JP2007059898A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 色度変動が低減され、赤色演色性が改善された半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 第1波長光を放射する半導体発光素子と、前記第1波長光を吸収し、前記第1波長光より長波長である第2波長光を放射する第1蛍光体と、前記第1波長光を吸収し、前記第2波長光より長波長である第3波長光を放射する第2蛍光体と、を備え、前記第1蛍光体と前記第2蛍光体とは、共通の化学組成式で表され、前記第1波長光と、前記第2波長光と、前記第3波長光と、により、混合色の発光を生ずることを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【選択図】 図1
【解決手段】 第1波長光を放射する半導体発光素子と、前記第1波長光を吸収し、前記第1波長光より長波長である第2波長光を放射する第1蛍光体と、前記第1波長光を吸収し、前記第2波長光より長波長である第3波長光を放射する第2蛍光体と、を備え、前記第1蛍光体と前記第2蛍光体とは、共通の化学組成式で表され、前記第1波長光と、前記第2波長光と、前記第3波長光と、により、混合色の発光を生ずることを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体発光装置に関し、特に半導体発光素子からの放射光により蛍光体を励起して、波長変換を行う半導体発光装置に関する。
近年、半導体発光装置は、照明やディスプレイ装置などの光源として幅広く用いられるようになった。特に、窒化ガリウム(GaN)系材料を用いた青色発光素子(青色LED)の実現により、白色発光型の半導体発光装置の用途も飛躍的に拡大している
白色発光型の半導体発光装置は、紫外線〜青色の波長範囲を有する窒化ガリウム系発光素子と、この放射光を吸収することにより励起されたより長い波長の光を放射する蛍光体とにより構成される。例えば、青色発光素子からの放射光と、青色光を黄色に変換する黄色蛍光体からの黄色光と、を所定の比率で混合することにより、白色光が合成される。この場合、黄色蛍光体の一例としては、珪酸塩蛍光体(Me1−yEuy)2SiO4(Meは、Ba,Sr,Ca,Mgから選ばれる少なくとも一つの金属元素)がある。
この構成においては、赤色成分が少ないために、赤色の演色性に欠ける。ところが、照明などの用途においては、「暖色系」、すなわち「電球色」が好まれる傾向が強い。このために、酸窒化物からなる赤色蛍光体を用いて、赤色の演色性を改善する開示例がある(特許文献1)。しかしながら、酸窒化物蛍光体の組成は、黄色蛍光体の組成とは物理的、化学的に異なる。この結果、二つの蛍光体が封止樹脂中において均一に分散することが容易でなく、量産した製品において色度変動、すなわち「色むら」を生じる。また、製造プロセスの再現性も不十分である。この結果、照明やディスプレイ装置の光源などの用途に対しては不十分な特性であった。
特開2005−112922号公報
本発明は、色度変動が低減され、赤色演色性が改善された半導体発光装置を提供する。
本発明の一態様によれば、
第1波長光を放射する半導体発光素子と、
前記第1波長光を吸収し、前記第1波長光より長波長である第2波長光を放射する第1蛍光体と、
前記第1波長光を吸収し、前記第2波長光より長波長である第3波長光を放射する第2蛍光体と、
を備え、
前記第1蛍光体と前記第2蛍光体とは、共通の化学組成式で表され、
前記第1波長光と、前記第2波長光と、前記第3波長光と、により、混合色の発光を生ずることを特徴とする半導体発光装置が提供される。
第1波長光を放射する半導体発光素子と、
前記第1波長光を吸収し、前記第1波長光より長波長である第2波長光を放射する第1蛍光体と、
前記第1波長光を吸収し、前記第2波長光より長波長である第3波長光を放射する第2蛍光体と、
を備え、
前記第1蛍光体と前記第2蛍光体とは、共通の化学組成式で表され、
前記第1波長光と、前記第2波長光と、前記第3波長光と、により、混合色の発光を生ずることを特徴とする半導体発光装置が提供される。
本発明により、色度変動が低減され、赤色演色性が改善された蛍光体波長変換型の半導体発光装置が提供される。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の第1具体例にかかる半導体発光装置60を表す模式断面図である。
この半導体発光装置60は、青色半導体発光素子10が、第1リード40を構成する肉厚のインナーリード402上に、銀ペースト13などで接着された構造を有する。インナーリード402には、第1凹部19が設けられており半導体発光素子10は、第1凹部19底面に接着されている。
図1は、本発明の第1具体例にかかる半導体発光装置60を表す模式断面図である。
この半導体発光装置60は、青色半導体発光素子10が、第1リード40を構成する肉厚のインナーリード402上に、銀ペースト13などで接着された構造を有する。インナーリード402には、第1凹部19が設けられており半導体発光素子10は、第1凹部19底面に接着されている。
半導体発光素子10の上面に設けられた電極(図示せず)と、第2リード44とはボンディングワイヤ25により接続されている。本構造は、いわゆるSMD(Surface Mounting Device:表面実装)型半導体発光装置に属する。
