JP2007059646A - Semiconductor device manufacturing method - Google Patents
Semiconductor device manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007059646A JP2007059646A JP2005243768A JP2005243768A JP2007059646A JP 2007059646 A JP2007059646 A JP 2007059646A JP 2005243768 A JP2005243768 A JP 2005243768A JP 2005243768 A JP2005243768 A JP 2005243768A JP 2007059646 A JP2007059646 A JP 2007059646A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- forming
- resistor
- tin
- crsi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
本発明は、薄膜抵抗体のレーザートリミングを行う工程を有する半導体装置の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device including a step of performing laser trimming of a thin film resistor.
薄膜抵抗体のレーザートリミングとは、半導体基板上に、絶縁膜を介して、ＣｒＳｉ等の薄膜抵抗体を形成し、さらに、この薄膜抵抗体上に絶縁膜を形成した後、薄膜抵抗体にレーザー光を照射することで、薄膜抵抗体の一部を溶断し、薄膜抵抗体の抵抗値を所望の値に調整するものである（例えば、特許文献１、２参照）。
Laser trimming of a thin film resistor means that a thin film resistor such as CrSi is formed on a semiconductor substrate via an insulating film, and further, an insulating film is formed on the thin film resistor, and then the thin film resistor is subjected to laser irradiation. By irradiating light, a part of the thin film resistor is melted, and the resistance value of the thin film resistor is adjusted to a desired value (for example, see
このレーザートリミングにおいては、薄膜抵抗体を通過したレーザー光が、薄膜抵抗体の下側に位置する異種絶縁膜同士の界面や、半導体基板と絶縁膜の界面等で反射し、その反射光と、薄膜抵抗体に直接入射するレーザー光とによって、干渉が起きる。このレーザー光の干渉によって、薄膜抵抗体の加工エネルギーにばらつきが生じ、特に、加工エネルギーが高い方にばらついた場合では、半導体基板やパッシベーション膜にダメージが入り、これらが破壊するという問題が生じるため、この対策方法が必要である。 In this laser trimming, the laser light that has passed through the thin film resistor is reflected at the interface between different types of insulating films located below the thin film resistor, the interface between the semiconductor substrate and the insulating film, and the reflected light, Interference occurs due to the laser light directly incident on the thin film resistor. Due to the interference of this laser beam, the processing energy of the thin film resistor varies, and in particular, when the processing energy varies, the semiconductor substrate and the passivation film are damaged, which causes a problem of destruction. This countermeasure method is necessary.
そこで、従来では、レーザー光の波長の周期性を考慮して、レーザー光の反射が生じないように、薄膜抵抗体よりも下側の絶縁膜の膜厚や、半導体基板としてＳＯＩ基板を用いる場合では、基板中の酸化膜の膜厚を制御することで、薄膜抵抗体の加工ばらつきの抑制を図っていた（例えば、特許文献２参照）
本発明は、上記した方法と異なる方法により、レーザートリミング時に生じる薄膜抵抗体の加工エネルギーのばらつきを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device that can suppress variations in processing energy of a thin film resistor that occurs during laser trimming by a method different from the above-described method.
上記目的を達成するため、本発明は、第１の絶縁膜（２３）を形成する工程と薄膜抵抗体（３）を形成する工程との間に、第１の絶縁膜（２３）の上であって、レーザー光が照射される領域に、前記レーザー光を吸収し、かつ、第２の絶縁膜よりもレーザー光の吸収率が高い光吸収膜（６）を形成する工程を有することを第１の特徴としている。 In order to achieve the above object, the present invention provides a method for forming a first insulating film (23) between a step of forming a first insulating film (23) and a step of forming a thin film resistor (3). And a step of forming a light absorption film (6) that absorbs the laser light and has a higher absorption rate of the laser light than the second insulating film in a region irradiated with the laser light. One feature.
従来では、第２の絶縁膜が第１の絶縁膜上に直接形成されている場合、第２の絶縁膜と第１の絶縁膜の屈折率が異なるため、薄膜抵抗体を加工する工程において、薄膜抵抗体を通過したレーザー光が、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の界面で反射していた。 Conventionally, when the second insulating film is formed directly on the first insulating film, the refractive index of the second insulating film is different from that of the first insulating film. The laser light that passed through the thin film resistor was reflected at the interface between the first insulating film and the second insulating film.
これに対して、本発明では、少なくとも、第１の絶縁膜と薄膜抵抗体の間に光吸収膜を形成しているので、薄膜抵抗体を加工する工程を行ったとき、薄膜抵抗体よりも下側に到達するレーザー光の全部もしくは一部を、レーザー光が第１の絶縁膜の表面に到達する前に、光吸収膜で吸収することができる。 On the other hand, in the present invention, since the light absorption film is formed at least between the first insulating film and the thin film resistor, when the process of processing the thin film resistor is performed, the light absorption film is more than the thin film resistor. All or part of the laser light reaching the lower side can be absorbed by the light absorption film before the laser light reaches the surface of the first insulating film.
これにより、薄膜抵抗体を加工する工程において、薄膜抵抗体を通過したレーザー光が、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の界面で反射することを抑制することができる。この結果、光吸収膜を形成しない場合と比較して、薄膜抵抗体の加工エネルギーのばらつきを抑制することができる。 Thereby, in the process of processing a thin film resistor, it can suppress that the laser beam which passed the thin film resistor reflects in the interface of a 1st insulating film and a 2nd insulating film. As a result, variation in processing energy of the thin film resistor can be suppressed as compared with the case where the light absorption film is not formed.
具体的には、例えば、最表層がシリコンで構成された基板（１）を用意する工程と、基板（１）の上にシリコン窒化膜（２３）を形成する工程を行った後、シリコン窒化膜（２３）の上であって、レーザー光が照射される領域に、レーザー光を吸収する光吸収膜（６）を形成する工程を行う。 Specifically, for example, after performing a step of preparing a substrate (1) whose outermost layer is made of silicon and a step of forming a silicon nitride film (23) on the substrate (1), a silicon nitride film A step of forming a light absorption film (6) that absorbs the laser light in a region irradiated with the laser light on (23) is performed.
その後、光吸収膜（６）の上にシリコン酸化膜（２４、２５、２６）を形成する工程と、シリコン酸化膜（２４、２５、２６）の上に薄膜抵抗体（３）を形成する工程と、薄膜抵抗体（３）にレーザー光を照射することで、薄膜抵抗体（３）を加工する工程とを行うことができる。 Thereafter, a step of forming a silicon oxide film (24, 25, 26) on the light absorption film (6) and a step of forming a thin film resistor (3) on the silicon oxide film (24, 25, 26). And the process of processing a thin film resistor (3) can be performed by irradiating a thin film resistor (3) with a laser beam.
このように、シリコン窒化膜と薄膜抵抗体との間に光吸収膜を形成することで、薄膜抵抗体を通過したレーザー光を、シリコン窒化膜表面に到達する前に、光吸収膜で吸収できる。これにより、シリコン窒化膜表面でのレーザー光の反射を抑制できる。 Thus, by forming the light absorption film between the silicon nitride film and the thin film resistor, the laser light that has passed through the thin film resistor can be absorbed by the light absorption film before reaching the surface of the silicon nitride film. . Thereby, reflection of the laser beam on the surface of the silicon nitride film can be suppressed.
