JP2007047694A - 光伝送路及び光伝送路を有する光学素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1の光伝送媒体と、当該第1の光伝送媒体より低い屈折率を有する材料から成ると共に、当該第1の光伝送媒体の周囲に配され、かつ当該第1の光伝送媒体に対して水平方向及び垂直方向に突出する第2の光伝送媒体と、により構成された光を導くための光伝送部を有する光伝送路において、前記第2の光伝送媒体の垂直2方向に突出する部分が、それぞれ所定の幅を有して光の閉じ込め部を形成し、前記第1の光伝送媒体は、前記光の進行方向に対して垂直な面の断面積が、当該光の進行方向に連続的に増大又は減少するよう形成される第1の導波部を有することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本実施形態にかかる光学素子の構成及び機能を説明する。
図7に、従来技術による光学素子と本実施形態による光学素子から出力された光のモードプロファイルの比較実験例を示す。
3−1.カップリング部の他の変形形態
続いて、カップリング部における高屈折率光伝送部6、シリコン層4bに係る他の変形形態について説明する。
上述した実施形態では、高屈折率光伝送部6を、ビーム集束部Aにおいて逆テーパー形状に形成し、ビーム集束部Bにおいて光の進行方向に対して垂直な面の断面積が光の進行方向に一定となるよう形成したが、これに限らず、ビーム集束部Bにおいて高屈折率光伝送部6を順テーパー形状に形成して、本発明における第3の導波部として機能させることも可能である。
また、上述した実施形態では、フォトニック結晶層7の逆テーパー形状に形成したシリコン層4bは、フォトニック結晶層7の母材であるシリコンのみによって成形したが、これに限らず、シリコンにて成形した当該シリコン層4bに、シリコン酸化膜(SiO2)等を充填した孔を所定のサイズと所定の配置間隔で面状に配して形成することも可能である。
続いて、単一モード導波路部における他の変形形態について説明する。
上述した実施形態では、単一モード導波路部に単にフォトニック結晶層7をカップリング部のビーム集束部Bと連続するよう配す構成としたが、この際に、変形形態としてフォトニック結晶層7のカップリング部のビーム集束部Bとの境界面において、当該フォトニック結晶層7の母材であるシリコンと、シリコン酸化膜(SiO2)とが交互に配置されるよう構成してもよい。
上述した実施形態では、ビーム集束部Bにおいてフォトニック結晶層7のシリコン層4bのみを逆テーパー形状に形成したが、シリコン層4bが積層された第2のクラッド部としてのクラッド部3(図5(B)においてクラッド部3Bとして図示する。)の一部、及び基板2の一部であって、このシリコン層4bが積層されたクラッド部3の一部が積層された基板2も、光の進行方向に対して垂直な面の断面積が、光の進行方向に連続的に増大するように、換言すれば逆テーパー形状に形成してもよい。
2 基板
3(3A、3B) クラッド部
4a、4b シリコン層
5 低屈折率光伝送部
5a リッジ部
5b スラブ部
5c トレンチ部
6 高屈折率光伝送部
7 フォトニック結晶層
A、B ビーム集束部
Claims (9)
- 第1の光伝送媒体と、当該第1の光伝送媒体より低い屈折率を有する材料から成ると共に、当該第1の光伝送媒体の周囲に配され、かつ当該第1の光伝送媒体に対して水平方向及び垂直方向に突出する第2の光伝送媒体と、により構成された光を導くための光伝送部を有する光伝送路において、
前記第2の光伝送媒体の垂直2方向に突出する部分が、それぞれ所定の幅を有して光の閉じ込め部を形成し、
前記第1の光伝送媒体は、前記光の進行方向に対して垂直な面の断面積が、当該光の進行方向に連続的に増大又は減少するよう形成される第1の導波部を有することを特徴とする光伝送路。 - 請求項1に記載の光伝送路において、
前記第1の伝送媒体は、前記第1の導波部と連続する第2の導波部を有し、
当該第2の導波部は、前記光の進行方向に対して垂直な面の断面積が一定となるよう形成されることを特徴とする光伝送路。 - 請求項1に記載の光伝送路において、
前記第1の伝送媒体は、前記第1の導波部と連続する第3の導波部を有し、
前記第1の導波部が、前記光の進行方向に対して垂直な面の断面積が前記光の進行方向に連続的に増大するよう形成されている場合には、前記第3の導波部は、前記光の進行方向に対して垂直な面の断面積が前記光の進行方向に連続的に減少するよう形成され、