金属からなる第1リード40及び第2リード44は、例えば熱可塑性樹脂42などにより埋め込まれている。インナーリード402は、アウターリード404より肉厚とし、半導体発光素子10に対するヒートシンク作用を有している。熱可塑性樹脂42の上部には、第1凹部19に連続するように第2凹部50が設けられる。熱可塑性樹脂42の内部には傾斜したリフレクタ46が設けられている。リフレクタ46及び第1凹部19の内部側面20は、半導体発光素子10からの放射光および蛍光体により波長変換された光を上方に反射する作用を有する。
インナーリード402に設けられた第1凹部19及び半導体発光素子10の上部には、蛍光体を混合したシリコーンのような封止樹脂23が設けられている。封止樹脂23を半球状や半楕円体状とすると、光を集光するレンズ機能を持たすことができて指向特性の制御が容易にできる。図1において部分拡大して例示したように、本具体例においては、珪酸塩からなる黄色蛍光体21及び珪酸塩からなる橙色蛍光体22が透明樹脂23内に分散配置されている。この結果、青色半導体発光素子10からの放射光が黄色蛍光体21に吸収されて、励起により波長変換されて黄色光を生じる。また、青色半導体発光素子10からの青色放射光が橙色蛍光体22に吸収されて、励起により波長変換されて橙色光を生じる。この結果、暖色を帯びた白色光、言い換えると「電球色」を得ることができる。
次に、蛍光体に関してより詳細に説明する。
本具体例においては、(Me1−yEuy)2SiO4(Meは、Ba,Sr,Ca,Mgから選ばれる少なくとも一つの元素、0<y≦1)なる共通の化学組成式で表される珪酸塩蛍光体により、黄色蛍光体21と及び橙色蛍光体22とをそれぞれに構成する。なお、Ba(バリウム)、Sr(ストロンチウム)、Ca(カルシウム)は「アルカリ土類金属」と呼ばれる。
本具体例においては、(Me1−yEuy)2SiO4(Meは、Ba,Sr,Ca,Mgから選ばれる少なくとも一つの元素、0<y≦1)なる共通の化学組成式で表される珪酸塩蛍光体により、黄色蛍光体21と及び橙色蛍光体22とをそれぞれに構成する。なお、Ba(バリウム)、Sr(ストロンチウム)、Ca(カルシウム)は「アルカリ土類金属」と呼ばれる。
図2は、本具体例に用いる珪酸塩からなる黄色蛍光体21の励起スペクトルの波長依存性を表すグラフ図である。
半導体発光素子10のような光源からの波長(単位:nm)を横軸に表し、蛍光体からの相対励起強度を縦軸に表す。波長が300〜490ナノメータの範囲において、光源からの放射光が励起されて高い励起強度が得られている。本具体例においては、450〜470ナノメータの青色半導体発光素子10を用いて励起がなされている。
半導体発光素子10のような光源からの波長(単位:nm)を横軸に表し、蛍光体からの相対励起強度を縦軸に表す。波長が300〜490ナノメータの範囲において、光源からの放射光が励起されて高い励起強度が得られている。本具体例においては、450〜470ナノメータの青色半導体発光素子10を用いて励起がなされている。
図3は、半導体発光装置の発光スペクトルを表すグラフ図であり、縦軸が相対発光強度を表し、横軸が発光波長(単位:nm)を表す。
青色半導体発光素子10の発光と、黄色蛍光体21による波長変換光と、橙色蛍光体22による波長変換光との3色混合による本具体例にかかる半導体発光装置60の「電球色」を実線にて表す。相対発光強度のピークは、青色半導体発光素子10の放射光の発光中心である450ナノメータと、蛍光体により波長変換された580ナノメータ付近とにある。
青色半導体発光素子10の発光と、黄色蛍光体21による波長変換光と、橙色蛍光体22による波長変換光との3色混合による本具体例にかかる半導体発光装置60の「電球色」を実線にて表す。相対発光強度のピークは、青色半導体発光素子10の放射光の発光中心である450ナノメータと、蛍光体により波長変換された580ナノメータ付近とにある。
一方、第1比較例においては、約450ナノメータの青色半導体発光素子10の発光と、黄色蛍光体21による黄色光との混合により白色光が得られ、これを破線で表す。青色半導体発光素子10からの放射光の波長中心である450ナノメータ付近、及び黄色蛍光体21からの波長変換光の波長中心である575ナノメータ付近に発光スペクトル強度のピークを生じている。この2つの光の混合により、第1比較例の白色光が得られる。
本具体例においては、橙色蛍光体22があるために、580ナノメータ以上の波長範囲における発光スペクトルが、第1比較例とは異なっている。特に、図3において2点鎖線で例示したA部の580〜700ナノメータ波長範囲においては、相対発光強度を第1比較例よりも高くできている。この赤色スペクトル成分を補強することにより、第1比較例よりも赤色演色性を改善できる。
なおここで、青色半導体発光素子10からの波長光は、430ナノメータ以上で490ナノメータより小なる波長範囲に発光スペクトルのピークを有するものとする。また、黄色蛍光体からの放射波長光は、490ナノメータ以上で580ナノメータより小なる波長範囲に発光スペクトルのピークを有するものとする。さらに、橙色蛍光体からの放射波長光は、580ナノメータ以上で620ナノメータより小なる波長範囲に発光スペクトルのピークがあるものとする。
