JP2007019340A - Substrate processor - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve or attain improvement of throughput or tact in adhesion processing, reduction of HMDS consumption, simplification of a device configuration, cost-reduction, and elimination of particles. <P>SOLUTION: In a substrate processor, a thermal processor 26 is composed so that a flat-flowing conveyance path 32 is installed in the horizontal direction (an X-direction) parallel to a process line (A); and a dehydration bake unit (DHP) 38, an adhesion unit (AD) 40, and a cooling unit (COL) 42 are provided along the conveyance path 32 in turn from the upstream side. The adhesion unit (AD) 40 has a long-length HMDS nozzle 98 installed near the unit inlet, an upper cover 100 extended from the position near the lower end of the nozzle 98 to the position near the unit outlet apart at a prescribed gap from a substrate G on the conveyance path 32, and a lower cover 102 extended under the conveyance path 32 oppositely to the HMDS nozzle 98 and upper cover 100. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、フォトリソグラフィにおいてレジストの密着性を強化するために被処理基板にアドヒージョン処理を施す基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs an adhesion process on a substrate to be processed in order to enhance the adhesion of a resist in photolithography.

ＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）製造や半導体デバイス製造のフォトリソグラフィでは、被処理基板（ガラス基板、半導体ウエハ等）に対するレジスト膜の密着性を良くするために、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラン）により基板の被処理面を疎水化するアドヒージョン処理技術が用いられている。通常、アドヒージョン処理は、基板を洗浄した後にレジスト塗布に先立って行われる。   In photolithography for FPD (flat panel display) manufacturing and semiconductor device manufacturing, HMDS (hexamethyldisilane) is used to improve the adhesion of the resist film to the substrate to be processed (glass substrate, semiconductor wafer, etc.). Adhesion processing technology that makes the surface to be processed hydrophobic is used. Usually, the adhesion process is performed prior to resist application after the substrate is cleaned.

従来のアドヒージョン処理装置は、たとえば特許文献１に示されるように、いわゆるホットプレートオーブンの構成を採っており、熱板の上に基板を載置して、上から蓋を被せてチャンバを形成し、チャンバ内に蒸気状のＨＭＤＳを引き込んで基板の表面にＨＭＤＳを塗布するようにしている。この種の処理装置は、外部の搬送ロボットと基板の受け渡しを行うために熱板の貫通孔から複数本のリフトピンを出没させて基板を上げ下げするリフトピン機構や、蓋を熱板の上に被せたり上方へ開けたりする蓋開閉機構を備えている。あるいは、上蓋を固定して一側壁に基板の搬入出口を設けるタイプのものは、該基板搬入出口を開閉するためのゲート機構を備えている。
特開平１０−１３５３０７（図６およびその説明文） A conventional adhesion processing apparatus has a so-called hot plate oven configuration as disclosed in, for example, Patent Document 1, and a substrate is placed on a hot plate and a chamber is formed by covering the lid from above. The vapor HMDS is drawn into the chamber to apply the HMDS to the surface of the substrate. This type of processing equipment includes a lift pin mechanism that lifts and lowers a substrate by moving up and down a plurality of lift pins from a through hole of a hot plate to transfer the substrate to and from an external transfer robot, and a lid is placed on the hot plate. A lid opening / closing mechanism that opens upward is provided. Alternatively, the type in which the upper lid is fixed and the substrate loading / unloading port is provided on one side wall includes a gate mechanism for opening and closing the substrate loading / unloading port.
JP-A-10-135307 (FIG. 6 and its explanatory text)

しかしながら、従来のアドヒージョン処理装置においては、基板の搬入出に費やす時間が多く、スループットが低いという問題がある。すなわち、枚葉方式で１回のアドヒージョン処理を終えると、蓋開閉機構またはゲート機構が蓋またはゲートを開放する一方で、リフトピン機構がリフトピンを上昇させて基板を熱板の上方へ持ち上げる。直後に、外部の搬送ロボットが、当該処理済みの基板をリフトピンから受け取って、代わりに新規の未処理基板をリフトピンに渡す。この新規の基板がリフトピンに載った直後にリフトピン機構がリフトピンを降ろして基板を熱板の上に移載し、搬送ロボットが退避した後に蓋開閉機構またはゲート機構が蓋またはゲートを閉める。この一連の基板搬出／搬入動作に相当（たとえば数十秒程度）の時間を要している。さらに、蓋またはゲートを開けた際にチャンバ内の雰囲気が変わるとともに熱板の温度が下がり、蓋またはゲートを閉めてからチャンバ内の雰囲気や熱板の温度が基準状態または基準値まで回復するのにも相当（たとえば１０秒程度）の時間がかかる。したがって、装置一台のタクトタイムがたとえば６０秒であるとすると、その約半分（３０秒前後）を上記のような基板搬入出や雰囲気等の回復に費やしているのが現状である。このため、システム全体のタクトタイムが装置一台のタクトタイムよりも短い場合は、複数台のアドヒージョン処理装置を一定の時間差で並列稼動させている。その場合、ＨＭＤＳ供給系もアドヒージョン処理装置の台数に応じて複数台必要になる。   However, the conventional adhesion processing apparatus has a problem that it takes a lot of time to carry in and out the substrate and the throughput is low. That is, when one adhesion process is completed by the single wafer method, the lid opening / closing mechanism or the gate mechanism opens the lid or the gate, while the lift pin mechanism raises the lift pin to lift the substrate above the hot plate. Immediately thereafter, an external transfer robot receives the processed substrate from the lift pin and passes a new unprocessed substrate to the lift pin instead. Immediately after the new substrate is placed on the lift pins, the lift pin mechanism lowers the lift pins to transfer the substrate onto the hot plate, and the lid opening / closing mechanism or gate mechanism closes the lid or gate after the transfer robot is retracted. This series of substrate carry-out / carry-in operations requires a considerable time (for example, about several tens of seconds). Furthermore, when the lid or gate is opened, the atmosphere in the chamber changes and the temperature of the hot plate decreases, and after the lid or gate is closed, the temperature of the atmosphere and hot plate in the chamber recovers to the reference state or reference value. It takes a considerable time (for example, about 10 seconds). Accordingly, assuming that the tact time of one apparatus is 60 seconds, for example, about half (around 30 seconds) is spent on loading / unloading the substrate and restoring the atmosphere as described above. For this reason, when the tact time of the entire system is shorter than the tact time of one device, a plurality of adhesion processing devices are operated in parallel at a constant time difference. In that case, a plurality of HMDS supply systems are required depending on the number of adhesion processing apparatuses.

また、ホットプレートオーブンは、基板上面（被処理面）の全体にＨＭＤＳを均等に塗布するのが難しく、塗布効率の最も低い部位（たとえば基板エッジ部）によって処理時間が律則される。このためＨＭＤＳの使用効率が低く、ＨＭＤＳ消費量に無駄が多かった。   Further, in the hot plate oven, it is difficult to uniformly apply HMDS to the entire upper surface (surface to be processed) of the substrate, and the processing time is regulated by a portion (for example, a substrate edge portion) having the lowest application efficiency. For this reason, the usage efficiency of HMDS was low, and there was a lot of waste in HMDS consumption.

加えて、リフトピン機構や蓋開閉機構またはゲート機構等の機械駆動系から不可避的にパーティクルが発生する。アドヒージョン処理を受ける基板は洗浄処理を受けた後であり、ここでパーティクルが付着すれば後工程のレジスト塗布や最終結果のレジストパターンないし回路パターンに不良を来たす可能性は大である。   In addition, particles are inevitably generated from a mechanical drive system such as a lift pin mechanism, a lid opening / closing mechanism, or a gate mechanism. The substrate subjected to the adhesion process is after being subjected to the cleaning process, and if the particles adhere here, there is a great possibility that the resist coating in the subsequent process or the final resist pattern or circuit pattern will be defective.

本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、アドヒージョン処理においてスループットないしタクトの向上、ＨＭＤＳ消費量の節減、装置構成の簡易化・低コスト化およびパーティクルの解消を実現ないし達成できる基板処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and is improved in throughput or tact in the adhesion process, reduced HMDS consumption, simplified apparatus configuration / cost reduction, and particle generation. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus that can realize or achieve the elimination.

上記の目的を達成するために、本発明の基板処理装置は、被処理基板を仰向けの姿勢で搬送するための搬送体を水平な所定の搬送方向に敷設してなる搬送路と、前記搬送路上で前記基板を搬送するために前記搬送体を駆動する搬送駆動部と、前記搬送路上を移動する前記基板の被処理面に向けて第１の区間内でＨＭＤＳガスを吹き付けるアドヒージョン処理部とを有する。   In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus of the present invention includes a transport path in which a transport body for transporting a substrate to be processed in a supine posture is laid in a predetermined horizontal transport direction, and on the transport path. A transport driving unit that drives the transport body to transport the substrate, and an adhesion processing unit that blows HMDS gas in a first section toward the processing surface of the substrate that moves on the transport path. .

上記の構成においては、基板が搬送路上の第１の区間を通る間に、アドヒージョン処理部により仰向け姿勢の基板の被処理面（上面）にＨＭＤＳガスが吹きかけられ、第１の区間を抜け出た基板はＨＭＤＳで疎水化された状態となる。搬送ロボットやゲート機構等を必要としない装置構成で搬送中にアドヒージョン処理を実行するので、スループットやタクトの向上が容易であり、パーティクルの発生を回避することができる。また、第１の区間の一箇所（たとえば上流端付近）で基板にＨＭＤＳガスを吹き付ければ基板の移動によってＨＭＤＳが無駄のない塗布走査で基板被処理面の全体に供給されるので、ＨＭＤＳガスの使用効率を向上させることもできる。   In the above configuration, while the substrate passes through the first section on the transport path, the HMDS gas is blown onto the surface to be processed (upper surface) of the substrate in the supine posture by the adhesion processing unit, and the substrate exits the first section. Becomes hydrophobic with HMDS. Since the adhesion process is executed during transfer with an apparatus configuration that does not require a transfer robot, a gate mechanism, etc., throughput and tact can be easily improved, and generation of particles can be avoided. In addition, if HMDS gas is sprayed onto the substrate at one location (for example, near the upstream end) in the first section, HMDS is supplied to the entire surface of the substrate to be processed by the application scanning without waste due to the movement of the substrate. It is also possible to improve the efficiency of use.

