JP2007059898A - Semiconductor light-emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体発光装置に関し、特に半導体発光素子からの放射光により蛍光体を励起して、波長変換を行う半導体発光装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor light emitting device, and more particularly to a semiconductor light emitting device that performs wavelength conversion by exciting a phosphor with emitted light from a semiconductor light emitting element.
近年、半導体発光装置は、照明やディスプレイ装置などの光源として幅広く用いられるようになった。特に、窒化ガリウム（ＧａＮ）系材料を用いた青色発光素子（青色ＬＥＤ）の実現により、白色発光型の半導体発光装置の用途も飛躍的に拡大している In recent years, semiconductor light-emitting devices have come to be widely used as light sources for lighting and display devices. In particular, with the realization of blue light-emitting elements (blue LEDs) using gallium nitride (GaN) -based materials, the use of white light-emitting semiconductor light-emitting devices has dramatically expanded.
白色発光型の半導体発光装置は、紫外線〜青色の波長範囲を有する窒化ガリウム系発光素子と、この放射光を吸収することにより励起されたより長い波長の光を放射する蛍光体とにより構成される。例えば、青色発光素子からの放射光と、青色光を黄色に変換する黄色蛍光体からの黄色光と、を所定の比率で混合することにより、白色光が合成される。この場合、黄色蛍光体の一例としては、珪酸塩蛍光体（Ｍｅ１−ｙＥｕｙ）２ＳｉＯ４（Ｍｅは、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇから選ばれる少なくとも一つの金属元素）がある。 A white light emitting semiconductor light emitting device includes a gallium nitride light emitting element having a wavelength range of ultraviolet to blue and a phosphor that emits light having a longer wavelength excited by absorbing the emitted light. For example, white light is synthesized by mixing radiated light from a blue light emitting element and yellow light from a yellow phosphor that converts blue light into yellow at a predetermined ratio. In this case, as an example of the yellow phosphor, there is a silicate phosphor (Me 1-y Eu y ) 2 SiO 4 (Me is at least one metal element selected from Ba, Sr, Ca, and Mg).
この構成においては、赤色成分が少ないために、赤色の演色性に欠ける。ところが、照明などの用途においては、「暖色系」、すなわち「電球色」が好まれる傾向が強い。このために、酸窒化物からなる赤色蛍光体を用いて、赤色の演色性を改善する開示例がある（特許文献１）。しかしながら、酸窒化物蛍光体の組成は、黄色蛍光体の組成とは物理的、化学的に異なる。この結果、二つの蛍光体が封止樹脂中において均一に分散することが容易でなく、量産した製品において色度変動、すなわち「色むら」を生じる。また、製造プロセスの再現性も不十分である。この結果、照明やディスプレイ装置の光源などの用途に対しては不十分な特性であった。
本発明は、色度変動が低減され、赤色演色性が改善された半導体発光装置を提供する。 The present invention provides a semiconductor light emitting device with reduced chromaticity variation and improved red color rendering.
本発明の一態様によれば、
第１波長光を放射する半導体発光素子と、
前記第１波長光を吸収し、前記第１波長光より長波長である第２波長光を放射する第１蛍光体と、
前記第１波長光を吸収し、前記第２波長光より長波長である第３波長光を放射する第２蛍光体と、
を備え、
前記第１蛍光体と前記第２蛍光体とは、共通の化学組成式で表され、
前記第１波長光と、前記第２波長光と、前記第３波長光と、により、混合色の発光を生ずることを特徴とする半導体発光装置が提供される。
According to one aspect of the invention,
A semiconductor light emitting device emitting first wavelength light;
A first phosphor that absorbs the first wavelength light and emits a second wavelength light having a longer wavelength than the first wavelength light;
A second phosphor that absorbs the first wavelength light and emits third wavelength light having a longer wavelength than the second wavelength light;
With
The first phosphor and the second phosphor are represented by a common chemical composition formula,
There is provided a semiconductor light emitting device characterized in that the first wavelength light, the second wavelength light, and the third wavelength light generate mixed color light emission.
本発明により、色度変動が低減され、赤色演色性が改善された蛍光体波長変換型の半導体発光装置が提供される。 According to the present invention, there is provided a phosphor wavelength conversion type semiconductor light emitting device with reduced chromaticity variation and improved red color rendering.
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の第１具体例にかかる半導体発光装置６０を表す模式断面図である。
この半導体発光装置６０は、青色半導体発光素子１０が、第１リード４０を構成する肉厚のインナーリード４０２上に、銀ペースト１３などで接着された構造を有する。インナーリード４０２には、第１凹部１９が設けられており半導体発光素子１０は、第１凹部１９底面に接着されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor light emitting device 60 according to a first specific example of the present invention.
The semiconductor light emitting device 60 has a structure in which the blue semiconductor light emitting element 10 is bonded to a thick inner lead 402 constituting the first lead 40 with a silver paste 13 or the like. The inner lead 402 is provided with a first recess 19, and the semiconductor light emitting element 10 is bonded to the bottom surface of the first recess 19.
半導体発光素子１０の上面に設けられた電極（図示せず）と、第２リード４４とはボンディングワイヤ２５により接続されている。本構造は、いわゆるＳＭＤ（Surface Mounting Device：表面実装）型半導体発光装置に属する。 An electrode (not shown) provided on the upper surface of the semiconductor light emitting element 10 and the second lead 44 are connected by a bonding wire 25. This structure belongs to a so-called SMD (Surface Mounting Device) type semiconductor light emitting device.
金属からなる第１リード４０及び第２リード４４は、例えば熱可塑性樹脂４２などにより埋め込まれている。インナーリード４０２は、アウターリード４０４より肉厚とし、半導体発光素子１０に対するヒートシンク作用を有している。熱可塑性樹脂４２の上部には、第１凹部１９に連続するように第２凹部５０が設けられる。熱可塑性樹脂４２の内部には傾斜したリフレクタ４６が設けられている。リフレクタ４６及び第１凹部１９の内部側面２０は、半導体発光素子１０からの放射光および蛍光体により波長変換された光を上方に反射する作用を有する。 The first lead 40 and the second lead 44 made of metal are embedded with, for example, a thermoplastic resin 42 or the like. The inner lead 402 is thicker than the outer lead 404 and has a heat sink function for the semiconductor light emitting element 10. A second recess 50 is provided on the upper portion of the thermoplastic resin 42 so as to be continuous with the first recess 19. An inclined reflector 46 is provided inside the thermoplastic resin 42. The reflector 46 and the inner side surface 20 of the first recess 19 have an action of reflecting upward the radiation light from the semiconductor light emitting element 10 and the light whose wavelength has been converted by the phosphor.