次に、(Me1−yEuy)2SiO4(Meは、Ba,Sr,Ca,Mgから選ばれる少なくとも一つの元素、0<y≦1)で表される珪酸塩蛍光体という共通の化学組成式で表される黄色蛍光体21と橙色蛍光体22との組成の違いについて説明する。なお、Me2SiO4は母体材料とも呼ばれ、発光中心を形成するEu(ユーロピウム)は賦活剤とも呼ばれる。
黄色蛍光体21の一例としては、上記化学組成式においてSr(ストロンチウム)が1.78、Ba(バリウム)が0.12、Eu(ユーロピウム)が0.10、Si(シリコン)が1.0、O(酸素)が4.0と、各組成比を選択することができる。
また、橙色蛍光体22の一例としては、上記化学組成式においてSrが1.33、Caが0.57、Euが0.10、Si(シリコン)が1.0、O(酸素)が4.0と、各組成比を選択することができる。このように、Meで表されるBa,Sr,Ca(カルシウム),Mg(マグネシウム)の組成比を変化させることにより、発光スペクトルを変化させることができる。この場合、共通の化学組成式で表されることは、物理的、化学的特性が近いことを意味するので、含まれるMeなる元素が両者の間で全く同一でなくとも良い。
次に、蛍光体の粒径について説明する。
一般に、蛍光体の表面には、「破砕層」がある。この破砕層の厚みは破砕工程で決まるので、蛍光体の粒径の大きいほうが表面破砕層の容積率を低減できる。この結果、粒径が大きい蛍光体のほうが高輝度にできる。この理由から、蛍光体粒径下限は、3マイクロメータ程度とすることが望ましい。
一般に、蛍光体の表面には、「破砕層」がある。この破砕層の厚みは破砕工程で決まるので、蛍光体の粒径の大きいほうが表面破砕層の容積率を低減できる。この結果、粒径が大きい蛍光体のほうが高輝度にできる。この理由から、蛍光体粒径下限は、3マイクロメータ程度とすることが望ましい。
一方、蛍光体の液状樹脂中における沈降速度(v)は、粒径(d)、蛍光体密度(ρp)、樹脂密度(ρ)、及び樹脂粘度(η)との間に、近似的に次の関係(式1)が成り立つ。
v=C(ρp−ρ)d2/η (式1)
但し、Cは定数。
v=C(ρp−ρ)d2/η (式1)
但し、Cは定数。
(式1)に例示したように、蛍光体の粒径が大きくなると、封止樹脂中における沈降速度が大きくなる。そこで、組み立て工程中において、液状封止樹脂へ混合されてから加熱硬化開始までの時間によって、蛍光体の分散状態が変化する。この影響を低減するために、蛍光体粒径の上限を、例えば20マイクロメータとすることができる。
図4は、CIE(Commission International de I‘Eclairage:国際照明委員会)規格による色度図である。曲線部分は、発光波長380〜780ナノメータのスペクトル軌跡であり、両端点を結んだ直線は、純紫軌跡である。
青色半導体発光素子10からの450ナノメータ放射光は、xy座標が(0.15、0.03)で表される。ピーク波長が約575ナノメータである黄色蛍光体21からの波長変換光は、xy座標が(0.480、0.505)で表される。また、ピーク波長が約593ナノメータである橙色蛍光体22からの波長変換光は、xy座標が(0.498、0.472)で表される。この結果、この3点を結ぶ三角形内の色度が実現可能となり、配合比を適正に選択することにより中央付近の白色光が実現する。なお、A,B,D65は標準光を表す。
なお、青色半導体発光素子10からの450ナノメータ放射光と、黄色蛍光体21からの波長変換光との混色により、この2点を結ぶ直線M上の色度が実現可能となる。第1比較例はこのようにして得られる。この場合、赤色スペクトル成分は、図3における破線のごとく、本具体例より少ないために、赤色演色性に欠ける白色光となり「暖かみ」に欠ける。
これに対して、本具体例においては、橙色蛍光体22により赤色スペクトル成分を補強でき、「暖かみ」を増すことができる。また、図4に例示したように、色度図において三角形領域内での混合が可能となるので、混色に自由度が増す効果も生じる。
ここで、第2比較例について説明する。
本具体例においては、赤色演色性を改善するために珪酸塩蛍光体からなる橙色蛍光体22を用いた。しかし、赤色スペクトル成分を増すには、窒化物蛍光体または酸窒化物蛍光体を使うことも考えられる。ここで、窒化物蛍光体を用いた場合を第2比較例として説明する。
本具体例においては、赤色演色性を改善するために珪酸塩蛍光体からなる橙色蛍光体22を用いた。しかし、赤色スペクトル成分を増すには、窒化物蛍光体または酸窒化物蛍光体を使うことも考えられる。ここで、窒化物蛍光体を用いた場合を第2比較例として説明する。
窒化物蛍光体としては、Me2Si5N8:Eu(Meは、Sr,Ba、Ca)、CaSiN2:Eu,CaAlSiN3:Euなどがある。例えば、Me2Si5N8:Eu(Meは、Sr,Ba、Ca)なる化学組成式で表される赤色蛍光体からの波長変換光と、青色半導体発光素子からの450ナノメータ放射光と、珪酸塩からなる黄色蛍光体からの波長変換光との混色により白色光を得る場合を第2比較例とする。
図5は、第2比較例における色度図を表す。ピーク波長が約652ナノメータである赤色蛍光体からの波長変換光は、xy座標が(0.630、0.370)で表される。
