JP2007035939A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】浮遊ゲート上端部近傍での電荷抜けを防止する。
【解決手段】半導体基板12に素子分離構造部13を形成し、素子分離ゲート酸化膜を成膜し、浮遊ゲート膜を成膜し、スペーサ酸化膜を成膜し、スペーサ酸化膜上に耐エッチングマスクパターン20を形成し、耐エッチングマスクパターンをマスクとして用いる等方性エッチングを行って、前記耐エッチングマスクパターンの端縁部20cから耐エッチングマスクパターンの下面20bまで至る、耐エッチングマスクパターンから露出する領域より広い領域のスペーサ酸化膜を除去してスペーサ酸化膜パターン18を形成し、耐エッチングマスクパターンをマスクとして用いる異方性エッチングを行い、浮遊ゲート膜を耐エッチングマスクパターンの輪郭に沿って除去して、上端部16dに、露出端面16cに対して鈍角をなす上端面部16eを有する浮遊ゲート16を形成する。
【選択図】図3
【解決手段】半導体基板12に素子分離構造部13を形成し、素子分離ゲート酸化膜を成膜し、浮遊ゲート膜を成膜し、スペーサ酸化膜を成膜し、スペーサ酸化膜上に耐エッチングマスクパターン20を形成し、耐エッチングマスクパターンをマスクとして用いる等方性エッチングを行って、前記耐エッチングマスクパターンの端縁部20cから耐エッチングマスクパターンの下面20bまで至る、耐エッチングマスクパターンから露出する領域より広い領域のスペーサ酸化膜を除去してスペーサ酸化膜パターン18を形成し、耐エッチングマスクパターンをマスクとして用いる異方性エッチングを行い、浮遊ゲート膜を耐エッチングマスクパターンの輪郭に沿って除去して、上端部16dに、露出端面16cに対して鈍角をなす上端面部16eを有する浮遊ゲート16を形成する。
【選択図】図3
Description
この発明は半導体装置の製造方法、特に浮遊ゲート(フローティングゲート)を具える不揮発性半導体記憶装置の製造方法に関する。
不揮発性半導体記憶装置の製造方法における浮遊ゲートのパターニング工程には、いわゆる異方性エッチングが適用されるのが一般的である。
異方性エッチングにより形成された浮遊ゲートは、エッチングにより形成される露出面と浮遊ゲートの上面とが画成する上端部(エッジ部)が鋭角になる傾向がある。
このように上端部が鋭角状に形成されてしまうと、この上端部を覆うように形成されるゲート酸化膜に、薄厚部分(Thinning)が生じる。特に上端部の頂角近傍では顕著に薄厚となってしまう。装置の動作時において、このゲート酸化膜の薄厚部分にストレスがかかり、浮遊ゲートとこの浮遊ゲート上に形成される制御ゲートとの間でワード線の耐圧が劣化してしまう。このような耐圧の劣化により、浮遊ゲートの上端部近傍において電荷抜けが発生してしまい、装置の電気的特性が悪化してしまう。
このような電荷抜け、すなわち浮遊ゲートのエッジ部での電子のトラップを防止することを目的として、異方性エッチングにより浮遊ゲートを形成した後にさらに等方性のエッチングを行って、エッジ部にラウンドを付ける不揮発性半導体記憶装置の製造方法が知られている(特許文献1参照。)。
特許第02637149号公報
しかしながら、特許文献1が開示する不揮発性半導体記憶装置の製造工程によれば、エッジ部にラウンドを付ける工程における等方性のエッチングは、浮遊ゲート全体に対して行われる。従って、浮遊ゲート全体、特に上面がエッチングされてしまうため、浮遊ゲートの容量が所期の容量よりも減少してしまうおそれがある。結果として、データ書き込み及びデータ読み出し特性に悪影響を与えるおそれがある。
従って、浮遊ゲートの所期の容量を変化させることなく、浮遊ゲートの上端部近傍における電荷抜けの発生を防止することにより、電気的特性の劣化がない不揮発性半導体記憶装置を提供するための技術が嘱望されている。
この発明は、上記課題に鑑みてなされたものである。上述した課題を解決するにあたり、この発明の半導体装置の製造方法は、以下のような工程を含んでいる。
すなわち、上面及び上面と対向する下面を有する半導体基板に、複数の素子形成領域、複数の素子形成領域同士を互いに離間する素子分離構造部形成領域及び浮遊ゲート形成領域を設定する。
この素子分離構造部形成領域に素子分離構造部を形成する。
次に、基板の上面及び素子分離構造部を覆うゲート酸化膜を成膜する。
このゲート酸化膜上に、浮遊ゲート膜を成膜する。