インナーリード４０２に設けられた第１凹部１９及び半導体発光素子１０の上部には、蛍光体を混合したシリコーンのような封止樹脂２３が設けられている。封止樹脂２３を半球状や半楕円体状とすると、光を集光するレンズ機能を持たすことができて指向特性の制御が容易にできる。図１において部分拡大して例示したように、本具体例においては、珪酸塩からなる黄色蛍光体２１及び珪酸塩からなる橙色蛍光体２２が透明樹脂２３内に分散配置されている。この結果、青色半導体発光素子１０からの放射光が黄色蛍光体２１に吸収されて、励起により波長変換されて黄色光を生じる。また、青色半導体発光素子１０からの青色放射光が橙色蛍光体２２に吸収されて、励起により波長変換されて橙色光を生じる。この結果、暖色を帯びた白色光、言い換えると「電球色」を得ることができる。 A sealing resin 23 such as silicone mixed with a phosphor is provided on the first recess 19 provided on the inner lead 402 and the upper portion of the semiconductor light emitting element 10. When the sealing resin 23 has a hemispherical shape or a semi-ellipsoidal shape, a lens function for condensing light can be provided, and directivity can be easily controlled. As illustrated in a partially enlarged manner in FIG. 1, in this specific example, a yellow phosphor 21 made of silicate and an orange phosphor 22 made of silicate are dispersedly arranged in a transparent resin 23. As a result, the emitted light from the blue semiconductor light emitting element 10 is absorbed by the yellow phosphor 21, and the wavelength is converted by excitation to generate yellow light. In addition, blue radiant light from the blue semiconductor light emitting element 10 is absorbed by the orange phosphor 22 and is converted in wavelength by excitation to generate orange light. As a result, it is possible to obtain warm white light, in other words, “bulb color”.
次に、蛍光体に関してより詳細に説明する。
本具体例においては、（Ｍｅ１−ｙＥｕｙ）２ＳｉＯ４（Ｍｅは、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇから選ばれる少なくとも一つの元素、０＜ｙ≦１）なる共通の化学組成式で表される珪酸塩蛍光体により、黄色蛍光体２１と及び橙色蛍光体２２とをそれぞれに構成する。なお、Ｂａ（バリウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｃａ（カルシウム）は「アルカリ土類金属」と呼ばれる。
Next, the phosphor will be described in more detail.
In this specific example, (Me 1-y Eu y ) 2 SiO 4 (Me is at least one element selected from Ba, Sr, Ca, Mg, 0 <y ≦ 1). The yellow phosphor 21 and the orange phosphor 22 are constituted by the silicate phosphor to be formed. Ba (barium), Sr (strontium), and Ca (calcium) are called “alkaline earth metals”.
図２は、本具体例に用いる珪酸塩からなる黄色蛍光体２１の励起スペクトルの波長依存性を表すグラフ図である。
半導体発光素子１０のような光源からの波長（単位：ｎｍ）を横軸に表し、蛍光体からの相対励起強度を縦軸に表す。波長が３００〜４９０ナノメータの範囲において、光源からの放射光が励起されて高い励起強度が得られている。本具体例においては、４５０〜４７０ナノメータの青色半導体発光素子１０を用いて励起がなされている。
FIG. 2 is a graph showing the wavelength dependence of the excitation spectrum of the yellow phosphor 21 made of silicate used in this example.
The wavelength (unit: nm) from a light source such as the semiconductor light emitting element 10 is represented on the horizontal axis, and the relative excitation intensity from the phosphor is represented on the vertical axis. When the wavelength is in the range of 300 to 490 nanometers, high excitation intensity is obtained by exciting the radiated light from the light source. In this specific example, excitation is performed using the blue semiconductor light emitting element 10 having a wavelength of 450 to 470 nanometers.
図３は、半導体発光装置の発光スペクトルを表すグラフ図であり、縦軸が相対発光強度を表し、横軸が発光波長（単位：ｎｍ）を表す。
青色半導体発光素子１０の発光と、黄色蛍光体２１による波長変換光と、橙色蛍光体２２による波長変換光との３色混合による本具体例にかかる半導体発光装置６０の「電球色」を実線にて表す。相対発光強度のピークは、青色半導体発光素子１０の放射光の発光中心である４５０ナノメータと、蛍光体により波長変換された５８０ナノメータ付近とにある。
FIG. 3 is a graph showing an emission spectrum of the semiconductor light emitting device, in which the vertical axis represents relative emission intensity and the horizontal axis represents emission wavelength (unit: nm).
The “bulb color” of the semiconductor light emitting device 60 according to this specific example by the three-color mixing of the light emission of the blue semiconductor light emitting element 10, the wavelength converted light by the yellow phosphor 21, and the wavelength converted light by the orange phosphor 22 is indicated by a solid line. Represent. The peak of the relative light emission intensity is at 450 nanometers which is the emission center of the emitted light of the blue semiconductor light emitting device 10 and near 580 nanometers wavelength-converted by the phosphor.
一方、第１比較例においては、約４５０ナノメータの青色半導体発光素子１０の発光と、黄色蛍光体２１による黄色光との混合により白色光が得られ、これを破線で表す。青色半導体発光素子１０からの放射光の波長中心である４５０ナノメータ付近、及び黄色蛍光体２１からの波長変換光の波長中心である５７５ナノメータ付近に発光スペクトル強度のピークを生じている。この２つの光の混合により、第１比較例の白色光が得られる。 On the other hand, in the first comparative example, white light is obtained by mixing the light emitted from the blue semiconductor light emitting element 10 of about 450 nanometers and the yellow light by the yellow phosphor 21, and this is represented by a broken line. Peaks of emission spectrum intensity are generated around 450 nanometers, which is the wavelength center of the emitted light from the blue semiconductor light emitting element 10, and around 575 nanometers, which is the wavelength center of the wavelength converted light from the yellow phosphor 21. By mixing the two lights, the white light of the first comparative example is obtained.