また、光吸収膜（６）と薄膜抵抗体（３）との間に、シリコン酸化膜（２４、２５、２６）を形成することで、光吸収膜（６）として導電性膜を用いた場合に、光吸収膜（６）と薄膜抵抗体（３）とが接触することで、薄膜抵抗体（３）の抵抗値が変わってしまうのを抑制できる。 Further, when a silicon oxide film (24, 25, 26) is formed between the light absorption film (6) and the thin film resistor (3), a conductive film is used as the light absorption film (6). Moreover, it can suppress that the resistance value of a thin film resistor (3) changes because a light absorption film (6) and a thin film resistor (3) contact.
なお、各工程の間のいずれかに、別途、シリコン酸化膜を形成する工程を行っても良い。 In addition, you may perform the process of forming a silicon oxide film separately in any between each process.
また、本発明では、半導体基板（１）を用意する工程と薄膜抵抗体（３）を形成する工程との間に、半導体基板（１）の上であって、レーザー光が照射される領域に、レーザー光を吸収し、かつ、第１の絶縁膜（２４、２５、２６）よりもレーザー光の吸収率が高い光吸収膜（６）を形成する工程を有することを第２の特徴としている。 Further, in the present invention, between the step of preparing the semiconductor substrate (1) and the step of forming the thin film resistor (3), the region on the semiconductor substrate (1) where the laser beam is irradiated. The second feature is that it includes a step of forming a light absorption film (6) that absorbs laser light and has a higher laser light absorption rate than the first insulating film (24, 25, 26). .
従来では、半導体基板とその表面上に直接形成されている絶縁膜とは、互いに屈折率が異なるため、薄膜抵抗体を加工する工程において、薄膜抵抗体を通過したレーザー光が、絶縁膜と半導体基板の界面で反射していた。 Conventionally, since a semiconductor substrate and an insulating film directly formed on the surface thereof have different refractive indexes, in the process of processing the thin film resistor, the laser light that has passed through the thin film resistor is transferred to the insulating film and the semiconductor. Reflected at the interface of the substrate.
これに対して、本発明では、少なくとも、半導体基板と薄膜抵抗体の間に光吸収膜を形成しているので、薄膜抵抗体を加工する工程を行ったとき、薄膜抵抗体よりも下側に到達するレーザー光の全部もしくは一部を、レーザー光が半導体基板の表面に到達する前に、光吸収膜で吸収することができる。 On the other hand, in the present invention, since the light absorption film is formed at least between the semiconductor substrate and the thin film resistor, when the step of processing the thin film resistor is performed, the light resistance film is disposed below the thin film resistor. All or a part of the laser beam that reaches can be absorbed by the light absorption film before the laser beam reaches the surface of the semiconductor substrate.
これにより、薄膜抵抗体を加工する工程において、薄膜抵抗体を通過したレーザー光が、第１の絶縁膜と半導体基板の界面で反射することを抑制することができる。この結果、光吸収膜を形成しない場合と比較して、薄膜抵抗体の加工エネルギーのばらつきを抑制することができる。 Thereby, in the process of processing a thin film resistor, it can suppress that the laser beam which passed the thin film resistor reflects in the interface of a 1st insulating film and a semiconductor substrate. As a result, variation in processing energy of the thin film resistor can be suppressed as compared with the case where the light absorption film is not formed.
具体的には、例えば、最表層がシリコンで構成された基板（１）を用意する工程を行った後、基板（１）の上であって、レーザー光が照射される領域に、レーザー光を吸収し、かつ、シリコン酸化膜（２４、２５、２６）よりもレーザー光の吸収率が高い光吸収膜（６）を形成する工程を行う。 Specifically, for example, after performing the step of preparing the substrate (1) whose outermost layer is made of silicon, the laser beam is applied to the region on the substrate (1) where the laser beam is irradiated. A step of forming a light absorption film (6) that absorbs and has a higher laser light absorption rate than the silicon oxide films (24, 25, 26) is performed.
その後、光吸収膜（６）の上にシリコン酸化膜（２４、２５、２６）を形成する工程と、シリコン酸化膜（２４、２５、２６）の上に薄膜抵抗体（３）を形成する工程と、薄膜抵抗体（３）にレーザー光を照射することで、薄膜抵抗体（３）を加工する工程とを順に行うことができる。 Thereafter, a step of forming a silicon oxide film (24, 25, 26) on the light absorption film (6) and a step of forming a thin film resistor (3) on the silicon oxide film (24, 25, 26). And the process of processing a thin film resistor (3) can be performed in order by irradiating a thin film resistor (3) with a laser beam.
これにより、薄膜抵抗体を通過したレーザー光がシリコン基板表面に到達する前に、このレーザー光を光吸収膜で吸収できる。これにより、シリコン基板表面でのレーザー光の反射を抑制できる。 Thereby, before the laser beam which passed the thin film resistor reaches | attains the silicon substrate surface, this laser beam can be absorbed with a light absorption film. Thereby, reflection of the laser beam on the silicon substrate surface can be suppressed.
また、光吸収膜（６）と薄膜抵抗体（３）との間に、シリコン酸化膜（２４、２５、２６）を形成することで、光吸収膜（６）として導電性膜を用いた場合に、光吸収膜（６）と薄膜抵抗体（３）とが接触することで、薄膜抵抗体（３）の抵抗値が変わってしまうのを抑制できる。 Further, when a silicon oxide film (24, 25, 26) is formed between the light absorption film (6) and the thin film resistor (3), a conductive film is used as the light absorption film (6). Moreover, it can suppress that the resistance value of a thin film resistor (3) changes because a light absorption film (6) and a thin film resistor (3) contact.
なお、各工程の間のいずれかに、別途、シリコン酸化膜を形成する工程を行っても良い。 In addition, you may perform the process of forming a silicon oxide film separately in any between each process.
また、光吸収膜（６）を形成する工程では、光吸収膜（６）として、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｕのいずれか１つの金属材料、または、前記いずれか１つの金属材料の窒化物、酸化物もしくはケイ素化合物で構成された膜を形成することができる。 In the step of forming the light absorbing film (6), any one of Ti, W, Ta, Cr, Cu, or nitriding of any one of the above metal materials is used as the light absorbing film (6). It is possible to form a film composed of a material, an oxide, or a silicon compound.
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.
（第１実施形態）
図１、２に、本発明の第１実施形態における半導体装置の断面図を示す。図１は、半導体装置の概略構成を説明するための図であり、図２は、図１中の半導体基板および半導体基板上の各層を詳細に示した図である。なお、図２では、図１中の薄膜抵抗体の端子を省略している。
(First embodiment)
1 and 2 are sectional views of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a diagram for explaining a schematic configuration of a semiconductor device, and FIG. 2 is a diagram showing in detail a semiconductor substrate and each layer on the semiconductor substrate in FIG. In FIG. 2, the terminals of the thin film resistor in FIG. 1 are omitted.