この浮遊ゲート膜上に、スペーサ酸化膜を成膜する。
このスペーサ酸化膜上に、浮遊ゲート形成領域を覆う耐エッチングマスクパターンを形成する。
この耐エッチングマスクパターンをマスクとして用いる等方性エッチングを行って、耐エッチングマスクパターンの端縁部から耐エッチングマスクパターンの下側まで至る、耐エッチングマスクパターンから露出する領域より広い領域のスペーサ酸化膜を除去して、浮遊ゲート形成領域内に端縁露出部を有するスペーサ酸化膜パターンを形成する。
耐エッチングマスクパターンをマスクとして用いる異方性エッチングを行って、浮遊ゲート膜を耐エッチングマスクパターンの輪郭に沿って除去して、露出端面を形成し、露出端面及び残存した浮遊ゲート膜の表面が画成する上端部に、露出端面に対して鈍角をなして表面及び露出端面を接続する上端面部を有する浮遊ゲートを形成する。
耐エッチングマスクパターン及びスペーサ酸化膜パターンを除去する。
浮遊ゲートを覆っており、上端面部上に位置する傾斜面部を有する第2ゲート酸化膜を形成する。
この発明の半導体装置の製造方法によれば、浮遊ゲート膜上にスペーサ酸化膜を形成しておき、等方性エッチングを行って浮遊ゲート形成領域内に端縁部を有するスペーサ酸化膜パターンを形成し、耐エッチングマスクパターンをマスクとして用いて異方性エッチングを行うので、上端部に上端面部を有する浮遊ゲートを形成することができる。結果として、浮遊ゲートを覆うゲート絶縁膜の膜厚を、全域でほぼ均一な膜厚とすることができる。従って、浮遊ゲートの所期の容量に影響を与えることなく、浮遊ゲートの上端部近傍における電荷抜けの発生を防止することにより、電気的特性の劣化がない不揮発性半導体記憶装置を効率的に製造することができる。
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態につき説明する。なお、図面には、この発明が理解できる程度に各構成成分の形状、大きさ及び配置関係が概略的に示されているに過ぎず、従って、この発明は、特に図示例にのみ限定されるものではない。
また、以下の説明において、特定の材料、条件及び数値条件等を用いることがあるが、これらは好適例の1つに過ぎず、従って、この発明は、何らこれら好適例に限定されるものではない。
さらに、説明に用いる各図において、同様の構成成分については、同一の符号を付して示し、その重複する説明を省略する場合もあることを理解されたい。
(半導体装置の製造方法)
図1、図2、図3及び図4を参照して、この発明の半導体装置の具体的な製造工程につき説明する。
図1、図2、図3及び図4を参照して、この発明の半導体装置の具体的な製造工程につき説明する。
図1(A)、(B)及び(C)は製造途中の半導体装置の切り口を示す要部概略図である。
図2(A)及び(B)は図1(C)から続く製造工程の説明図であり、図2(C)は図2(B)の領域aを拡大して示す部分拡大図である。
図3(A)、(B)及び(C)は図2(C)から続く製造工程の説明図であり、図3(B)は図3(A)の領域bを拡大して示す部分拡大図である。
図4(A)及び(B)は、図3(C)から続く説明図であって、(A)図は上方から見た平面図であり、(B)図は(A)図のI−I’一点鎖線で切断した切り口を示す模式図である。
図1(A)に示すように、半導体基板12を準備する。半導体基板12は、上面12aとこの上面12aと対向する下面12bとを有している。半導体基板12には、目的とする半導体装置の設計に従って、複数の素子形成領域1、これらを互いに分離する素子分離構造部形成領域2、及び浮遊ゲート形成領域3を設定する。
次に、素子形成領域1に、常法に従って、イオン注入工程を行い図示しないイオン注入領域(ウェル領域)、すなわち素子を形成する。
次いで、図1(B)に示すように、素子分離構造部形成領域2に素子分離構造部13をLOCOS法といった従来公知の方法により形成する。
図1(C)に示すように、半導体基板12の上面12a上及び素子分離構造部13の表面13a上に、常法に従って、絶縁性のゲート酸化膜14Xを形成する。ゲート酸化膜14Xは10nm程度の膜厚で形成するのがよい。
さらに、ゲート酸化膜14X上全面に、例えばリン(P)がドープされた浮遊ゲート膜16Xを成膜する。この成膜工程は、好ましくは従来公知の任意好適な方法に従って、例えばCVD法により多結晶シリコン膜を堆積した後にリンをドープしてもよいし、成膜と同時にリンのドープを行う工程としてもよい。浮遊ゲート膜16Xの膜厚は、好ましくは50nm程度とすればよい。
