。

本発明では、気密性に優れた電子部品を提供することができる。
また気密性に優れた電子部品を形成するための製造方法を提供することができる。

図１は本発明の電子部品に関する第１の実施の形態としての弾性表面波素子の断面図である。

図１に第１の実施の形態として示す電子部品１０Ａは、所定の距離を隔てて互いに対向配置されたベース基板１１Ａと実装基板１２Ａを有している。この実施の形態に示す前記ベース基板１１Ａは圧電材料で形成されており、このベース基板１１Ａの表面（Ｚ１側の面）上には導電性の材料で形成された一対の櫛歯状電極（ＩＤＴ（インタディジタルトランスデューサ）電極）１３および前記櫛歯状電極１３の端部に連続的して接続される端子電極１４，１４などからなる回路パターンが形成されている。

なお、電子部品１０Ａが弾性表面波素子以外の場合には、その他の導電体からなる電極パターン、あるいは抵抗体膜やキャパシタのための誘電膜などからなる回路パターンが形成される。

前記実装基板本体１２には板厚方向（Ｚ方向）に抜ける貫通孔１２ａ，１２ａが形成されており、この貫通孔１２ａ，１２ａ内には例えばスパッタリング又はメッキなどの手段を用いて形成された貫通電極１５，１５が形成されている。前記貫通電極１５，１５の一方の端部（Ｚ１側の端部）は前記実装基板１２Ａの表面に露出されており、他方の端部（Ｚ２方向の端部）はベース基板１１Ａに形成された前記櫛歯状電極１３の端部である前記端子電極１４，１４の表面に接続されている。

前記ベース基板１１Ａと実装基板１２Ａとが対向し合う領域内で、且つ前記櫛歯状電極１３が設けられた中央部分を除いた部分には接着層１７が配置されており、前記ベース基板１１Ａと実装基板１２Ａとが前記接着層１７を介して固定されている。なお、前記接着層を有しない中央部分が、櫛歯状電極１３に弾性表面波を伝播させるための中空領域１８とされている。

そして、前記実装基板１２Ａの下面側で且つベース基板１１Ａの周囲が封止部材２０で封止されている。なお、第１の実施の形態の電子部品１０Ａでは、前記封止部材２０が図示Ｚ1側に開口端部を有する樹脂材料製の成形品として形成されている。

上記電子部品１０Ａでは、前記実装基板１２Ａの縁部で且つ前記実装基板１２Ａの板厚寸法内に段差部１２ｂが形成され、この段差部１２ｂ内に前記封止部材２０の開口端部２１，２１が設けられている。すなわち、前記ベース基板１１Ａの下面（Ｚ２側の面）と前記封止部材２０の開口端部２１，２１とが同一平面上となる構成ではない。このため、電子部品１０Ａでは、前記ベース基板１１Ａと前記封止部材２０の開口端部２１，２１との接合面からのリークを防止できる。

しかも実装基板１２Ａと接着層１７との接合部分の端部及び前記接着層１７とベース基板１１Ａとの接合部分の端部は、ともに前記封止部材２０の開口端部２１，２１を形成する側壁２２の高さ寸法内にあり且つ前記その内側面２３に密着固定された構成である。このため、この点においてもリークを有効に防止することができ、気密性の高い電子部品１０Ａを提供することが可能である。

以下には、上記電子部品１０Ａの製造方法について説明する。
図２は本発明の第１の実施の形態としての電子部品の製造方法を示す工程図、図３は図２の変形例を示す工程図、図４は図２又は図３の工程に続いて行われる電子部品の製造方法を示す工程図である。なお、図２Ａないし図２Ｅまで及び図３Ａないし図３Ｅまでが弾性表面波素子自体の製造工程を示し、図４Ａ及び図４Ｂが弾性表面波素子を封止する工程を示している。

まず第１の実施の形態として図２Ａないし図２Ｅに示す製造方法について説明する。
図２Ａに示す工程ではウェハ状のベース基板本体１１が用意される。このベース基板本体１１の表面（Ｚ１側の面）には所定の平面形状からなる複数の素子形成エリア１１ａ，１１ａ，・・・が形成されており、櫛歯状電極（ＩＤＴ（インタディジタルトランスデューサ）電極）１３や端子電極１４，１４などからなる所定の回路パターンが個々の素子形成エリア１１ａに形成される（第１の工程）。