まず、本実施形態の半導体装置の概略構成について説明する。図１に示す半導体装置は、半導体素子が形成された半導体基板１の上に、絶縁膜２を介して、薄膜抵抗体としてのＣｒＳｉ膜３が形成されている。このＣｒＳｉ膜３の両端部には、Ａｌ端子４が形成されている。また、ＣｒＳｉ膜３およびＡｌ端子４の表面上に、絶縁膜５が形成されている。
First, a schematic configuration of the semiconductor device of this embodiment will be described. In the semiconductor device shown in FIG. 1, a CrSi film 3 as a thin film resistor is formed on a
そして、図１に示す半導体装置では、従来の半導体装置と異なり、ＣｒＳｉ膜３の下の絶縁膜２中に、光吸収膜としてのＴｉＮ膜６が形成されている。
In the semiconductor device shown in FIG. 1, unlike the conventional semiconductor device, a
次に、各構成部について具体的に説明する。 Next, each component will be specifically described.
図２に示すように、半導体基板１としては、例えば、下から順に、Ｓｉ単結晶層１１、酸化膜１２、Ｓｉ単結晶層１３より構成されたＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板が用いられる。このように、ＳＯＩ基板は最表層がシリコンで構成されており、このＳＯＩ基板が、特許請求の範囲に記載の最表層がシリコンで構成された基板に相当する。
As shown in FIG. 2, as the
半導体基板１の表面上の絶縁膜２は、薄いシリコン酸化膜２１と、ＢＰＳＧ膜２２と、プラズマＣＶＤにより形成されたＰ−ＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）２３と、第１ＴＥＯＳ（Tetra-ethyl-orthosilicate）膜２４と、第１ＳＯＧ（Spin On Glass)膜２５と、第２ＴＥＯＳ膜２６とが、順に積層された構成である。
The
ここで、薄いシリコン酸化膜２１とＢＰＳＧ膜２２は、ともに、シリコン酸化膜であり、後述するように、基板表面の上方からレーザー光が照射されると、Ｓｉ単結晶層１３と薄いシリコン酸化膜２１の界面でレーザー光が反射するほど、Ｓｉ単結晶層１３と屈折率が異なっている。
Here, the thin
また、第１ＴＥＯＳ膜２４と、第１ＳＯＧ膜２５と、第２ＴＥＯＳ膜２６は、ともに、薄いシリコン酸化膜２１とＢＰＳＧ膜２２と同様に、シリコン酸化膜である。Ｐ−ＳｉＮ膜２３は、積層されたＰ−ＳｉＮ膜２３とシリコン酸化膜（例えば、第１ＴＥＯＳ膜２４）に対して、シリコン酸化膜を通って、Ｐ−ＳｉＮ膜２３に到達するように、レーザー光を照射すると、Ｐ−ＳｉＮ膜２３とシリコン酸化膜（例えば、第１ＴＥＯＳ膜２４）の界面でレーザー光が反射するほど、シリコン酸化膜と屈折率が異なっている。
Further, the
また、ＣｒＳｉ膜３上の絶縁膜５は、第３ＴＥＯＳ膜５１と、第４ＴＥＯＳ膜５２と、第２ＳＯＧ膜５３と第５ＴＥＯＳ膜５４、パッシベーション膜としてのＰ−ＳｉＮ膜５５とが順に積層された構成である。
The insulating
なお、各層の厚さは、例えば、以下の通りである。薄いシリコン酸化膜２１は０．１μｍ、ＢＰＳＧ膜２２は０．７μｍ、Ｐ−ＳｉＮ膜２３は０．１μｍ、第１ＴＥＯＳ膜２４は０．２μｍ、第１ＳＯＧ膜２５は０．５μｍ、第２ＴＥＯＳ膜２６は０．３μｍ、ＣｒＳｉ膜３は１２ｎｍ、第３ＴＥＯＳ膜５１は０．４μｍ、第４ＴＥＯＳ膜５２は０．４μｍ、第２ＳＯＧ膜５３は０．５μｍ、第５ＴＥＯＳ膜５４は０．５μｍ、Ｐ−ＳｉＮ膜５５は１．５μｍである。
In addition, the thickness of each layer is as follows, for example. The thin
また、図示しないが、半導体基板１の表面上のうち、ＣｒＳｉ膜３が形成されていない領域では、ＢＰＳＧ膜２２とＳｉＮ膜２３の間に電極配線が形成されている。
Although not shown, electrode wiring is formed between the
そして、ＴｉＮ膜６は、ＣｒＳｉ膜３の下に位置する絶縁膜２のうち、Ｐ−ＳｉＮ膜２３と第１ＴＥＯＳ膜２４との間に形成されている。
The
ここで、図３に、図１の半導体装置の斜視図を示す。図３では、Ａｌ端子４を省略しており、図１と同一の構成部には、図１と同様の符号を付している。図１、３に示すように、ＴｉＮ膜６は、ＣｒＳｉ膜３と同様に、長方形の板形状で、ＣｒＳｉ膜３と同一の大きさとなっており、ＣｒＳｉ膜３の真下に位置している。これは、後述するレーザートリミング時に、ＣｒＳｉ膜３を通過したレーザー光が当たるようにするためである。
Here, FIG. 3 shows a perspective view of the semiconductor device of FIG. In FIG. 3, the
また、ＴｉＮ膜６は、レーザートリミングに用いられるレーザー光を吸収する性質を有している。また、ＴｉＮ膜６は、上記した電極配線と導通しておらず、電気的に独立している。なお、ＴｉＮ膜６の膜厚は、例えば、１０〜９０ｎｍである。
The
次に、上記した構造の半導体装置の製造方法について、図２を参照しながら説明する。 Next, a method for manufacturing the semiconductor device having the above structure will be described with reference to FIG.