本具体例においては、橙色蛍光体２２があるために、５８０ナノメータ以上の波長範囲における発光スペクトルが、第１比較例とは異なっている。特に、図３において２点鎖線で例示したＡ部の５８０〜７００ナノメータ波長範囲においては、相対発光強度を第１比較例よりも高くできている。この赤色スペクトル成分を補強することにより、第１比較例よりも赤色演色性を改善できる。 In this specific example, since there is the orange phosphor 22, the emission spectrum in the wavelength range of 580 nanometers or more is different from that of the first comparative example. In particular, in the 580 to 700 nanometer wavelength range of part A exemplified by the two-dot chain line in FIG. 3, the relative emission intensity can be made higher than that of the first comparative example. By reinforcing this red spectral component, the red color rendering can be improved as compared with the first comparative example.
なおここで、青色半導体発光素子１０からの波長光は、４３０ナノメータ以上で４９０ナノメータより小なる波長範囲に発光スペクトルのピークを有するものとする。また、黄色蛍光体からの放射波長光は、４９０ナノメータ以上で５８０ナノメータより小なる波長範囲に発光スペクトルのピークを有するものとする。さらに、橙色蛍光体からの放射波長光は、５８０ナノメータ以上で６２０ナノメータより小なる波長範囲に発光スペクトルのピークがあるものとする。 Here, it is assumed that the wavelength light from the blue semiconductor light emitting element 10 has an emission spectrum peak in a wavelength range of 430 nanometers or more and smaller than 490 nanometers. The emission wavelength light from the yellow phosphor has an emission spectrum peak in a wavelength range of 490 nanometers or more and smaller than 580 nanometers. Further, it is assumed that the emission wavelength light from the orange phosphor has an emission spectrum peak in a wavelength range of 580 nm or more and smaller than 620 nm.
次に、（Ｍｅ１−ｙＥｕｙ）２ＳｉＯ４（Ｍｅは、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇから選ばれる少なくとも一つの元素、０＜ｙ≦１）で表される珪酸塩蛍光体という共通の化学組成式で表される黄色蛍光体２１と橙色蛍光体２２との組成の違いについて説明する。なお、Ｍｅ２ＳｉＯ４は母体材料とも呼ばれ、発光中心を形成するＥｕ（ユーロピウム）は賦活剤とも呼ばれる。 Next, a common silicate phosphor represented by (Me 1-y Eu y ) 2 SiO 4 (Me is at least one element selected from Ba, Sr, Ca, Mg, 0 <y ≦ 1) The difference in composition between the yellow phosphor 21 and the orange phosphor 22 represented by the chemical composition formula will be described. Note that Me 2 SiO 4 is also called a base material, and Eu (europium) that forms a light emission center is also called an activator.
黄色蛍光体２１の一例としては、上記化学組成式においてＳｒ（ストロンチウム）が１．７８、Ｂａ（バリウム）が０．１２、Ｅｕ（ユーロピウム）が０．１０、Ｓｉ（シリコン）が１．０、Ｏ（酸素）が４．０と、各組成比を選択することができる。 As an example of the yellow phosphor 21, in the above chemical composition formula, Sr (strontium) is 1.78, Ba (barium) is 0.12, Eu (europium) is 0.10, Si (silicon) is 1.0, Each composition ratio can be selected such that O (oxygen) is 4.0.
また、橙色蛍光体２２の一例としては、上記化学組成式においてＳｒが１．３３、Ｃａが０．５７、Ｅｕが０．１０、Ｓｉ（シリコン）が１．０、Ｏ（酸素）が４．０と、各組成比を選択することができる。このように、Ｍｅで表されるＢａ，Ｓｒ，Ｃａ（カルシウム），Ｍｇ（マグネシウム）の組成比を変化させることにより、発光スペクトルを変化させることができる。この場合、共通の化学組成式で表されることは、物理的、化学的特性が近いことを意味するので、含まれるＭｅなる元素が両者の間で全く同一でなくとも良い。 Further, as an example of the orange phosphor 22, in the above chemical composition formula, Sr is 1.33, Ca is 0.57, Eu is 0.10, Si (silicon) is 1.0, and O (oxygen) is 4. 0 and each composition ratio can be selected. In this way, the emission spectrum can be changed by changing the composition ratio of Ba, Sr, Ca (calcium), and Mg (magnesium) represented by Me. In this case, being expressed by a common chemical composition formula means that the physical and chemical properties are close to each other, and therefore, the contained Me element may not be exactly the same between the two.
次に、蛍光体の粒径について説明する。
一般に、蛍光体の表面には、「破砕層」がある。この破砕層の厚みは破砕工程で決まるので、蛍光体の粒径の大きいほうが表面破砕層の容積率を低減できる。この結果、粒径が大きい蛍光体のほうが高輝度にできる。この理由から、蛍光体粒径下限は、３マイクロメータ程度とすることが望ましい。
Next, the particle size of the phosphor will be described.
Generally, there is a “smashed layer” on the surface of the phosphor. Since the thickness of the crushed layer is determined by the crushing step, the larger the particle size of the phosphor, the lower the volume ratio of the surface crushed layer. As a result, a phosphor having a larger particle size can have higher luminance. For this reason, the lower limit of the phosphor particle size is desirably about 3 micrometers.
一方、蛍光体の液状樹脂中における沈降速度（ｖ）は、粒径（ｄ）、蛍光体密度（ρｐ）、樹脂密度（ρ）、及び樹脂粘度（η）との間に、近似的に次の関係（式１）が成り立つ。
ｖ＝Ｃ（ρｐ−ρ）ｄ２／η （式１）
但し、Ｃは定数。
On the other hand, the sedimentation rate (v) of the phosphor in the liquid resin is approximately the following among the particle size (d), the phosphor density (ρp), the resin density (ρ), and the resin viscosity (η). (Equation 1) holds.
v = C (ρ p −ρ) d 2 / η (Formula 1)
However, C is a constant.
（式１）に例示したように、蛍光体の粒径が大きくなると、封止樹脂中における沈降速度が大きくなる。そこで、組み立て工程中において、液状封止樹脂へ混合されてから加熱硬化開始までの時間によって、蛍光体の分散状態が変化する。この影響を低減するために、蛍光体粒径の上限を、例えば２０マイクロメータとすることができる。 As exemplified in (Formula 1), when the particle size of the phosphor increases, the sedimentation rate in the sealing resin increases. Therefore, during the assembly process, the dispersion state of the phosphor changes depending on the time from mixing with the liquid sealing resin to the start of heat curing. In order to reduce this influence, the upper limit of the phosphor particle diameter can be set to 20 micrometers, for example.