本発明の好適な一態様によれば、アドヒージョン処理部が、第１の区間の上流端付近にて搬送路の上方からＨＭＤＳガスを吹き下ろすＨＭＤＳノズルと、このＭＤＳノズルの下端部付近の位置から第１の区間の下流端付近の位置まで搬送路と所定（好ましくは１０ｍｍ以下）のギャップを隔てて延在する上部カバーとを有する。この場合、ＨＭＤＳノズルは、搬送路を横断する方向に延びる長尺型のノズルであるのが好ましく、ＨＭＤＳガスの噴き出しを均一な層流にするためのシャワー板を有する構成、あるいはスリット型または微細孔一列型の吐出口を有する構成も好ましい。また、上部カバーの下流側端部に第１の排気口が設けられ、第１の排気機構がこの第１の排気口を介して上部カバー内のガスを排出するのが好ましい。   According to a preferred aspect of the present invention, the adhesion processing unit includes an HMDS nozzle that blows down the HMDS gas from above the transport path near the upstream end of the first section, and a position near the lower end of the MDS nozzle. The conveyance path and an upper cover extending with a predetermined (preferably 10 mm or less) gap to a position near the downstream end of the first section. In this case, the HMDS nozzle is preferably a long nozzle that extends in a direction crossing the transport path, and has a configuration having a shower plate for making the HMDS gas jetted into a uniform laminar flow, or a slit type or a fine type. A configuration having a single-hole discharge port is also preferable. Moreover, it is preferable that a first exhaust port is provided at a downstream end portion of the upper cover, and the first exhaust mechanism discharges the gas in the upper cover through the first exhaust port.

かかる構成においては、基板がＨＭＤＳノズルを通り過ぎると、ＨＭＤＳノズルから吐出されたＨＭＤＳガスが上部カバーと基板との間のギャップ空間を下流側に（第１の排気口に向って）流れ、基板の上面（被処理面）の各部はＨＭＤＳノズルから第１の排気口までの移動区間（アドヒージョン処理区間）において始終ＨＭＤＳガスの雰囲気下に置かれる。このことにより、アドヒージョン処理の効率や品質を一層向上させることができる。しかも、ＨＭＤＳガスの雰囲気が可及的に狭くできるギャップ空間に形成されるため、ＨＭＤＳガスの使用量が一層少なくて済み、ＨＭＤＳガス消費量の大幅な節減を図れる。   In such a configuration, when the substrate passes through the HMDS nozzle, the HMDS gas discharged from the HMDS nozzle flows downstream (toward the first exhaust port) through the gap space between the upper cover and the substrate, Each part of the upper surface (surface to be processed) is placed in an atmosphere of HMDS gas throughout the moving section (adhesion processing section) from the HMDS nozzle to the first exhaust port. Thereby, the efficiency and quality of the adhesion process can be further improved. Moreover, since the HMDS gas atmosphere is formed in a gap space that can be made as narrow as possible, the amount of HMDS gas used can be further reduced, and HMDS gas consumption can be greatly reduced.

また、好適な一態様によれば、アドヒージョン処理部に、ＨＭＤＳノズルおよび／または上部カバーと向かい合って搬送路の下に延在する第２のカバーが設けられる。この場合、下部カバーに第２の排気口が設けられ、第２の排気機構がこの第２の排気口を介して上部カバー内のガスを排出するのが好ましい。また、上部カバーと下部カバーとが搬送路の両側で鉛直方向に延在する側壁によって接続されているのも好ましい。   According to a preferred aspect, the adhesion processing unit is provided with a second cover that faces the HMDS nozzle and / or the upper cover and extends below the conveyance path. In this case, it is preferable that the lower cover is provided with a second exhaust port, and the second exhaust mechanism discharges the gas in the upper cover through the second exhaust port. It is also preferable that the upper cover and the lower cover are connected by side walls extending in the vertical direction on both sides of the transport path.

かかる構成によれば、第１の区間またはアドヒージョン処理区間で基板の外へ流れ出たＨＭＤＳガスを下部カバー内に受け集めて安全かつ効率よく排出または回収することができる。   According to such a configuration, the HMDS gas that has flowed out of the substrate in the first section or the adhesion processing section can be collected and collected in the lower cover, and can be discharged or collected safely and efficiently.

また、好適な一態様によれば、アドヒージョン処理部に、第１の区間内で搬送路を移動する基板を下から加熱するためのヒータが設けられる。このヒータの加熱により搬送路上で移動しながらアドヒージョン処理を受ける基板の温度を安定確実に設定処理温度に保つことができる。   Further, according to a preferred aspect, the adhesion processing unit is provided with a heater for heating the substrate moving on the transport path in the first section from below. By heating the heater, the temperature of the substrate subjected to the adhesion process can be stably and reliably maintained at the set process temperature while moving on the transport path.

また、本発明の基板処理装置は、好適な一態様として、搬送方向において第１の区間の上流側隣に設定された第２の区間内で搬送路を移動する基板を第１の設定温度まで加熱する加熱部を有する。この場合、第１の設定温度をアドヒージョン処理用の設定温度に一致または近似させてもよい。また、加熱部の構成として、搬送路上の基板に向けて上方および下方の少なくとも一方から熱をほぼ均一に放射する放熱体を有するのが好ましく、第２の区間の上流端付近で搬送路上の基板に向けて所定温度の温風を噴射する温風ノズルを有するのも好ましい。搬送路に沿って放熱体を配置する構成においては、放熱体の放熱温度が、第２の区間の下流端付近では第１の設定温度に対応する第１の温度に選ばれ、第２の区間の上流端付近では第１の温度よりも高い第２の温度に選ばれるのが好ましい、このように搬送方向の位置に応じて加熱温度を段階的に下げながら所望の設定温度に到達させる加熱方式によれば、基板の温度を短い時間で室温から加熱処理温度までスムースに上昇させることができる。   In a preferred embodiment, the substrate processing apparatus of the present invention moves the substrate moving along the transport path in the second section set next to the upstream side of the first section in the transport direction to the first set temperature. It has a heating part to heat. In this case, the first set temperature may be matched or approximated to the set temperature for the adhesion process. Further, as a configuration of the heating unit, it is preferable to have a heat radiator that radiates heat almost uniformly from at least one of the upper side and the lower side toward the substrate on the conveyance path, and the substrate on the conveyance path near the upstream end of the second section. It is also preferable to have a hot air nozzle that injects hot air at a predetermined temperature toward the front. In the configuration in which the heat radiating body is arranged along the conveyance path, the heat radiating temperature of the heat radiating body is selected as the first temperature corresponding to the first set temperature near the downstream end of the second section, and the second section. It is preferable that the second temperature higher than the first temperature is selected in the vicinity of the upstream end of the heating method. Thus, the heating method for reaching the desired set temperature while gradually decreasing the heating temperature in accordance with the position in the transport direction. Accordingly, the temperature of the substrate can be smoothly increased from room temperature to the heat treatment temperature in a short time.

また、本発明の基板処理装置は、好適な一態様として、搬送方向において第１の区間の下流側隣に設定された第３の区間内で搬送路を移動する基板を第１の温度よりも低い第２の設定温度まで冷却する冷却部を有する。この場合、冷却部の構成として、搬送路上の基板に向けて上方および下方の少なくとも一方から冷却用のガス流を当てる１本または複数本の冷却ガスノズルを有するのが好ましい。さらに好ましくは、冷却ガスノズルの中で最も下流側に位置する冷却ガスノズルが、第２の設定温度に温調された冷却用ガス流を噴出してよい。かかる構成によれば、アドヒージョン処理の直後に基板が同じ搬送路上を移動している間に基板の温度を熱処理用の比較的高い温度から常温付近の基準温度に効率よく戻すことができる。   Moreover, the substrate processing apparatus of this invention is a preferable aspect WHEREIN: The board | substrate which moves a conveyance path within the 3rd area set next to the downstream of the 1st area in the conveyance direction is set to 1st temperature. A cooling unit for cooling to a low second set temperature is provided. In this case, as a configuration of the cooling unit, it is preferable to have one or a plurality of cooling gas nozzles for applying a cooling gas flow from at least one of the upper side and the lower side toward the substrate on the conveyance path. More preferably, the cooling gas nozzle located on the most downstream side among the cooling gas nozzles may eject a cooling gas flow whose temperature is adjusted to the second set temperature. According to such a configuration, the substrate temperature can be efficiently returned from a relatively high temperature for heat treatment to a reference temperature near room temperature while the substrate is moving on the same transport path immediately after the adhesion treatment.

なお、本発明において搬送路上でとる基板の仰向け姿勢は、基板の被処理面を上に向ける姿勢であり、水平姿勢だけでなく、任意の方向で傾斜する姿勢も含む。   In the present invention, the posture of the substrate facing up on the transport path is a posture in which the processing surface of the substrate faces upward, and includes not only a horizontal posture but also a posture inclined in an arbitrary direction.

本発明の基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、アドヒージョン処理のスループットないしタクトを改善できるとともに、ＨＭＤＳ消費量の節減や装置構成の簡易化・低コスト化も実現可能であり、さらにはパーティクルの問題も解消することができる。   According to the substrate processing apparatus of the present invention, the throughput and tact of the adhesion process can be improved by the above-described configuration and operation, and the HMDS consumption can be reduced and the apparatus configuration can be simplified and reduced in cost. Furthermore, the problem of particles can be solved.

図１に、本発明の基板処理装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ用のガラス基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィ工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。   FIG. 1 shows a coating and developing treatment system as one configuration example to which the substrate processing apparatus of the present invention can be applied. The coating and developing processing system 10 is installed in a clean room. For example, a glass substrate for LCD is used as a substrate to be processed, and a series of cleaning, resist coating, pre-baking, developing, post-baking, and the like in a photolithography process in the LCD manufacturing process. The process is performed. The exposure process is performed by an external exposure apparatus 12 installed adjacent to this system.

この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。   In the coating and developing system 10, a horizontally long process station (P / S) 16 is disposed at the center, and a cassette station (C / S) 14 and an interface station (I / F) are disposed at both ends in the longitudinal direction (X direction). ) 18.

カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平な一方向（Ｙ方向）に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。   The cassette station (C / S) 14 is a cassette loading / unloading port of the system 10, and arranges up to four cassettes C that can accommodate a plurality of substrates C in a horizontal direction (Y direction) by stacking substrates G in multiple stages. A cassette stage 20 that can be placed, and a transport mechanism 22 that takes in and out the substrate G to and from the cassette C on the stage 20 are provided. The transport mechanism 22 has a means for holding the substrate G, for example, a transport arm 22a, and can be operated with four axes of X, Y, Z, and θ, and the adjacent process station (P / S) 16 side and the substrate G Delivery is now possible.

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、水平なシステム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。   In the process station (P / S) 16, the processing units are arranged in the order of the process flow or the process on a pair of parallel and opposite lines A and B extending in the horizontal system longitudinal direction (X direction).