まず、半導体基板１の表面上に選択的にイオン注入等することで、半導体基板１に半導体素子を形成する。
First, a semiconductor element is formed on the
その後、半導体基板１の表面上に、薄いシリコン酸化膜２１→ＢＰＳＧ膜２２→Ｐ−ＳｉＮ膜２３→ＴｉＮ膜６→第１ＴＥＯＳ膜２４→第１ＳＯＧ膜２５→第２ＴＥＯＳ膜２６→ＣｒＳｉ膜３→第３ＴＥＯＳ膜５１→第４ＴＥＯＳ膜５２→第２ＳＯＧ膜５３→第５ＴＥＯＳ膜５４→Ｐ−ＳｉＮ膜５５の順に、各膜を形成する。なお、ＢＰＳＧ膜２２を形成する工程と、Ｐ−ＳｉＮ膜２３を形成する工程との間では、電極配線を形成する工程が行われる。この工程では、ＢＰＳＧ膜２２の表面上に、例えば、Ｔｉ膜と、ＴｉＮ膜と、ＡｌＳｉＣｕ等のＡｌ合金膜と、Ｔｉ膜と、ＴｉＮ膜とを順に積層し、その積層膜をパターニングすることで、ＢＰＳＧ膜２２の表面上のうち、ＣｒＳｉ膜３が形成される領域とは異なる領域に、電極配線を形成する。
Thereafter, on the surface of the
ここで、ＴｉＮ膜６を形成する工程では、スパッタリング法（以下、単にスパッタと呼ぶ）により、ＴｉＮ膜を成膜する。このとき、スパッタ条件を、例えば、膜厚：１０〜９０ｎｍ、温度：２７０℃、ターゲットパワー：３〜７ｋｗ、Ａｒ／Ｎ２ガス比を１：１とする。ターゲットパワーの値は、直径が１２インチである円形状のターゲットを用いた場合の設定値であり、ターゲットパワーが１ｋｗのとき、ターゲットパワー密度は１３．７ｋｗ／ｍ２となる。
Here, in the step of forming the
そして、スパッタによりＴｉＮ膜を成膜した後、ホトリソグラフィおよびドライエッチングにより、ＴｉＮ膜をパターニングする。これにより、Ｐ−ＳｉＮ膜２３の表面上であって、ＣｒＳｉ膜３の真下の位置に、長方形の板形状であるＴｉＮ膜６を形成する。
Then, after forming a TiN film by sputtering, the TiN film is patterned by photolithography and dry etching. Thereby, a
その後、第１ＴＥＯＳ膜２４を形成する工程で、ＴｉＮ膜６の上に第１ＴＥＯＳ膜２４が形成される。
Thereafter, the
また、ＣｒＳｉ膜３の形成工程では、ＣｒＳｉ膜３をパターニングした後、薄膜抵抗用の端子となるＡｌ膜４をＣｒＳｉ膜３の両端に形成する（図１参照）。
Moreover, in the formation process of the CrSi film 3, after patterning the CrSi film 3, the
そして、Ｐ−ＳｉＮ膜５５を形成した後、ＣｒＳｉ膜３のレーザートリミングを行う。この工程では、ＣｒＳｉ膜３にレーザー光を照射し、レーザー光によりＣｒＳｉ膜３を溶断加工することで、ＣｒＳｉ膜３の抵抗値を所望の値に調整する。このようにして、図１、２に示す構造の半導体装置が製造される。
Then, after the P-
次に、本実施形態の主な効果について説明する。 Next, main effects of this embodiment will be described.
図２に示す構造において、ＴｉＮ膜６が形成されていない場合、レーザートリミング時において、ＣｒＳｉ膜３に対して図中上方からレーザー光が照射されたとき、ＣｒＳｉ膜３を通過したレーザー光が、Ｐ−ＳｉＮ膜２３と第１ＴＥＯＳ膜２４との界面で反射し、その反射光がＣｒＳｉ膜３に当たる。このため、ＣｒＳｉ膜３に直接照射されたレーザー光とその反射光とが干渉することで、ＣｒＳｉ膜３の加工エネルギーにばらつきが生じていた。
In the structure shown in FIG. 2, when the
なお、図２に示す構造で、ＴｉＮ膜６が形成されていない場合、レーザー光の反射は、薄いシリコン酸化膜２１と半導体基板１との界面や、半導体基板１中のＳｉ単結晶層１１と酸化膜１２との界面でも生じる。
In the structure shown in FIG. 2, when the
これに対して、上記したように、本実施形態では、Ｐ−ＳｉＮ膜２３を形成する工程と、第１ＴＥＯＳ膜２４を形成する工程との間で、ＴｉＮ膜６を形成する工程を行い、ＣｒＳｉ膜３の真下の位置に、長方形の板形状であるＴｉＮ膜６を形成している。
On the other hand, as described above, in the present embodiment, the process of forming the
そして、ＴｉＮ膜６の上に、第１ＴＥＯＳ膜２４、第１ＳＯＧ膜２５、第２ＴＥＯＳ膜２６、ＣｒＳｉ膜３を順に形成し、さらに、ＣｒＳｉ膜３の上にＰ−ＳｉＮ膜５５等を形成した後、ＣｒＳｉ膜３のレーザートリミングを行っている。
After the
このように、本実施形態では、Ｐ−ＳｉＮ膜２３と第１ＴＥＯＳ膜２４との間であって、Ｐ−ＳｉＮ膜２３の表面上のうち、レーザートリミング時にＣｒＳｉ膜３を通過したレーザー光が照射される領域に、ＴｉＮ膜６を形成している。このため、レーザートリミング時において、ＣｒＳｉ膜３を通過したレーザー光を、Ｐ−ＳｉＮ膜２３の表面に到達する前に、ＴｉＮ膜６で吸収できる。
As described above, in the present embodiment, the laser light that has passed through the CrSi film 3 during laser trimming is irradiated between the P-
これにより、図２に示す構造で、ＴｉＮ膜６が形成されていない場合と比較して、Ｐ−ＳｉＮ膜２３と第１ＴＥＯＳ膜２４との界面で生じるレーザー光の反射を抑制できる。また、ＴｉＮ膜６が形成されていない場合と比較して、薄いシリコン酸化膜２１と半導体基板１との界面で生じるレーザー光の反射や、半導体基板１中のＳｉ単結晶層１１と酸化膜１２との界面で生じるレーザー光の反射を抑制することができる。
Thereby, in the structure shown in FIG. 2, it is possible to suppress the reflection of laser light generated at the interface between the P-
この結果、図２に示す構造で、ＴｉＮ膜６が形成されていない場合と比較して、ＣｒＳｉ膜３のレーザートリミング時における加工エネルギーのばらつきを抑制できる。
As a result, as compared with the case where the
ここで、参考として、図４（ａ）にＴｉＮ膜の膜厚の大きさと相対反射率の大きさとの関係を示し、図４（ｂ）に、図４（ａ）を測定した試験体の断面図を示す。 Here, as a reference, FIG. 4A shows the relationship between the thickness of the TiN film and the relative reflectance, and FIG. 4B shows the cross section of the specimen measured in FIG. 4A. The figure is shown.
図４（ａ）は、図４（ｂ）に示す構造であって、最上部のＴｉＮ膜の膜厚が異なる複数の試験体に対して、波長が２５６μｍの光を照射したときの反射強度を測定した結果であり、Ｓｉ基板に同様の光を照射したときの反射強度を１００としたときの相対値をプロットしたものである。 FIG. 4A shows the reflection intensity when the light having a wavelength of 256 μm is irradiated to a plurality of specimens having the structure shown in FIG. It is a result of the measurement, and is a plot of relative values when the reflection intensity when the same light is irradiated onto the Si substrate is taken as 100.
