JP2007059438A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】矩形の基板表面に対して効率よく均一にエッチング処理を行う。
【解決手段】基板処理装置1は、処理液供給部2、基板9を所定の搬送方向に搬送する基板搬送機構3、エッチング液である処理液の液滴を噴出する複数のノズル4、各ノズル4にガスを供給するガス供給部5、および、制御回路6を備える。各ノズル4は内部において処理液の液滴を生成し、搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口40から処理液の液滴をガスと共に基板9に向けて噴出する二流体ノズルとなっている。基板処理装置1では、処理液の液滴が複数のノズル4から搬送経路に向けて噴出される間に、処理液の噴出範囲内にて基板9を搬送方向およびその反対方向に1回以上揺動させることにより、基板9の処理領域全体において処理ムラの発生を防ぐことができ、基板表面に対して効率よく均一にエッチング処理を行うことができる。
【選択図】図1
【解決手段】基板処理装置1は、処理液供給部2、基板9を所定の搬送方向に搬送する基板搬送機構3、エッチング液である処理液の液滴を噴出する複数のノズル4、各ノズル4にガスを供給するガス供給部5、および、制御回路6を備える。各ノズル4は内部において処理液の液滴を生成し、搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口40から処理液の液滴をガスと共に基板9に向けて噴出する二流体ノズルとなっている。基板処理装置1では、処理液の液滴が複数のノズル4から搬送経路に向けて噴出される間に、処理液の噴出範囲内にて基板9を搬送方向およびその反対方向に1回以上揺動させることにより、基板9の処理領域全体において処理ムラの発生を防ぐことができ、基板表面に対して効率よく均一にエッチング処理を行うことができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板に処理液を供給して基板を処理する技術に関する。
従来より、矩形の基板に対してエッチングを行う装置では、搬送経路上にて複数のノズルを揺動させながら処理液を基板に供給したり、ノズルの揺動に加えて基板を搬送経路の上流側および下流側へと揺動するように移動しながら基板表面に対する処理が行われている。
例えば、特許文献1では、多数のノズルを有する複数のシャワーパイプを基板の搬送方向に平行な方向に向けつつ搬送方向に垂直な方向に配列し、シャワーパイプを長手方向の中心軸を回動中心として回動しつつ処理液をノズルから基板へと供給することにより、基板表面への処理液供給の均一化を図る基板処理装置が開示されている。特許文献2では、水平姿勢で水平方向へ搬送される基板に対し、エッチング液を円錐形状に噴射する多数個のスプレーノズルを基板の進行方向に対して垂直な方向へと揺動させることにより、基板の幅方向での処理レートの不均等を解消する基板処理装置が開示されている。
また、特許文献3では、基板の搬送方向に垂直な方向に伸びるノズルから処理液を供給する基板処理装置において、搬送による基板の揺動回数、基板の揺動距離および揺動時間から、揺動時における基板の搬送速度を演算し、求められた搬送速度に基づいて基板を揺動させつつ搬送する技術が開示されている。
一方、半導体基板に処理を行う装置においては、二流体ノズルから薬液をガスと共に噴出してエッチングすることにより化学洗浄と物理洗浄とを同時に行い、エッチングの処理効率を向上させる技術が用いられている。例えば、特許文献4では、エッチング液を高圧ガスで間欠的に噴射する扁平口を有する放射ノズル、および、噴射されたエッチング液を回収する回収ノズルを用いることにより、高いエッチングファクターを得るのに好ましい液の流れ状態を形成する技術が開示されている。
特開平10−79368号公報
国際公開第2002/049087号パンフレット
特開2001−176948号公報
特開平4−132246号公報
ところで、特許文献1および2に記載の基板処理装置では、処理液を円錐形状に噴出するノズルが用いられるため個々にスプレーパターンが生じ、基板上で処理液が供給される領域が重なる部分に発生する処理ムラを防止するために基板の揺動に加えてノズルの揺動が必要となる。特に、特許文献2に記載の基板処理装置では、処理ムラをより効果的に防止するために基板表面の幅方向全域に膜状に処理液を供給するスリットノズルがさらに設けられているが、これにより装置全体が大型化されてしまう。また、特許文献3に記載の基板処理装置も、単に通常のノズルの開口を搬送方向に垂直な方向に配列しただけでは、スプレーパターンの発生を完全になくすことは困難である。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板上の処理領域に対して処理ムラを防止しつつ効率よく処理を行うことを目的としている。
