JP2007041603A5 - 超紫外線リソグラフィ用の反射デバイス、それを適用した超紫外線リソグラフィ用マスク、プロジェクション光学系及びリソグラフィ装置 - Google Patents

超紫外線リソグラフィ用の反射デバイス、それを適用した超紫外線リソグラフィ用マスク、プロジェクション光学系及びリソグラフィ装置 Download PDF

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Description

本発明は、超紫外線リソグラフィ(Extreme Ultraviolet Lithography:EUVL)に使われる反射デバイス及びその製造方法に係り、特にEUVを反射させるための反射層の内部ストレス(internal stress)を緩和できる反射デバイスその反射デバイスを適用したEUVL用マスク、プロジェクション光学系及びリソグラフィ装置に関する。
本発明の目的は、上述したような点に鑑みてなされたものであって、EUVを反射させるための多重反射層内の相互拡散層の形成を抑制して内部ストレスを低下できるEUVL用反射デバイスその反射デバイスを適用したEUVL用マスク、プロジェクション光学系及びリソグラフィ装置を提供するところにある。

Claims (8)

  1. 基板と、
    前記基板上に形成され、超紫外線(EUV)を反射させる材料からなる多重反射層と、を備え、
    前記多重反射層は、
    第1物質層と、前記第1物質層を表面処理した表面処理膜と、前記表面処理膜上に形成された第2物質層と、を備える層グループが複数個積層されて形成されたことを特徴とする反射デバイス。
  2. 前記第1物質層は、シリコン層であり、前記第2物質層は、モリブデン層であることを特徴とする請求項1に記載の反射デバイス。
  3. 前記表面処理膜は、前記第1物質層に酸素またはアルゴンのイオンビームで表面処理した膜であることを特徴とする請求項1または2に記載の反射デバイス。
  4. 前記第1及び第2物質層は、スパッタリングにより形成されることを特徴とする請求項3に記載の反射デバイス。
  5. 前記基板は、シリコンまたは石英基板であることを特徴とする請求項1に記載の反射デバイス。
  6. 請求項1ないし5のうちいずれか一項に記載の反射デバイスと、
    前記反射デバイスの多重反射層上に形成された吸収体パターンと、を備えることを特徴とするEUVL用マスク。
  7. 複数の反射ミラーを備え、
    前記複数の反射ミラーのうち少なくともいずれか一つとして請求項1ないし5のうちいずれか一項に記載の反射デバイスを備えることを特徴とするEUVL用のプロジェクション光学系。
  8. マスクのパターン情報を有するビームをプロジェクション光学系によりウェーハに照射するリソグラフィ装置において、
    前記プロジェクション光学系は、請求項7に記載のプロジェクション光学系を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
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