なお、この製造方法で形成される電子部品１０Ａが、前記弾性表面波素子以外である場合には前記櫛歯状電極の代わりに、例えば抵抗体膜、コンデンサ用の誘電体膜またはコイル用の渦巻きパターンなどその他の回路パターンが形成される工程であってもよい。

図２Ｂに示す工程ではウェハ状の実装基板本体１２が用意され、この実装基板本体１２上で且つ各素子形成エリア１１ａ内に形成された端子電極１４，１４に対応する位置に貫通孔１２ａ，１２ａがそれぞれ穿設される。なお、予め貫通孔１２ａ，１２ａが形成されているウェハ状の実装基板本体１２を購入するものであってもよいし、ウェハ状の実装基板本体１２を購入した後に前記貫通孔１２ａ，１２ａを形成するものであってもよい。

図２Ｃに示す工程では、前記貫通孔１２ａ，１２ａ内に銅、銀あるいは金など導電性材料からなる貫通電極１５，１５が形成される。この貫通電極１５は、例えばスパッタリング法、電解めっき法又は無電解めっき法のいずれかまたはこれら複数の方法を組み合せることにより形成することが可能である。

図２Ｄに示す工程では、前記図２Ａにおいて形成されたウェハ状のベース基板本体１１の上に接着層１７が設けられ、その上に前記図２Ｂにおいて形成されたウェハ状の実装基板本体１２が載置されることにより、前記ベース基板本体１１と実装基板本体１２とが接合される（第２の工程）。

前記接着層１７は前記櫛歯状電極１３が形成される個々の素子形成エリア１１ａ内の中央部分を避けた領域に設けられている。よって、前記ベース基板本体１１と前記実装基板本体１２とが前記接着層１７を介して接合されると、前記素子形成エリア１１ａの中央部分には前記櫛歯状電極１３が露出される中空領域１８が形成される。この中空領域１８により、前記櫛歯状電極１３における弾性表面波の伝播を確保することが可能とされている。

図２Ｅに示す工程では、前記ベース基板本体１１と実装基板本体１２の一部が隣り合う素子形成エリア１１ａと素子形成エリア１１ａとの間において所定の切断幅寸法Ｗ１で一緒に切断される（第３の工程）。このとき、前記ベース基板本体１１および接着層１７は板厚方向の全部（全寸法）が切断されるが、前記実装基板本体１２は板厚の一部を残すように断面凹部形状からなる第１の溝部１０ａが形成される状態で部分的に切断される。

なお、ベース基板本体１１が切断された後であっても、各電子部品１０は前記実装基板本体１２を介して接続されている。このため、個々の電子部品１０がバラバラの状態になることがない。

前記図２Ｅの工程における切断方法としては、例えばダイシング加工、レーザー加工、エンドミルによりミリング加工、あるいはドライエッチング法、ウエットエッチング法など各種の方法を用いることが可能である。

次に、図３Ａないし図３Ｅに掲げる第１の実施の形態の変形例を用いた製造方法について説明する。なお、図３Ａないし図３Ｅに掲げる変形例は、上記図２Ａないし図２Ｅに示した第１の実施の形態に代わるものである。

図３Ａに示す工程では、上記図２Ａ同様である。ずなわち、ウェハ状のベース基板本体１１上の素子形成エリア１１ａ，１１ａ，・・・に櫛歯状電極（ＩＤＴ（インタディジタルトランスデューサ）電極）１３や端子電極１４，１４などからなる所定の回路パターンが前記素子形成エリア１１ａごとに形成される（第１の工程）。