以上の3色の混色により白色光が得られるが、窒化物または酸窒化物からなる赤色蛍光体の化学組成式は、黄色蛍光体の化学組成式とは異なる。そのために、比重や形状など物理的特性、およびその他の化学的特性などの点で異なる。この結果、これら2種類の蛍光体が封止樹脂中において均一に分散されないために、製品において色度変動、すなわち「色むら」を生じる。また、製造プロセスの再現性も不十分である。
次に、蛍光体の沈降速度の違いにより生じる色度変動、すなわち「色むら」に関する比較結果について説明する。
図6は、本具体例において、液状封止樹脂と、黄色蛍光体21と、橙色蛍光体22とを混合し、2時間放置後に加熱硬化した図1に例示した構造の半導体発光装置60における色度変動分布を測定した結果である。図6は、図4に例示した色度図のうち、座標x及びyが0.35〜0.45の範囲を部分拡大して表した。半導体発光装置60の製品群中から10個抜き出したサンプルの色度を白丸印で表す。xは0.398〜0.422の範囲内で、yは0.385〜0.402の範囲内で変動しているが、サンプルの色度変動範囲は小さい。このことは、黄色蛍光体21と橙色蛍光体22との沈降速度の差が小さいために、この2種類の蛍光体がよく混合されて分散配置されていることを示していると考えられる。
図6は、本具体例において、液状封止樹脂と、黄色蛍光体21と、橙色蛍光体22とを混合し、2時間放置後に加熱硬化した図1に例示した構造の半導体発光装置60における色度変動分布を測定した結果である。図6は、図4に例示した色度図のうち、座標x及びyが0.35〜0.45の範囲を部分拡大して表した。半導体発光装置60の製品群中から10個抜き出したサンプルの色度を白丸印で表す。xは0.398〜0.422の範囲内で、yは0.385〜0.402の範囲内で変動しているが、サンプルの色度変動範囲は小さい。このことは、黄色蛍光体21と橙色蛍光体22との沈降速度の差が小さいために、この2種類の蛍光体がよく混合されて分散配置されていることを示していると考えられる。
一方、図7は、第2比較例において、液状封止樹脂と、黄色蛍光体と、窒化物蛍光体からなる赤色蛍光体とを混合し、2時間放置後に加熱硬化を行った半導体発光装置における色度変動分布測定結果である。この構造は、図1に例示されたものと同様である。図7も色度図を部分拡大して表してあり、黒四角印が各サンプルの色度である。本図に例示されるように、xは0.402〜0.429の範囲内で、またyは0.371〜0.395の範囲内で変動している。この変動範囲は図6に例示された本第1具体例と比べて大きい。
この理由は以下のように考えられる。すなわち、第2比較例においては、黄色蛍光体と赤色蛍光体の化学組成式が異なるために、形状や比重が異なっており、均一に混合されていない。この結果、2種類の蛍光体は沈降速度に差を生じており、沈降層が不均一となるからである。
図8は、液状封止樹脂中と蛍光体とを混合し、96時間放置後の沈降度を比較した写真である。
第2比較例である左側のサンプルにおいては、沈殿速度の差により黄色蛍光体沈殿層YEが下方に、赤色蛍光体沈殿層ORが上方に分離して沈降している。図8においてはコントラストがやや出にくいが、肉眼で観察すると、赤色蛍光体沈殿層ORは赤みを帯びており、これに対して、黄色蛍光体沈殿層YEは赤みがほとんどない黄色に見える。そして、これらの境界付近では赤色成分が徐々に低下するグラデュエーションが観察される。
これに対して、本具体例である右側のサンプルにおいては、沈降速度の差が小さいので配合比が深さ方向距離に対してほぼ一様な状態で混合沈殿層MIが沈降する。肉眼で観察しても、全体が一様に見え、色のムラを認めることはできない。この結果、色度変動は小さく(すなわち、「色むら」が少なく)、特性が均一にでき、組み立て工程の再現性においてもすぐれる。
第2比較例である左側のサンプルにおいては、沈殿速度の差により黄色蛍光体沈殿層YEが下方に、赤色蛍光体沈殿層ORが上方に分離して沈降している。図8においてはコントラストがやや出にくいが、肉眼で観察すると、赤色蛍光体沈殿層ORは赤みを帯びており、これに対して、黄色蛍光体沈殿層YEは赤みがほとんどない黄色に見える。そして、これらの境界付近では赤色成分が徐々に低下するグラデュエーションが観察される。
これに対して、本具体例である右側のサンプルにおいては、沈降速度の差が小さいので配合比が深さ方向距離に対してほぼ一様な状態で混合沈殿層MIが沈降する。肉眼で観察しても、全体が一様に見え、色のムラを認めることはできない。この結果、色度変動は小さく(すなわち、「色むら」が少なく)、特性が均一にでき、組み立て工程の再現性においてもすぐれる。
また、第2比較例における窒化物からなる赤色蛍光体においては、赤外発光スペクトル成分が多く含まれている。この結果、波長変換における変換効率が低下する。これに対して、本具体例においては赤外発光スペクトル成分は低減できるので、変換効率の低下を抑制出来る。
次に、本具体例にかかる半導体発光装置60の特性について説明する。
図1に例示した構造は、インナーリード402がアウターリード404より厚いために、放熱性にすぐれており、より大電流動作が可能である。
図9は、本具体例にかかる半導体発光装置60の軸上光度−順方向電流特性である(Ta=25℃)。順方向電流350mAにおいて、6250mcdの光出力が得られている。また、第1リード40に設けられた第1凹部19の側面20、及び熱可塑性樹脂42に設けられた第2凹部50の側面に設けられたリフレクタ46により、光を上方に有効に導くので、光取り出し効率が改善でき、指向性制御が可能である。