次いで、図2(A)に示すように、浮遊ゲート膜16X上全面にスペーサ酸化膜18Xを成膜する。スペーサ酸化膜18Xとしては、シリコン酸化膜を従来公知の任意好適な方法に従って、例えばCVD法により成膜すればよい。また、スペーサ酸化膜18Xとしては、従来公知の反射防止膜(BARC;Bottom Anti-Reflective Coating)を適用することもできる。このスペーサ酸化膜18Xの膜厚は、好ましくは40nm程度とすればよい。
さらに、耐エッチング膜20Xを、スペーサ酸化膜18X上全面に形成する。この耐エッチング膜20Xは、例えば、従来公知のレジスト材料を用いて任意好適な方法で形成すればよい。
図2(B)に示すように、耐エッチング膜20Xを、従来公知の任意好適な方法に従うホトリソグラフィ工程及びエッチング工程によりパターニングして、浮遊ゲート形成領域3上を覆う耐エッチングマスクパターン20を形成する。この耐エッチング膜20Xのパターニングにより残存した耐エッチング膜部分が耐エッチングマスクパターン20を形成していて、残存耐エッチング膜の間に開口21が形成される。
次に、耐エッチングマスクパターン20をマスクとして用いて、耐エッチングマスクパターン20から露出するスペーサ酸化膜18Xの部分を除去する。このスペーサ酸化膜18Xの除去工程は、いわゆる等方性エッチングにより行われる。この等方性エッチングにより開口21に露出したスペーサ酸化膜18Xの部分に、この開口21に連通した開口23がさらに形成されて1つの開口25となっている。
この等方性エッチングは、具体的にはエッチャント(反応ガス)としてCF4ガス及びO2ガスの混合ガスを任意好適な混合比(流量比)として用い、周波数を2.45GHz(ギガヘルツ)としたマイクロ波放電条件下でプラズマエッチングを行うのがよい。また、次工程の浮遊ゲート膜16Xのパターニング工程との連続性を考慮して、この等方性エッチング工程を、例えば圧力を26.66Pa(パスカル)(200mTorrに相当する。)以上とし、周波数を13.56MHz(メガヘルツ)として行われるいわゆるRIE(反応性イオンエッチング)放電条件下で行うこともできる。
図2(C)に示すように、この等方性エッチングにより、スペーサ酸化膜18Xは、浮遊ゲート形成領域3内の領域、すなわち耐エッチングマスクパターン20の端縁部20cから耐エッチングマスクパターン20の下側まで至る、耐エッチングマスクパターンから露出する領域より広い領域まで除去される。すなわちスペーサ酸化膜の開口23は、耐エッチングマスクパターン20の下面20bの一部分にまでわたって、端縁部20cに沿って一定範囲が露出するように広がって形成される。結果としてスペーサ酸化膜パターン18の端縁露出部(端面)18aは浮遊ゲート形成領域3内、すなわち浮遊ゲート形成領域3の境界に位置する耐エッチングマスクパターン20の端縁部(端面)20cよりも外側、すなわち領域3内のより奥側に位置することになる。よって、スペーサ酸化膜18は、耐エッチングマスクパターン20を上面20a側から見たときの平面サイズよりも広い範囲で、浮遊ゲート膜16Xの表面を露出させる。
この工程により、耐エッチングマスクパターン20の下面20b、端縁露出部18a及び浮遊ゲート膜16Xの表面16Xaとが画成する第1窪み部22が開口23の一部分の領域として形成される。この第1窪み部22の大きさ、すなわち耐エッチングマスクパターン20の端縁部20cに対して垂直方向に外側に向かう方向の深さ(後退距離)は、以後の工程、半導体装置の所期の設計スペックに応じて任意好適なものとすることができるが、好ましくは40nm以上となるようにするのがよい。
この深さは、エッチング処理条件、すなわちエッチング時間、圧力、ガス分圧を調整することにより、任意所望の深さとすることができる。
引き続き、図3(A)に示すように、耐エッチングマスクパターン20をマスクとして用いて、浮遊ゲート膜16Xを、従来公知の任意好適な方法に従って異方性エッチングによりパターニングする。このパターニングにより浮遊ゲート膜16Xには、上述した開口25に連通する開口27が形成される。この異方性エッチングは、浮遊ゲート膜16Xを構成する材料に応じた従来公知の任意好適なエッチング条件とすることができる。浮遊ゲート膜16Xが、上述したようなリンがドープされた多結晶シリコン膜である場合には、この異方性エッチングを、好ましくは例えばHBr及びCl2ガスを主たる反応ガスとする任意好適な混合比とする混合ガスを用い、圧力13.33パスカル(100mTorrに相当する。)、電力200ワット(W)程度の高周波プラズマ放電条件下で行うのがよい。