より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４、第１の熱的処理部２６、塗布プロセス部２８および第２の熱的処理部３０を一列に配置している。ここで、洗浄プロセス部２４は、第１の平流し搬送路３２に沿って上流側から順にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）３４およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６を設けている。第１の熱的処理部２６は、第１の平流し搬送路３２に沿って上流側から順に脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０および冷却ユニット（ＣＯＬ）４２を設けている。塗布プロセス部２８は、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４４および減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６を含み、第１の平流し搬送路３２とレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４４との間、両ユニット４４，４６の間、および減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６と後述する第２の平流し搬送路４８との間で基板ＧをプロセスラインＡの方向に転送するための搬送機構（図示せず）を備えている。第２の熱的処理部３０は、第２の平流し搬送路４８に沿って上流側から順にプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）５０および冷却ユニット（ＣＯＬ）５２を設けている。   More specifically, in the upstream process line A from the cassette station (C / S) 14 side to the interface station (I / F) 18 side, the cleaning process unit 24, the first thermal processing unit 26, the coating The process unit 28 and the second thermal processing unit 30 are arranged in a line. Here, the cleaning process unit 24 includes an excimer UV irradiation unit (e-UV) 34 and a scrubber cleaning unit (SCR) 36 in order from the upstream side along the first flat flow path 32. The first thermal processing unit 26 includes a dewatering bake unit (DHP) 38, an adhesion unit (AD) 40, and a cooling unit (COL) 42 in order from the upstream side along the first flat flow path 32. ing. The coating process unit 28 includes a resist coating unit (CT) 44 and a reduced pressure drying unit (VD) 46, and between the first flat flow path 32 and the resist coating unit (CT) 44, both units 44, 46 are connected. And a transport mechanism (not shown) for transferring the substrate G in the direction of the process line A between the vacuum drying unit (VD) 46 and a second flat flow transport path 48 described later. The second thermal processing unit 30 is provided with a pre-bake unit (PREBAKE) 50 and a cooling unit (COL) 52 in order from the upstream side along the second flat flow path 48.

一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、現像ユニット（ＤＥＶ）５４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）５６、ポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）５８、冷却ユニット６０および検査ユニット（ＡＰ）６２を一列に配置している。これらのユニット５４、５６，５８，６０，６２は第３の平流し搬送路６４に沿って上流側からこの順序で設けられている。なお、ポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）５８および冷却ユニット６０は第３の熱的処理部５９を構成する。   On the other hand, in the downstream process line B from the interface station (I / F) 18 side to the cassette station (C / S) 14 side, a development unit (DEV) 54 and an i-ray UV irradiation unit (i-UV) 56 are provided. The post bake unit (POBAKE) 58, the cooling unit 60, and the inspection unit (AP) 62 are arranged in a line. These units 54, 56, 58, 60, 62 are provided in this order from the upstream side along the third flat flow path 64. The post bake unit (POBAKE) 58 and the cooling unit 60 constitute a third thermal processing unit 59.

両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間６６が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル６８が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。   An auxiliary transfer space 66 is provided between the process lines A and B, and a shuttle 68 capable of placing the substrate G horizontally in units of one sheet is both in the process line direction (X direction) by a drive mechanism (not shown). You can move in the direction.

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、上記第２および第３の平流し搬送路４８，６４と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置７０と、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置７２とを有し、それらの周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦ）７４、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７６および周辺装置７８を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）７４には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７６は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、両搬送装置７０，７２の間で基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置７８は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。各搬送装置７０，７２は、基板Ｇを保持できる搬送アーム７０ａ，７２ａを有し、基板Ｇの受け渡しのために隣接する各部にアクセスできるようになっている。   The interface station (I / F) 18 exchanges the substrate G with the conveyance device 70 for exchanging the substrate G with the second and third flat flow conveyance paths 48 and 64. A buffer stage (BUF) 74, an extension cooling stage (EXT COL) 76, and a peripheral device 78 are arranged around them. A stationary buffer cassette (not shown) is placed on the buffer stage (BUF) 74. The extension / cooling stage (EXT / COL) 76 is a stage for transferring a substrate having a cooling function, and is used when the substrate G is exchanged between the transfer apparatuses 70 and 72. The peripheral device 78 may have a configuration in which, for example, a titler (TITLER) and a peripheral exposure device (EE) are stacked vertically. Each of the transfer devices 70 and 72 has transfer arms 70 a and 72 a that can hold the substrate G, and can access adjacent units for transferring the substrate G.

図２に、この塗布現像処理システムにおける１枚の基板Ｇに対する処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上のいずれか１つのカセットＣから基板Ｇを一枚取り出し、その取り出した基板Ｇをプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＡ側の搬入部つまり第１の平流し搬送路３２の始点に仰向けの姿勢（基板の被処理面を上にして）で搬入する（ステップＳ1）。   FIG. 2 shows a processing procedure for one substrate G in this coating and developing processing system. First, in the cassette station (C / S) 14, the transport mechanism 22 takes out one substrate G from one of the cassettes C on the stage 20, and removes the taken substrate G in the process station (P / S) 16. The process line A is carried into the carry-in portion on the process line A side, that is, the start point of the first flat flow conveyance path 32 in a supine posture (the surface to be processed of the substrate faces up) (step S1).

こうして、基板Ｇは、第１の平流し搬送路３２上を仰向けの姿勢でプロセスラインＡの下流側へ向けて搬送される。初段の洗浄プロセス部２４において、基板Ｇは、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）３４およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６により紫外線洗浄処理およびスクラビング洗浄処理を順次施される（ステップＳ2，Ｓ3）。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６では、平流し搬送路３２上を移動する基板Ｇに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６における一連の洗浄処理を終えると、基板Ｇはそのまま第１の平流し搬送路３２を下って第１の熱的処理部２６を通過する。   In this way, the substrate G is transported toward the downstream side of the process line A in the posture of lying on the first flat flow transport path 32. In the first-stage cleaning process section 24, the substrate G is sequentially subjected to an ultraviolet cleaning process and a scrubbing cleaning process by an excimer UV irradiation unit (e-UV) 34 and a scrubber cleaning unit (SCR) 36 (steps S2 and S3). In the scrubber cleaning unit (SCR) 36, the substrate G moving on the flat flow transport path 32 is subjected to brushing cleaning and blow cleaning to remove particulate dirt from the substrate surface, and then rinsed. Finally, the substrate G is dried using an air knife or the like. When a series of cleaning processes in the scrubber cleaning unit (SCR) 36 is finished, the substrate G passes through the first thermal processing section 26 as it is down the first flat flow path 32.

第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは、最初に脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８で加熱の脱水処理を受け、水分を取り除かれる（ステップＳ4）。次に、基板Ｇは、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０で蒸気状のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される（ステップＳ5）。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）４２で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ6）。この後、基板Ｇは第１の平流し搬送路３２の終点（搬出部）から塗布プロセス部２８内の搬送機構へ渡される。   In the first thermal processing section 26, the substrate G is first subjected to dehydration treatment by heating in the dehydration bake unit (DHP) 38, and moisture is removed (step S4). Next, the substrate G is subjected to an adhesion process using vapor HMDS in the adhesion unit (AD) 40, and the surface to be processed is hydrophobized (step S5). After the completion of the adhesion process, the substrate G is cooled to a predetermined substrate temperature by the cooling unit (COL) 42 (step S6). Thereafter, the substrate G is transferred from the end point (unloading unit) of the first flat flow transfer path 32 to the transfer mechanism in the coating process unit 28.

塗布プロセス部２８において、基板Ｇは最初にレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４４でたとえばスピンレス法によりスリットノズルを用いて基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６で減圧による乾燥処理を受ける（ステップＳ7）。この後、基板Ｇは、塗布プロセス部２８内の搬送機構により第２の平流し搬送路４８の始点（搬入部）へ転送される。基板Ｇは、第２の平流し搬送路４８上でも仰向けの姿勢でプロセスラインＡの下流側へ搬送され、第２の熱的処理部３０を通過する。   In the coating process unit 28, the substrate G is first coated with a resist solution on the upper surface (surface to be processed) by a resist coating unit (CT) 44 using, for example, a spinless method using a slit nozzle, and immediately after that, the substrate G is dried under reduced pressure on the downstream side. The unit (VD) 46 receives a drying process under reduced pressure (step S7). Thereafter, the substrate G is transferred to the start point (carry-in portion) of the second flat-flow conveyance path 48 by the conveyance mechanism in the coating process unit 28. The substrate G is transported to the downstream side of the process line A in a posture on its back also on the second flat flow transport path 48 and passes through the second thermal processing unit 30.

第２の熱的処理部３０において、基板Ｇは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）５０でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける（ステップＳ8）。このプリベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発除去し、基板に対するレジスト膜の密着性も強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５２で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ9）。しかる後、基板Ｇは、第２の平流し搬送路４８の終点（搬出部）からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８の搬送装置７０に引き取られる。   In the second thermal processing unit 30, the substrate G is first subjected to pre-baking by the pre-baking unit (PREBAKE) 50 as a heat treatment after resist coating or a heat treatment before exposure (step S8). By this pre-baking, the solvent remaining in the resist film on the substrate G is removed by evaporation, and the adhesion of the resist film to the substrate is enhanced. Next, the substrate G is cooled to a predetermined substrate temperature by the cooling unit (COL) 52 (step S9). Thereafter, the substrate G is taken up by the transfer device 70 of the interface station (I / F) 18 from the end point (unloading unit) of the second flat flow transfer path 48.

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７６から周辺装置７８の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ10）。   In the interface station (I / F) 18, the substrate G is carried from the extension / cooling stage (EXT / COL) 76 to the peripheral exposure device (EE) of the peripheral device 78, where the resist adhering to the peripheral portion of the substrate G is removed. After receiving exposure for removal during development, the image is sent to the adjacent exposure device 12 (step S10).

露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ10）、先ず周辺装置７８のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ11）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７６に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置７０，７２によって行われる。最後に、基板Ｇは、搬送装置７２よりプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＢ側に敷設されている第３の平流し搬送路６４の始点（搬入部）に搬入される。   In the exposure device 12, a predetermined circuit pattern is exposed to the resist on the substrate G. Then, when the substrate G that has undergone pattern exposure is returned from the exposure apparatus 12 to the interface station (I / F) 18 (step S10), it is first carried into the titler (TITLER) of the peripheral device 78, where a predetermined value on the substrate is obtained. Predetermined information is written in the part (step S11). Thereafter, the substrate G is returned to the extension / cooling stage (EXT / COL) 76. Transfer of the substrate G in the interface station (I / F) 18 and exchange of the substrate G with the exposure device 12 are performed by transfer devices 70 and 72. Finally, the substrate G is carried from the transfer device 72 to the starting point (loading unit) of the third flat flow transfer path 64 laid on the process line B side of the process station (P / S) 16.

こうして、基板Ｇは、今度は第３の平流し搬送路６４上を仰向けの姿勢でプロセスラインＢの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット（ＤＥＶ）５４において、基板Ｇは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される（ステップＳ12）。   In this way, the substrate G is transported toward the downstream side of the process line B in a posture of lying on the third flat transporting path 64 this time. In the first development unit (DEV) 54, the substrate G is subjected to a series of development processes of development, rinsing, and drying while being conveyed in a flat flow (step S12).