図４は、ＣＩＥ（Commission International de I‘Eclairage：国際照明委員会）規格による色度図である。曲線部分は、発光波長３８０〜７８０ナノメータのスペクトル軌跡であり、両端点を結んだ直線は、純紫軌跡である。 FIG. 4 is a chromaticity diagram according to the CIE (Commission International de I'Eclairage) standard. The curved line portion is a spectral locus with an emission wavelength of 380 to 780 nanometers, and the straight line connecting both end points is a pure purple locus.
青色半導体発光素子１０からの４５０ナノメータ放射光は、ｘｙ座標が（０．１５、０．０３）で表される。ピーク波長が約５７５ナノメータである黄色蛍光体２１からの波長変換光は、ｘｙ座標が（０．４８０、０．５０５）で表される。また、ピーク波長が約５９３ナノメータである橙色蛍光体２２からの波長変換光は、ｘｙ座標が（０．４９８、０．４７２）で表される。この結果、この３点を結ぶ三角形内の色度が実現可能となり、配合比を適正に選択することにより中央付近の白色光が実現する。なお、Ａ，Ｂ，Ｄ６５は標準光を表す。 The 450 nanometer radiated light from the blue semiconductor light emitting device 10 is represented by (0.15, 0.03) in the xy coordinates. The wavelength converted light from the yellow phosphor 21 having a peak wavelength of about 575 nanometers is represented by (0.480, 0.505) in the xy coordinates. Further, the wavelength converted light from the orange phosphor 22 having a peak wavelength of about 593 nanometers is represented by (0.498, 0.472) in the xy coordinates. As a result, the chromaticity within the triangle connecting these three points can be realized, and white light near the center is realized by appropriately selecting the blending ratio. A, B, and D65 represent standard light.
なお、青色半導体発光素子１０からの４５０ナノメータ放射光と、黄色蛍光体２１からの波長変換光との混色により、この２点を結ぶ直線Ｍ上の色度が実現可能となる。第１比較例はこのようにして得られる。この場合、赤色スペクトル成分は、図３における破線のごとく、本具体例より少ないために、赤色演色性に欠ける白色光となり「暖かみ」に欠ける。 Note that the chromaticity on the straight line M connecting these two points can be realized by the color mixture of the 450 nanometer radiation light from the blue semiconductor light emitting element 10 and the wavelength converted light from the yellow phosphor 21. The first comparative example is obtained in this way. In this case, as shown by the broken line in FIG. 3, the red spectral component is less than in the present specific example, and thus white light lacking red color rendering is obtained and “warmth” is lacking.
これに対して、本具体例においては、橙色蛍光体２２により赤色スペクトル成分を補強でき、「暖かみ」を増すことができる。また、図４に例示したように、色度図において三角形領域内での混合が可能となるので、混色に自由度が増す効果も生じる。 On the other hand, in this specific example, the red spectral component can be reinforced by the orange phosphor 22 and the “warmth” can be increased. Further, as illustrated in FIG. 4, in the chromaticity diagram, mixing within a triangular region is possible, so that an effect of increasing the degree of freedom in color mixing also occurs.
ここで、第２比較例について説明する。
本具体例においては、赤色演色性を改善するために珪酸塩蛍光体からなる橙色蛍光体２２を用いた。しかし、赤色スペクトル成分を増すには、窒化物蛍光体または酸窒化物蛍光体を使うことも考えられる。ここで、窒化物蛍光体を用いた場合を第２比較例として説明する。
Here, the second comparative example will be described.
In this specific example, an orange phosphor 22 made of a silicate phosphor is used to improve red color rendering. However, it is conceivable to use a nitride phosphor or an oxynitride phosphor to increase the red spectral component. Here, a case where a nitride phosphor is used will be described as a second comparative example.
窒化物蛍光体としては、Ｍｅ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ（Ｍｅは、Ｓｒ，Ｂａ、Ｃａ）、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕ，ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕなどがある。例えば、Ｍｅ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ（Ｍｅは、Ｓｒ，Ｂａ、Ｃａ）なる化学組成式で表される赤色蛍光体からの波長変換光と、青色半導体発光素子からの４５０ナノメータ放射光と、珪酸塩からなる黄色蛍光体からの波長変換光との混色により白色光を得る場合を第２比較例とする。 Examples of the nitride phosphor include Me 2 Si 5 N 8 : Eu (Me is Sr, Ba, Ca), CaSiN 2 : Eu, and CaAlSiN 3 : Eu. For example, wavelength conversion light from a red phosphor represented by a chemical composition formula of Me 2 Si 5 N 8 : Eu (Me is Sr, Ba, Ca), 450 nanometer radiation from a blue semiconductor light emitting element, The case where white light is obtained by color mixing with wavelength-converted light from a yellow phosphor made of silicate is taken as a second comparative example.
図５は、第２比較例における色度図を表す。ピーク波長が約６５２ナノメータである赤色蛍光体からの波長変換光は、ｘｙ座標が（０．６３０、０．３７０）で表される。 FIG. 5 shows a chromaticity diagram in the second comparative example. The wavelength converted light from the red phosphor having a peak wavelength of about 652 nanometers is represented by (0.630, 0.370) in the xy coordinates.
以上の３色の混色により白色光が得られるが、窒化物または酸窒化物からなる赤色蛍光体の化学組成式は、黄色蛍光体の化学組成式とは異なる。そのために、比重や形状など物理的特性、およびその他の化学的特性などの点で異なる。この結果、これら２種類の蛍光体が封止樹脂中において均一に分散されないために、製品において色度変動、すなわち「色むら」を生じる。また、製造プロセスの再現性も不十分である。 White light is obtained by mixing the above three colors, but the chemical composition formula of the red phosphor made of nitride or oxynitride is different from the chemical composition formula of the yellow phosphor. Therefore, it differs in terms of physical characteristics such as specific gravity and shape, and other chemical characteristics. As a result, since these two types of phosphors are not uniformly dispersed in the sealing resin, chromaticity variation, that is, “color unevenness” occurs in the product. Also, the reproducibility of the manufacturing process is insufficient.