図３Ｂに示す工程は上記図２Ｂに相当する工程であり、用意された実装基板本体１２上で且つ前記端子電極１４，１４に対応する位置に貫通孔１２ａ，１２ａがそれぞれ穿設される。ただし、実装基板本体１２の下面（図示Ｚ２側の面）で且つ貫通孔１２ａと貫通孔１２ａの間には、前記実装基板本体１２の一部を薄くすることにより形成した第２の溝部１２ｂ１が上記切断幅寸法Ｗ１と同じ幅寸法（図２Ｄ参照）で形成される。なお、前記第２の溝部１２ｂ１が段差部１２ｂの一部を形成する。

図３Ｃに示す工程は上記図２Ｃと同様であり、前の工程で形成された前記貫通孔１２ａ，１２ａ内に銅、銀あるいは金などからなる導電性材料からなる貫通電極１５，１５が、例えばスパッタリング法等を用いて形成される。

図３Ｄに示す工程では、前記図２Ａにおいて形成されたウェハ状のベース基板本体１１の上に接着層１７が設けられ、その上に前記ウェハ状の実装基板本体１２が載置され、前記ベース基板本体１１と実装基板本体１２とが前記接着層１７を介して接合される（第２の工程）。なお、この場合においても前記素子形成エリア１１ａの中央部分には前記櫛歯状電極１３が露出される中空領域１８が形成される。

図３Ｅに示す工程では上記図２Ｅ同様の方法により、前記第２の溝部１２ｂ１と対応する部分に位置する前記ベース基板本体１１と接着層１７とが、前記切断幅寸法Ｗ１で切断されて第１の溝部１０ａが形成される。

このとき、前記ベース基板本体１１および接着層１７は板厚方向の全部（全寸法）が切断されるが、前記実装基板本体１２は前記第２の溝部１２ｂ１を残すように部分的に切断される。なお、この場合においても各ベース基板１１Ａは前記実装基板本体１２を介して接続されているため、個々の電子部品１０がバラバラの状態になることはない。

次に、図４Ａ、Ｂを用いて電子部品を封止する工程について説明する。
図４に示す工程は、上記図２Ｅ又は図３Ｅの後工程を示している。

図４Ａに示す工程では、前記実装基板本体１２の下部側の位置で且つ個々に切り分けられた前記ベース基板１１Ａの周囲にエポキシやポリイミドなどからなる液状の樹脂材料２０ａを充填することにより、各ベース基板１１Ａの周囲が前記樹脂材料２０ａからなる封止部材２０で一体的に密閉封止される（第５の工程）。

前記樹脂材料２０ａの充填方法としては、例えば実装基板本体１２の下部（ベース基板１１Ａ）を金型キャビティ内に装填するとともに、溶融状態にある樹脂材料２０ａを加熱した金型キャビティ内に圧入することにより成形するトランスファーモールド法やインサート成形など各種の手段を用いることが可能である。

図４Ｂの工程では、実装基板本体１２及び硬化後の前記樹脂材料２０ａとが、素子形成エリア１１ａ単位で上記同様のダイシング加工などで分離されることにより、個々の電子部品１０Ａが完成する（第６の工程）。このとき、図３Ｂの工程における切断幅寸法Ｗ２を、前記図２Ｅに示す工程における切断幅寸法Ｗ１よりも狭く（Ｗ１＞Ｗ２）すると、封止部材２０の内部からベース基板１１Ａや接着層１７の一部などが露出されてしまうことを防止できる。すなわち、前記封止部材２０とその上部に設けられた上記実装基板１２Ａとにより、前記電子部品１０Ａを完全に封止化することができる。よって、特に前記中空領域１８に設けられた回路パターン（櫛歯状電極１３及び端子電極１４）と外部（外気）との間を完全に遮断することができるため、気密性に優れた電子部品１０Ａを提供することが可能となる。

また上記第１の実施の形態である図２および図３に示す製造方法では、前記回路パターン等の形成を個々の電子部品１０Ａに分離する前のウェハ状態のままで一体的に行うことができる。さらに図４に示す製造方法においても、個々の電子部品１０Ａをウェハ状態のまま一体的に同時に密封することができる。このため、従来に比較して生産効率性を大幅に改善することができる。