図1に例示した構造は、インナーリード402がアウターリード404より厚いために、放熱性にすぐれており、より大電流動作が可能である。
図9は、本具体例にかかる半導体発光装置60の軸上光度−順方向電流特性である(Ta=25℃)。順方向電流350mAにおいて、6250mcdの光出力が得られている。また、第1リード40に設けられた第1凹部19の側面20、及び熱可塑性樹脂42に設けられた第2凹部50の側面に設けられたリフレクタ46により、光を上方に有効に導くので、光取り出し効率が改善でき、指向性制御が可能である。
図10(a)は、本具体例にかかる半導体発光装置60の指向特性を表すグラフである。 また、図10(b)は、本具体例の半導体発光装置60の模式平面図である。
半導体発光装置60に接着された半導体発光素子10の一中心線A−A‘に沿う断面において、半導体発光素子10から上方への放射光発光強度を、測定点と垂直軸とのなす角度を変えて測定すると図10(a)のような指向特性を得ることができる。放射光の光度相対値は、半径方向座標により表わされる。本構造においては、半導体発光素子10の垂直光軸上が最大となりこの光度相対値を「1」としている。
半導体発光装置60に接着された半導体発光素子10の一中心線A−A‘に沿う断面において、半導体発光素子10から上方への放射光発光強度を、測定点と垂直軸とのなす角度を変えて測定すると図10(a)のような指向特性を得ることができる。放射光の光度相対値は、半径方向座標により表わされる。本構造においては、半導体発光素子10の垂直光軸上が最大となりこの光度相対値を「1」としている。
また、相対光度が最大値の2分の1となる角度を半値全角θという。本具体例においては、半値全角θが40度となり、鋭い指向性が得られる。これは、図1に例示したように、封止樹脂23に集光レンズ機能を持たせたことによる。さらに、半値全角θは、第1凹部19の側面20及び第2凹部50におけるリフレクタ46の形状や傾斜角度により制御することもできる。
このような、第1具体例における高出力性、指向特性の高い制御性により、長寿命で保守が容易な照明用途に適した半導体発光装置60が可能となる。例えば、航空機、自動車、電車などにおけるスポット照明においては、小型、軽量、保守の容易さ、長寿命などの特徴を生かした広範囲な用途が可能となる。さらに、赤色演色性が改善されているために、「暖色」系の白色光が得られており、上記用途に一層、適している。
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、半導体発光素子放射光の波長は、450ナノメータ以下であって、例えば紫外光領域を含んでも良い。
また、共通の化学組成式で表される蛍光体を3種類以上含んでも良い。
図11は、珪酸塩蛍光体を3種類備えた第2具体例にかかる半導体発光装置の色度図である。青色半導体発光素子からの放射光は、xy座標が(0.155、0.026)で表される。珪酸塩からなる黄色蛍光体からの波長変換光は、xy座標(0.431、0.545)で表される。同様に、珪酸塩からなる橙色蛍光体からの波長変換光は、(0.498、0.472)なるxy座標で表され、珪酸塩からなる黄緑色蛍光体からの波長変換光は、(0.221、0.615)なるxy座標で表される。このような座標で表される光の混合により、より演色性に富む白色光を得ることができる。
図11は、珪酸塩蛍光体を3種類備えた第2具体例にかかる半導体発光装置の色度図である。青色半導体発光素子からの放射光は、xy座標が(0.155、0.026)で表される。珪酸塩からなる黄色蛍光体からの波長変換光は、xy座標(0.431、0.545)で表される。同様に、珪酸塩からなる橙色蛍光体からの波長変換光は、(0.498、0.472)なるxy座標で表され、珪酸塩からなる黄緑色蛍光体からの波長変換光は、(0.221、0.615)なるxy座標で表される。このような座標で表される光の混合により、より演色性に富む白色光を得ることができる。
さらに、蛍光体としては珪酸塩蛍光体と限定されることはない。
図12は、共通の化学組成式で表される窒化物蛍光体を3種類備えた第3具体例にかかる半導体発光装置の色度図である。青色半導体発光素子からの放射光は、xy座標が(0.155,0.026)で表される。窒化物からなる黄色蛍光体からの波長変換光は(0.510,0.480)なるxy座標で表される。同様に、窒化物からなる黄緑色蛍光体からの波長変換光は(0.335、0.640)なるxy座標で、また窒化物からなる赤色蛍光体からの波長変換光は(0.678、0.318)なるxy座標で表される。このような座標で表される光の混合により、より演色性に富む白色光を得ることができる。
図12は、共通の化学組成式で表される窒化物蛍光体を3種類備えた第3具体例にかかる半導体発光装置の色度図である。青色半導体発光素子からの放射光は、xy座標が(0.155,0.026)で表される。窒化物からなる黄色蛍光体からの波長変換光は(0.510,0.480)なるxy座標で表される。同様に、窒化物からなる黄緑色蛍光体からの波長変換光は(0.335、0.640)なるxy座標で、また窒化物からなる赤色蛍光体からの波長変換光は(0.678、0.318)なるxy座標で表される。このような座標で表される光の混合により、より演色性に富む白色光を得ることができる。