このときの試験体は、図４（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板６１の表面上に、Ｔｉ膜６２、ＴｉＮ膜６３、Ａｌ膜６４、Ｔｉ膜６５、ＴｉＮ膜６６が、順に成膜されたものである。そして、Ｔｉ膜６２、ＴｉＮ膜６３、Ａｌ膜６４、Ｔｉ膜６５の膜厚は、それぞれ、２０ｎｍ、１００ｎｍ、４５０ｎｍ、１５ｎｍであり、ＴｉＮ膜６６の膜厚は１０〜９０ｎｍのいずれかである。なお、これらの膜は、成膜圧力を０．７３Ｐａ、パター密度を４．１×１０４Ｗ／ｍ２としたスパッタにより、成膜されたものである。
As shown in FIG. 4B, the test body at this time was formed by sequentially forming a
また、図５に、図４（ａ）中の相対反射率の大きさと加工エネルギーの大きさとの関係を示す。図５は、図１、２に示す構造において、ＣｒＳｉ膜３の膜厚を、図４に示す相対反射率が４０％以下となる膜厚に設定した場合に、ＣｒＳｉ膜３を完全に溶断するために必要なレーザー加工エネルギー値（トリム開始エネルギー）を調べた結果である。なお、図５では、加工エネルギー値の平均値およびばらつき（３σ）を示している。 FIG. 5 shows the relationship between the relative reflectance in FIG. 4A and the processing energy. FIG. 5 shows that the CrSi film 3 is completely blown out in the structure shown in FIGS. 1 and 2 when the film thickness of the CrSi film 3 is set to a film thickness such that the relative reflectance shown in FIG. It is the result of investigating the laser processing energy value (trim start energy) required for the purpose. FIG. 5 shows the average value and variation (3σ) of the processing energy value.
また、図５の測定では、ＧＳＩ社製のトリミング装置を用い、レーザーは、波長λ＝１．０４７μｍのＹＬＦレーザーで、照射パルス幅が約７ｎｓ、パルス間隔が２．５ｍｓのパルスレーザーを用いた。レーザー光のＣｒＳｉ膜３上におけるスポット経は６μｍとした。 In the measurement of FIG. 5, a trimming apparatus manufactured by GSI was used, and the laser was a YLF laser having a wavelength λ = 1.007 μm, and a pulse laser having an irradiation pulse width of about 7 ns and a pulse interval of 2.5 ms was used. . The spot diameter of the laser beam on the CrSi film 3 was 6 μm.
図４（ａ）に示すように、最上部のＴｉＮ膜６６の膜厚が、１０〜９０ｎｍのとき、相対反射率は４０％以下であった。このことから、ＴｉＮ膜６６は、一般的に反射率が低いことで知られているＳｉ基板よりも光の反射率が低いことがわかる。
As shown in FIG. 4A, when the thickness of the
そして、図５の測定結果より、図１、２に示す構造の半導体装置において、ＴｉＮ膜６の膜厚を、相対反射率が４０％以下となる膜厚とすることで、図１、２に示す構造でＴｉＮ膜６が形成されていない場合と比較して、３σの大きさ、すなわち、加工エネルギーのばらつきが小さいことがわかる。
Then, from the measurement results of FIG. 5, in the semiconductor device having the structure shown in FIGS. 1 and 2, the thickness of the
なお、図４（ａ）に示す結果は、波長が２５６μｍの光に対しての結果であるが、図５の結果より、レーザー光を用いた場合においても同様の結果になると思われる。そして、図４（ａ）から、ＴｉＮ膜６６の膜厚を２０〜４０ｎｍとすることで、相対反射率を２０％以下とすることができる。したがって、加工ばらつきの抑制に対して高い効果を得るためには、膜厚を２０〜４０ｎｍとすることが好ましい。
The results shown in FIG. 4A are for light having a wavelength of 256 μm. From the results of FIG. 5, it is considered that the same result is obtained when laser light is used. 4A, the relative reflectance can be reduced to 20% or less by setting the thickness of the
（第２実施形態）
図６に本実施形態における半導体装置の断面図を示す。図６では、図２と同様の構成部には、図２と同一の符号を付している。
(Second Embodiment)
FIG. 6 is a cross-sectional view of the semiconductor device according to this embodiment. In FIG. 6, the same components as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals as those in FIG.
第１実施形態では、ＴｉＮ膜６をＰ−ＳｉＮ膜２３と第１ＴＥＯＳ膜２４との間に形成する場合を例として説明したが、その位置の代わりに、図６に示すように、ＴｉＮ膜６をＢＰＳＧ膜２２とＰ−ＳｉＮ膜２３との間に形成することもできる。なお、他の構成部については、図２に示す半導体装置と同様である。
In the first embodiment, the case where the
また、本実施形態の半導体装置は、例えば、第１実施形態で説明した製造工程において、Ｐ−ＳｉＮ膜２３とＴｉＮ膜６の形成の順番を入れ替えることで、製造される。このとき、ＴｉＮ膜６の形成工程を、第１実施形態で説明したＢＰＳＧ膜２２の上に電極配線を形成する工程と別に行ったり、同時に行ったりすることができる。
In addition, the semiconductor device of this embodiment is manufactured, for example, by changing the order of forming the P-
後者の場合、電極配線を形成する工程では、Ｔｉ膜と、ＴｉＮ膜と、Ａｌ合金膜と、Ｔｉ膜と、ＴｉＮ膜とを順に積層し、これらの積層膜をパターニングすることで、ＣｒＳｉ膜３の真下に位置する領域に、ＣｒＳｉ膜３と同一形状のＴｉＮ膜６を形成し、他の領域に電極配線を形成する。
In the latter case, in the step of forming the electrode wiring, a Ti film, a TiN film, an Al alloy film, a Ti film, and a TiN film are sequentially laminated, and these laminated films are patterned to form a CrSi film 3 A
このように、後者の製造方法によれば、電極配線を形成する工程と、ＴｉＮ膜６を形成する工程とを別々に行う場合と比較して、工程数を減らすことができる。なお、このときのＴｉＮ膜６は、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜、Ａｌ合金膜、Ｔｉ膜の上に位置しており、他の領域に形成された電極配線と接続されず、電気的に独立している。
Thus, according to the latter manufacturing method, the number of steps can be reduced as compared with the case where the step of forming the electrode wiring and the step of forming the
以上説明したように、本実施形態では、ＳＯＩ基板１を用意する工程の後であるＢＰＳＧ膜２２を成膜する工程と、第１ＴＥＯＳ膜２４等のシリコン酸化膜を形成する工程の前であるＰ−ＳｉＮ膜２３を形成する工程との間において、ＢＰＳＧ膜２２の表面上のうち、レーザートリミング時にＣｒＳｉ膜３を通過したレーザー光が照射される領域に、ＴｉＮ膜６を形成している。
As described above, in the present embodiment, P before the step of forming the
このため、レーザートリミング時において、ＣｒＳｉ膜３を通過したレーザー光を、半導体基板１の表面に到達する前に、ＴｉＮ膜６で吸収できる。
Therefore, at the time of laser trimming, the laser light that has passed through the CrSi film 3 can be absorbed by the
これにより、第１実施形態のように、Ｐ−ＳｉＮ膜２３と第１ＴＥＯＳ膜２４との界面で生じるレーザー光の反射については、抑制できないが、ＴｉＮ膜６が形成されていない場合と比較して、薄いシリコン酸化膜２１と半導体基板１との界面で生じるレーザー光の反射や、半導体基板１中のＳｉ単結晶層１１と酸化膜１２との界面で生じるレーザー光の反射を抑制することができる。
Thus, as in the first embodiment, the reflection of the laser beam generated at the interface between the P-