請求項1に記載の発明は、エッチング液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理装置であって、基板を所定の搬送方向に搬送する基板搬送機構と、それぞれが、前記基板に平行であり、かつ、前記搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口からエッチング液の液滴をガスと共に前記基板の搬送経路に向けて噴出する少なくとも1つのノズルとを備え、前記噴出口の前記搬送方向に垂直な方向の長さが、前記基板上の処理領域の前記搬送方向に垂直な方向の幅以上であり、前記少なくとも1つのノズルから前記エッチング液の液滴が噴出される間に、前記基板搬送機構が、前記基板を前記搬送経路において前記搬送方向およびその反対方向に1回以上揺動させる。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記少なくとも1つのノズルが複数のノズルであり、前記複数のノズルが前記搬送方向に一定のノズルピッチにて配列されている。
請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の基板処理装置であって、前記少なくとも1つのノズルのそれぞれの内部において、エッチング液が高速のガスと衝突することにより前記エッチング液の液滴が生成される。
請求項4に記載の発明は、請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記基板搬送機構による揺動時に、前記基板上の前記処理領域の全体が、前記エッチング液の噴出される前記搬送経路上の領域を前記搬送方向およびその反対方向に通り抜ける。
請求項5に記載の発明は、エッチング液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、基板を所定の搬送方向に搬送する基板搬送工程と、それぞれが、前記基板に平行であり、かつ、前記搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口を有する少なくとも1つのノズルからエッチング液の液滴をガスと共に前記基板の搬送経路に向けて噴出する処理液噴出工程とを備え、前記噴出口の前記搬送方向に垂直な方向の長さが、前記基板上の処理領域の前記搬送方向に垂直な方向の幅以上であり、前記少なくとも1つのノズルから前記エッチング液の液滴が噴出される間に、前記基板が前記搬送経路において前記搬送方向およびその反対方向に1回以上揺動される。
本発明では、ノズルの搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口から処理液の液滴がガスと共に噴出されることにより、高いエッチングレートにて均一に効率よく処理を行うことができ、さらに、基板上において搬送方向に対して垂直な方向に処理ムラが生じることを防止することができる。その結果、処理の高い質を維持しつつスループットを向上することができる。
請求項2の発明では、複数のノズルを用いて処理しつつ基板の処理領域全体において処理ムラの発生を防ぐことができ、請求項3の発明では、処理液が高速のガスと衝突することにより微小な液滴を高速に噴出することができ、処理効率を向上することができる。また、請求項4の発明では、ノズルの数を削減して、装置の製造コストを低減することができる。
図1は本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置1を示す正面図であり、図2は基板処理装置1の一部を示す平面図である。図1では、装置の構成の一部を断面にて示している。基板処理装置1では、処理液であるエッチング液を、液晶用の矩形のガラス基板(以下、単に「基板9」という。)に供給することにより基板9の処理が行われる。
基板処理装置1は、図1に示すように、基板9の処理が行われる処理室11、処理液供給部2、基板9を所定の搬送方向(図1中のY方向)に水平に搬送する基板搬送機構3、処理液供給部2から供給される処理液の液滴を噴出する複数のノズル4、各ノズル4にガスを供給するガス供給部5、および、制御回路6を備える。複数のノズル4は、処理液およびガスが供給されることにより、処理液の液滴をガスと共に基板9の搬送経路に向けて噴出する。