次に、蛍光体の沈降速度の違いにより生じる色度変動、すなわち「色むら」に関する比較結果について説明する。
図６は、本具体例において、液状封止樹脂と、黄色蛍光体２１と、橙色蛍光体２２とを混合し、２時間放置後に加熱硬化した図１に例示した構造の半導体発光装置６０における色度変動分布を測定した結果である。図６は、図４に例示した色度図のうち、座標ｘ及びｙが０．３５〜０．４５の範囲を部分拡大して表した。半導体発光装置６０の製品群中から１０個抜き出したサンプルの色度を白丸印で表す。ｘは０．３９８〜０．４２２の範囲内で、ｙは０．３８５〜０．４０２の範囲内で変動しているが、サンプルの色度変動範囲は小さい。このことは、黄色蛍光体２１と橙色蛍光体２２との沈降速度の差が小さいために、この２種類の蛍光体がよく混合されて分散配置されていることを示していると考えられる。
Next, the comparison result regarding the chromaticity variation caused by the difference in the sedimentation speed of the phosphor, that is, “color unevenness” will be described.
FIG. 6 shows the color in the semiconductor light emitting device 60 having the structure illustrated in FIG. 1 in which the liquid sealing resin, the yellow phosphor 21 and the orange phosphor 22 are mixed and heat-cured after being left for 2 hours. It is the result of measuring the degree variation distribution. FIG. 6 is a partially enlarged view of the range of coordinates x and y of 0.35 to 0.45 in the chromaticity diagram illustrated in FIG. The chromaticity of samples extracted from the product group of the semiconductor light emitting device 60 is represented by white circles. Although x varies within the range of 0.398 to 0.422 and y varies within the range of 0.385 to 0.402, the chromaticity variation range of the sample is small. This is probably because the difference in sedimentation speed between the yellow phosphor 21 and the orange phosphor 22 is small, indicating that these two types of phosphors are well mixed and distributed.
一方、図７は、第２比較例において、液状封止樹脂と、黄色蛍光体と、窒化物蛍光体からなる赤色蛍光体とを混合し、２時間放置後に加熱硬化を行った半導体発光装置における色度変動分布測定結果である。この構造は、図１に例示されたものと同様である。図７も色度図を部分拡大して表してあり、黒四角印が各サンプルの色度である。本図に例示されるように、ｘは０．４０２〜０．４２９の範囲内で、またｙは０．３７１〜０．３９５の範囲内で変動している。この変動範囲は図６に例示された本第１具体例と比べて大きい。 On the other hand, FIG. 7 shows a semiconductor light emitting device in which a liquid sealing resin, a yellow phosphor, and a red phosphor made of a nitride phosphor are mixed and heat-cured after being left for 2 hours in the second comparative example. It is a chromaticity fluctuation distribution measurement result. This structure is similar to that illustrated in FIG. FIG. 7 also shows a partially enlarged chromaticity diagram, and a black square mark indicates the chromaticity of each sample. As illustrated in the figure, x varies within a range of 0.402 to 0.429, and y varies within a range of 0.371 to 0.395. This variation range is larger than that of the first specific example illustrated in FIG.
この理由は以下のように考えられる。すなわち、第２比較例においては、黄色蛍光体と赤色蛍光体の化学組成式が異なるために、形状や比重が異なっており、均一に混合されていない。この結果、２種類の蛍光体は沈降速度に差を生じており、沈降層が不均一となるからである。 The reason is considered as follows. That is, in the second comparative example, since the chemical composition formulas of the yellow phosphor and the red phosphor are different, the shape and specific gravity are different and are not uniformly mixed. As a result, the two types of phosphors have a difference in sedimentation speed, and the sedimentation layer is not uniform.
図８は、液状封止樹脂中と蛍光体とを混合し、９６時間放置後の沈降度を比較した写真である。
第２比較例である左側のサンプルにおいては、沈殿速度の差により黄色蛍光体沈殿層ＹＥが下方に、赤色蛍光体沈殿層ＯＲが上方に分離して沈降している。図８においてはコントラストがやや出にくいが、肉眼で観察すると、赤色蛍光体沈殿層ＯＲは赤みを帯びており、これに対して、黄色蛍光体沈殿層ＹＥは赤みがほとんどない黄色に見える。そして、これらの境界付近では赤色成分が徐々に低下するグラデュエーションが観察される。
これに対して、本具体例である右側のサンプルにおいては、沈降速度の差が小さいので配合比が深さ方向距離に対してほぼ一様な状態で混合沈殿層ＭＩが沈降する。肉眼で観察しても、全体が一様に見え、色のムラを認めることはできない。この結果、色度変動は小さく（すなわち、「色むら」が少なく）、特性が均一にでき、組み立て工程の再現性においてもすぐれる。
FIG. 8 is a photograph comparing the sedimentation degree after mixing the liquid sealing resin and the phosphor and leaving them for 96 hours.
In the left sample, which is the second comparative example, the yellow phosphor precipitation layer YE is separated downward and the red phosphor precipitation layer OR is sedimented upward due to the difference in precipitation rate. In FIG. 8, the contrast is slightly difficult to obtain, but when observed with the naked eye, the red phosphor precipitate layer OR is reddish, whereas the yellow phosphor precipitate layer YE appears yellow with almost no redness. In the vicinity of these boundaries, a gradation in which the red component gradually decreases is observed.
On the other hand, in the sample on the right side which is this specific example, since the difference in sedimentation speed is small, the mixed sedimentation layer MI settles in a state where the blending ratio is substantially uniform with respect to the depth direction distance. Even when observing with the naked eye, the entire image appears uniform, and color unevenness cannot be recognized. As a result, the variation in chromaticity is small (that is, “color unevenness” is small), the characteristics can be made uniform, and the reproducibility of the assembly process is also excellent.
また、第２比較例における窒化物からなる赤色蛍光体においては、赤外発光スペクトル成分が多く含まれている。この結果、波長変換における変換効率が低下する。これに対して、本具体例においては赤外発光スペクトル成分は低減できるので、変換効率の低下を抑制出来る。 In addition, the red phosphor made of nitride in the second comparative example contains a lot of infrared emission spectrum components. As a result, the conversion efficiency in wavelength conversion decreases. On the other hand, in this specific example, since the infrared emission spectrum component can be reduced, a decrease in conversion efficiency can be suppressed.