図13は、窒化物蛍光体を2種類備えた第4具体例にかかる半導体発光装置60の色度図である。青色半導体発光素子10からの470ナノメータ放射光は、xy座標が(0.100、0.130)で表される。ここで窒化物蛍光体の化学組成式を(Me1−zEuz)2Si5N8(0<z≦1、Meは,Sr,Ba,Ca、Mgから選ばれる少なくとも一つの元素)で表すことにする。黄色蛍光体21は(Ba0.93Eu0.07)2Si5N8なる組成とすると、そのピーク波長は578ナノメータ近傍となり、波長変換光は(0.500、0.480)なるxy座標で表される。また橙色蛍光体22は(Ba0.8Eu0.2)2Si5N8なる組成とすると、そのピーク波長は610ナノメータ近傍となり、波長変換光は(0.570,0.405)なるxy座標で表される。このような座標で表される光の混合により白色光を得ることができる。
図14は、第4具体例の発光スペクトルを第1比較例と対比したグラフ図である。実線で表したように、第4具体例では、580〜700ナノメータ波長範囲であるA部において相対発光強度を第1比較例より高くすることが可能である。このような赤色スペクトルの補強により、第1比較例よりも赤色演色性を改善できる。
図14は、第4具体例の発光スペクトルを第1比較例と対比したグラフ図である。実線で表したように、第4具体例では、580〜700ナノメータ波長範囲であるA部において相対発光強度を第1比較例より高くすることが可能である。このような赤色スペクトルの補強により、第1比較例よりも赤色演色性を改善できる。
図15は、第1具体例と同様な方法で黄色蛍光体21及び橙色蛍光体22を、液状封止樹脂と混合後加熱硬化した半導体発光装置60における色度変動分布を測定した結果である。サンプル10個の変動範囲は、異なる化学組成式である2種類の蛍光体を混合した第2比較例より小さい。このことは、黄色蛍光体21と橙色蛍光体22との沈降速度の差が小さいためによく混合されて分散配置されていることを示している。
蛍光体としては、(Y、Gd)3Al5O12:Ceなる化学組成式で表されるYAG蛍光体であっても良い。
図16は、YAG蛍光体を2種類備えた第5具体例にかかる半導体発光装置60の色度図である。青色半導体発光素子10からの470ナノメータ放射光は、xy座標が(0.100、0.130)で表される。黄色蛍光体21は(Y0.4Gd0.6)3Al5O12:Ceなる組成とすると、そのピーク波長は578ナノメータ近傍となり波長変換光は(0.500、480)なるxy座標で表される。また橙色蛍光体22は(Y0.2Gd0.8)3Al5O12:Ceなる組成とすると、そのピーク波長は600ナノメータ近傍となり、波長変換光は(0.570、0.410)なるxy座標で表される。このような座標で表される光の混合により白色光を得ることができる。
図17は、第5具体例の発光スペクトルを第1比較例と対比したグラフ図である。YAG蛍光体を用いることによりスペクトルの半値幅は長波長側に約10ナノメータ広がっている。第5具体例においては、第1比較例よりも赤色演色性が改善できる。
図16は、YAG蛍光体を2種類備えた第5具体例にかかる半導体発光装置60の色度図である。青色半導体発光素子10からの470ナノメータ放射光は、xy座標が(0.100、0.130)で表される。黄色蛍光体21は(Y0.4Gd0.6)3Al5O12:Ceなる組成とすると、そのピーク波長は578ナノメータ近傍となり波長変換光は(0.500、480)なるxy座標で表される。また橙色蛍光体22は(Y0.2Gd0.8)3Al5O12:Ceなる組成とすると、そのピーク波長は600ナノメータ近傍となり、波長変換光は(0.570、0.410)なるxy座標で表される。このような座標で表される光の混合により白色光を得ることができる。
図17は、第5具体例の発光スペクトルを第1比較例と対比したグラフ図である。YAG蛍光体を用いることによりスペクトルの半値幅は長波長側に約10ナノメータ広がっている。第5具体例においては、第1比較例よりも赤色演色性が改善できる。
図18は、半導体発光装置60における色度変動分布を測定した結果である。サンプル10個の変動範囲は第2比較例より小さい。このことは、YAG蛍光体においても黄色蛍光体21と橙色蛍光体22とが樹脂中によく混合されて分散配置されていることを示している。なお、YAG蛍光体は、(YuGd1−u)3(AlwGa1−w)5O12:Ce(0<u≦1,0<w≦1)なる化学組成式であっても良い。
その他、半導体発光装置を構成する半導体発光素子、リード、蛍光体、封止樹脂などの各要素の形状、サイズ、材質、配置関係などに関して当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。
10 半導体発光素子、 13 銀ペースト、 19 第1凹部、 20 側面、 21 黄色蛍光体、 22 橙色蛍光体、 23 封止樹脂、 25 ボンディングワイヤ、 40 第1リード、 42 熱可塑性樹脂、 44 第2リード、 46 リフレクタ、 50 第2凹部、 60 半導体発光装置、 402 インナーリード、 404 アウターリード
Claims (5)
- 第1波長光を放射する半導体発光素子と、
前記第1波長光を吸収し、前記第1波長光より長波長である第2波長光を放射する第1蛍光体と、
前記第1波長光を吸収し、前記第2波長光より長波長である第3波長光を放射する第2蛍光体と、