処理液供給部2は、処理液を貯溜する貯溜槽20、処理液を送出するポンプ21、処理液の流路を開閉する弁22、および、処理液中のパーティクルなどを取り除くフィルタ23を備える。フィルタ23からの流路は各ノズル4に接続され、貯溜槽20に貯溜された処理液がポンプ21によって貯溜槽20から送り出されると、弁22およびフィルタ23を介して各ノズル4に供給される。
処理室11は、搬入口12および搬出口13を有し、処理室11の底部には、複数のノズル4から基板9に向けて噴出された処理液を回収するための回収口14が設けられる。回収口14より回収された処理液は貯溜槽20に戻されて再利用される。さらに、処理室11内には、基板9の搬送経路の搬入口12近傍および搬出口13近傍にそれぞれ基板9の位置を検出するための第1センサ15および第2センサ16が配置され、これらのセンサは制御回路6に接続される。
基板搬送機構3は、基板9の搬送方向に配列される複数のローラ31、および、複数のローラ31に取り付けられた図示省略の伝達装置に接続される正逆回転可能なモータ32を備える。モータ32は制御回路6に電気的に接続され、制御回路6からの指令によりモータ32が駆動されて複数のローラ31が一斉に正回転または逆回転することにより、基板9が搬送方向((+Y)方向)またはその反対方向((−Y)方向)へと搬送される。
複数のノズル4は、図1および図2に示すように、処理室11内において搬送方向に一定のノズルピッチ(すなわち、隣り合う2つのノズル4の噴出口間の距離であり、図2にて符号Pを付す。)にて配列され、それぞれが基板9に平行であり、かつ、搬送方向に垂直な方向(すなわち、X方向)に伸びるスリット状の噴出口40を有する。各ノズル4は、内部において処理液とガスとが混合されることにより処理液の液滴を生成し、この液滴を噴出口40から基板9に向けて噴出するいわゆる二流体ノズルとなっている。ノズルピッチPは、好ましくは、基板9上の処理すべき領域(本実施の形態では基板9の上面全体であり、以下、「処理領域」と呼ぶ。)の搬送方向の長さを等分割した距離とされる。図1および図2では、ノズルピッチPは基板9の搬送方向の長さを5等分した距離とされる。また、噴出口40の長さは、処理領域の幅全体に対して均一に処理液の液滴を噴出することができる長さ以上とされ、少なくとも基板9上の処理領域の搬送方向に垂直な方向の幅以上とされる。
図3はノズル4の縦断面図であり、図4はノズル4の(+Y)側を示す図である。ノズル4は、図3に示すように、オリフィス板42を第1スリット板41と第2スリット板43とで挟み込んだ構造となっており、X方向に関してノズル4の両側には、図4に示すように、端面板44が図示省略のシール部材を介して取り付けられる。第2スリット板43には、X方向に一定のピッチで複数のガス供給ポート45が設けられ、第1スリット板41には、ガス供給ポート45と同様の位置に処理液供給ポート46(図3参照)が設けられる。処理液供給ポート46およびガス供給ポート45は、図1に示す処理液供給部2およびガス供給部5にそれぞれ接続される。そして、制御回路6の指令により処理液供給部2のポンプ21およびガス供給部5が作動することにより、複数のノズル4からの処理液の液滴の噴出が制御される。
ノズル4の内部には、図3および図4に示すように、処理液とガスとを混合する気液混合室411、処理液に与えられる圧を均一にするための分配室421、および、気液混合室411と分配室421とを連通させる複数の連通管422が設けられる。また、オリフィス板42と第2スリット板43との間にもスリット状の微小な隙間が設けられ、この隙間が、ガス供給ポート45からのガスが供給されるガス路431とされる。第1スリット板41と第2スリット板43との間のスリット状の隙間は、処理液の液滴の流路とされ、流路の下端の開口が1つの噴出口40となる。
図5は、図4に示すノズル4のA−A断面の一部を(+Z)側から見た図である。ノズル4の分配室421および複数の連通管422は、第1スリット板41とオリフィス板42とを重ね合わせることにより形成される。分配室421は、図3ないし図5に示すように、断面形状が矩形でX方向に連続的に伸びており、分配室421により処理液の圧がX方向に均一に分散されて複数の連通管422に均等に処理液が分配される。複数の連通管422は、X方向に一定のピッチで配列され、各連通管422は上下方向に伸び、水平面による断面形状は矩形とされる。