前記第1の導波部が、前記光の進行方向に対して垂直な面の断面積が前記光の進行方向に連続的に減少するよう形成されている場合には、前記第3の導波部は、前記光の進行方向に対して垂直な面の断面積が前記光の進行方向に連続的に増大するよう形成されることを特徴とする光伝送路。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光伝送路を有する光学素子において、
前記第1の光伝送媒体より高い屈折率を有する材料から成る第4の導波部を有し、
当該第4の導波部は、前記光の進行方向に対して垂直な面の断面積が前記光の進行方向に連続的に増大又は減少するよう形成され、
前記第1の光伝送媒体の第2又は第3の導波部は、前記第4の導波部上に積層して形成されることを特徴とする光学素子。 - 請求項4に記載の光学素子において、
入射される光に対して所定の分散特性を有する波長分散変動を付与するフォトニック結晶層を有し、
前記第1の光伝送媒体の一部が、前記フォトニック結晶層上に部分的に積層され、かつ、
前記フォトニック結晶層は、屈折率の異なる第1の物質及び第2の物質とからなり、前記第1の物質が所定のサイズと所定の配置間隔で前記第2の物質中において面状に配して形成され、かつ、
前記第4の導波部は、前記第2の物質にて成形されることを特徴とする光学素子。 - 請求項5に記載の光学素子において、
前記第4の導波部は、前記第1の物質が所定のサイズと所定の配置間隔で前記第2の物質中において面状に配して形成されることを特徴とする光学素子。 - 請求項5又は6に記載の光学素子において、
前記フォトニック結晶層の前記光伝送路との境界面において、当該フォトニック結晶層の前記第1の物質と、前記第2の物質とが交互に配置され、かつ、
前記第1の物質は、前記第1の光伝送媒体より低い屈折率を有する材料から成ることを特徴とする光学素子。 - 請求項4乃至7のいずれか一項に記載の光学素子において、
前記第2の光伝送媒体より低い屈折率を有する材料から成る第1のクラッド部及び第2のクラッド部を有し、
前記第2の光伝送媒体の一方の前記光の閉じ込め部は、前記第1のクラッド部上に積層され、
前記フォトニック結晶層は、前記第2のクラッド部上に積層され、
前記第1のクラッド部及び前記第2のクラッド部は、基板上に積層されて形成されることを特徴とする光学素子。 - 請求項8に記載の光学素子において、
前記第4の導波部は前記第2のクラッド部上に積層され、
当該第2のクラッド部の前記第4の導波部が積層された一部、及び当該第4の導波路を積層する前記第2のクラッド部が積層された前記基板の一部は、前記光の進行方向に対して垂直な面の断面積が前記光の進行方向に連続的に増大又は減少するよう形成されることを特徴とする光学素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005234661A JP4549949B2 (ja) | 2005-08-12 | 2005-08-12 | 光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005234661A JP4549949B2 (ja) | 2005-08-12 | 2005-08-12 | 光学素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007047694A true JP2007047694A (ja) | 2007-02-22 |
JP4549949B2 JP4549949B2 (ja) | 2010-09-22 |
Family
ID=37850545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005234661A Expired - Fee Related JP4549949B2 (ja) | 2005-08-12 | 2005-08-12 | 光学素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4549949B2 (ja) |
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A521 | Written amendment |
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