JP2008258135A - 有機電界発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
【解決手段】基板と、基板に形成されるアクティブ層と、アクティブ層に形成されるゲート絶縁膜と、アクティブ層に対応するゲート絶縁膜に形成されるゲート電極と、ゲート電極に形成される層間絶縁膜と、層間絶縁膜に形成されてアクティブ層と電気的に連結されるソースドレイン電極と、ソースドレイン電極に形成される絶縁膜と、絶縁膜に形成されてソースドレイン電極と電気的に連結される有機電界発光素子とを含み、アクティブ層または有機電界発光素子にRGBを区分することができる区分パターンを形成する有機電界発光表示装置を開示する。
【選択図】図4
Description
110 基板
120 バッファ層
130 アクティブ層
131 半導体層
132 ソースドレイン領域
134 チャネル領域
135 キャパシタ下部電極
140 ゲート絶縁膜
150 ゲート電極
155 キャパシタ上部電極
160 層間絶縁膜
170 ソースドレイン電極
180 絶縁膜
200 有機電界発光素子
202 アノード電極
220 区分パターン(アノード電極)
221 区分パターン(キャパシタ下部電極)
Claims (24)
- 基板と、
前記基板に形成されるアクティブ層と、
前記アクティブ層に形成されるゲート絶縁膜と、
前記アクティブ層に対応するゲート絶縁膜に形成されるゲート電極と、
前記ゲート電極に形成される層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に形成され、前記アクティブ層と電気的に連結されるソースドレイン電極と、
前記ソースドレイン電極に形成される絶縁膜及び、
前記絶縁膜に形成され、前記ソースドレイン電極と電気的に連結される有機電界発光素子とを含み、
前記アクティブ層または前記有機電界発光素子には、RGB別に画素を区分するように区分パターンが形成されることを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記アクティブ層は、ソースドレイン領域とチャネル領域を含む半導体層及びキャパシタ下部電極とを含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記区分パターンは、前記キャパシタ下部電極に形成されることを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記キャパシタ下部電極は、平面形態が矩形に形成され、前記区分パターンは、RGB画素別に前記矩形の少なくとも一辺のお互いに異なる位置にさらに形成されることを特徴とする請求項3に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記キャパシタ下部電極は、平面形態が矩形に形成され、前記区分パターンは、RGB画素別に前記矩形のお互いに異なる辺にさらに形成されることを特徴とする請求項3に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記区分パターンは、三角形、四角形、五角形及び半円形の中から選択されたいずれか1つまたはこれらの組合からなる形態に形成されることを特徴とする請求項3に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記区分パターンは、RGB画素別にそれぞれ異なる形態に形成されることを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記有機電界発光素子は、アノード電極、有機薄膜及びカソード電極を含み、前記区分パターンは、前記アノード電極に形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記アノード電極は、平面形態が矩形に形成され、前記区分パターンは、RGB画素別に前記矩形の少なくとも一辺のお互いに異なる位置に形成されることを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記アノード電極は、平面形態が矩形に形成され、前記区分パターンは、RGB画素別に前記矩形のお互いに異なる辺に形成されることを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記区分パターンは、三角形、四角形、五角形及び半円形の中から選択されたいずれか1つまたはこれらの組合からなる形態に形成されることを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記区分パターンは、RGB画素別にそれぞれ異なる形態に形成されることを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光表示装置。
- 基板を準備する基板準備段階と、
前記基板に非晶質シリコンを蒸着する非晶質シリコン蒸着段階と、
前記非晶質シリコンが多結晶シリコンに結晶化される結晶化段階と、
前記多結晶シリコンを用いてアクティブ層を形成するアクティブ層形成段階と、
前記アクティブ層に電気的に連結される有機電界発光素子を形成するピクセル段階とを含み、
前記アクティブ層形成段階またはピクセル段階は、RGB画素を区分することができる区分パターンを形成する区分パターン形成段階とを含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記アクティブ層形成段階は、半導体層形成段階及びキャパシタ下部電極形成段階とを含むことを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記キャパシタ下部電極形成段階は、前記区分パターン形成段階を含むことを特徴とする請求項14に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記キャパシタ下部電極形成段階は、前記キャパシタの平面形態を矩形に形成し、RGB画素別に前記矩形の少なくとも一辺のお互いに異なる位置に前記区分パターンが形成される段階を含むことを特徴とする請求項15に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記キャパシタ下部電極形成段階は、前記キャパシタの平面形態を矩形に形成し、RGB画素別に前記矩形のお互いに異なる辺に前記区分パターンが形成される段階を含むことを特徴とする請求項15に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記区分パターン形成段階は、前記区分パターンが三角形、四角形、五角形及び半円形の中から選択されたいずれか1つまたはこれらの組合からなる形態に形成される段階を含むことを特徴とする請求項15に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記区分パターン形成段階は、前記区分パターンがRGB画素別にそれぞれ異なる形態に形成される段階を含む請求項18に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記ピクセル段階は、前記有機電界発光素子のアノード電極を形成するアノード電極形成段階を含むことを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記アノード電極形成段階は、前記アノード電極の平面形態を矩形に形成し、RGB画素別に前記矩形の少なくとも一辺のお互いに異なる位置に前記区分パターンが形成されるようにする請求項20に記載の段階を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記アノード電極形成段階は、前記アノード電極の平面形態を矩形に形成し、RGB画素別に前記矩形のお互いに異なる辺に前記区分パターンが形成される段階を含むことを特徴とする請求項20に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記区分パターン形成段階は、前記区分パターンが三角形、四角形、五角形及び半円形の中から選択されたいずれか1つまたはこれらの組合からなる形態に形成される段階を含むことを特徴とする請求項20に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記区分パターン形成段階は、前記区分パターンがRGB画素別にそれぞれ異なる形態に形成される段階を含むことを特徴とする請求項23に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
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