現像ユニット（ＤＥＶ）５４で一連の現像処理を終えた基板Ｇは、そのまま第３の平流し搬送路６４に載せられたまま下流側隣のｉ線照射ユニット（ｉ−ＵＶ）５６を通り、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ13）。その後も、基板Ｇは第３の平流し搬送路６４に載せられたまま第３の熱的処理部５９および検査ユニット（ＡＰ）６２を順次通過する。第３の熱的処理部５９において、基板Ｇは、最初にポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）５８で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける（ステップＳ14）。このポストベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発除去し、基板に対するレジストパターンの密着性も強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６０で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ15）。検査ユニット（ＡＰ）６２では、基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる（ステップＳ16）。   The substrate G that has undergone a series of development processes in the development unit (DEV) 54 passes through the i-line irradiation unit (i-UV) 56 adjacent to the downstream side while being placed on the third flat flow conveyance path 64 as it is. A decoloring process by i-line irradiation is performed (step S13). Thereafter, the substrate G sequentially passes through the third thermal processing unit 59 and the inspection unit (AP) 62 while being placed on the third flat flow path 64. In the third thermal processing section 59, the substrate G is first subjected to post-baking as post-development heat treatment in the post-baking unit (POBAKE) 58 (step S14). By this post-baking, the developer and the cleaning solution remaining on the resist film on the substrate G are removed by evaporation, and the adhesion of the resist pattern to the substrate is also enhanced. Next, the substrate G is cooled to a predetermined substrate temperature by the cooling unit (COL) 60 (step S15). In the inspection unit (AP) 62, non-contact line width inspection, film quality / film thickness inspection, and the like are performed on the resist pattern on the substrate G (step S16).

カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の平流し搬送路６４の終点（搬出部）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する（ステップＳ1）。   On the cassette station (C / S) 14 side, the transport mechanism 22 receives the substrate G that has completed all the steps of the coating and developing process from the end point (unloading unit) of the third flat flow transport path 64, and receives the received substrate G. It is stored in any one (usually the original) cassette C (step S1).

この塗布現像処理システム１０においては、第１の平流し搬送路３２に設けられたアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０を含む第１の熱的処理部２６に本発明を適用することができる。   In the coating and developing processing system 10, the present invention can be applied to the first thermal processing unit 26 including the adhesion unit (AD) 40 provided in the first flat flow path 32.

以下、図３〜図９につき、本発明の一実施形態における熱的処理部２６の構成および作用を詳細に説明する。   Hereinafter, the configuration and operation of the thermal processing unit 26 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.

図３に、この実施形態における熱的処理部２６の要部の構成を示す。この熱的処理部２６には、プロセスラインＡと平行な水平方向（Ｘ方向）に平流し搬送路３２が設置され、この搬送路３２に沿って上流側から順に脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０および冷却ユニット（ＣＯＬ）４２が設けられている。   In FIG. 3, the structure of the principal part of the thermal processing part 26 in this embodiment is shown. In the thermal processing unit 26, a horizontal flow (X direction) parallel to the process line A is installed and a conveyance path 32 is installed. A dehydration bake unit (DHP) 38, in order from the upstream side along the conveyance path 32, An adhesion unit (AD) 40 and a cooling unit (COL) 42 are provided.

搬送路３２は、基板Ｇを仰向けの姿勢で搬送するためのコロ８０を搬送方向（Ｘ方向）に一定間隔で敷設してなり、上流側の洗浄プロセス部２４からの延長としてこの熱的処理部２６内に引き込まれている。各コロ８０は、たとえば電気モータを有する搬送駆動部（図示せず）に歯車機構またはベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。   The transport path 32 is formed by laying rollers 80 for transporting the substrate G in a supine posture at regular intervals in the transport direction (X direction), and as an extension from the upstream cleaning process section 24, this thermal processing section. 26 has been drawn into. Each roller 80 is connected to a conveyance drive unit (not shown) having an electric motor, for example, via a transmission mechanism such as a gear mechanism or a belt mechanism.

脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８は、そのユニット筐体８５内に、平流し搬送路３２上の基板Ｇに向けて上方および下方から熱をほぼ均一に放射する放熱体として、搬送路３２に沿ってその上下にそれぞれ複数枚の上部均熱板ヒータ８４（８４ａ，８４ｂ，８４ｃ）および下部均熱板ヒータ８６（８６ａ，８６ｂ，８６ｃ）を設けている。ここで、下部均熱板ヒータ８６（８６ａ，８６ｂ，８６ｃ）は、相隣接するコロ８０，８０の間のスペースに配置される。   The dewatering bake unit (DHP) 38 flows along the transport path 32 as a radiator that radiates heat almost uniformly from above and below toward the substrate G on the transport path 32 in the unit casing 85. A plurality of upper soaking plate heaters 84 (84a, 84b, 84c) and lower soaking plate heaters 86 (86a, 86b, 86c) are provided above and below, respectively. Here, the lower soaking plate heater 86 (86a, 86b, 86c) is disposed in a space between the adjacent rollers 80, 80.

各均熱板ヒータ８４，８６は、たとえば図４に示すように、アルミニウムからなる放熱板８８と、この放熱板８８の裏面または背面に絶縁膜９０を介して貼り付けられたＳＵＳ薄膜ヒータ９２とで構成されている。搬送路３２上の基板Ｇと各均熱板ヒータ８４，８６との距離間隔またはギャップはたとえば５〜１０ｍｍに設定される。   For example, as shown in FIG. 4, each of the soaking plate heaters 84 and 86 includes a heat radiating plate 88 made of aluminum, and a SUS thin film heater 92 affixed to the back surface or the back surface of the heat radiating plate 88 via an insulating film 90. It consists of The distance interval or gap between the substrate G on the conveyance path 32 and the soaking plate heaters 84 and 86 is set to 5 to 10 mm, for example.

上部均熱板ヒータ８４ａ，８４ｂ，８４ｃおよび下部均熱板ヒータ８６ａ，８６ｂ，８６ｃの中では、入口側つまり最上流側の位置に配置される均熱板ヒータ（８４ａ，８６ａ）の放熱温度ＴAが後続の均熱板ヒータ（８４ｂ，８６ｂ）、（８４ｃ，８６ｃ）の放熱温度ＴS（たとえば１００℃）よりも高い温度（たとえば１３０℃）に設定されており、図５に示すように、搬送方向に沿って段階的な放熱（加熱）温度分布が形成される。ここで、下流側の放熱温度ＴSは、後段のアドヒージョン処理用の基板温度に一致または対応している。基板Ｇが室温の基板温度で脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８に入ると、このユニット内の上記のような搬送方向の放熱温度分布（図５）により、図６に示すように、平流しの搬送中に基板温度がアドヒージョン処理用の設定値ＴSまで速やかに立ち上がるようになっている。なお、図６中の仮想線（一点鎖線）Ｔ'は、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８内で搬送方向の放熱温度分布を一定にした場合の基板温度立ち上がり特性を示す。このように、基板を所定の放熱温度分布を有する加熱空間内で移動させる方式は、一定の場所に基板を置いて周囲温度または伝熱部材（たとえば熱板）の温度を時間的に変える方式と比較して、より短い時間遅れで基板温度を可変制御することができる。 Among the upper soaking plate heaters 84a, 84b, 84c and the lower soaking plate heaters 86a, 86b, 86c, the heat radiation temperature T of the soaking plate heaters (84a, 86a) arranged at the inlet side, that is, the most upstream side position. A is set to a temperature (eg, 130 ° C.) higher than the heat radiation temperature T S (eg, 100 ° C.) of the subsequent soaking plate heaters (84b, 86b), (84c, 86c), as shown in FIG. A stepwise heat radiation (heating) temperature distribution is formed along the conveying direction. Here, the heat radiation temperature T S of the downstream coincides or corresponds to the substrate temperature for the subsequent adhesion process. When the substrate G enters the dehydration bake unit (DHP) 38 at the substrate temperature at room temperature, the flat heat transfer is performed as shown in FIG. 6 due to the heat radiation temperature distribution (FIG. 5) in the transfer direction as described above. The substrate temperature quickly rises to the set value T S for the adhesion process. 6 indicates a substrate temperature rise characteristic when the heat radiation temperature distribution in the transport direction is made constant in the dewatering bake unit (DHP) 38. In FIG. As described above, the method of moving the substrate in the heating space having a predetermined heat radiation temperature distribution is a method of changing the ambient temperature or the temperature of the heat transfer member (for example, a heat plate) temporally by placing the substrate in a certain place. In comparison, the substrate temperature can be variably controlled with a shorter time delay.

脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８の入口には、上流側隣のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６から入ってきた搬送路３２上の基板Ｇに向けて上方および下方から所定温度（たとえば約１００〜１３０℃）の温風を噴射する長尺型の上部および下部温風ノズル９４，９６も設けられている。   At the entrance of the dewatering bake unit (DHP) 38, a predetermined temperature (for example, about 100 to 130 ° C.) is applied from above and below toward the substrate G on the transport path 32 that has entered from the upstream scrubber cleaning unit (SCR) 36. The long upper and lower warm air nozzles 94 and 96 for injecting warm air are also provided.

アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０は、ユニット入口付近に設置される長尺型のＨＭＤＳノズル９８と、このノズル９８の下端部付近の位置からユニット出口付近の位置まで搬送路３２上の基板Ｇと所定のギャップ（たとえば５〜１０ｍｍ）を隔てて延在する上部カバー１００と、それらＨＭＤＳノズル９８および上部カバー１００と向かい合って搬送路３２の下に延在する下部カバー１０２とを有している。   The adhesion unit (AD) 40 includes a long HMDS nozzle 98 installed near the unit inlet, and a substrate G on the transport path 32 from a position near the lower end of the nozzle 98 to a position near the unit outlet. The upper cover 100 extends across a predetermined gap (for example, 5 to 10 mm), and the lower cover 102 extends below the conveyance path 32 so as to face the HMDS nozzle 98 and the upper cover 100.

ＨＭＤＳノズル９８は、ＨＭＤＳガス生成部１０４よりガス供給管１０６を介して蒸気状のＨＭＤＳつまりＨＭＤＳガスＭを導入し、導入したＨＭＤＳガスＭをノズル内のシャワー板１０８に通して均一な層流で噴き出すようになっている。ＨＭＤＳノズル９８の吐出口のサイズは、搬送路３２の幅方向（Ｙ方向）では基板Ｇをカバーする寸法（たとえば１００ｃｍ以上）に選ばれ、搬送路３２の長手方向つまり搬送方向（Ｘ方向）では基板Ｇよりも格段に短い寸法（たとえば５〜１５ｃｍ）に選ばれてよい。   The HMDS nozzle 98 introduces vapor-like HMDS, that is, HMDS gas M, from the HMDS gas generator 104 through the gas supply pipe 106, and passes the introduced HMDS gas M through the shower plate 108 in the nozzle in a uniform laminar flow. It comes to spout. The size of the discharge port of the HMDS nozzle 98 is selected to be a dimension that covers the substrate G (for example, 100 cm or more) in the width direction (Y direction) of the transport path 32, and in the longitudinal direction of the transport path 32, that is, the transport direction (X direction). A dimension that is significantly shorter than the substrate G (for example, 5 to 15 cm) may be selected.