従って、浮遊ゲート膜16Xは、この異方性エッチングにより、耐エッチングマスクパターン20の端縁部20cに沿った、すなわち、上面20a側から見たときの耐エッチングマスクパターン20のサイズと同等のサイズのパターンとしてパターニングされる。
また、露出するゲート酸化膜14Xは、引き続き従来公知の任意好適な条件で行われるいわゆる酸化前洗浄工程、例えばフッ酸(HF)を用いるウェットプロセスによりパターニング(除去)されてゲート酸化膜パターン14となる。このパターニングにより、ゲート酸化膜14Xには、開口27に連通した開口29が形成される。
すなわち、ゲート酸化膜14X及び浮遊ゲート膜16Xは、半導体基板12の上面12aに対して垂直方向に延在する露出面14a及び露出端面16cが形成されるようゲート酸化膜パターン14及び浮遊ゲート16としてパターニングされる。
結果として、ゲート酸化膜パターン14及び浮遊ゲート16は上面側から見たときの輪郭が同一形状となる。また、ゲート酸化膜パターン14及び浮遊ゲート16は、2つの露出端面16cが素子分離構造部13上で互いに対向して、浮遊ゲート形成領域3に延在する帯状の形状を有するようにパターニングされることとなる(図4(A)参照。)。この帯状の形状の平面形状は、図示例のように屈曲していてもよいし、又は直線状であってもよい。
図3(B)に示すように、浮遊ゲート膜16Xをパターニングするための異方性エッチングにより、浮遊ゲート16の露出端面16cと表面16aにより画成されて鋭角に突出する上端部16dは削り取られて、新たに上端面部16eが形成される。上端面部16eは図示例では平面(直線)状に示したがこれに限定されるものではなく、曲面状に形成される場合もある。この上端面部16eは、好ましくは露出端面16cに対して鈍角をなして表面16a及び露出端面16cを接続するよう形成するのがよい。
この上端面部16eは、上端部16dがエッチング工程時のプラズマに接触することにより形成される。従って、上端面部16eは、浮遊ゲート16をパターニングするための異方性エッチング工程により、同時に形成することができる。
この工程により、耐エッチングマスクパターン20の下面20b、端縁露出部18a及び浮遊ゲート16の上端面部16eとが画成する第2窪み部24が形成される。
この異方性エッチングにより形成される上端面部16eの面積をより大きくするために、引き続き、第2の等方性エッチング工程を行ってもよい。この第2の等方性エッチング工程は、例えば、CF4、O2及びHeを反応ガスとした混合ガスを用いる従来公知の任意好適な条件で実施することができる。
このようにすれば、上端面部16eの面積をより広げることができるので、ゲート酸化膜の薄膜部分の発生をより効果的に防止し、半導体装置の電気的特性の劣化を防止することができる。
次に、従来公知の任意好適な条件で、耐エッチングマスクパターン20及び残存しているスペーサ酸化膜パターン18を除去する。これにより、開口27及び29が1つの開口31として残存する。
次いで、図3(C)に示すように、露出面全面、すなわち、開口31の内壁面(表面13a、露出面14a、露出端面16c及び上端面部16eを含む。)と、浮遊ゲート16の表面16aの全面に、第2ゲート酸化膜28を成膜する。この第2ゲート酸化膜28は、浮遊ゲート16の上端面部16eに沿って画成される傾斜面部28aを有することとなる。結果として、第2ゲート酸化膜28の膜厚を、全域でほぼ均一な膜厚とすることができる。
第2ゲート酸化膜28の膜厚は8nm程度として形成すればよい。第2ゲート酸化膜28は、従来公知の常法に従う熱酸化膜の形成方法により形成することができる。
さらに図4(A)及び(B)に示すように、第2ゲート酸化膜28上に、従来公知の任意好適な方法に従って、制御ゲート36を形成する。制御ゲート36は、従来公知の構成とすることができる。
この例では、制御ゲート36は、第2ゲート酸化膜28上に設けられる第1制御ゲート膜32及びこの第1制御ゲート膜32上に設けられている第2制御ゲート膜34の2層からなる。これらの膜を順次に露出面全面に形成する。