図6は、図3に示す気液混合室411を拡大して示す図である。気液混合室411は図6に示すように、第1スリット板41、オリフィス板42および第2スリット板43の間に形成され、連通管422の開口の下方にて他の領域よりも少し高くなった衝突面4111を有し、図4に示すようにX方向に連続的に伸びている。複数の連通管422から気液混合室411へ供給された処理液は、衝突面4111に勢いよく衝突して粉砕され気液混合室411の第2スリット板43側へと導かれ、ガス路431から供給される高速のガスと衝突することにより処理液の液滴が生成される。すなわち、ノズル4はいわゆる内部混合型の二流体ノズルとなっている。生成された処理液の液滴はスリット状の噴出口40から基板9に向けて噴出される。
ノズル4では、処理液とガスとを衝突させることにより処理液の微小な液滴を生成することができ、さらに、微小な液滴をガスと共に噴出することにより液滴を高速に噴出することができ、処理効率を向上することができる。また、衝突面4111の大きさを処理液やガスの供給圧力などに合わせて変更することにより、液滴の粒径を変化させることができ、基板9に対する最適な処理を行うことができる。
図7は、基板処理装置1の動作の流れを示す図である。基板処理装置1では、図1および図2に示すように、複数のノズル4のうち搬送方向に関して両端に位置する2つのノズル4の噴出口40間の距離Lが、基板9上の処理領域の搬送方向の長さにノズルピッチPを加えた長さ以上(好ましくは、処理領域の搬送方向の長さにノズルピッチPの(正の)整数倍の長さを加えた長さ)とされ、複数のノズル4から処理液の液滴をガスと共に搬送経路に向けて噴出する工程(以下、「処理液噴出工程」という。)が行われている間に、基板搬送機構3により基板9を搬送方向およびその反対方向に一定距離だけ移動して揺動させる工程(以下、「揺動工程」という。)を行いつつ基板9の表面が処理される。以下、基板処理装置1の動作の詳細について説明する。
基板処理装置1では、まず、図1に示す基板搬送機構3により基板9を所定の搬送方向に搬送する工程(以下、「基板搬送工程」という。)が開始され(ステップS111)、搬入口12から処理室11内へと基板9が搬入される。基板9の(−Y)側の端部(以下、「後端」という。)の通過が第1センサ15により検出されて基板9の全体が処理室11内に搬入されたことが確認されると(ステップS112)、制御回路6によりポンプ21およびガス供給部5が能動化され、複数のノズル4から処理液の液滴を噴出する処理液噴出工程が開始される(ステップS113)。
処理液噴出工程が行われている間に、基板搬送工程が継続されて基板9の(+Y)側の端部(以下、「先端」という。)が第2センサ16により検出されると(ステップS121)、制御回路6からモータ32に逆回転の指令が伝えられ、基板9が搬送方向とは反対方向(すなわち、(−Y)方向)へ搬送される(ステップS122)。これにより、処理液噴出工程が行われている間に、反対方向へ基板9が搬送され、やがて、基板9の後端が第1センサ15により検出される(ステップS123)。
以上の動作により、基板処理装置1では、基板9の後端が、複数のノズル4のうち最後尾に位置するノズル4の噴出口40に一致する状態(すなわち、ステップS112の時点の図1に示す状態)から、搬送方向に関して両端に位置する2つのノズル4の噴出口40間の範囲内で基板9上の処理領域が往復搬送(すなわち、揺動)され、基板9の後端が再び元の状態に戻ることにより1回の揺動工程が終了する。なお、処理の均一化を正確に実現するためには、基板9の揺動の距離はノズルピッチPの整数倍の距離とされることが好ましい。
揺動工程において基板9の後端が第1センサ15により検出されると、揺動工程が所定の回数行われたか否かが確認され(ステップS124)、さらに揺動工程が必要と判断されると、制御回路6からモータ32に正回転の指令が伝えられて基板9が搬送方向へ搬送され、ステップS121へと戻る(ステップS125)。これにより、処理液噴出工程が行われている間に、基板9の揺動工程が繰り返される(ステップS121〜S123)。
所定の回数だけ基板9の揺動工程が行われたと確認されると(ステップS124)、処理液の噴出が停止され(ステップS131)、制御回路6からモータ32に正回転の指令が伝えられて基板9が搬出口13から搬出される(ステップS132)。このように、揺動工程は基板搬送工程の一部として実行される。なお、最後の揺動工程の後、基板9の先端が第2センサ16にて検出されるまでさらに処理が行われてもよい。この場合は、実質的に0.5回分だけ揺動工程が延長されることとなる。