この結果、第１実施形態ほど効果は高くないものの、図６に示す構造で、ＴｉＮ膜６が形成されていない場合と比較して、ＣｒＳｉ膜３のレーザートリミング時における加工エネルギーのばらつきを抑制できる。
As a result, although not as effective as the first embodiment, it is possible to suppress variations in processing energy at the time of laser trimming of the CrSi film 3 as compared with the case where the
（他の実施形態）
（１）上記した各実施形態では、ＴｉＮ膜６の形状および基板表面に対して平行な方向での形成領域に関して、ＴｉＮ膜６を、ＣｒＳｉ膜３と同一の形状とし、ＣｒＳｉ膜３の真下の位置に配置する場合を例として説明したが、ＣｒＳｉ膜３のレーザートリミング時に、ＣｒＳｉ膜３よりも基板表面側に到達するレーザー光をＴｉＮ膜６で吸収させることができる範囲において、ＴｉＮ膜６の形状および形成領域を変更することもできる。
(Other embodiments)
(1) In each of the above-described embodiments, the
すなわち、Ｐ−ＳｉＮ膜２３（第１実施形態）もしくはＢＰＳＧ膜２２（第２実施形態）の表面上のうち、ＣｒＳｉ膜３のレーザートリミング時に、ＣｒＳｉ膜３よりも下側（基板表面側）に到達するレーザー光が照射される領域であれば、他の領域に、ＴｉＮ膜６を形成することもできる。
That is, on the surface of the P-SiN film 23 (first embodiment) or the BPSG film 22 (second embodiment), when the CrSi film 3 is laser-trimmed, it is below the CrSi film 3 (substrate surface side). The
例えば、ＴｉＮ膜６の形状および配置場所について、ＣｒＳｉ膜３の真下の位置およびその近傍の領域をすべて覆う形状および配置とすることができる。
For example, the shape and arrangement location of the
また、ＴｉＮ膜６をＣｒＳｉ膜３の真下の全領域のうちの一部を覆う形状および配置とすることもできる。この場合においても、ＣｒＳｉ膜３の真下の全領域を覆っている場合と比較して効果は小さいが、ＴｉＮ膜６が形成されていない場合と比較して、レーザー光の反射を抑制できるからである。
Further, the
（２）ＴｉＮ膜６の上下方向（基板表面に対して垂直な方向）での位置に関して、第１実施形態では、図２に示す構造でＴｉＮ膜６が形成されていない場合において、Ｐ−ＳｉＮ膜２３と第１ＴＥＯＳ膜２４との界面と、薄いシリコン酸化膜２１と半導体基板１との界面と、半導体基板１中のＳｉ単結晶層１１と酸化膜１２との界面の３つの界面で、それぞれ生じるレーザー光の反射を抑制するという観点より、ＴｉＮ膜６をＰ−ＳｉＮ膜２３と第１ＴＥＯＳ膜２４との間に形成する場合を例として説明した。
(2) Regarding the position of the
これに対して、Ｐ−ＳｉＮ膜２３とＣｒＳｉ膜３との間であれば、他の位置にＴｉＮ膜６を形成することもできる。Ｐ−ＳｉＮ膜２３よりも上側にＴｉＮ膜６を形成することで、Ｐ−ＳｉＮ膜２３およびそれよりも下側（基板側）にレーザー光が到達するのを抑制できるからである。
On the other hand, the
ただし、ＴｉＮ膜６とＣｒＳｉ膜３との間に、第１ＴＥＯＳ膜２４、第１ＳＯＧ膜２５、第２ＴＥＯＳ膜２６等の絶縁膜を配置することが好ましい。ＴｉＮ膜６は導電性膜であることから、ＴｉＮ膜６がＣｒＳｉ膜３と接することで、ＣｒＳｉ膜３の抵抗値が変わってしまうのを防ぐためである。
However, an insulating film such as the
したがって、Ｐ−ＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）２３を形成する工程と、第２ＴＥＯＳ膜（シリコン酸化膜）２６を形成する工程の間であれば、第１ＴＥＯＳ膜２４の形成後や、第１ＳＯＧ膜２５の形成後にＴｉＮ膜６を形成することもできる。
Therefore, between the step of forming the P-SiN film (silicon nitride film) 23 and the step of forming the second TEOS film (silicon oxide film) 26, after the formation of the
なお、後述するように、光吸収膜として、ＣｒＳｉ膜３の代わりに、酸化膜等の絶縁膜を用いる場合では、Ｐ−ＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）２３を形成する工程と、ＣｒＳｉ膜３を形成する工程の間に、ＴｉＮ膜６を形成する工程を行うことができる。
As will be described later, in the case where an insulating film such as an oxide film is used instead of the CrSi film 3 as the light absorption film, a step of forming a P-SiN film (silicon nitride film) 23, and a CrSi film 3 are formed. A step of forming the
（３）また、ＴｉＮ膜６の上下方向での位置に関して、第２実施形態では、上記３つの界面のうち、薄いシリコン酸化膜２１と半導体基板１の界面と、半導体基板１中のＳｉ単結晶層１１と酸化膜１２の界面の２つの界面でのレーザー光の反射を抑制するという観点より、ＴｉＮ膜６を、ＢＰＳＧ膜２２とＰ−ＳｉＮ膜２３との間に形成する場合を例として説明した。
(3) Regarding the position of the
これに対して、半導体基板１とＣｒＳｉ膜３との間であれば、ＴｉＮ膜６を他の位置に形成することもできる。これにより、半導体基板１よりも上側にＴｉＮ膜６を形成することで、半導体基板１の表面にレーザー光が到達するのを抑制でき、少なくとも、上記２つの界面でのレーザー光の反射を抑制できる。
On the other hand, the
ただし、この場合においても、ＴｉＮ膜６とＣｒＳｉ膜３との間に、第１ＴＥＯＳ膜２４、第１ＳＯＧ膜２５、第２ＴＥＯＳ膜２６等の絶縁膜を配置することが好ましい。
However, also in this case, it is preferable to dispose an insulating film such as the
なお、半導体基板１と第２ＴＥＯＳ膜２６との間のうち、Ｐ−ＳｉＮ膜２３と第２ＴＥＯＳ膜２６との間にＴｉＮ膜６を形成した場合、上記３つの界面でのレーザー光の反射を抑制でき、半導体基板１とＰ−ＳｉＮ膜２３との間にＴｉＮ膜６を形成した場合、上記２つの界面でのレーザー光の反射を抑制できることとなる。
When the
したがって、例えば、表面上に何も形成されていない半導体基板１を用意した直後や、薄いシリコン酸化膜２１が形成された半導体基板１を用意した直後に、ＴｉＮ膜６を形成することもできる。なお、表面上に何も形成されていない半導体基板１を用意した直後、すなわち、半導体基板１の表面上に、直接、ＴｉＮ膜６を形成する場合、例えば、半導体基板１のうち、ＴｉＮ膜６と接する領域を、他の領域に対して、電気的にフローティングの状態にすることが好ましい。
Therefore, for example, the
また、後述するように、光吸収膜として、ＣｒＳｉ膜３の代わりに、酸化膜等の絶縁膜を用いる場合では、半導体基板１を用意する工程と、ＣｒＳｉ膜３を形成する工程の間に、ＴｉＮ膜６を形成する工程を行うことができる。
As will be described later, when an insulating film such as an oxide film is used instead of the CrSi film 3 as the light absorption film, between the step of preparing the
（４）上記した各実施形態では、光吸収膜として、ＴｉＮ膜６を用いる場合を例として説明したが、ＴＥＯＳ膜、ＳＯＧ膜等の絶縁膜（シリコン酸化膜）よりもレーザー光を吸収する膜であれば、他の膜を用いることもできる。
(4) In each of the above-described embodiments, the case where the
光吸収膜として、例えば、少なくとも、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｕのいずれか１つの金属材料を含む膜を形成することができる。すなわち、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｕのいずれか１つの金属材料単体、または、これらのうちのいずれか１つの金属材料の窒化物（ＷＮ、ＴａＮ、ＣｒＮ、ＣｕＮであって、ＴｉＮを除く）、酸化物（ＴｉＯ、ＷＯ、ＴａＯ、ＣｒＯ、ＣｕＯ）もしくはケイ素化合物（ＴｉＳｉ、ＷＳｉ、ＴａＳｉ、ＣｒＳｉ、ＣｕＳｉ）で構成された膜を形成することができる。 As the light absorption film, for example, a film containing at least one metal material of Ti, W, Ta, Cr, and Cu can be formed. That is, any one metal material of Ti, W, Ta, Cr, Cu, or a nitride of any one of these metal materials (WN, TaN, CrN, CuN, excluding TiN) ), Oxides (TiO, WO, TaO, CrO, CuO) or silicon compounds (TiSi, WSi, TaSi, CrSi, CuSi) can be formed.