次に、本具体例にかかる半導体発光装置６０の特性について説明する。
図１に例示した構造は、インナーリード４０２がアウターリード４０４より厚いために、放熱性にすぐれており、より大電流動作が可能である。
図９は、本具体例にかかる半導体発光装置６０の軸上光度−順方向電流特性である（Ｔａ＝２５℃）。順方向電流３５０ｍＡにおいて、６２５０ｍｃｄの光出力が得られている。また、第１リード４０に設けられた第１凹部１９の側面２０、及び熱可塑性樹脂４２に設けられた第２凹部５０の側面に設けられたリフレクタ４６により、光を上方に有効に導くので、光取り出し効率が改善でき、指向性制御が可能である。
Next, characteristics of the semiconductor light emitting device 60 according to this example will be described.
The structure illustrated in FIG. 1 is superior in heat dissipation because the inner lead 402 is thicker than the outer lead 404, and can operate with a larger current.
FIG. 9 is an on-axis luminous intensity-forward current characteristic of the semiconductor light emitting device 60 according to this example (Ta = 25 ° C.). A light output of 6250 mcd is obtained at a forward current of 350 mA. Further, the light is effectively guided upward by the reflector 46 provided on the side surface 20 of the first recess 19 provided in the first lead 40 and the side surface of the second recess 50 provided in the thermoplastic resin 42. Light extraction efficiency can be improved and directivity control is possible.
図１０（ａ）は、本具体例にかかる半導体発光装置６０の指向特性を表すグラフである。 また、図１０（ｂ）は、本具体例の半導体発光装置６０の模式平面図である。
半導体発光装置６０に接着された半導体発光素子１０の一中心線Ａ−Ａ‘に沿う断面において、半導体発光素子１０から上方への放射光発光強度を、測定点と垂直軸とのなす角度を変えて測定すると図１０（ａ）のような指向特性を得ることができる。放射光の光度相対値は、半径方向座標により表わされる。本構造においては、半導体発光素子１０の垂直光軸上が最大となりこの光度相対値を「１」としている。
FIG. 10A is a graph showing the directivity characteristics of the semiconductor light emitting device 60 according to this example. FIG. 10B is a schematic plan view of the semiconductor light emitting device 60 of this example.
In the cross section along one center line AA ′ of the semiconductor light emitting device 10 bonded to the semiconductor light emitting device 60, the angle of the emitted light emission intensity upward from the semiconductor light emitting device 10 and the vertical axis is changed. Then, the directivity as shown in FIG. 10A can be obtained. The luminous intensity relative value of the emitted light is represented by the radial coordinate. In this structure, the maximum value on the vertical optical axis of the semiconductor light emitting device 10 is the maximum, and the relative value of the luminous intensity is “1”.
また、相対光度が最大値の２分の１となる角度を半値全角θという。本具体例においては、半値全角θが４０度となり、鋭い指向性が得られる。これは、図１に例示したように、封止樹脂２３に集光レンズ機能を持たせたことによる。さらに、半値全角θは、第１凹部１９の側面２０及び第２凹部５０におけるリフレクタ４６の形状や傾斜角度により制御することもできる。 The angle at which the relative luminous intensity is one half of the maximum value is referred to as a full width at half maximum θ. In this specific example, the full width at half maximum θ is 40 degrees, and a sharp directivity is obtained. This is because the sealing resin 23 has a condensing lens function as illustrated in FIG. Further, the full width at half maximum θ can be controlled by the shape and the inclination angle of the reflector 46 in the side surface 20 of the first recess 19 and the second recess 50.
このような、第１具体例における高出力性、指向特性の高い制御性により、長寿命で保守が容易な照明用途に適した半導体発光装置６０が可能となる。例えば、航空機、自動車、電車などにおけるスポット照明においては、小型、軽量、保守の容易さ、長寿命などの特徴を生かした広範囲な用途が可能となる。さらに、赤色演色性が改善されているために、「暖色」系の白色光が得られており、上記用途に一層、適している。 Such a high output property and high controllability of directivity in the first specific example enables the semiconductor light emitting device 60 suitable for lighting applications with long life and easy maintenance. For example, spot lighting in airplanes, automobiles, trains, and the like can be used in a wide range of applications utilizing features such as small size, light weight, ease of maintenance, and long life. Further, since the red color rendering is improved, “warm” white light is obtained, which is more suitable for the above-mentioned use.
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、半導体発光素子放射光の波長は、４５０ナノメータ以下であって、例えば紫外光領域を含んでも良い。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these. For example, the wavelength of the semiconductor light emitting element radiation is 450 nanometers or less, and may include, for example, an ultraviolet light region.
また、共通の化学組成式で表される蛍光体を３種類以上含んでも良い。
図１１は、珪酸塩蛍光体を３種類備えた第２具体例にかかる半導体発光装置の色度図である。青色半導体発光素子からの放射光は、ｘｙ座標が（０．１５５、０．０２６）で表される。珪酸塩からなる黄色蛍光体からの波長変換光は、ｘｙ座標（０．４３１、０．５４５）で表される。同様に、珪酸塩からなる橙色蛍光体からの波長変換光は、（０．４９８、０．４７２）なるｘｙ座標で表され、珪酸塩からなる黄緑色蛍光体からの波長変換光は、（０．２２１、０．６１５）なるｘｙ座標で表される。このような座標で表される光の混合により、より演色性に富む白色光を得ることができる。
Further, three or more kinds of phosphors represented by a common chemical composition formula may be included.
FIG. 11 is a chromaticity diagram of a semiconductor light emitting device according to a second specific example including three types of silicate phosphors. The radiated light from the blue semiconductor light emitting element is represented by (0.155, 0.026) in the xy coordinates. Wavelength converted light from a yellow phosphor made of silicate is expressed by xy coordinates (0.431, 0.545). Similarly, wavelength-converted light from an orange phosphor made of silicate is represented by xy coordinates (0.498, 0.472), and wavelength-converted light from a yellow-green phosphor made of silicate is (0 .221, 0.615). By mixing the light represented by such coordinates, white light with more excellent color rendering can be obtained.