を備え、
前記第1蛍光体と前記第2蛍光体とは、共通の化学組成式で表され、
前記第1波長光と、前記第2波長光と、前記第3波長光と、により、混合色の発光を生ずることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記第1蛍光体及び前記第2蛍光体は、ともに珪酸塩蛍光体であるか、ともに窒化物蛍光体であるか、ともにYAG蛍光体であるか、のいずれかひとつであることを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記半導体発光素子の発光層は、InxGayAl1−x−yN(0≦x≦1,0≦y≦1、x+y≦1)からなり、
前記第1蛍光体及び第前記第2蛍光体は、いずれも(Me1−yEuy)2SiO4(Meは、Ba,Sr,Ca,Mgから選ばれる少なくとも一つの元素、0<y≦1)からなり、且つ組成比yが互い異なり、
前記混合色の発光は、白色光であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。 - 前記第1蛍光体及び前記第2蛍光体は、いずれも(Me1−yEuy)2SiO4(0<y≦1)からなり、(Me1−yEuy)2SiO4(0<y≦1)からなり、且つMeで表される元素としてSr及びBaを共に含んでいることを特徴とする請求項1乃至3に記載の半導体発光装置。
- 前記第1波長光は、430ナノメータ以上で490ナノメータより小なる波長範囲に発光スペクトルのピークを有し、
前記第2波長光は、490ナノメータ以上で580ナノメータより小なる波長範囲に発光スペクトルのピークを有し、
前記第3波長光は、580ナノメータ以上で620ナノメータより小なる波長範囲に発光スペクトルのピークを有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008053691A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 白色ledモジュール |
JP2008280471A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Sony Corp | 発光組成物及びこれを用いた光源装置並びにこれを用いた表示装置 |
WO2009117287A2 (en) * | 2008-03-15 | 2009-09-24 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Solid-state lamps with partial conversion in phosphors for rendering an enhanced number of colors |
WO2009117286A2 (en) * | 2008-03-15 | 2009-09-24 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Solid-state lamps with complete conversion in phosphors for rendering an enhanced number of colors |
JP2012523115A (ja) * | 2009-04-06 | 2012-09-27 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 有機及び無機フォスファを含むフォスファ強化光源のための発光変換装置 |
JP2013507493A (ja) * | 2009-10-13 | 2013-03-04 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ユウロピウムドープされたオルトケイ酸塩を含む発光体混合物 |
US8436526B2 (en) | 2008-02-11 | 2013-05-07 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Multiwavelength solid-state lamps with an enhanced number of rendered colors |
WO2014124325A1 (en) * | 2013-02-09 | 2014-08-14 | Phosphortech Corporation | Phosphor sheets |
JP2016006546A (ja) * | 2009-12-29 | 2016-01-14 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 発光装置及びこれを含む表示装置 |
JP2018503980A (ja) * | 2014-12-24 | 2018-02-08 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 蛍光体変換led |
-
2006
- 2006-07-28 JP JP2006206841A patent/JP2007059898A/ja active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008053691A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 白色ledモジュール |