以上、基板処理装置1の構成および動作について説明したが、基板処理装置1では、搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口40から処理液の液滴がガスと共に高速に噴出されることにより、基板9上において搬送方向に垂直な方向に処理ムラが生じることを防止しつつ効率よく処理を行うことができ、さらに、搬送方向に関して基板9の処理領域よりも広い範囲に複数のノズル4を配置して両端に位置する2つのノズル4の噴出口40間の範囲内で(正確には、処理領域が両端の噴出口40間に含まれる範囲内で)基板9をノズルピッチ以上の距離だけ1回以上揺動させることにより、基板9の処理領域全体において処理ムラの発生を防ぐことができる。その結果、ノズル4を揺動することなく基板9の揺動のみで、かつ、装置全体の構造を大型にすることなく基板9上の処理領域全体を適切に処理することができる。特に、高いエッチングレートにて均一に処理することができ、処理の高い質を維持しつつスループットを向上することができる。
図8は、本発明の第2の実施の形態に係る基板処理装置1aを示す図である。基板処理装置1aは、図1に示す基板処理装置1におけるノズル4の数が削減され、2つのノズル4のみが配置されるという点を除いて図1の基板処理装置1と同様の構造であり、同様の構成要素に同符号を付している。また、基板処理装置1aにおいても、基板処理装置1と同様に、処理液としてエッチング液が用いられる。なお、ノズル4の数は1つであってもよく、3以上であってもよく、基板処理装置1aには少なくとも1つのノズル4が設けられる。また、ノズル4の数が3以上の場合は、基板処理装置1aにおいてエッチング液を搬送方向に関して均一に噴出して処理領域全体においてより均一に処理が行われるように、複数のノズル4が搬送方向に一定のノズルピッチにて配列されることが好ましい。この場合、第1の実施の形態と異なり、ノズルピッチは基板9上の処理領域の搬送方向の長さを等分割した距離である必要はない。
基板処理装置1aでは、基板9の後端を検出する第1センサ15、および、基板9の先端を検出する第2センサ16が、基板9上の処理領域がエッチング液の噴出される搬送経路上の領域外となる(すなわち、第1センサ15と第2センサ16との間の距離が、基板9上の処理領域の搬送方向の長さの2倍にエッチング液の噴出される搬送経路上の領域の長さを加えた長さ以上となる)所定の位置に配置され、全てのノズル4からエッチング液の液滴が噴出される間に、2つのセンサ間の範囲内にて基板9を搬送経路において搬送方向およびその反対方向に1回以上揺動させることにより基板9の表面が処理される。
基板処理装置1aが基板9を処理する際には、図1の基板処理装置1と同様に図7に示す動作が行われる。すなわち、図8に示す基板搬送機構3による基板搬送工程が開始され(図7:ステップS111)、基板9の後端の通過が第1センサ15により検出されて基板9の全体が処理室11内に搬入されたことが確認されると(ステップS112)、制御回路6によりポンプ21およびガス供給部5が能動化され、処理液噴出工程が開始される(ステップS113)。基板搬送工程が継続されて、図8中の二点鎖線で示すように、基板9の先端が第2センサ16により検出されると(ステップS121)、制御回路6からモータ32に逆回転の指令が伝えられ、基板9が搬送方向とは反対方向(すなわち、(−Y)方向)へ搬送される(ステップS122)。これにより、処理液噴出工程が行われている間に、反対方向へ基板9が搬送され、やがて、基板9の後端が第1センサ15により検出される(ステップS123)。
以上の動作により、基板処理装置1aでは、基板9の後端の通過が第1センサ15に検出される状態(すなわち、図8中の実線で示す状態)から、基板9上の処理領域の全体が、エッチング液の噴出される搬送経路上の領域を搬送方向およびその反対方向に通り抜けるように基板9が揺動され、基板9の後端が再び元の状態に戻ることにより1回の揺動工程が終了する。
基板9の後端が第1センサ15により検出されると、揺動工程が所定の回数行われたか否かが確認され(ステップS124)、さらに揺動工程が必要と判断されると、基板9が搬送方向へ搬送され、ステップS121へと戻る(ステップS125)。これにより、処理液噴出工程が行われている間に、基板9の揺動工程が繰り返される(ステップS121〜S123)。所定の回数だけ基板9の揺動工程が行われたと確認されると(ステップS124)、処理液の噴出が停止され(ステップS131)、基板9が搬出口13から搬出される(ステップS132)。なお、基板処理装置1aにおいても、最後の揺動工程の後に、基板9の先端が第2センサ16にて検出されるまでさらに処理が行われてもよい。