次に、本発明の第２の実施の形態としての電子部品及びその製造方法について説明する。

図５は本発明の電子部品に関する第２の実施の形態としての弾性表面波素子を示す断面図である。

図５に示す電子部品１０Ｂは、上記第１の実施の形態として示した電子部品１０Ａとほぼ同じ構成である。ただし、上記第１の実施の形態の電子部品１０Ａでは前記ベース基板１１Ａが樹脂成形品からなる前記封止部材２０で封止された構成であるのに対し、第２の実施の形態に示す電子部品１０Ｂでは樹脂シートからなる封止部材２０で封止された構成である点で相違している。

一方、図５に示すように、第２の実施の形態に示す電子部品１０Ｂにおいても実装基板１２Ａの周縁部には段差部１２ｂ，１２ｂを有しており、この段差部１２ｂ，１２ｂ内に前記樹脂シートからなる封止部材２０の開口端部２１，２１が設けられている点は上記第１の実施の形態に共通している。

このため、この電子部品１０Ｂにおいても上記同様にベース基板１１Ａと前記封止部材２０の開口端部２１，２１との接合面からのリークを防止できる。さらに、実装基板１２Ａと接着層１７との接合部分の端部及び前記接着層１７とベース基板１１Ａとの接合部分の端部は、ともに前記樹脂シートからなる封止部材２０の開口端部２１，２１を形成する側壁２２の高さ寸法内にあり且つ前記内側面２３に密着固定さられている。よって、この点においても上記同様にリークを有効に防止することができ、気密性の高い電子部品１０Ｂを提供することが可能である。

上記電子部品１０Ｂの製造方法について説明する。
図６は第２の実施の形態としての電子部品の製造方法を示す工程図であり、図６Ａに示す工程は上記図２Ｅ又は図３Ｅの後工程を示している。

図６Ａに示す工程では、上記図２Ｅ又は図３Ｅの工程において形成された個々のベース基板１１Ａの下（Ｚ２）側の位置に、熱硬化性の樹脂シート２０ｂを配置する。

図６Ｂに示す工程では、例えば圧縮空気圧成形（「圧空成形」又は「プレッシャ成形」ともいう）などの方法を用いて前記樹脂シート２０ｂをベース基板１１Ａに密着させる。具体的には、加熱して軟化させた前記樹脂シート２０ｂを圧縮空気の力で引き延ばしながらベース基板１１Ａの形状に倣うように変形させることにより、前記樹脂シート２０ｂを個々のベース基板１１Ａに一体的に密着させる（第４の工程）。

そして、図６Ｃに示すように、前記樹脂シート２０ｂが硬化した後に隣接し合う素子形成エリア１１ａと素子形成エリア１１ａとの間を前記切断幅寸法Ｗ１よりも狭い切断幅寸法Ｗ２（Ｗ１＞Ｗ２）で切断することにより、個々の電子部品１０Ｂに分離される（第５の工程）。この実施の形態では、個々に切断された前記樹脂シート２０ｂが前記ベース基板１１Ａを覆う封止部材２０として機能させることができる。

次に、本発明の第３の実施の形態としての電子部品及びその製造方法について説明する。

図７は本発明の電子部品に関する第３の実施の形態としての弾性表面波素子を示す断面図である。

図７に示す電子部品１０Ｃが、上記電子部品１０Ａや１０Ｂと大きく異なる点は、ベース基板１１Ａと樹脂製の封止部材２０との間に金属層３０が設けられている点にあり、それ以外の構成は同様である。

この電子部品１０Ｃにおいては、ベース基板１１Ａの外側に設けられた金属層３０とその外部に前記金属層３０に設けられた樹脂製の封止部材２０とにより、前記ベース基板１１Ａを二重に封止することができる。この点で前記金属層３０は封止部材としての機能を有している。

また金属層３０の開口端部３１，３１は、前記実装基板１２Ａの板厚寸法内に位置することができるように、前記実装基板１２Ａの段差部１２ｂ，１２ｂ内に設けられる構成である。このため、上記同様に前記ベース基板１１Ａと前記金属層３０の開口端部３１，３１との接合面からのリークを防止できる。