なお、ＨＭＤＳガス生成部１０４は、図示省略するが、ＨＭＤＳ溶液を貯留するタンクと、このＨＭＤＳタンクの底部に設けたバブラーにキャリアガスとして窒素ガスを供給する窒素ガス供給部とを備えており、バブラーより発生される窒素ガスの泡にＨＭＤＳが気化して溶け込んで、気相化したＨＭＤＳ（ＨＭＤＳガス）が発生するようになっている。   Although not shown, the HMDS gas generation unit 104 includes a tank that stores the HMDS solution, and a nitrogen gas supply unit that supplies nitrogen gas as a carrier gas to a bubbler provided at the bottom of the HMDS tank. HMDS is vaporized and dissolved in bubbles of nitrogen gas generated from a bubbler, and vaporized HMDS (HMDS gas) is generated.

上部カバー１００の下流側端部には、搬送路３２の幅方向（Ｙ方向）に延びるスリット状の上部排気口１１０が設けられている。この上部排気口１１０は、排気ポンプまたは排気ファンを有する排気装置１１２に排気管１１４を介して通じている。   A slit-like upper exhaust port 110 extending in the width direction (Y direction) of the transport path 32 is provided at the downstream end of the upper cover 100. The upper exhaust port 110 communicates with an exhaust device 112 having an exhaust pump or an exhaust fan via an exhaust pipe 114.

下部カバー１０２は、上面の開口した容器の形状を有しており、その中には相隣接するコロ８０，８０の間のスペースに納まるように複数枚の下部均熱板ヒータ１１８が配置されている。これらの下部均熱板ヒータ１１８は、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８における均熱板ヒータ８４，８６と同様の構成を有するものであってよく、搬送路３２上の基板Ｇに向けて下方から熱をほぼ均一に放射するようになっている。これらの下部均熱板ヒータ１１８は、アドヒージョン処理中の基板Ｇの温度を一定温度ＴSに保つためのものであり、搬送方向（Ｘ方向）の放熱温度分布は一定であってよい。 The lower cover 102 has a shape of a container having an open top surface, and a plurality of lower soaking plate heaters 118 are disposed in the lower cover 102 so as to fit in the space between the adjacent rollers 80, 80. Yes. These lower soaking plate heaters 118 may have the same configuration as the soaking plate heaters 84 and 86 in the dewatering bake unit (DHP) 38, and heat from below toward the substrate G on the transport path 32. Are emitted almost uniformly. These lower soaking plate heaters 118 are for maintaining the temperature of the substrate G during the adhesion process at a constant temperature T S , and the heat radiation temperature distribution in the transport direction (X direction) may be constant.

下部カバー１０２の中心部には、搬送路３２の幅方向（Ｙ方向）に延びる円状またはスリット状の下部排気口１２０が設けられている。この下部排気口１２０は、排気ポンプまたは排気ファンを有する排気装置１２２に排気管１２４を介して通じている。なお、図示省略するが、上部カバー１００と下部カバー１０２の上端とは搬送路３２の左右両側で鉛直方向に延在する側壁を介して接続されている。   A circular or slit-shaped lower exhaust port 120 extending in the width direction (Y direction) of the transport path 32 is provided at the center of the lower cover 102. The lower exhaust port 120 communicates with an exhaust device 122 having an exhaust pump or an exhaust fan via an exhaust pipe 124. Although not shown, the upper cover 100 and the upper end of the lower cover 102 are connected to each other via side walls extending in the vertical direction on both the left and right sides of the transport path 32.

冷却ユニット（ＣＯＬ）４２は、ユニット入口付近から搬送路３２に沿って一定間隔でそれぞれ複数本配置される上部および下部一次冷却ガスノズル１２６，１２８と、その後段に配置される二次冷却ガスノズル１３０とを有している。一次冷却ガスノズル１２６，１２８は、搬送路３２の幅方向（Ｙ方向）に延びるスリット状の吐出口を有する長尺型ノズルであり、搬送路３２上の基板Ｇに向けて室温の高圧エアを噴き出すように構成されている。   The cooling unit (COL) 42 includes a plurality of upper and lower primary cooling gas nozzles 126 and 128 arranged at regular intervals from the vicinity of the unit entrance along the conveyance path 32, and a secondary cooling gas nozzle 130 arranged in the subsequent stage. have. The primary cooling gas nozzles 126 and 128 are long nozzles having slit-like discharge ports extending in the width direction (Y direction) of the transport path 32, and eject high-temperature air at room temperature toward the substrate G on the transport path 32. It is configured as follows.

二次冷却ガスノズル１３０は、高圧エア供給源１３２よりガス供給管１３４および温調器１３６を介して冷却用の設定温度または基準温度に温調された高圧エアを導入し、導入した冷却基準温度の高圧エアをノズル内部のシャワー板１３８に通して均一な層流で噴き出すようになっている。二次冷却ガスノズル１３０の吐出口のサイズは、搬送路３２の幅方向（Ｙ方向）では基板Ｇをカバーする寸法（たとえば１００ｃｍ以上）に選ばれ、平流し搬送路３２の長手方向つまり搬送方向（Ｘ方向）では基板Ｇよりも短い寸法（たとえば２０〜４０ｃｍ）に選ばれてよい。   The secondary cooling gas nozzle 130 introduces high-pressure air whose temperature has been adjusted to the set temperature or reference temperature for cooling from the high-pressure air supply source 132 via the gas supply pipe 134 and the temperature controller 136, and has the introduced cooling reference temperature. High-pressure air is blown out in a uniform laminar flow through the shower plate 138 inside the nozzle. The size of the discharge port of the secondary cooling gas nozzle 130 is selected in the width direction (Y direction) of the transport path 32 so as to cover the substrate G (for example, 100 cm or more). In the X direction, a dimension shorter than the substrate G (for example, 20 to 40 cm) may be selected.

この熱的処理部２６は、一体的なハウジング１４０内で、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０側の空間と冷却ユニット（ＣＯＬ）４２側の空間とを隔てるための鉛直方向に延在する隔壁１４２を設けている。この隔壁１４２には搬送路３２を通す開口１４４が形成されており、この開口１４４を介して両側の空間は互いに連通している。   This thermal processing unit 26 is used to separate the space on the dehydration bake unit (DHP) 38 and adhesion unit (AD) 40 side from the space on the cooling unit (COL) 42 side in the integrated housing 140. A partition wall 142 extending in the vertical direction is provided. An opening 144 through which the conveyance path 32 passes is formed in the partition wall 142, and the spaces on both sides communicate with each other through the opening 144.

脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０側の室内では、室外の空気を引き込むためのファン１４６と、このファン１４６からの空気流を除塵するエアフィルタ１４８とによって、天井から清浄な空気がダウンフローで供給される。また、床に排気口１５０が設けられており、この排気口１５０は排気管１５２を介して排気ポンプまたは排気ファン内蔵の排気装置１５４に通じている。これにより、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０から漏れたガスは、天井からのダウンフローの清浄空気に巻き込まれるようにして床部の排気口１５０から室外へ排出されるようになっている。   In the room on the side of the dehydration bake unit (DHP) 38 and the adhesion unit (AD) 40, a fan 146 for drawing outdoor air and an air filter 148 for removing dust from the air flow from the fan 146 are removed from the ceiling. Clean air is supplied in a down flow. An exhaust port 150 is provided in the floor, and the exhaust port 150 communicates with an exhaust device 154 with a built-in exhaust pump or exhaust fan via an exhaust pipe 152. As a result, the gas leaked from the dehydration bake unit (DHP) 38 and the adhesion unit (AD) 40 is exhausted from the floor exhaust port 150 to the outside so as to be caught in the downflow clean air from the ceiling. It has become so.

また、冷却ユニット（ＣＯＬ）４２側でも、天井部に設置されたファン１５６およびエアフィルタ１５８からダウンフローの清浄空気が室内に供給される。そして、この室内の圧力が隣室の圧力、つまり脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０側の室内の圧力よりも高い状態に維持され、これにより隔壁１４２の開口１４４を右から左に空気が流れるようになっている。つまり、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０からＨＭＤＳガスが漏れても冷却ユニット（ＣＯＬ）４２には入らないようになっている。   Also on the cooling unit (COL) 42 side, downflow clean air is supplied indoors from a fan 156 and an air filter 158 installed in the ceiling. The pressure in the chamber is maintained higher than the pressure in the adjacent chamber, that is, the pressure in the chamber on the dehydration bake unit (DHP) 38 and the adhesion unit (AD) 40 side. Air flows from left to left. That is, even if the HMDS gas leaks from the adhesion unit (AD) 40, it does not enter the cooling unit (COL) 42.

図７に、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０の場所で上から見た搬送路３２の構成を示す。各コロ８０は、一定の太さ（径）を有する剛体（たとえばＳＵＳ製）のシャフトを有し、シャフト両端部に基板Ｇの左右両側端部を載せる円筒形ローラ部８０ａを取り付け、シャフト中間部に基板Ｇの中間部を載せる複数の円筒形またはリング形ローラ部８０ｂを取り付けている。各コロ８０の両端は、フレーム１６０に固定された左右一対の軸受１６２に水平姿勢で回転可能に支持されている。   FIG. 7 shows the configuration of the transport path 32 as viewed from above at the location of the dewatering bake unit (DHP) 38 and the adhesion unit (AD) 40. Each roller 80 has a shaft of a rigid body (for example, made of SUS) having a certain thickness (diameter), and cylindrical roller portions 80a for mounting the left and right end portions of the substrate G are attached to both end portions of the shaft, and an intermediate portion of the shaft A plurality of cylindrical or ring-shaped roller portions 80b on which the intermediate portion of the substrate G is placed are attached. Both ends of each roller 80 are rotatably supported in a horizontal posture by a pair of left and right bearings 162 fixed to the frame 160.

搬送駆動部１６４は、電気モータ１６６と、この電気モータ１６６の回転駆動力を各コロ８０に伝えるための伝動機構とを有する。この伝動機構は、電気モータ１６６の回転軸に無端ベルト１６８を介して接続された搬送方向（Ｘ方向）に延びる回転駆動シャフト１７０と、この回転駆動シャフト１７０と各コロ８０とを作動結合する交差軸型のギア１７２とで構成されている。   The transport driving unit 164 includes an electric motor 166 and a transmission mechanism for transmitting the rotational driving force of the electric motor 166 to each roller 80. This transmission mechanism includes a rotary drive shaft 170 extending in the conveying direction (X direction) connected to the rotary shaft of the electric motor 166 via an endless belt 168, and an intersection that operatively connects the rotary drive shaft 170 and each roller 80. It is composed of a shaft-type gear 172.