JP2008280471A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Sony Corp | 発光組成物及びこれを用いた光源装置並びにこれを用いた表示装置 |
US8771029B2 (en) | 2008-02-11 | 2014-07-08 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Multiwavelength solid-state lamps with an enhanced number of rendered colors |
US8436526B2 (en) | 2008-02-11 | 2013-05-07 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Multiwavelength solid-state lamps with an enhanced number of rendered colors |
WO2009117287A2 (en) * | 2008-03-15 | 2009-09-24 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Solid-state lamps with partial conversion in phosphors for rendering an enhanced number of colors |
WO2009117286A2 (en) * | 2008-03-15 | 2009-09-24 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Solid-state lamps with complete conversion in phosphors for rendering an enhanced number of colors |
WO2009117287A3 (en) * | 2008-03-15 | 2009-12-10 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Solid-state lamps with partial conversion in phosphors for rendering an enhanced number of colors |
WO2009117286A3 (en) * | 2008-03-15 | 2009-12-10 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Solid-state lamps with complete conversion in phosphors for rendering an enhanced number of colors |
US7990045B2 (en) | 2008-03-15 | 2011-08-02 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Solid-state lamps with partial conversion in phosphors for rendering an enhanced number of colors |
JP2012523115A (ja) * | 2009-04-06 | 2012-09-27 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 有機及び無機フォスファを含むフォスファ強化光源のための発光変換装置 |
JP2013507493A (ja) * | 2009-10-13 | 2013-03-04 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ユウロピウムドープされたオルトケイ酸塩を含む発光体混合物 |
US9157025B2 (en) | 2009-10-13 | 2015-10-13 | Merck Patent Gmbh | Phosphor mixtures comprising europium-doped ortho-silicates |
JP2016006546A (ja) * | 2009-12-29 | 2016-01-14 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 発光装置及びこれを含む表示装置 |
WO2014124325A1 (en) * | 2013-02-09 | 2014-08-14 | Phosphortech Corporation | Phosphor sheets |
US9644817B2 (en) | 2013-02-09 | 2017-05-09 | Hisham Menkara | Phosphor sheets |
JP2018503980A (ja) * | 2014-12-24 | 2018-02-08 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 蛍光体変換led |
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