なお、膜の成膜手段としては、光吸収膜を上記した金属材料単体で構成する場合、例えば、スパッタもしくはＣＶＤ法を用いることができ、光吸収膜をＣｒ、Ｃｕ単体で構成する場合、めっき法を用いることができる。また、光吸収膜を上記した金属材料の窒化物で構成する場合、金属材料単体で構成する場合のスパッタに対して、Ｎ２ガスを添加した反応性スパッタもしくは上記した金属材料を窒化した焼結ターゲット材によるスパッタを用いることができる。また、光吸収膜を上記した金属材料の酸化物、もしくは、ケイ素化合物（シリサイド）で構成する場合、上記した金属材料を酸化した焼結ターゲット材、もしくは、シリサイド焼結ターゲット材によるスパッタを用いることができる。 As a film forming means, for example, when the light absorption film is composed of the above-mentioned metal material alone, for example, sputtering or CVD method can be used, and when the light absorption film is composed of Cr, Cu alone, plating Can be used. In addition, when the light absorption film is made of the above-described nitride of the metal material, reactive sputtering to which N 2 gas is added or sintered by nitriding the above-described metal material, in contrast to the case of forming the metal material alone. Sputtering using a target material can be used. Further, when the light absorption film is made of the above-described metal material oxide or silicon compound (silicide), use a sputtering target material obtained by oxidizing the above metal material or sputtering using a silicide sintered target material. Can do.
（５）上記した各実施形態では、薄膜抵抗体として、ＣｒＳｉ膜を用いる場合を例として説明したが、他の薄膜抵抗体を用いることもできる。例えば、ＲｕＯ２、ＴａＮ、Ｔａ２Ｏ３、ＮｉＣｒを用いることもできる。 (5) In each of the above-described embodiments, the case where a CrSi film is used as the thin film resistor has been described as an example. However, other thin film resistors can also be used. For example, it is also possible to use a RuO 2, TaN, Ta 2 O 3, NiCr.
（６）上記した各実施形態では、ＣｒＳｉ膜３の下に位置する絶縁膜２（図１参照）として、ＴＥＯＳ膜やＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜や、シリコン窒化膜を用いる場合を例として説明したが、絶縁膜２を他の絶縁膜により構成した場合であって、本発明を適用することができる。
(6) In each of the above-described embodiments, the case where a silicon oxide film such as a TEOS film or BPSG or a silicon nitride film is used as the insulating film 2 (see FIG. 1) located under the CrSi film 3 has been described as an example. However, the present invention can be applied to the case where the insulating
すなわち、異種絶縁膜同士の界面や、半導体基板とその表面上の絶縁膜との界面で反射し、その反射光と、薄膜抵抗体に直接入射するレーザー光とが干渉することで、薄膜抵抗体の加工エネルギーにばらつきが生じる半導体装置に対して、本発明を適用することができる。この場合、レーザー光の反射が生じる界面よりも、上側に、光吸収膜を形成する。 In other words, the thin film resistor is reflected by interference between the reflected light and the laser beam directly incident on the thin film resistor, which is reflected at the interface between the different types of insulating films or the interface between the semiconductor substrate and the insulating film on the surface. The present invention can be applied to a semiconductor device in which variations in processing energy occur. In this case, a light absorption film is formed above the interface where the laser light is reflected.
（７）半導体基板１としてＳＯＩ基板を用いる場合を例として説明したが、ＳＯＩ基板の代わりに、Ｓｉ基板やＳｉＣ基板等の他の半導体基板を用いることもできる。なお、Ｓｉ基板が、特許請求の範囲に記載の最表層がシリコンで構成された基板に相当する。
(7) Although the case where an SOI substrate is used as the
（８）上記した各実施形態と、特許文献２に記載の技術（薄膜抵抗体よりも下側の絶縁膜の膜厚や、半導体基板としてＳＯＩ基板を用いる場合では、基板中の酸化膜の膜厚を制御すること）とを組み合わせることもできる。 (8) Each of the embodiments described above and the technique described in Patent Document 2 (the thickness of the insulating film below the thin film resistor, or the oxide film in the substrate when an SOI substrate is used as the semiconductor substrate) Can also be combined with controlling the thickness).
１…半導体基板、２…絶縁膜、３…ＣｒＳｉ膜、５…絶縁膜、６…ＴｉＮ膜。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記半導体基板（１）の上に第１の絶縁膜（２３）を形成する工程と、
前第１の絶縁膜（２３）の上に、前記第１の絶縁膜（２３）と異なる材料で構成され、前記第１の絶縁膜（２３）と屈折率が異なる第２の絶縁膜（２４、２５、２６）を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜（２４、２５、２６）の上に薄膜抵抗体（３）を形成する工程と、
前記薄膜抵抗体（３）にレーザー光を照射することで、前記薄膜抵抗体（３）を加工する工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記第１の絶縁膜（２３）を形成する工程と薄膜抵抗体（３）を形成する工程との間に、前記第１の絶縁膜（２３）の上であって、前記レーザー光が照射される領域に、前記レーザー光を吸収し、かつ、前記第２の絶縁膜よりも前記レーザー光の吸収率が高い光吸収膜（６）を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Preparing a semiconductor substrate (1);
Forming a first insulating film (23) on the semiconductor substrate (1);
On the front first insulating film (23), a second insulating film (24) made of a material different from that of the first insulating film (23) and having a refractive index different from that of the first insulating film (23). , 25, 26),
Forming a thin film resistor (3) on the second insulating film (24, 25, 26);
In the method of manufacturing a semiconductor device, the method includes: processing the thin film resistor (3) by irradiating the thin film resistor (3) with a laser beam.