再び図３において、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６内には、その出口付近にて搬送路３２の上下両側に液切り用のエアーナイフ１７４，１７６が配置されている。また、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６と熱的処理部２６との境界付近には基板Ｇが熱的処理部２６内に入るタイミングを検出するための近接スイッチまたは位置センサ１７８が設けられている。この位置センサ１７８の出力信号は、熱的処理部２６内の各部および全体の動作を制御するコントローラ（図示せず）に送られる。   Referring again to FIG. 3, in the scrubber cleaning unit (SCR) 36, air knives 174 and 176 for draining are disposed on both the upper and lower sides of the transport path 32 near the outlet. Further, a proximity switch or position sensor 178 for detecting the timing when the substrate G enters the thermal processing unit 26 is provided in the vicinity of the boundary between the scrubber cleaning unit (SCR) 36 and the thermal processing unit 26. The output signal of the position sensor 178 is sent to a controller (not shown) that controls each part in the thermal processing unit 26 and the overall operation.

冷却ユニット（ＣＯＬ）４２の下流側隣は搬送路３２の終点（搬出部）であり、図示省略するが、そこには基板Ｇを水平姿勢のまま搬送路３２から上方に持ち上げるアンローディング用のリフトピン昇降機構が設けられている。   Next to the downstream side of the cooling unit (COL) 42 is an end point (unloading portion) of the transport path 32, which is not shown, but there is an unloading lift pin for lifting the substrate G upward from the transport path 32 in a horizontal posture. An elevating mechanism is provided.

次に、この熱的処理部２６における全体および各部の作用を説明する。   Next, the whole of the thermal processing unit 26 and the operation of each unit will be described.

スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６において、基板Ｇは、搬送路３２上を一定の速度のコロ搬送で下流側に移動する間にスクラビング洗浄、ブロー洗浄、リンス洗浄を順次施され、最後にエアーナイフ１７４，１７６より乾燥用のエアブローを当てられて基板表面から液を除去される。次いで、基板Ｇは、平流し搬送路３２上のコロ搬送でそのままスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６からほぼ室温の基板温度で熱的処理部２６の初段ユニットつまり脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８に入る。   In the scrubber cleaning unit (SCR) 36, the substrate G is sequentially subjected to scrubbing cleaning, blow cleaning, and rinse cleaning while moving downstream on the transport path 32 by roller transport at a constant speed, and finally the air knife 174. , 176, an air blow for drying is applied to remove the liquid from the substrate surface. Next, the substrate G enters the first stage unit of the thermal processing unit 26, that is, the dehydration bake unit (DHP) 38 from the scrubber cleaning unit (SCR) 36 as it is by roller conveyance on the flat flow conveyance path 32 at a substrate temperature of about room temperature.

脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８に入ると、その入口で基板Ｇは温風ノズル９４，９６より温風を当てられる。この温風ブローにより、基板Ｇ表面に残っていた液滴が蒸発ないし飛散するとともに、基板温度も上昇する。また、この温風ブローはいわゆるエアカーテンの機能も有しており、ユニット筐体８５の外気、特にスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３６側からの室温の空気を遮断するようになっている。   When entering the dehydration bake unit (DHP) 38, the substrate G is heated by hot air from the hot air nozzles 94 and 96 at the entrance. By this warm air blow, the droplets remaining on the surface of the substrate G are evaporated or scattered, and the substrate temperature also rises. The warm air blow also has a function of a so-called air curtain, and blocks the outside air of the unit casing 85, particularly room temperature air from the scrubber cleaning unit (SCR) 36 side.

脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８において、基板Ｇは、温風ノズル９４，９６を過ぎると、直ちに上部均熱板ヒータ８４（８４ａ，８４ｂ，８４ｃ）および下部均熱板ヒータ８６（８６ａ，８６ｂ，８６ｃ）から放射熱を浴びる。上述したように、入口側つまり最上流側の位置に配置される均熱板ヒータ（８４ａ，８６ａ）が基準値ＴSよりも高い温度ＴAで加熱するので、基板Ｇの温度は速やかに立ち上がり、基板Ｇが脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８を抜ける頃にはアドヒージョン処理に適した設定温度ＴSになっている。この脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８における加熱処理（脱水ベーキング）により、基板Ｇ表面の水分がほぼ完全に除去される。基板搬送速度をたとえば３０ｍｍ／秒に設定し、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８の加熱区間をたとえば９００ｍｍに設定した場合、加熱時間は３０秒である。 In the dehydration bake unit (DHP) 38, the substrate G immediately passes the hot air nozzles 94, 96, and immediately thereafter, the upper soaking plate heater 84 (84a, 84b, 84c) and the lower soaking plate heater 86 (86a, 86b, 86c). ) To receive radiant heat. As described above, the inlet side that is soaking plate heater (84a, 86a) which will be disposed in the most upstream side so is heated at a temperature T A than the reference value T S, the temperature of the substrate G swiftly rises When the substrate G passes through the dehydration bake unit (DHP) 38, the set temperature T S is suitable for the adhesion process. By the heat treatment (dehydration baking) in the dehydration bake unit (DHP) 38, the moisture on the surface of the substrate G is almost completely removed. When the substrate conveyance speed is set to 30 mm / second, for example, and the heating section of the dewatering bake unit (DHP) 38 is set to 900 mm, for example, the heating time is 30 seconds.

基板Ｇが脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８を抜けて下流側隣のアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０に入ると、その入口付近で上方のＨＭＤＳノズル９８より一定濃度のＨＭＤＳガスＭを吹きかけられる。基板ＧがＨＭＤＳノズル９８を過ぎると、ＨＭＤＳノズル９８から吐出されたＨＭＤＳガスＭが上部カバー１００と基板Ｇの間のギャップ空間を上部排気口１１０に向って下流側に流れるので、基板Ｇの上面（被処理面）の各部はＨＭＤＳノズル９８から上部排気口１１０までの移動区間（アドヒージョン処理区間）において始終ＨＭＤＳガスＭの雰囲気下に置かれる。しかも、このアドヒージョン処理区間内では、基板Ｇは移動中に下部均熱板ヒータ１１８により加熱されるため、所定の基板処理温度ＴSを維持することができる。たとえば、基板搬送速度を３０ｍｍ／秒に設定し、アドヒージョン処理区間を８００ｍｍに設定した場合、アドヒージョン処理時間は約２７秒である。 When the substrate G passes through the dehydration bake unit (DHP) 38 and enters the adjoining unit (AD) 40 on the downstream side, a HMDS gas M having a constant concentration is blown from the upper HMDS nozzle 98 near the inlet. When the substrate G passes the HMDS nozzle 98, the HMDS gas M discharged from the HMDS nozzle 98 flows downstream in the gap space between the upper cover 100 and the substrate G toward the upper exhaust port 110. Each part of the (surface to be processed) is placed in an atmosphere of HMDS gas M throughout the moving section (adhesion processing section) from the HMDS nozzle 98 to the upper exhaust port 110. In addition, since the substrate G is heated by the lower soaking plate heater 118 during the movement in this adhesion processing section, a predetermined substrate processing temperature T S can be maintained. For example, when the substrate transport speed is set to 30 mm / second and the adhesion processing section is set to 800 mm, the adhesion processing time is about 27 seconds.

このアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０においては、上記のようにＨＭＤＳノズル９８より噴出されたＨＭＤＳガスＭが直下を通る基板Ｇの上面（被処理面）に当たった後も上部カバー１００と基板Ｇとの間の可及的に狭くできるギャップ空間を通って基板と併走または追走しながらその被処理面に付着する。しかも、そのようなＨＭＤＳガスＭの流れや雰囲気はＨＭＤＳノズル９８の長手方向つまり基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）でほぼ均一であり、基板Ｇの長手方向（Ｘ方向）においてもほぼ均一に基板の各部に作用する。このことにより、ＨＭＤＳガス生成部１０４より供給される蒸気状のＨＭＤＳＭを低消費量で効率よく基板Ｇの被処理面に均一に塗布することができる。   In the adhesion unit (AD) 40, the upper cover 100 and the substrate G are also collected after the HMDS gas M ejected from the HMDS nozzle 98 hits the upper surface (surface to be processed) of the substrate G passing immediately below. It adheres to the surface to be processed while running alongside or following the substrate through a gap space that can be as narrow as possible. Moreover, the flow and atmosphere of the HMDS gas M are substantially uniform in the longitudinal direction of the HMDS nozzle 98, that is, the width direction (Y direction) of the substrate G, and substantially uniform in the longitudinal direction (X direction) of the substrate G. Acts on each part. As a result, the vaporous HMSM supplied from the HMDS gas generator 104 can be uniformly applied to the surface to be processed of the substrate G with low consumption.

なお、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０内で基板Ｇの左右外側へ流れたＨＭＤＳガスＭ、あるいは相前後する２枚の基板Ｇ，Ｇの間でＨＭＤＳノズル９８より噴出されたＨＭＤＳガスＭは、下部カバー１０２の中に受け集められて下部排気口１２０から排出される。また、基板Ｇ上で被処理面に付着することなく残った（余った）ＨＭＤＳガスＭの大部分は上部排気口１１０から排出される。その意味では、上部排気装置１１２を各基板Ｇに対する枚葉のアドヒージョン処理中に限ってオン状態にしてもよい。また、上部排気装置１１２で回収したＨＭＤＳガスＭをＨＭＤＳガス生成部１０４側にフィードバックすることも可能であり、あるいはリサイクルに回してもよい。また、各基板Ｇがアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０内を通過するタイミングはコントローラが位置センサ１７８からの基板検出信号に基づいて把握しているので、相前後する２つの基板Ｇ，Ｇの合間にＨＭＤＳノズル９８の吐出動作を止めておくこともできる。   The HMDS gas M that flows to the left and right outside of the substrate G in the adhesion unit (AD) 40 or the HMDS gas M that is ejected from the HMDS nozzle 98 between two adjacent substrates G and G is: It is collected in the lower cover 102 and discharged from the lower exhaust port 120. Further, most of the HMDS gas M remaining (remaining) without adhering to the surface to be processed on the substrate G is discharged from the upper exhaust port 110. In that sense, the upper exhaust device 112 may be turned on only during the single wafer adhesion process for each substrate G. Further, the HMDS gas M collected by the upper exhaust device 112 can be fed back to the HMDS gas generation unit 104 side, or may be sent for recycling. In addition, since the controller knows the timing at which each substrate G passes through the adhesion unit (AD) 40 based on the substrate detection signal from the position sensor 178, the interval between two adjacent substrates G, G is determined. In addition, the discharge operation of the HMDS nozzle 98 can be stopped.

アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０で上記のようなアドヒージョン処理を受けると、基板Ｇは処理の済んだ部分（基板先端側）から下流側隣の冷却ユニット（ＣＯＬ）４２に入る。冷却ユニット（ＣＯＬ）４２では、搬送路３２上をコロ搬送で通過する基板Ｇに対して、最初に一次冷却ガスノズル１２６，１２８が室温の冷却ガス（高圧エア）を吹きかけ、その後に二次冷却ガスノズル１３０が基準温度の冷却ガス（高圧エア）を吹きかける。こうして、基板Ｇは所定の基板温度で搬送路３２の終点（搬送部）から後段の塗布プロセス部２８へ送られる。   When the adhesion unit (AD) 40 receives the above-described adhesion process, the substrate G enters the cooling unit (COL) 42 adjacent to the downstream side from the processed part (substrate front end side). In the cooling unit (COL) 42, the primary cooling gas nozzles 126 and 128 first blow room temperature cooling gas (high-pressure air) to the substrate G passing on the transfer path 32 by roller transfer, and then the secondary cooling gas nozzle 130 blows the cooling gas (high pressure air) at the reference temperature. Thus, the substrate G is sent from the end point (conveyance unit) of the conveyance path 32 to the subsequent coating process unit 28 at a predetermined substrate temperature.

上記のように、この熱的処理部２６においては、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０および冷却ユニット（ＣＯＬ）４２の各熱的処理ユニットが洗浄プロセス部２４から続いている搬送路３２に沿って工程順に一列に設けられている。基板Ｇが搬送路３２上を一定速度のコロ搬送で下流側へ向って移動する間に、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８では平流し方式の脱水ベーキングが行われ、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０では平流し方式の疎水化またはアドヒージョン処理が行われ、冷却ユニット（ＣＯＬ）４２では平流し方式の冷却または基板温度一定化が行われる。つまり、プロセスラインＡの方向に基板Ｇが搬送路３２上を平流しのコロ搬送で移動する間に脱水ベーキング（ＤＨＰ）、アドヒージョン処理（ＡＤ）および基板温度一定化（ＣＯＬ）の３つの熱処理工程が連続的に効率よく行われる。   As described above, in the thermal processing unit 26, the thermal processing units of the dehydration bake unit (DHP) 38, the adhesion unit (AD) 40, and the cooling unit (COL) 42 are continued from the cleaning process unit 24. It is provided in a line along the transport path 32 in the order of steps. While the substrate G moves on the transport path 32 toward the downstream side by roller transport at a constant speed, the dewatering bake unit (DHP) 38 performs dewatering baking of the flat flow method, and the adhesion unit (AD) 40. In FIG. 2, a flat-flow type hydrophobization or adhesion treatment is performed, and a cooling unit (COL) 42 performs flat-flow type cooling or substrate temperature stabilization. That is, three heat treatment steps of dehydration baking (DHP), adhesion processing (AD), and substrate temperature stabilization (COL) while the substrate G moves in the direction of the process line A in the direction of the flat roller transport on the transport path 32. Is performed continuously and efficiently.

各熱的処理ユニット３８，４０，４２内およびユニット間で基板Ｇを個別に搬送ないし移載する搬送ロボットや移載機構は用いられておらず、ユニット筐体の一部を開閉する開閉機構等も用いられていない。このため、各ユニット内および隣接するユニット間でパーティクルが発生したり基板に付着するおそれは殆どない。さらに、洗浄プロセス部２４と熱的処理部２６との間でも搬送機構やゲート機構等は用いられておらず、上流側からのパーティクルの流入も殆どない。   No transfer robot or transfer mechanism for individually transferring or transferring the substrate G in each thermal processing unit 38, 40, 42 or between the units, an opening / closing mechanism for opening and closing a part of the unit housing, etc. Is not used. For this reason, there is almost no possibility that particles are generated in each unit and between adjacent units or adhere to the substrate. Further, no transport mechanism, gate mechanism or the like is used between the cleaning process unit 24 and the thermal processing unit 26, and there is almost no inflow of particles from the upstream side.

また、搬送路３２の途中で基板Ｇを何らかの処理や搬送のために停止させる場面もなく、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４より一定のタクトで次々に払い出しされてくる基板Ｇに熱的処理ユニット３８，４０，４２が各々一台で間断なくスムースに対応する。つまり、熱的処理ユニット３８，４０，４２の各一台分のタクトがシステム全体のタクトに一致する関係にあり、同機種のユニットを複数台用いて並列稼動させる必要はない。このことにより、熱的処理部におけるハードウェアや搬送ソフトウェアのコスト低減を図れるだけでなく、熱的処理ユニットの機差に起因する処理品質のばらつきも解消される。   Further, there is no scene in which the substrate G is stopped for some processing or transport in the middle of the transport path 32, and the thermal processing unit is applied to the substrates G that are successively delivered from the cassette station (C / S) 14 at a constant tact. 38, 40, and 42 each correspond to smoothness without interruption. That is, the tact for each of the thermal processing units 38, 40, and 42 is in agreement with the tact of the entire system, and there is no need to operate a plurality of units of the same model in parallel. This not only reduces the cost of hardware and transport software in the thermal processing section, but also eliminates processing quality variations due to machine differences in the thermal processing units.

各熱的処理ユニットにおいて、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８は、上記のように、洗浄プロセス部２４で洗浄処理を受けてきたばかりの移動（コロ搬送）中の基板Ｇに対して、温風ノズル９４，９６および均熱板ヒータ８４，８６を用いて平流しの脱水ベーキングを施すようにしており、さらには脱水ベーキング終了時の基板温度をそのまま保って（アドヒージョン処理用の基板温度として）下流側隣のアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０へ送り出すようにしている。   In each thermal processing unit, the dehydration bake unit (DHP) 38 is, as described above, the hot air nozzle 94 with respect to the substrate G that has just undergone the cleaning process in the cleaning process section 24 (rolling). 96 and soaking plate heaters 84 and 86 are used to perform dewatering baking in a flat flow, and the substrate temperature at the end of dewatering baking is maintained as it is (as the substrate temperature for the adhesion process). To the Adhesion Unit (AD) 40.

アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０は、上記のように、搬送路３２上をコロ搬送で移動する基板Ｇに対して、ＨＭＤＳノズル９８および上部カバー１００により基板Ｇと並走するように搬送方向に延びるＨＭＤＳガス雰囲気を基板被処理面と接する狭いギャップ空間内に形成して平流しのアドヒージョン処理を施すようにしており、処理効率および処理品質の向上、ＨＭＤＳ消費量の大幅な節減を実現している。   As described above, the adhesion unit (AD) 40 moves in the transport direction so as to run in parallel with the substrate G by the HMDS nozzle 98 and the upper cover 100 with respect to the substrate G moving on the transport path 32 by roller transport. An extended HMDS gas atmosphere is formed in a narrow gap space in contact with the substrate processing surface to perform a flat-flow adhesion process, improving processing efficiency and processing quality, and significantly reducing HMDS consumption. Yes.

冷却ユニット（ＣＯＬ）４２は、上記のように搬送路３２上をコロ搬送で移動する基板Ｇに場所を変えて一次冷却および二次冷却を段階的に施すようにしており、短時間のうちに基板温度をアドヒージョン処理用の設定温度から常温付近の基準温度に戻すようにしている。   The cooling unit (COL) 42 performs the primary cooling and the secondary cooling step by step on the substrate G moving on the transport path 32 by roller transport as described above, and in a short time. The substrate temperature is returned from the set temperature for the adhesion process to a reference temperature near room temperature.

以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形・変更を行うことができる。たとえば、上記した実施形態のアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０においては、ＨＭＤＳノズル９８をシャワーヘッド型に構成し、搬送方向（Ｘ方向）のノズルサイズを基板サイズよりも格段に小さい寸法に選び、上部カバー１００との組み合わせでアドヒージョン処理空間を形成するようにしている。この場合、ＨＭＤＳノズル９８と上部カバー１００とを足し合わせたアドヒージョン処理区間の大きさまたは長さ、あるいは両者（９８，１００）の区間比率は任意に選定可能である。したがって、ＨＭＤＳノズル９８として、たとえば図８に示すようにスリット型（Ａ）または微細孔一列型（Ｂ）の吐出口９８ａを有する長尺型ノズルを用いることもできる。   The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the technical idea. For example, in the adhesion unit (AD) 40 of the above-described embodiment, the HMDS nozzle 98 is configured in a shower head type, and the nozzle size in the transport direction (X direction) is selected to be significantly smaller than the substrate size. An adhesion processing space is formed in combination with the upper cover 100. In this case, the size or length of the adhesion processing section obtained by adding the HMDS nozzle 98 and the upper cover 100, or the section ratio of both (98, 100) can be arbitrarily selected. Therefore, as the HMDS nozzle 98, for example, as shown in FIG. 8, a long type nozzle having a slit type (A) or fine hole single row type (B) discharge port 98a can be used.

また、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０において、ＨＭＤＳガス生成部１０４とＨＭＤＳノズル９８との間たとえばガス管１０６に図３の点線１８０で示すように、ＨＭＤＳガスを処理温度付近の温度（たとえば１００℃）に加熱するためのヒータ１８０を設けることも可能である。また、下部カバー１０２内の均熱板ヒータ１１８を省くことも可能である。また、アドヒージョンユニット（ＡＤ）４０に設ける排気口（１１０，１２０）の場所や形状、個数等も任意に選定できる。たとえば、上部カバー１００と下部カバー１０２とを接続する左右両側の側壁に排気口を設ける構成も可能である。   Further, in the adhesion unit (AD) 40, as shown by a dotted line 180 in FIG. 3 between the HMDS gas generation unit 104 and the HMDS nozzle 98, for example, the HMDS gas is heated to a temperature near the processing temperature (for example, 100). It is also possible to provide a heater 180 for heating to. It is also possible to omit the soaking plate heater 118 in the lower cover 102. Further, the location, shape, number, etc. of the exhaust ports (110, 120) provided in the adhesion unit (AD) 40 can be arbitrarily selected. For example, a configuration in which exhaust ports are provided on the left and right side walls connecting the upper cover 100 and the lower cover 102 is also possible.