さらに、蛍光体としては珪酸塩蛍光体と限定されることはない。
図１２は、共通の化学組成式で表される窒化物蛍光体を３種類備えた第３具体例にかかる半導体発光装置の色度図である。青色半導体発光素子からの放射光は、ｘｙ座標が（０．１５５，０．０２６）で表される。窒化物からなる黄色蛍光体からの波長変換光は（０．５１０，０．４８０）なるｘｙ座標で表される。同様に、窒化物からなる黄緑色蛍光体からの波長変換光は（０．３３５、０．６４０）なるｘｙ座標で、また窒化物からなる赤色蛍光体からの波長変換光は（０．６７８、０．３１８）なるｘｙ座標で表される。このような座標で表される光の混合により、より演色性に富む白色光を得ることができる。
Furthermore, the phosphor is not limited to a silicate phosphor.
FIG. 12 is a chromaticity diagram of a semiconductor light emitting device according to a third specific example including three types of nitride phosphors represented by a common chemical composition formula. The radiated light from the blue semiconductor light emitting element is expressed by xy coordinates (0.155, 0.026). The wavelength-converted light from the yellow phosphor made of nitride is expressed by xy coordinates (0.510, 0.480). Similarly, wavelength-converted light from a yellow-green phosphor made of nitride has an xy coordinate of (0.335, 0.640), and wavelength-converted light from a red phosphor made of nitride has (0.678, 0.318) xy coordinates. By mixing the light represented by such coordinates, white light with more excellent color rendering can be obtained.
図１３は、窒化物蛍光体を２種類備えた第４具体例にかかる半導体発光装置６０の色度図である。青色半導体発光素子１０からの４７０ナノメータ放射光は、ｘｙ座標が（０．１００、０．１３０）で表される。ここで窒化物蛍光体の化学組成式を（Ｍｅ１−ｚＥｕｚ）２Ｓｉ５Ｎ８（０＜ｚ≦１、Ｍｅは，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ、Ｍｇから選ばれる少なくとも一つの元素）で表すことにする。黄色蛍光体２１は（Ｂａ０．９３Ｅｕ０．０７）２Ｓｉ５Ｎ８なる組成とすると、そのピーク波長は５７８ナノメータ近傍となり、波長変換光は（０．５００、０．４８０）なるｘｙ座標で表される。また橙色蛍光体２２は（Ｂａ０．８Ｅｕ０．２）２Ｓｉ５Ｎ８なる組成とすると、そのピーク波長は６１０ナノメータ近傍となり、波長変換光は（０．５７０，０．４０５）なるｘｙ座標で表される。このような座標で表される光の混合により白色光を得ることができる。
図１４は、第４具体例の発光スペクトルを第１比較例と対比したグラフ図である。実線で表したように、第４具体例では、５８０〜７００ナノメータ波長範囲であるＡ部において相対発光強度を第１比較例より高くすることが可能である。このような赤色スペクトルの補強により、第１比較例よりも赤色演色性を改善できる。
FIG. 13 is a chromaticity diagram of a semiconductor light emitting device 60 according to a fourth specific example provided with two types of nitride phosphors. The 470-nanometer radiation emitted from the blue semiconductor light emitting element 10 is represented by xy coordinates (0.100, 0.130). Here, the chemical composition formula of the nitride phosphor is (Me 1−z Eu z ) 2 Si 5 N 8 (0 <z ≦ 1, Me is at least one element selected from Sr, Ba, Ca, and Mg). I will represent it. When the yellow phosphor 21 has a composition of (Ba 0.93 Eu 0.07 ) 2 Si 5 N 8 , its peak wavelength is in the vicinity of 578 nanometers, and the wavelength conversion light has an xy coordinate of (0.500, 0.480). It is represented by Further, when the orange phosphor 22 has a composition of (Ba 0.8 Eu 0.2 ) 2 Si 5 N 8 , its peak wavelength is in the vicinity of 610 nanometers, and the wavelength converted light is (0.570, 0.405) xy Expressed in coordinates. White light can be obtained by mixing light expressed by such coordinates.
FIG. 14 is a graph comparing the emission spectrum of the fourth specific example with that of the first comparative example. As represented by the solid line, in the fourth specific example, the relative emission intensity can be made higher than that in the first comparative example in the A portion that is in the wavelength range of 580 to 700 nanometers. By such reinforcement of the red spectrum, red color rendering can be improved as compared with the first comparative example.
図１５は、第１具体例と同様な方法で黄色蛍光体２１及び橙色蛍光体２２を、液状封止樹脂と混合後加熱硬化した半導体発光装置６０における色度変動分布を測定した結果である。サンプル１０個の変動範囲は、異なる化学組成式である２種類の蛍光体を混合した第２比較例より小さい。このことは、黄色蛍光体２１と橙色蛍光体２２との沈降速度の差が小さいためによく混合されて分散配置されていることを示している。 FIG. 15 shows the result of measuring the chromaticity variation distribution in the semiconductor light emitting device 60 in which the yellow phosphor 21 and the orange phosphor 22 are mixed with the liquid sealing resin and heat-cured by the same method as in the first specific example. The variation range of 10 samples is smaller than that of the second comparative example in which two kinds of phosphors having different chemical composition formulas are mixed. This indicates that the yellow phosphor 21 and the orange phosphor 22 have a small difference in sedimentation velocity and are well mixed and dispersed.
蛍光体としては、（Ｙ、Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅなる化学組成式で表されるＹＡＧ蛍光体であっても良い。
図１６は、ＹＡＧ蛍光体を２種類備えた第５具体例にかかる半導体発光装置６０の色度図である。青色半導体発光素子１０からの４７０ナノメータ放射光は、ｘｙ座標が（０．１００、０．１３０）で表される。黄色蛍光体２１は（Ｙ０．４Ｇｄ０．６）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅなる組成とすると、そのピーク波長は５７８ナノメータ近傍となり波長変換光は（０．５００、４８０）なるｘｙ座標で表される。また橙色蛍光体２２は（Ｙ０．２Ｇｄ０．８）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅなる組成とすると、そのピーク波長は６００ナノメータ近傍となり、波長変換光は（０．５７０、０．４１０）なるｘｙ座標で表される。このような座標で表される光の混合により白色光を得ることができる。
図１７は、第５具体例の発光スペクトルを第１比較例と対比したグラフ図である。ＹＡＧ蛍光体を用いることによりスペクトルの半値幅は長波長側に約１０ナノメータ広がっている。第５具体例においては、第１比較例よりも赤色演色性が改善できる。
The phosphor may be a YAG phosphor represented by a chemical composition formula of (Y, Gd) 3 Al 5 O 12 : Ce.