Between the step of forming the first insulating film (23) and the step of forming the thin film resistor (3), the laser beam is irradiated on the first insulating film (23). Forming a light absorption film (6) that absorbs the laser light and has a higher absorption rate of the laser light than the second insulating film in a region to be manufactured Method.
前記基板（１）の上にシリコン窒化膜（２３）を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜（２３）の上にシリコン酸化膜（２４、２５、２６）を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜（２４、２５、２６）の上に薄膜抵抗体（３）を形成する工程と、
前記薄膜抵抗体（３）にレーザー光を照射することで、前記薄膜抵抗体（３）を加工する工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記シリコン窒化膜（２３）を形成する工程と前記シリコン酸化膜（２４、２５、２６）を形成する工程との間に、前記シリコン窒化膜（２３）の上であって、前記レーザー光が照射される領域に、前記レーザー光を吸収し、かつ、前記シリコン酸化膜よりも前記レーザー光の吸収率が高い光吸収膜（６）を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Providing a substrate (1) having an outermost layer made of silicon;
Forming a silicon nitride film (23) on the substrate (1);
Forming a silicon oxide film (24, 25, 26) on the silicon nitride film (23);
Forming a thin film resistor (3) on the silicon oxide film (24, 25, 26);
In the method of manufacturing a semiconductor device, the method includes: processing the thin film resistor (3) by irradiating the thin film resistor (3) with a laser beam.
The laser beam is irradiated on the silicon nitride film (23) between the step of forming the silicon nitride film (23) and the step of forming the silicon oxide film (24, 25, 26). Forming a light absorption film (6) that absorbs the laser light and has a higher absorption rate of the laser light than the silicon oxide film in a region to be formed .
前記半導体基板（１）の上に第１の絶縁膜（２４、２５、２６）を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜（２４、２５、２６）の上に薄膜抵抗体（３）を形成する工程と、
前記薄膜抵抗体（３）にレーザー光を照射することで、前記薄膜抵抗体（３）を加工する工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板（１）を用意する工程と前記薄膜抵抗体（３）を形成する工程との間に、前記半導体基板（１）の上であって、前記レーザー光が照射される領域に、前記レーザー光を吸収し、かつ、前記第１の絶縁膜（２４、２５、２６）よりも前記レーザー光の吸収率が高い光吸収膜（６）を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Preparing a semiconductor substrate (1);
Forming a first insulating film (24, 25, 26) on the semiconductor substrate (1);
Forming a thin film resistor (3) on the first insulating film (24, 25, 26);
In the method of manufacturing a semiconductor device, the method includes: processing the thin film resistor (3) by irradiating the thin film resistor (3) with a laser beam.
Between the step of preparing the semiconductor substrate (1) and the step of forming the thin film resistor (3), the region on the semiconductor substrate (1) irradiated with the laser light is A semiconductor device comprising a step of forming a light absorption film (6) that absorbs laser light and has a higher absorption rate of the laser light than the first insulating film (24, 25, 26) Manufacturing method.
前記基板（１）の上にシリコン酸化膜（２４、２５、２６）を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜（２４、２５、２６）の上に薄膜抵抗体（３）を形成する工程と、
前記薄膜抵抗体（３）にレーザー光を照射することで、前記薄膜抵抗体（３）を加工する工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記基板（１）を用意する工程と前記シリコン酸化膜（２４、２５、２６）を形成する工程との間に、前記基板（１）の上であって、前記レーザー光が照射される領域に、前記レーザー光を吸収し、かつ、前記シリコン酸化膜（２４、２５、２６）よりも前記レーザー光の吸収率が高い光吸収膜（６）を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Providing a substrate (1) having an outermost layer made of silicon;
Forming a silicon oxide film (24, 25, 26) on the substrate (1);
Forming a thin film resistor (3) on the silicon oxide film (24, 25, 26);
In the method of manufacturing a semiconductor device, the method includes: processing the thin film resistor (3) by irradiating the thin film resistor (3) with a laser beam.
Between the step of preparing the substrate (1) and the step of forming the silicon oxide film (24, 25, 26), the region on the substrate (1) where the laser light is irradiated. And a step of forming a light absorption film (6) that absorbs the laser light and has a higher absorption rate of the laser light than the silicon oxide film (24, 25, 26). Manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005243768A JP2007059646A (en) | 2005-08-25 | 2005-08-25 | Semiconductor device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005243768A JP2007059646A (en) | 2005-08-25 | 2005-08-25 | Semiconductor device manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007059646A true JP2007059646A (en) | 2007-03-08 |
Family
ID=37922869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005243768A Withdrawn JP2007059646A (en) | 2005-08-25 | 2005-08-25 | Semiconductor device manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2007059646A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015033740A1 (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-12 | 富士電機株式会社 | Silicon carbide semiconductor element and method for manufacturing silicon carbide semiconductor element |
-
2005
- 2005-08-25 JP JP2005243768A patent/JP2007059646A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015033740A1 (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-12 | 富士電機株式会社 | Silicon carbide semiconductor element and method for manufacturing silicon carbide semiconductor element |
| JP5885284B2 (en) * | 2013-09-05 | 2016-03-15 | 富士電機株式会社 | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device |
| JPWO2015033740A1 (en) * | 2013-09-05 | 2017-03-02 | 富士電機株式会社 | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device |
| US9923062B2 (en) | 2013-09-05 | 2018-03-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6259151B1 (en) | Use of barrier refractive or anti-reflective layer to improve laser trim characteristics of thin film resistors | |
| TWI355710B (en) | Device and methodology for reducing effective diel | |
| EP1266405B1 (en) | Planarised semiconductor structure including a conductive fuse and process for fabrication thereof | |
| JP2618139B2 (en) | Thin film resistor | |
| US6326256B1 (en) | Method of producing a laser trimmable thin film resistor in an integrated circuit | |
| JP4936643B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP4776199B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JPH0770600B2 (en) | How to modify an integrated circuit | |
| US9236344B2 (en) | Thin beam deposited fuse | |
| JP5084323B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP4083441B2 (en) | Semiconductor device provided with fuse and fuse cutting method | |
| JP2007059646A (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
| US6638795B2 (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
| TWI748226B (en) | Photo sensor filtron and methods for forming the same | |
| JP3588612B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP3948263B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP6655469B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2007201485A (en) | Semiconductor integrated circuit device and its manufacturing method | |
| JP4484548B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2001077202A (en) | Semiconductor integrated circuit device and manufacture thereof | |
| US11824079B2 (en) | Thin-film resistor (TFR) having a TFR element providing a diffusion barrier for underlying TFR heads | |
| JP4497975B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP5549049B2 (en) | Thin film resistor, semiconductor device, and method of manufacturing thin film resistor | |
| JP2006080282A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| TW465046B (en) | Method for manufacturing fuse window |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20070918 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090612 |