さらに、実装基板１２Ａと接着層１７との接合部分の端部及び前記接着層１７とベース基板１１Ａとの接合部分の端部は、ともに金属層３０を形成する側壁３２の高さ寸法内にあり且つその内側面３３に密着固定さられている。よって、この点においても上記同様にリークを有効に防止することができ、気密性の高い電子部品１０Ｃを提供することが可能である。

上記電子部品１０Ｃの製造方法について説明する。
図８は第３の実施の形態としての電子部品の製造方法を示す工程図であり、図８Ａに示す工程は上記図２Ｅ又は図３Ｅの後工程を示している。

図８Ａに示す工程では、上記図２Ｅ又は図３Ｅの工程において形成された個々のベース基板１１Ａに対してスパッタリング、電解めっき又は蒸着のいずれかまたはこれら複数の方法を組み合せることにより、前記ベース基板１１Ａを金属層３０で覆う。このとき、金属層３０が前記第２の溝部１２ｂ１内に積層され、段差部１２ｂを形成する開口端部３１を形成する。

図８Ｂに示す工程では、前記金属層３０の周囲が封止部材２０で覆われる。このときの封止部材２０は、上記トランスファーモールド法やインサート成形法を用いて樹脂材料２０ａで金属層３０の周囲を封止するものであってよいし、あるいは上記圧縮空気圧成形法などを用いて樹脂シート２０ｂを金属層３０の周囲に密着させることにより封止するものであってもよい。

図８Ｃの工程では、隣接し合う素子形成エリア１１ａと素子形成エリア１１ａとの間を前記切断幅寸法Ｗ１よりも狭い切断幅寸法Ｗ２（Ｗ１＞Ｗ２）で切断することにより、実装基板本体１２から電子部品１０Ｃが分離される。

図９は本発明の電子部品に関する第４の実施の形態としての弾性表面波素子を示す断面図である。

第４の実施の形態として示す電子部品１０Ｄでは、ベース基板１１Ａの周囲に内側から外側に向かって第１層として樹脂シート２０ｂが形成され、その外面に第２層として金属層３０が形成され、さらのその外面を第３層としての樹脂材料２０ａで覆うようにしたものであり、基本的な構成は上記同様である。

そして、このような電子部品Ｄは上記同様の各手段を用いることにより、すなわち圧縮空気圧成形法によりベース基板１１Ａの周囲を樹脂シート２０ｂで覆った後に、前記樹脂シート２０ｂの周囲をスパッタリング、電解めっき又は蒸着のいずれかまたはこれら複数の方法の組み合せを用いて金属層３０を形成し、最後に上記トランスファーモールド法やインサート成形法を用いて樹脂材料２０ａで金属層３０を封止することにより形成することが可能である。

このように樹脂材料と金属材料を交互に形成し、または樹脂材料の上に重ねて樹脂材料を形成する、あるいは金属材料を重ねなど二重、三重、・・・と重ねる構成にすることにより、さらなる気密性を向上させることが可能である。

上記実施の形態では、電子部品の一例として弾性表面波素子を用いて説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、封止することが必要な電子部品であればその他どのような電子部品であってもよい。

本発明の電子部品に関する第１の実施の形態としての弾性表面波素子の断面図、 本発明の第１の実施の形態としての電子部品の製造方法を示す工程図、 図２の変形例を示す工程図、 図２又は図３の工程に続いて行われる電子部品の製造方法を示す工程図、 本発明の電子部品に関する第２の実施の形態としての弾性表面波素子を示す断面図、 第２の実施の形態としての電子部品の製造方法を示す工程図、 本発明の電子部品に関する第３の実施の形態としての弾性表面波素子を示す断面図、 第３の実施の形態としての電子部品の製造方法を示す工程図 本発明の電子部品に関する第４の実施の形態としての弾性表面波素子を示す断面図、