FIG. 16 is a chromaticity diagram of a semiconductor light emitting device 60 according to a fifth example having two types of YAG phosphors. The 470-nanometer radiation emitted from the blue semiconductor light emitting element 10 is represented by xy coordinates (0.100, 0.130). When the yellow phosphor 21 has a composition of (Y 0.4 Gd 0.6 ) 3 Al 5 O 12 : Ce, its peak wavelength is in the vicinity of 578 nanometers, and the wavelength converted light has an xy coordinate of (0.500, 480). expressed. Further, when the orange phosphor 22 has a composition of (Y 0.2 Gd 0.8 ) 3 Al 5 O 12 : Ce, the peak wavelength is around 600 nanometers, and the wavelength converted light is (0.570, 0.410). It is expressed by xy coordinates. White light can be obtained by mixing light expressed by such coordinates.
FIG. 17 is a graph comparing the emission spectrum of the fifth specific example with that of the first comparative example. By using a YAG phosphor, the half-width of the spectrum spreads by about 10 nanometers on the long wavelength side. In the fifth specific example, the red color rendering can be improved as compared with the first comparative example.
図１８は、半導体発光装置６０における色度変動分布を測定した結果である。サンプル１０個の変動範囲は第２比較例より小さい。このことは、ＹＡＧ蛍光体においても黄色蛍光体２１と橙色蛍光体２２とが樹脂中によく混合されて分散配置されていることを示している。なお、ＹＡＧ蛍光体は、（ＹｕＧｄ１−ｕ）３（ＡｌｗＧａ１−ｗ）５Ｏ１２：Ｃｅ（０＜ｕ≦１，０＜ｗ≦１）なる化学組成式であっても良い。 FIG. 18 shows the result of measuring the chromaticity variation distribution in the semiconductor light emitting device 60. The variation range of 10 samples is smaller than that of the second comparative example. This indicates that also in the YAG phosphor, the yellow phosphor 21 and the orange phosphor 22 are well mixed and dispersed in the resin. The YAG phosphor may have a chemical composition formula of (Y u Gd 1-u ) 3 (Al w Ga 1-w ) 5 O 12 : Ce (0 <u ≦ 1, 0 <w ≦ 1). good.
その他、半導体発光装置を構成する半導体発光素子、リード、蛍光体、封止樹脂などの各要素の形状、サイズ、材質、配置関係などに関して当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。 In addition, a person skilled in the art may make various design changes regarding the shape, size, material, arrangement relationship, etc. of each element such as a semiconductor light emitting element, a lead, a phosphor, and a sealing resin constituting the semiconductor light emitting device. As long as it has the gist of the present invention, it is included in the scope of the present invention.
１０ 半導体発光素子、 １３ 銀ペースト、 １９ 第１凹部、 ２０ 側面、 ２１ 黄色蛍光体、 ２２ 橙色蛍光体、 ２３ 封止樹脂、 ２５ ボンディングワイヤ、 ４０ 第１リード、 ４２ 熱可塑性樹脂、 ４４ 第２リード、 ４６ リフレクタ、 ５０ 第２凹部、 ６０ 半導体発光装置、 ４０２ インナーリード、 ４０４ アウターリード DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor light emitting element, 13 Silver paste, 19 1st recessed part, 20 Side surface, 21 Yellow fluorescent substance, 22 Orange fluorescent substance, 23 Sealing resin, 25 Bonding wire, 40 1st lead | read | reed, 42 Thermoplastic resin, 44 2nd lead | read | reed , 46 reflector, 50 second recess, 60 semiconductor light emitting device, 402 inner lead, 404 outer lead
Claims (5)
前記第１波長光を吸収し、前記第１波長光より長波長である第２波長光を放射する第１蛍光体と、
前記第１波長光を吸収し、前記第２波長光より長波長である第３波長光を放射する第２蛍光体と、
を備え、
前記第１蛍光体と前記第２蛍光体とは、共通の化学組成式で表され、
前記第１波長光と、前記第２波長光と、前記第３波長光と、により、混合色の発光を生ずることを特徴とする半導体発光装置。 A semiconductor light emitting device emitting first wavelength light;
A first phosphor that absorbs the first wavelength light and emits a second wavelength light having a longer wavelength than the first wavelength light;
A second phosphor that absorbs the first wavelength light and emits third wavelength light having a longer wavelength than the second wavelength light;
With
The first phosphor and the second phosphor are represented by a common chemical composition formula,
A semiconductor light emitting device, wherein the first wavelength light, the second wavelength light, and the third wavelength light emit light of a mixed color.
前記第１蛍光体及び第前記第２蛍光体は、いずれも（Ｍｅ１−ｙＥｕｙ）２ＳｉＯ４（Ｍｅは、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇから選ばれる少なくとも一つの元素、０＜ｙ≦１）からなり、且つ組成比ｙが互い異なり、
前記混合色の発光は、白色光であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。 The light emitting layer of the semiconductor light emitting element is made of In x Ga y Al 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, x + y ≦ 1),
Both the first phosphor and the second phosphor are (Me 1-y Eu y ) 2 SiO 4 (Me is at least one element selected from Ba, Sr, Ca, Mg, 0 <y ≦ 1) and the composition ratios y are different from each other,
2. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the light emission of the mixed color is white light.
前記第２波長光は、４９０ナノメータ以上で５８０ナノメータより小なる波長範囲に発光スペクトルのピークを有し、
前記第３波長光は、５８０ナノメータ以上で６２０ナノメータより小なる波長範囲に発光スペクトルのピークを有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
The first wavelength light has an emission spectrum peak in a wavelength range of 430 nanometers or more and smaller than 490 nanometers,
The second wavelength light has an emission spectrum peak in a wavelength range of 490 nanometers or more and smaller than 580 nanometers,
5. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the third wavelength light has an emission spectrum peak in a wavelength range of 580 nanometers or more and smaller than 620 nanometers.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005220549 | 2005-07-29 | ||
| JP2006206841A JP2007059898A (en) | 2005-07-29 | 2006-07-28 | Semiconductor light-emitting device |
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|---|---|
| JP2007059898A true JP2007059898A (en) | 2007-03-08 |
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ID=37923060
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006206841A Pending JP2007059898A (en) | 2005-07-29 | 2006-07-28 | Semiconductor light-emitting device |
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| Country | Link |
|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090522 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090526 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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