以上のように、基板処理装置1aでは、搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口40を有するノズル4からエッチング液の液滴をガスと共に高速に噴出することにより、基板9上において搬送方向に対して垂直な方向に処理ムラが生じることを防止しつつ効率よく処理を行うことができ、さらに、基板9上の処理領域の全体が、エッチング液の噴出される搬送経路上の領域を搬送方向およびその反対方向に通り抜けて1回以上揺動させることにより、ノズルを揺動することなく基板の揺動のみで基板の処理領域全体において処理ムラの発生を防ぐことができる。また、第1の実施の形態と異なりノズル4の数を減少させることができるため、ノズル4の数を削減して、装置の製造コストを低減することができる。
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
例えば、通常は基板9上の処理領域は基板9の全面とされるが、基板9上の処理領域は基板9の一部とされてもよい。
ノズル4の内部の構造は、上記実施の形態に限定されるものではなく、例えば、分配室421は、断面形状が矩形である必要はなく、半月形であってもよく、連通管422の断面形状も矩形である必要はなく、円形であってもよい。また、衝突面4111も、ガス路431に向かって広がっていくような扇状かつ凹状の傾斜した面とされてもよい。さらに、ノズル4では内部で液滴が生成されなくてもよく、別途生成された液滴がキャリアガスと共にノズル4に供給されて噴出口40から噴出されてもよい。
また、基板処理装置1,1aでは、基板9上から処理液が速やかに流れ出すように、基板9が搬送方向に垂直な水平方向に関して傾斜した状態で搬送されもよい。
基板処理装置における処理の対象物は、ガラス基板以外に半導体基板やプリント配線基板などの基板であってもよい。
1,1a 基板処理装置
2 処理液供給部
3 基板搬送機構
4 ノズル
5 ガス供給部
9 基板
40 噴出口
411 気液混合室
421 分配室
4111 衝突面
S111〜S113,S121〜S125,S131,S132 ステップ
2 処理液供給部
3 基板搬送機構
4 ノズル
5 ガス供給部
9 基板
40 噴出口
411 気液混合室
421 分配室
4111 衝突面
S111〜S113,S121〜S125,S131,S132 ステップ
Claims (5)
- エッチング液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理装置であって、
基板を所定の搬送方向に搬送する基板搬送機構と、
それぞれが、前記基板に平行であり、かつ、前記搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口からエッチング液の液滴をガスと共に前記基板の搬送経路に向けて噴出する少なくとも1つのノズルと、
を備え、
前記噴出口の前記搬送方向に垂直な方向の長さが、前記基板上の処理領域の前記搬送方向に垂直な方向の幅以上であり、
前記少なくとも1つのノズルから前記エッチング液の液滴が噴出される間に、前記基板搬送機構が、前記基板を前記搬送経路において前記搬送方向およびその反対方向に1回以上揺動させることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも1つのノズルが複数のノズルであり、
前記複数のノズルが前記搬送方向に一定のノズルピッチにて配列されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも1つのノズルのそれぞれの内部において、エッチング液が高速のガスと衝突することにより前記エッチング液の液滴が生成されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記基板搬送機構による揺動時に、前記基板上の前記処理領域の全体が、前記エッチング液の噴出される前記搬送経路上の領域を前記搬送方向およびその反対方向に通り抜けることを特徴とする基板処理装置。 - エッチング液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理方法であって、
基板を所定の搬送方向に搬送する基板搬送工程と、
それぞれが、前記基板に平行であり、かつ、前記搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口を有する少なくとも1つのノズルからエッチング液の液滴をガスと共に前記基板の搬送経路に向けて噴出する処理液噴出工程と、
を備え、
前記噴出口の前記搬送方向に垂直な方向の長さが、前記基板上の処理領域の前記搬送方向に垂直な方向の幅以上であり、
前記少なくとも1つのノズルから前記エッチング液の液滴が噴出される間に、前記基板が前記搬送経路において前記搬送方向およびその反対方向に1回以上揺動されることを特徴とする基板処理方法。
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