符号の説明

１０ 電子部品
１０ａ 第１の溝部
１１ ウェハ状のベース基板本体
１２ ウェハ状の実装基板本体
１１Ａ ベース基板
１２Ａ 実装基板
１２ｂ 段差部
１２ｂ１ 第２の溝部
１３ 櫛歯状電極（回路パターン）
１４ 端子電極（回路パターン）
１５ 貫通電極
１７ 接着層
１８ 中空領域
２０ 封止部材
２０ａ 樹脂材料
２１ 封止部材の開口端部
２２ 側壁
２３ 内側面
３０ 金属層（封止部材）
３１ 金属層の開口端部

Claims (15)

1. 所定の回路パターンが形成されたベース基板と、前記ベース基板に対向配置される実装基板と、前記ベース基板と実装基板とを接合する接着層と、内部に前記ベース基板を封止するとともに開口端部を備えた封止部材とを備え、前記開口端部が前記実装基板の板厚内に設けられていることを特徴とする電子部品。
2. 前記実装基板の周縁部には、前記実装基板の一部を板厚方向に薄くすることにより形成された段差部が形成されており、この段差部内に前記開口端部が設けられていることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
3. 前記ベース基板と前記接着層の接合部分の端部及び前記接着層と前記実装基板の接合部分の端部が、前記封止部材の内壁面に密着させられていることを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品。
4. 前記ベース基板と前記封止部材との間に金属層が設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電子部品。
5. 前記封止部材の周囲が、金属層で覆われていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電子部品。
6. 前記ベース基板として圧電基板が用いられ、前記回路パターンとして櫛歯状電極が形成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の電子部品。
7. ウェハ状のベース基板本体に素子形成エリアごとに所定の回路パターンを形成する第１の工程と、前記ベース基板本体にウェハ状の実装基板本体を対向配置して互いを接合させる第２の工程と、前記素子形成エリアごとに前記ベース基板本体の板厚方向の全部と前記実装基板本体の板厚方向の一部とを切断することにより第１の溝部を形成するとともに個々のベース基板に分離する第３の工程と、分離後のベース基板の周囲に樹脂製の封止部材を一体的に形成する第４の工程と、前記実装基板本体及び封止部材を切断することにより個々の電子部品に分離する第５の工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
8. ウェハ状のベース基板本体に素子形成エリアごとに所定の回路パターンを形成する第１の工程と、ウェハ状の実装基板本体の一方の面内に前記素子形成エリアごとに仕切る第２の溝部を形成する第２の工程と、溝部が形成された前記実装基板本体の一方の面と前記ベース基板本体とを対向配置して互いを接合させる第３の工程と、前記ベース基板本体を前記第２の溝部に対向する位置で切断することにより前記第２の溝部を露出させるとともに個々のベース基板に分離する第４の工程と、分離後のベース基板の周囲に樹脂製の封止部材を一体的に形成する第５の工程と、前記実装基板本体及び封止部材を切断することにより個々の電子部品に分離する第６の工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
9. 前記樹脂製の封止部材を形成する前工程として、分離後のベース基板の周囲を金属層で一体的に封止する工程が設けられていることを特徴とする請求項７または８記載の電子部品の製造方法。
10. 前記樹脂製の封止部材を形成した後に、前記樹脂製の封止部材の周囲を金属層で一体的に覆う工程が設けられていることを特徴とする請求項７または８記載の電子部品の製造方法。
11. 前記金属層の周囲をさらに樹脂製の封止部材を形成する工程が設けられていることを特徴とする請求項１０記載の電子部品の製造方法。
12. 前記封止部材は、前記分離後のベース基板の周囲と前記第１の溝部又は前記第２の溝部の中に流し込んだ溶融樹脂を硬化させることにより形成されることを特徴とする請求項７ないし１１のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
13. 前記封止部材が、加熱した熱硬化性の樹脂シートを前記ベース基板の周囲と前記第１の溝部又は前記第２の溝部との間に密着させることにより形成されることを特徴とする請求項７ないし１１のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
14. 前記金属層が、スパッタリング、電解めっき、無電解めっき又は蒸着のいずれかまたは複数の方法により形成されることを特徴とする請求項９ないし１３のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
15. 前記ベース基板として圧電基板が用いられ、前記回路パターンとして櫛歯状電極が形成されていることを特徴とする請求項９ないし１３のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。

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