第1制御ゲート膜32は、既に説明した浮遊ゲート膜16Xと同様に形成することができる。すなわち、第1制御ゲート膜32は、リンがドープされた多結晶シリコン膜とするのがよい。
第2制御ゲート膜34は、従来公知の任意好適な成膜方法により形成されるタングステンシリサイド膜とするのがよい。
これら第1及び第2制御ゲート膜32及び34を、従来公知の任意好適なパターニング工程によりパターニングし、露出する第2ゲート酸化膜28及び浮遊ゲート16を除去して制御ゲート36、すなわちいわゆるセルゲート構造を形成する。
この発明の製造方法は、例えばP2ROM(登録商標)に適用して好適であるが、これに限定されない。
1:素子形成領域
2:素子分離構造部形成領域
3:浮遊ゲート形成領域
12:半導体基板
12a:上面
12b:下面
13:素子分離構造部
13a、16Xa、16a:表面
14:ゲート酸化膜パターン
14a:露出面
14X:ゲート酸化膜
16:浮遊ゲート
16X:浮遊ゲート膜
16b:下面
16c:露出端面
16d:上端部
16e:上端面部
18:スペーサ酸化膜パターン
18a:端縁露出部
18X:スペーサ酸化膜
20:耐エッチングマスクパターン
20a:上面
20b:下面
20c:端縁部(端面)
20X:耐エッチング膜
21、23、25、27、29、31:開口
22:第1窪み部
24:第2窪み部
28:第2ゲート酸化膜
28a:傾斜面部
32:第1制御ゲート膜
34:第2制御ゲート膜
36:セルゲート構造(制御ゲート)
2:素子分離構造部形成領域
3:浮遊ゲート形成領域
12:半導体基板
12a:上面
12b:下面
13:素子分離構造部
13a、16Xa、16a:表面
14:ゲート酸化膜パターン
14a:露出面
14X:ゲート酸化膜
16:浮遊ゲート
16X:浮遊ゲート膜
16b:下面
16c:露出端面
16d:上端部
16e:上端面部
18:スペーサ酸化膜パターン
18a:端縁露出部
18X:スペーサ酸化膜
20:耐エッチングマスクパターン
20a:上面
20b:下面
20c:端縁部(端面)
20X:耐エッチング膜
21、23、25、27、29、31:開口
22:第1窪み部
24:第2窪み部
28:第2ゲート酸化膜
28a:傾斜面部
32:第1制御ゲート膜
34:第2制御ゲート膜
36:セルゲート構造(制御ゲート)
Claims (2)
- 上面及び当該上面と対向する下面を有する半導体基板に、複数の素子形成領域、複数の当該素子形成領域同士を互いに離間する素子分離構造部形成領域及び浮遊ゲート形成領域を設定する工程と、
前記素子分離構造部形成領域に素子分離構造部を形成する工程と、
前記基板の前記上面及び前記素子分離構造部を覆うゲート酸化膜を成膜する工程と、
前記ゲート酸化膜上に、浮遊ゲート膜を成膜する工程と、
前記浮遊ゲート膜上に、スペーサ酸化膜を成膜する工程と、
前記スペーサ酸化膜上に、前記浮遊ゲート形成領域を覆う耐エッチングマスクパターンを形成する工程と、
前記耐エッチングマスクパターンをマスクとして用いる等方性エッチングを行って、前記耐エッチングマスクパターンの端縁部から前記耐エッチングマスクパターンの下側まで至る、該耐エッチングマスクパターンから露出する領域より広い領域の前記スペーサ酸化膜を除去して、前記浮遊ゲート形成領域内に端縁露出部を有するスペーサ酸化膜パターンを形成する工程と、
前記耐エッチングマスクパターンをマスクとして用いる異方性エッチングを行って、前記浮遊ゲート膜を前記耐エッチングマスクパターンの輪郭に沿って除去して、露出端面を形成し、当該露出端面及び残存した前記浮遊ゲート膜の表面が画成する上端部に、前記露出端面に対して鈍角をなして前記表面及び前記露出端面を接続する上端面部を有する浮遊ゲートを形成する工程と、
前記耐エッチングマスクパターン及び前記スペーサ酸化膜パターンを除去する工程と、
前記浮遊ゲートを覆っており、前記上端面部上に位置する傾斜面部を有する第2ゲート酸化膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記浮遊ゲートを形成する工程の後であって前記耐エッチングマスクパターンを除去する工程の前に、
前記上端面部の面積をより大きくする第2の等方性エッチング工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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