脱水ベークユニット（ＤＨＰ）３８において、上部および下部温風ヒータ９４，９６の片方または双方、あるいは上部および下部均熱板ヒータ８４，８６の片方を省くことも可能である。その場合は、図９に示すように、ユニット筐体８５内に、搬送路３２と平行にたとえばアルミニウム板からなる一層または多層の反射放熱板１８２を設ける構成が好ましい。冷却ユニット（ＣＯＬ）４２においても、図示省略するが、上部および下部一次冷却ノズル１２６，１２８の片方を省くことができる。また、均熱板ヒータ８４，８６の構成（図４）は一例であり、種々の変形や代用が可能である。たとえば、絶縁被覆の発熱コイルをＳＵＳ管に収めたシースヒータを二次元方向（ＸＹ方向）に蛇行させた発熱体を使用してもよい。搬送路３２上における基板Ｇの仰向け姿勢は水平姿勢に限るものではなく、前後方向（Ｘ方向）、左右方向（Ｙ方向）その他の任意の方向で傾斜姿勢をとることも可能である。搬送路３２も、コロ搬送路に限定されるものではなく、たとえばベルト式搬送路等の他の方式の平流し用搬送路であってもよい。   In the dewatering bake unit (DHP) 38, one or both of the upper and lower warm air heaters 94, 96, or one of the upper and lower soaking plate heaters 84, 86 can be omitted. In that case, as shown in FIG. 9, a configuration in which a single-layer or multilayer reflective heat radiating plate 182 made of, for example, an aluminum plate is provided in the unit casing 85 in parallel with the transport path 32 is preferable. Although not shown in the cooling unit (COL) 42, one of the upper and lower primary cooling nozzles 126 and 128 can be omitted. Moreover, the structure (FIG. 4) of the soaking | uniform-heating plate heaters 84 and 86 is an example, and various deformation | transformation and substitution are possible. For example, a heating element in which a sheath heater in which a heat generating coil with an insulation coating is housed in a SUS tube is meandered in a two-dimensional direction (XY direction) may be used. The posture of the substrate G on the transport path 32 is not limited to the horizontal posture, and can be inclined in the front-rear direction (X direction), the left-right direction (Y direction), or any other direction. The conveyance path 32 is not limited to the roller conveyance path, and may be another type of flat flow conveyance path such as a belt-type conveyance path.

本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、フラットパネルディスプレイ用の各種基板や、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。   The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, and various substrates for flat panel displays, semiconductor wafers, CD substrates, glass substrates, photomasks, printed substrates, and the like are also possible.

本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the application | coating development processing system which can apply this invention. 上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process sequence in the said application | coating development processing system. 実施形態におけるアドヒージョンユニットを含む熱的処理部内の全体構成を示す側面図である。It is a side view which shows the whole structure in the thermal processing part containing the adhesion unit in embodiment. 実施形態で使用する均熱放熱板の構成例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structural example of the soaking | uniform-heating heat sink used by embodiment. 実施形態の脱水ベークユニットにおける搬送方向の放熱（加熱）温度分布を示す図である。It is a figure which shows the thermal radiation (heating) temperature distribution of the conveyance direction in the spin-drying | dehydration bake unit of embodiment. 実施形態の脱水ベークユニットにおける基板温度の立ち上がり特性を示す図である。It is a figure which shows the starting characteristic of the substrate temperature in the spin-drying | dehydration bake unit of embodiment. 実施形態における平流し搬送路の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the flat flow conveyance path in embodiment. 実施形態におけるＨＭＤＳノズルの一変形例の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the modification of the HMDS nozzle in embodiment. 実施形態における脱水ベークユニットの一変形例の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the modification of the spin-drying | dehydration bake unit in embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１０ 塗布現像処理システム
２４ 洗浄プロセス部
２６ 第１の熱的処理部
３２ 第１の平流し搬走路
３６ スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）
３８ 脱水ベークユニット（ＤＨＰ）
４０ アドヒージョンユニット（ＡＤ）
４２ 冷却ユニット（ＣＯＬ）
８０ コロ
８４（８４ａ，８４ｂ，８４ｃ） 上部均熱放射板
８６（８６ａ，８６ｂ，８６ｃ） 下部均熱放射板
９８ ＨＭＤＳノズル
１００ 上部カバー
１０２ 下部カバー
１０４ ＨＭＤＳガス生成部
１１０ 上部排気口
１１２ 排気装置
１１８ 下部均熱放射板
１２０ 下部排気口
１２２ 排気装置
１２６ 上部一次冷却ノズル
１２８ 下部一次冷却ノズル
１３０ 二次冷却ノズル
１３６ 温調器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Coating / development processing system 24 Cleaning process part 26 1st thermal processing part 32 1st flat flow conveyance path 36 Scrubber washing | cleaning unit (SCR)
38 Dehydration Bake Unit (DHP)
40 Adhesion Unit (AD)
42 Cooling unit (COL)
80 Roller 84 (84a, 84b, 84c) Upper heat equalizing radiation plate 86 (86a, 86b, 86c) Lower heat equalizing radiation plate 98 HMDS nozzle 100 Upper cover 102 Lower cover 104 HMDS gas generating unit 110 Upper exhaust port 112 Exhaust device 118 Lower soaking plate
120 Lower exhaust port 122 Exhaust device 126 Upper primary cooling nozzle 128 Lower primary cooling nozzle 130 Secondary cooling nozzle 136 Temperature controller

Claims (17)

被処理基板を仰向けの姿勢で搬送するための搬送体を水平な所定の搬送方向に敷設してなる搬送路と、
前記搬送路上で前記基板を搬送するために前記搬送体を駆動する搬送駆動部と、
前記搬送路上を移動する前記基板の被処理面に向けて第１の区間内でＨＭＤＳガスを吹き付けるアドヒージョン処理部と
を有する基板処理装置。 A transport path formed by laying a transport body for transporting the substrate to be processed in a supine posture in a predetermined horizontal transport direction;
A transport driving unit that drives the transport body to transport the substrate on the transport path;
A substrate processing apparatus comprising: an adhesion processing unit that blows HMDS gas in a first section toward a surface to be processed of the substrate moving on the transport path. 前記アドヒージョン処理部が、
前記第１の区間の上流端付近にて前記搬送路の上方からＨＭＤＳガスを吹き下ろすＨＭＤＳノズルと、
前記ＨＭＤＳノズルの下端部付近の位置から前記第１の区間の下流端付近の位置まで前記搬送路と所定のギャップを隔てて延在する上部カバーと
を有する請求項１に記載の基板処理装置。 The adhesion processing unit is
An HMDS nozzle that blows down HMDS gas from above the transport path in the vicinity of the upstream end of the first section;
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: an upper cover that extends from the position near the lower end of the HMDS nozzle to a position near the downstream end of the first section with a predetermined gap therebetween. 前記ギャップが１０ｍｍ以下である請求項２に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the gap is 10 mm or less. 前記ＨＭＤＳノズルが、前記ＨＭＤＳガスの噴き出しを均一な層流にするためのシャワー板を有する請求項２または請求項３に記載の基板処理装置。   4. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the HMDS nozzle has a shower plate for making the HMDS gas blow out into a uniform laminar flow. 5. 前記ＨＭＤＳノズルが、前記搬送路を横断する方向に延びるスリット型または微細孔一列型の吐出口を有する長尺型のノズルである請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。   5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the HMDS nozzle is a long-type nozzle having a slit-type or fine-hole array of discharge ports extending in a direction crossing the transport path. 前記アドヒージョン処理部が、
前記上部カバーの下流側端部に設けられた第１の排気口と、
前記上部カバー内のガスを前記第１の排気口を通じて排出するための第１の排気機構と
を有する請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The adhesion processing unit is
A first exhaust port provided at a downstream end of the upper cover;
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: a first exhaust mechanism for exhausting the gas in the upper cover through the first exhaust port. 前記アドヒージョン処理部が、前記ＨＭＤＳノズルおよび／または前記上部カバーと向かい合って前記搬送路の下に延在する第２のカバーを有する請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the adhesion processing unit includes a second cover that faces the HMDS nozzle and / or the upper cover and extends under the transport path. 前記アドヒージョン処理部が、
前記下部カバーに設けられた第２の排気口と、
前記下部カバー内のガスを前記第２の排気口を通じて排出するための第２の排気機構と
を有する請求項７に記載の基板処理装置。 The adhesion processing unit is
A second exhaust port provided in the lower cover;
The substrate processing apparatus according to claim 7, further comprising: a second exhaust mechanism that exhausts the gas in the lower cover through the second exhaust port. 前記上部カバーと前記下部カバーとが前記搬送路の両側で鉛直方向に延在する側壁によって接続されている請求項７または請求項８に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the upper cover and the lower cover are connected by side walls extending in a vertical direction on both sides of the transport path. 前記アドヒージョン処理部が、前記第１の区間内で前記搬送路を移動する前記基板を下から加熱するためのヒータを有する請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the adhesion processing unit includes a heater for heating the substrate moving on the transport path in the first section from below. 搬送方向において前記第１の区間の上流側隣に設定された第２の区間内で前記搬送路を移動する前記基板を第１の設定温度まで加熱する加熱部を有する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。   11. The heating device according to claim 1, further comprising: a heating unit configured to heat the substrate moving in the transport path to a first set temperature in a second section set next to the upstream side of the first section in the transport direction. The substrate processing apparatus according to claim 1. 前記加熱部が、前記搬送路上の前記基板に向けて上方および下方の少なくとも一方から熱をほぼ均一に放射する放熱体を有する請求項１１に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein the heating unit includes a radiator that radiates heat substantially uniformly from at least one of an upper side and a lower side toward the substrate on the transport path. 前記放熱体の放熱温度が、前記第２の区間の下流端付近では前記第１の設定温度に対応する第１の温度に選ばれ、前記第２の区間の上流端付近では前記第１の温度よりも高い第２の温度に選ばれる請求項１２に記載の基板処理装置。   The heat dissipation temperature of the radiator is selected as a first temperature corresponding to the first set temperature in the vicinity of the downstream end of the second section, and the first temperature in the vicinity of the upstream end of the second section. The substrate processing apparatus according to claim 12, wherein the second temperature higher than the second temperature is selected. 前記加熱部が、前記第２の区間の上流端付近で前記搬送路上の前記基板に向けて所定温度の温風を噴射する温風ノズルを有する請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The said heating part has a hot air nozzle which injects the warm air of predetermined temperature toward the said board | substrate on the said conveyance path in the vicinity of the upstream end of the said 2nd area. Substrate processing equipment. 搬送方向において前記第１の区間の下流側隣に設定された第３の区間内で前記搬送路を移動する前記基板を前記第１の温度よりも低い第２の設定温度まで冷却する冷却部を有する請求項１〜１４のいずれか一項に記載の基板処理装置。   A cooling unit that cools the substrate that moves on the transport path in a third section set next to the downstream side of the first section in the transport direction to a second set temperature lower than the first temperature; The substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-14 which has. 前記冷却部が、前記搬送路上の前記基板に向けて上方および下方の少なくとも一方から冷却用のガス流を当てる１本または複数本の冷却ガスノズルを有する請求項１５に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 15, wherein the cooling unit includes one or a plurality of cooling gas nozzles that apply a cooling gas flow from at least one of an upper side and a lower side toward the substrate on the transport path. 前記冷却ガスノズルの中で最も下流側に位置する冷却ガスノズルが、前記第２の設定温度に温調された冷却用ガス流を噴出する請求項１６に記載の基板処理装置。



The substrate processing apparatus according to claim 16, wherein a cooling gas nozzle located on the most downstream side among the cooling gas nozzles ejects a cooling gas flow whose temperature is adjusted to the second set temperature.



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